JPH04116523A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH04116523A JPH04116523A JP23570990A JP23570990A JPH04116523A JP H04116523 A JPH04116523 A JP H04116523A JP 23570990 A JP23570990 A JP 23570990A JP 23570990 A JP23570990 A JP 23570990A JP H04116523 A JPH04116523 A JP H04116523A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は液晶表示素子に係り、電圧制御複屈折効果(
E CB)形のアクティブマトリクス駆動液晶表示素子
に関する。
E CB)形のアクティブマトリクス駆動液晶表示素子
に関する。
(従来の技術)
液晶表示素子の駆動方法には、単純マトリクス駆動、ア
クティブマトリクス駆動の各方式があり・、単純マトリ
クス駆動方式の液晶表示素子はその性質上走査線を多く
すると、クロストークの発生、表示コントラストの低下
が生じ、画素数には限界がある。
クティブマトリクス駆動の各方式があり・、単純マトリ
クス駆動方式の液晶表示素子はその性質上走査線を多く
すると、クロストークの発生、表示コントラストの低下
が生じ、画素数には限界がある。
これに対し、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示
素子は、各画素ごとに能動素子(例えば薄膜トランジス
タ(TPT))が設けられているため、原理的には画素
数はいくらでも多くすることができ、クロストークがな
く高コントラストの表示を行なうことができ、また、中
間調表示にも有利である。
素子は、各画素ごとに能動素子(例えば薄膜トランジス
タ(TPT))が設けられているため、原理的には画素
数はいくらでも多くすることができ、クロストークがな
く高コントラストの表示を行なうことができ、また、中
間調表示にも有利である。
一方、複屈折制御形の液晶表示素子は、液晶の持つ複屈
折異方性を利用するものである。すなわち、電圧無印加
時に、−軸性結晶と同等の光学特性を得るため液晶分子
をセル壁面に対して一定方向に配向させ、電圧印加によ
って分子配向を変化させ、リタデーションを変化させる
。この様なセルをクロスニコル間におき、白色光を入射
させれば、電圧印加によって光の透過率を変化させるこ
とができる。その際、Δnod (液晶の複屈折率Δn
と液晶層の厚さdとの積)の値は表示特性に大きな影響
を与える。
折異方性を利用するものである。すなわち、電圧無印加
時に、−軸性結晶と同等の光学特性を得るため液晶分子
をセル壁面に対して一定方向に配向させ、電圧印加によ
って分子配向を変化させ、リタデーションを変化させる
。この様なセルをクロスニコル間におき、白色光を入射
させれば、電圧印加によって光の透過率を変化させるこ
とができる。その際、Δnod (液晶の複屈折率Δn
と液晶層の厚さdとの積)の値は表示特性に大きな影響
を与える。
第2図にΔn−dが異なる場合の印加電圧−透過率特性
を示す。この様に特性曲線31に示す如くΔnodが大
きいと急峻な特性となり、特性曲線33に示す如くΔn
−dが小さいと、緩慢な特性となる。また、Δn−dが
小さすぎると、いくら電圧を印加しても透過率が高くな
らない。
を示す。この様に特性曲線31に示す如くΔnodが大
きいと急峻な特性となり、特性曲線33に示す如くΔn
−dが小さいと、緩慢な特性となる。また、Δn−dが
小さすぎると、いくら電圧を印加しても透過率が高くな
らない。
この液晶表示素子は、液晶に電圧をかけない場合、誘電
異方性が負の液晶材料の分子の長袖方向が基板表面に対
してほぼ垂直ないわゆるホメオトロピック配列をとって
いる。また、基板の外側に偏光板が互いに偏光軸を90
度になるように配置されている。
異方性が負の液晶材料の分子の長袖方向が基板表面に対
してほぼ垂直ないわゆるホメオトロピック配列をとって
いる。また、基板の外側に偏光板が互いに偏光軸を90
度になるように配置されている。
この液晶表示素子に垂直に通過する光の透過率Trは、
Tr=A2sin2(δ/2戸値1)
で表される。但し、Aは係数を示す。
ここで、δはリタデーションであり、セルの複屈折率を
Δneff、セル厚をdとすると、波長をλとして、 δ−(Δneff −d・2π)/λ・(2)で表され
る。
Δneff、セル厚をdとすると、波長をλとして、 δ−(Δneff −d・2π)/λ・(2)で表され
る。
従って、電圧無印加の場合は液晶分子は基板と垂直にな
っており、セルの複屈折率Δneffは零であり、透過
率Trは零となる。一方、閾値電圧以上の電圧を印加し
た場合には、液晶分子のチルト角が零でなくなり、透過
率Trが変化する。
っており、セルの複屈折率Δneffは零であり、透過
率Trは零となる。一方、閾値電圧以上の電圧を印加し
た場合には、液晶分子のチルト角が零でなくなり、透過
率Trが変化する。
ここで、透過率Trを最大にするには(1)式%式%)
となる事が分かる。「ジエイ、エフ、クレールアンド
ジニイ、シ仁 ドイツチ、二ロディスプレイ(J、F、
CLERCand J、C,DEUTSH,Euro
display) 87゜p、 2H(1975)
Jでは、TPT駆動方式の垂直配向電圧制御複屈折効果
(E CB)形液晶表示素子のΔn−dの値を、約λR
ED / 2 (〜OJ u m)と設定しである。
ジニイ、シ仁 ドイツチ、二ロディスプレイ(J、F、
