JPH04119134U - 高電圧パルス発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来構成によるよりも狭いパルス巾の高電圧
パルスの発生を可能にするとともに、そのパルス出力波
形の調整を可能にすることを目的とする。 【構成】 低インダクタンスコンデンサからなるコンデ
ンサ回路を多段に接続してパルス成形ネットワークを構
成し、コンデンサ回路の高圧側の端部に高圧導体を直接
接続し、隣合うコンデンサ回路の高圧導体にコイル状の
インダクタの各端部を直接接続し、このインダクタには
金属導体を移動自在に挿通する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はパルス成形ネットワークを使用した高電圧パルス発生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

高電圧パルスを発生するのにパルス成形ネットワークを使用したものは、既に よく知られている。すなわち図４に示すように、複数のコンデンサＣを充電電源 （直流電源またはパルス巾の広いパルスを発生するパルス電源）Ｖに対して、イ ンダクタＬを介して多段に接続して構成される。そして充電スイッチＳ１をオン にして各コンデンサＣを充電し、その充電後、出力スイッチＳ２をオンとするこ とによって、負荷Ｚに高電圧パルスを供給する。

【０００３】 このような高電圧パルス発生装置の従来構成を図３に示す。従来では同図に示 すようにコンデンサとして罐型コンデンサ３１を使用し、各罐型コンデンサ３１ の間にリード線３２によって、罐型コンデンサ３１とは別置にして並べられてい るインダクタ３３を接続して構成していた。各インダクタ３３には金属導体３４ が移動自在に挿通されてあり、この移動によってインダクタンスを可変とし、出 力されるパルスの波形を整形するようにしている。

【０００４】 しかしこのような構成におけるインダクタンスは、リード線３２のインダクタ ンスも加わるようになり、大きな値とならざるを得ない。また罐型コンデンサ３ １自身のインダクタンスが大きく、これが無視できるようにするためには、回路 全体のインダクタンスは大きくなくてはならなかった。したがってこのような従 来構成では、出力パルス巾は１μＳ以下とすることは極めて困難であった。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

本考案は、従来構成によるよりも狭いパルス巾の高電圧パルスの発生を可能に することを目的とする。またそのパルス出力波形の調整を可能にすることを目的 とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

本考案は、低インダクタンスコンデンサからなるコンデンサ回路を多段に接続 してパルス成形ネットワークを構成し、前記コンデンサ回路の高圧側の端部に高 圧導体を直接接続し、隣合うコンデンサ回路の高圧導体にコイル状のインダクタ の各端部を直接接続し、このインダクタには金属導体を移動自在に挿通してなる ことを特徴とする。

【０００７】

【作用】

低インダクタンスコンデンサを使用するので、そのインダクタンスは極めて小 さい。そして各コンデンサ回路の各段間に接続されるインダクタは、コンデンサ 回路の高圧側の端部に直接に接続されている高圧導体に直接に接続されてあるの で、リード線のインダクタンスはなんら存在しないようになり、したがって回路 全体のインダクタンスは極めて小さいものとなる。これによって従来によるもの よりも狭いパルス巾（１μＳ以下）の高電圧パルスを発生することができるよう になる。各インダクタには可動金属導体が設けてあり、これを移動することによ って、パルス波形の整形が可能となる。

【０００８】

【実施例】

本考案の実施例を図１によって説明する。本考案にしたがいコンデンサ１とし て、セラミックコンデンサのような低インダクタンスのコンデンサを使用する。 この種セラミックコンデンサは、図２に示すように誘電体をセラミックとして構 成されてあり、その外周は樹脂などによってモールドされている。２はそのモー ルド部分を、また３はその電極端子を示す。

【０００９】 コンデンサ１によってコンデンサ回路４を構成する。図１ではコンデンサ１を その電極端子が互いに接触し合うように多段に積み重ねるようにして直列に接続 して構成してある。そしてこのコンデンサ回路４の高圧側の端部に、高圧導体５ が接続されてある。各コンデンサ回路４は従来構成と同様に充電電源Ｖに対して 多段に接続されてある。

【００１０】 なお図１の例では直列接続されたコンデンサの回路の複数（図の例は２回路） を、並列に接続してコンデンサ回路４を構成した例を示している。そのためには 各コンデンサの回路の高圧側の端部を、高圧導体５に接続すればよい。このよう に複数のコンデンサの回路を並列接続すると、コンデンサ回路４は低インダクタ ンスとなって都合がよい。また図の例では、コンデンサの回路を積み上げて構成 しているが、これを放射状に配列してコンデンサ回路４を構成してもよい。

【００１１】 隣合うコンデンサ回路４の高圧導体４に、コイル状のインダクタ６の各端部を 直接に接続する。そして各インダクタ６の内部に金属導体７が移動自在に設置さ れる。金属導体７の移動を可能とするために、高圧導体５をたとえば断面がコ字 状となるように構成して内部を中空とし、金属導体７が出入り可能なスペースを 確保しておくとよい。

【００１２】 以上の構成により、コンデンサとして低インダクタンスのものを用い、かつリ ード線のインダクタンスもほとんど皆無となるため、回路全体のインダクタンス を小さくすることができる。そのため出力パルスとして、従来構成のものに比較 して充分に狭い巾のものが得られるようになる。また金属導体７の、インダクタ ６内での移動により、インダクタ６のインダクタンスが調整され、出力パルスの 波形整形の調整が可能となる。

【００１３】

【考案の効果】

以上詳述したように本考案によれば、従来構成によるよりも、パルス巾の狭い 高電圧パルスを発生させることができ、かつそのパルスの波形整形も可能となる といった効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例を示す回路図である。

【図２】セラミックコンデンサの斜視図である。

【図３】従来例の回路図である。

【図４】パルス成形ネットワークの回路図である。

【符号の説明】

１ コンデンサ ４ コンデンサ回路 ５ 高圧導体 ６ インダクタ ７ 金属導体 Ｖ 充電電源 Ｚ 負荷

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 低インダクタンスコンデンサからなるコ
   ンデンサ回路を多段に接続してパルス成形ネットワーク
   を構成し、前記コンデンサ回路の高圧側の端部に高圧導
   体を直接接続し、隣合う前記コンデンサ回路の前記高圧
   導体にコイル状のインダクタの各端部を直接接続し、前
   記インダクタには金属導体を移動自在に挿通してなる高
   電圧パルス発生装置。