【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
【産業上の利用分野】[Industrial application field]
本発明は、半導体メモリーを搭載するＩＣメモリーカー
ドに係わり、より詳しくは、当該カードのラッチアップ
防止機能に関する。The present invention relates to an IC memory card equipped with a semiconductor memory, and more particularly to a latch-up prevention function of the card.
【従来の技術】[Conventional technology]
ＩＣメモリーカードをシステム側（本体側）に挿入する
際、挿入方向によっては、電源端子、及び接地端子より
速く、信号線端子に接続され、過渡状態では、信号線端
子電位がプラス側電位より高電位になったり、或はマイ
ナス側電位より低くなり、ラッチアップ現象を誘発する
可能性があった。
〔発明が解決しようとする課題１
近年、電子機器の小型化、高機能化が進み、それに伴い
、小型で高容量の記憶媒体が求められる様になって来て
いる。そこで、半導体メモリーを、カード上に実装した
ＩＣメモリーカードが、その高速性、低消費電力、小型
計量性から注目され、今後益々普及するものと考えられ
る。しかし現状のメモリーカードにおいては、システム
側（本体側）に挿入する際、挿入方向によっては、電源
端子、及び接地端子より速く、信号線端子に接続され、
過渡状態では、信号線端子電位がプラス側電位より高電
位になったり、或はマイナス側電位より低くなり、ラッ
チアップ現象を誘発するという不具合があった６本発明
は、ＩＣメモリーカード上にラッチアップ防止機能を搭
載する事により、上記課題を解決し、ＩＣメモリーカー
ドの信頼性をより高めることを目的としている。
〔課題を解決するための手段］
ＩＣメモリーカードをシステム側に挿入する際、当該カ
ードの電源端子、及び接地端子がシステム側に接続され
た事を検出し、当該検出信号により、他端子を接続する
順序回路を付加する事により、ＩＣメモリーカードの挿
入時に発生するラッチアップ現象を防止する。
〔実 施 例〕
以下図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は従来のＩＣメモリーカードのブロック図であり
、１０１は半導体メモリーであり、目的及び用途により
、ＳＲＡＭやＤＲＡＭやマスクＲＯＭが使用される。１
０２は当該メモリーの読み込み、書き込み等をコントロ
ールする制御回路、１０３はシステム側に接続する為の
コネクターを示している。従来のメモリーカードでは、
当該メモリーカードをシステム側１（本体側）に挿入す
る際、挿入方向によっては、ｖＣＣ端子１０４、及びＧ
ＮＤ端子１０５より先に、アドレス信号線１０６、制（
［１信号！１１０７、データー（ｉ号１１ａ１０８がシ
ステム側に接続され、過渡状態では、信号線端子電位が
プラス側電位より高電位になったり、或はマイナス側電
位より低くなり、ラッチアップ現象を誘発する問題があ
り、最悪の場合はメモリーカードが破壊されるという不
具合があった。
第２図は１本発明によるＩＣメモリーカードのブロック
図であり、２０１は半導体メモリーであり、２０２は当
該メモリーの読み込み、書き込み等を制御する半導体集
積回路、２０３はシステム側に接続する為のコネクター
を示している。２０４は本発明による検出回路を示して
おり、ｖＣＣ端子２０５、及びＧＮＤ端子２０６が確実
に接続されたことを検出する検出部、及び当該検出信号
により、アドレス信号［Ｉ２０７、制御信号線２０８、
データー信号線２０９をシステム側に接続するアナログ
スイッチ部により構成される。第３図は１本発明による
検出回路の概念図である。ＶＣＣ端子３０１、及びＧＮ
Ｄ端子３０２が接続されると、検出信号３０３が゛Ｈｉ
ｇｈレベル”になり、アナログスイッチ３０４が導通し
、コネクターへの信号線３０５と、ＩＣメモリーカード
内部への信号線３０６が接続される。従って当該発明に
よれば、まず最初にｖＣＣ端子３０１．及びＧＮＤ端子
３０２が接続された後に、検出信号３０３により、アナ
ログスイッチ３０４が導通し、コネクターへの信号線３
０５と、ＩＣメモリーカード内部への信号線３０６が接
続される為、ラッチアップ現象は起きないことになる。
［発明の効果］
本発明により、ＩＣメモリーカードをシステム側に挿入
する際、電源端子及び接地端子は、他端子より速く接続
状態になり、ラッチアップ現象を防止する事ができ、Ｉ
Ｃメモリーカードの普及に多大な貢献が期待出来る。When inserting an IC memory card into the system side (main unit side), depending on the insertion direction, it may be connected to the signal line terminal faster than the power terminal or ground terminal, and in a transient state, the signal line terminal potential may be higher than the positive side potential. There was a possibility that the potential would become low or lower than the negative potential, inducing a latch-up phenomenon. [Problem to be Solved by the Invention 1] In recent years, electronic devices have become smaller and more sophisticated, and as a result, there has been a demand for small-sized, high-capacity storage media. Therefore, IC memory cards in which semiconductor memory is mounted on the card are attracting attention because of their high speed, low power consumption, and compact size, and are expected to become more popular in the future. However, with current memory cards, when inserted into the system side (main body side), depending on the insertion direction, the connection to the signal line terminal may be faster than the power terminal or ground terminal.
