JPH04119990U - ウエ−ハ状積層セラミツクスヒ−タ− - Google Patents
ウエ−ハ状積層セラミツクスヒ−タ−Info
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- JPH04119990U JPH04119990U JP3186191U JP3186191U JPH04119990U JP H04119990 U JPH04119990 U JP H04119990U JP 3186191 U JP3186191 U JP 3186191U JP 3186191 U JP3186191 U JP 3186191U JP H04119990 U JPH04119990 U JP H04119990U
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 本考案は、ヒ−タ−部の形状、構造を変える
ことによって、ヒ−タ−部の面内温度分布を均一にする
ようにしたウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−の提供
を目的とするものである。 【構成】 本考案のウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ
−は、熱分解窒化ほう素および熱分解炭素よりなるウエ
−ハ状積層セラミックスヒ−タ−において、熱分解炭素
からなるヒ−タ−部パタ−ンが中心から外周にいくにし
たがってその電気抵抗が徐々に増加するようにしてなる
ことを特徴とするものである。
ことによって、ヒ−タ−部の面内温度分布を均一にする
ようにしたウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−の提供
を目的とするものである。 【構成】 本考案のウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ
−は、熱分解窒化ほう素および熱分解炭素よりなるウエ
−ハ状積層セラミックスヒ−タ−において、熱分解炭素
からなるヒ−タ−部パタ−ンが中心から外周にいくにし
たがってその電気抵抗が徐々に増加するようにしてなる
ことを特徴とするものである。
Description
【0001】
本考案はウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−、特にはヒ−タ−部の形状、構
造を変えることによってヒ−タ−の面内温度分布を均一にするようにしたウエ−
ハ状積層セラミックスヒ−タ−に関するものである。
【0002】
電子部品、半導体工業などにおいては、基板上に耐熱性の薄膜を形成する工程
が多く、これは化学気相蒸着法(CVD法)、分子線エピタキシ−法(MBE法
)、スパッタ−法などによっ行なわれているが、この際における基板の加熱には
円形のセラミックス基板上に炭素や金属体などからなるヒ−タ−部分を設置した
ウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−が汎用されている。
【0003】
しかし、この従来公知のウエ−ハ状セラミックスヒ−タ−では、通常このヒ−
タ−部分が中心から外周に渦巻状に配置されているために通電時に外周にいくに
したがって温度が低下し、したがって得られる薄膜の特性値がバラツキ易いとい
う欠点がある。
【0004】
本考案はこのような不利を解決したウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−に関
するものであり、これは熱分解窒化ほう素と熱分解炭素とからなるウエ−ハ状積
層セラミックスヒ−タ−において、熱分解炭素からなるヒ−タ−部パタ−ンを中
心から外周にいくにしたがってその電気抵抗が徐々に増加するようにしてなるこ
とを特徴とするものである。
【0005】
すなわち、本考案者らは面内温度分布が均一になるようにしたウエ−ハ状積層
セラミックスヒ−タ−を開発すべく種々検討した結果、熱分解窒化ほう素と熱分
解炭素とよりなるウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−において、この熱分解炭
素からなるヒ−タ−部パタ−ンを均一とせずに、このヒ−タ−パタ−ンを中心か
ら外周にいくにしたがってその電気抵抗が徐々に増加するようにすれば、通電時
における発熱が中心から外周にしたがって徐々に上昇するようになるので、面内
温度分布が均一になることを見出し、この電気抵抗を徐々に増加させる方法など
についての研究を進めて本考案を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
【0006】
本考案は面内温度分布が均一になるようにしたウエ−ハ状積層セラミックスヒ
−タ−に関するものであり、これはヒ−タ−部パタ−ンを中心から外周にいくに
したがってその電気抵抗が徐々に増加するようにしてなることを特徴とするもの
である。
【0007】
本考案になるウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−自体は熱分解窒化ほう素か