In a transient state, the signal line terminal potential becomes higher than the positive potential or lower than the negative potential, inducing a latch-up phenomenon. The aim is to solve the above problems and further improve the reliability of IC memory cards by incorporating an anti-upload function. [Means for solving the problem] When inserting an IC memory card into the system side, it is detected that the power terminal and ground terminal of the card are connected to the system side, and other terminals are connected based on the detection signal. By adding a sequential circuit to prevent the latch-up phenomenon that occurs when inserting an IC memory card. [Example] The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a conventional IC memory card. 101 is a semiconductor memory, and depending on the purpose and use, SRAM, DRAM, or mask ROM is used. 1
Reference numeral 02 indicates a control circuit for controlling reading and writing of the memory, and reference numeral 103 indicates a connector for connecting to the system side. With conventional memory cards,
When inserting the memory card into the system side 1 (main body side), depending on the insertion direction, the vCC terminal 104 and the G
Before the ND terminal 105, the address signal line 106, control (
[1 signal! 1107, Data (I No. 11a 108 is connected to the system side, and in a transient state, the signal line terminal potential becomes higher than the positive side potential or lower than the negative side potential, causing a problem of inducing latch-up phenomenon. In the worst case, the memory card would be destroyed. Fig. 2 is a block diagram of an IC memory card according to the present invention, 201 is a semiconductor memory, and 202 is a memory card for reading and writing data. 203 indicates a connector for connecting to the system side. 204 indicates a detection circuit according to the present invention, and confirms that the vCC terminal 205 and the GND terminal 206 are securely connected. The detection unit detects the address signal [I207, control signal line 208,
It is composed of an analog switch section that connects the data signal line 209 to the system side. FIG. 3 is a conceptual diagram of a detection circuit according to the present invention. VCC terminal 301 and GN
When the D terminal 302 is connected, the detection signal 303 becomes “Hi”.
gh level", the analog switch 304 becomes conductive, and the signal line 305 to the connector and the signal line 306 to the inside of the IC memory card are connected. Therefore, according to the invention, first, the vCC terminal 301. After the GND terminal 302 is connected, the analog switch 304 becomes conductive due to the detection signal 303, and the signal line 3 to the connector is connected.
05 and the signal line 306 to the inside of the IC memory card, the latch-up phenomenon will not occur. [Effects of the Invention] According to the present invention, when an IC memory card is inserted into the system side, the power terminal and the ground terminal are connected to each other faster than other terminals, and the latch-up phenomenon can be prevented.
It is expected that this will make a significant contribution to the spread of C memory cards.
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]
第１図は従来のＩＣメモリーカードのブロック図である
。
第２図は本発明によるＩＣメモリーカードのブロック図
である。
第３図は本発明による検出回路の概念図である。
ｌｏｔ 、
１０２．
１０３．
１０４．
１０５．
１０６゜
１０７゜
１０８．
１０９．
２０４゜
３０３ ・
３０４ ・
３０５ ・
２０１・・・・・・半導体メモリー
２０２・・・・・・制御回路
２０３・・・・・・コネクター
２０５．３０１・−ＶＣＣ端子
２０６．３０２・・ＧＮＤ端子
２０７・・・・・・アドレス信号線
２０８・・・・・・制御信号線
２０９・・・・・・データ信号線
２１０・・・・・・メモリー制御信号
線
・・・・・・・・・検出回路
・・・・・・−・・検出信号
・・・・・・・・・アナログスイッチ
・・・・・・・・・コネクターへの信
傍線
３０６ ・
ＩＣメモリーカー
ド内部への信号線
３０７ ・
・インバーター
３０８ ・
・アンドゲート
以
上FIG. 1 is a block diagram of a conventional IC memory card. FIG. 2 is a block diagram of an IC memory card according to the present invention. FIG. 3 is a conceptual diagram of a detection circuit according to the present invention. lot, 102. 103. 104. 105. 106°107°108. 109. 204゜303 ・ 304 ・ 305 ・ 201 ... Semiconductor memory 202 ... Control circuit 203 ... Connector 205.301 - VCC terminal 206.302 ... GND terminal 207 ... Address signal line 208 ... Control signal line 209 ... Data signal line 210 ... Memory control signal line ...... Detection circuit ......Detection signal...Analog switch...Signal line 306 to the connector ・Signal line 307 to the inside of the IC memory card ・・Inverter 308 ・ ・And gate or more