らなるウエ−ハ状セラミックスヒ−タ−基体の表面部に熱分解炭素からなるヒ−
タ−部を中心から外側に渦巻状に配置したものとされる。
この基体はそれが高純度であり、耐熱性、ヒ−トショック性がよく、また脱ガ
スもないということから化学気相蒸着法(CVD法)で作られた熱分解窒化ほう
素で作られたものとされ、このヒ−タ−部も高純度で、加熱処理時に不純物によ
り被処理物を汚染することがないものとするということから、純度の高い合成有
機化合物、例えば熱硬化性樹脂などの高温焼成で作られた熱分解炭素で作られた
ものとされる。
【0008】
本考案のウエ−ハ型積層セラミックスヒ−タ−ではこのヒ−タ−部パタ−ンが
中心から外周にいくにしたがって徐々に電気抵抗が増加するようにされ、これに
よって通電時には従来品では中心から外周にいくにしたがって発熱量が徐々に低
下するのを面内で均一になるようにしたものである。
【0009】
本考案のウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−では上記したようにヒ−タ−部
パタ−ンが中心から外周にいくにしたがって電気抵抗が徐々に増加するようにさ
れるのであるが、これには1)このヒ−タ−部を構成する熱分解炭素を全体にわた
って均質のものとせず、この熱分解炭素自体を中心から外側にいくにしたがって
電気抵抗が徐々に上昇したものとする方法、例えばこの熱分解炭素に含有される
シリカ(SiO2)、 酸化ほう素(B2O3)、 窒化ほう素(BN)などの量を中心から外周にい
くにしたがって徐々に増加させればよいし、これはまた、2)この熱分解炭素で作
られたヒ−タ−部の断面積を中心から外周にいくにしたがって徐々に小さくする
方法、例えばこのヒ−タ−部を中心から外側にいくにしたがって徐々に細くする
か、徐々に薄くするようにすればよい。
【0010】
本考案によるヒ−タ−部の電気抵抗を中心から外周にいくにしたがって徐々に
増加させるには、上記したようにこのヒ−タ−部の断面積を徐々に小さくすれば
よいのであるが、これは例えばヒ−タ−部を構成する厚さが一定の熱分解炭素層
の幅を中心から外周にいくにしたがって徐々に細くすればよく、これによればヒ
−タ−部の電気抵抗が中心から外周にいくにしたがって徐々に増加するので、通
電時における発熱量が中心から外周にいくにしたがって徐々に増加し、結果にお
いて中心から外周にいくにしたがって面積が増加してもヒ−タ−の面内温度分布
を均一にすることができるという有利性が与えられるが、この実施態様の例につ
いては図1〜図6に示されている。
【0011】
つぎに本考案の実施例、比較例をあげる。
実施例、比較例
直径100mm φ、厚さ1mmの熱分解窒化ほう素製のセッラミックス基板に熱CV
D法で厚さ50μm の熱分解炭素層を形成し、これを機械加工して図1、図2に示
したようにパタ−ニングをして熱分解炭素層が中心から外周にいくにしたがって
徐々に細くなるようにして(11mm →9mm、 16mm →9mm、)、ウエ−バ型積層セッラ
ミックスヒ−タ−Aを作ると共に、比較のためにこのヒ−タ−部としての熱分解
炭素層の幅を10mmと一定とした以外は実施例と同一の方法でウエ−ハ型積層セッ
ラミックスヒ−タ−Bを作った。
【0012】
つぎにこのウエ−ハ型積層セッラミックスヒ−タ−A、Bに電流を流して加熱
させ、このものの表面温度を測定したところ、第7図に示したとおりの結果が得
られ、本考案によるウエ−ハ型積層セッラミックスヒ−タ−Aは表面全体にわた
って均一な温度分布を示したけれども比較例としてのウエ−ハ型積層セッラミッ
クスヒ−タ−Bは外周にいくにしたがって温度が低下し、均一な温度分布を示さ
ないことが確認された。
【0013】
本考案はウエ−ハ状積層セッラミックスヒ−タ−に関するものであり、これは
熱分解窒化ほう層および熱分解炭素よりなるウエ−ハ状積層セッラミックスヒ−
タ−において、熱分解炭素からなるヒ−タ−部パタ−ンが中心から外周にいくに
したがってその電気抵抗が徐々に増加するようにされていることを特徴とするも
のであるが、これによればそのヒ−タ−部パタ−ンが中心から外周にいくにした
がってその電気抵抗が徐々に増加するようにされているので、これに通電すると
このヒ−タ−部は中心から外周にいくにしたがって徐々にその発熱量が増加し、
結果においてヒ−タ−面が中心から外周にいくにしたがって徐々に表面積が増加
しているが面内温度分布が均一になるという有利性が与えられる。
【図1】本考案のウエ−ハ型積層セッラミックスヒ−タ
−の平面図である。
−の平面図である。
【図2】図1に示した本考案のウエ−ハ型積層セッラミ
ックスヒ−タ−の縦断面図である。
ックスヒ−タ−の縦断面図である。
【図3】本考案のウエ−ハ型積層セッラミックスヒ−タ
−の他の実施例の平面図である。
−の他の実施例の平面図である。
【図4】図3に示した本考案のウエ−ハ型積層セッラミ
ックスヒ−タ−の縦断面図である。
ックスヒ−タ−の縦断面図である。
【図5】本考案のウエ−ハ型積層セッラミックスヒ−タ
−のさらに他の実施例の平面図である。
−のさらに他の実施例の平面図である。
【図6】図5に示した本考案のウエ−ハ型積層セラミッ
クスヒ−タ−の縦断面図である。
クスヒ−タ−の縦断面図である。
【図7】本考案の実施例、比較例で作られたウエ−ハ型
積層セッラミックスヒ−タ−の通電時におけるヒ−タ−
位置とヒ−タ−表面温度との関係図である。
積層セッラミックスヒ−タ−の通電時におけるヒ−タ−
位置とヒ−タ−表面温度との関係図である。
1・・・セラミックス基体(熱分解窒化ほう素製)
2・・・ヒ−タ−部(熱分解炭素製) 3・・・電気端
子部。
子部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
H05B 3/84
Claims (2)
- 【請求項1】 熱分解窒化ほう素および熱分解炭素より
なるウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−において、熱
分解炭素からなるヒ−タ−部パタ−ンが中心から外周に
いくにしたがってその電気抵抗が徐々に増加するように
してなることを特徴とするウエ−ハ状積層セラミックス
ヒ−タ−。 - 【請求項2】 分解型炭素のヒ−タ−パタ−ンの断面積
が外周にいくにしたがって低下するようにしてなる請求
項1に記載したウエ−ハ状積層セラミックスヒ−タ−。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3186191U JPH04119990U (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ウエ−ハ状積層セラミツクスヒ−タ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3186191U JPH04119990U (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ウエ−ハ状積層セラミツクスヒ−タ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04119990U true JPH04119990U (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=31915011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3186191U Pending JPH04119990U (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ウエ−ハ状積層セラミツクスヒ−タ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04119990U (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001084885A1 (fr) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Element chauffant en ceramique |
JP2002114595A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-16 | Anelva Corp | 分子線エピタキシ用試料及び蒸発源 |
JP2006127883A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | ヒータ及びウェハ加熱装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50156049A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-12-16 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3186191U patent/JPH04119990U/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50156049A (ja) * | 1974-05-10 | 1975-12-16 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001084885A1 (fr) * | 2000-05-02 | 2001-11-08 | Ibiden Co., Ltd. | Element chauffant en ceramique |
JP2002114595A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-16 | Anelva Corp | 分子線エピタキシ用試料及び蒸発源 |
JP2006127883A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | ヒータ及びウェハ加熱装置 |
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