CLERCand J、C,DEUTSH,Euro
display) 87゜p、 2H(1975)
Jでは、TPT駆動方式の垂直配向電圧制御複屈折効果
(E CB)形液晶表示素子のΔn−dの値を、約λR
ED / 2 (〜OJ u m)と設定しである。
しかし、実際には発明者らの多くの実験によると、上述
したΔnodの値、即ちΔn−d〜0.3μmでは、コ
ントラストの低下や正面輝度の低下が起こるという問題
があった。
したΔnodの値、即ちΔn−d〜0.3μmでは、コ
ントラストの低下や正面輝度の低下が起こるという問題
があった。
これは、配向膜近傍の液晶分子が、界面の影響を受け、
十分応答せず、透過率Trを最大にするΔn−dの値が
理論値と異なってくると考えられる。
十分応答せず、透過率Trを最大にするΔn−dの値が
理論値と異なってくると考えられる。
また、Δn−dがかなり大きすぎるとコントラスト、輝
度は良好となるが、応答速度は遅くなり視野角が狭く、
信号電圧に対する透過率の変化が大きくなりすぎ、階調
制御性が悪くなってしまう。
度は良好となるが、応答速度は遅くなり視野角が狭く、
信号電圧に対する透過率の変化が大きくなりすぎ、階調
制御性が悪くなってしまう。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記問題を解決しようというものであり、正
面輝度が高く、コントラストが高く、視野角も広く、階
調制御も良好で、かつ高速応答、高表示品位の液晶表示
素子を提供することを目的とする。
面輝度が高く、コントラストが高く、視野角も広く、階
調制御も良好で、かつ高速応答、高表示品位の液晶表示
素子を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、複数の能動素子を形成した基板と、この基板
と対向し、間隔dで配置された透明電極を有するガラス
基板と、基板とこのガラス基板との間に配置され、この
透明電極に電圧を印加しない時に液晶分子長軸がこの基
板法線に対して微小角度のプレチルト角を有した垂直配
向をしている誘電異方性が負の液晶組成物とを備えたア
クティブマトリクス駆動型の液晶表示素子において、こ
の液晶分子の長軸方向と前記基板法線とのなす角度が0
.9度以下であり、この液晶組成物の屈折率異方性Δn
と液晶層厚dとの積Δn−dの値が0.35μm乃至0
.44μmの範囲にあることを特徴とする。
と対向し、間隔dで配置された透明電極を有するガラス
基板と、基板とこのガラス基板との間に配置され、この
透明電極に電圧を印加しない時に液晶分子長軸がこの基
板法線に対して微小角度のプレチルト角を有した垂直配
向をしている誘電異方性が負の液晶組成物とを備えたア
クティブマトリクス駆動型の液晶表示素子において、こ
の液晶分子の長軸方向と前記基板法線とのなす角度が0
.9度以下であり、この液晶組成物の屈折率異方性Δn
と液晶層厚dとの積Δn−dの値が0.35μm乃至0
.44μmの範囲にあることを特徴とする。
(作 用)
液晶組成物の屈折率異方性Δnと液晶層厚dとの積Δn
odの値は、液晶表示素子の表示性能を決める重要なパ
ラメータであり、発明者らは、多くの実験により、アク
ティブマトリクス駆動方式の液晶素子において、透過率
Trを最大にするためには、Δn−d≧0.35μmで
あることを見出だした。一方Δn−dの値が大きくなり
過ぎると応答速度は遅くなり、視野角が狭く、また、階
調制御性が悪化することが知られている。階調制御性が
悪化せず、応答速度は遅くならず、視野角が狭くならな
いΔn−dの範囲は0.44μm以下であることを見出
だした。
odの値は、液晶表示素子の表示性能を決める重要なパ
ラメータであり、発明者らは、多くの実験により、アク
ティブマトリクス駆動方式の液晶素子において、透過率
Trを最大にするためには、Δn−d≧0.35μmで
あることを見出だした。一方Δn−dの値が大きくなり
過ぎると応答速度は遅くなり、視野角が狭く、また、階
調制御性が悪化することが知られている。階調制御性が
悪化せず、応答速度は遅くならず、視野角が狭くならな
いΔn−dの範囲は0.44μm以下であることを見出
だした。
したがって、本発明は、液晶の複屈折率をΔn1液晶層
の厚さをdとしたとき、Δn−d≧0.35μm1Δn
−d≦0.44μmを満足するものである。
の厚さをdとしたとき、Δn−d≧0.35μm1Δn
−d≦0.44μmを満足するものである。
すなわち、液晶分子の長軸方向と基板法線との成す角度
が0.9度以下であるとき、Δn−dの値が0.35μ
m乃至0.44μmの範囲にあれば、高コントラストで
正面輝度が高く広視野角で階調制御も良好で高速応答の
液晶表示素子が得られることを見出だした。
が0.9度以下であるとき、Δn−dの値が0.35μ
m乃至0.44μmの範囲にあれば、高コントラストで
正面輝度が高く広視野角で階調制御も良好で高速応答の
液晶表示素子が得られることを見出だした。
なお、Δn−dの値が0.35μmより小さい場合は、
視野角は広く、階調制御性も良好だが、正面輝度が低く
、かつコントラストが低くなり、逆にΔn−dの値が0
644μmより大きい場合は、正面輝度が高くコントラ
ストも高くなるが、視野角は狭く、階調制御性も悪くな
る (実施例) 以下本発明にかかる液晶表示素子の実施例を図面を用い
て説明する。第1図の様に、能動素子付画素電極11が
付いたTFTアレイ基板12と表面に透明電極10が形
成された透明ガラスでできた基板13が、TFTアレイ
面と透明電極が対向するように配置されている。TFT
アレイ面、透明電極上には一塩基性クロム錯体や長鎖ア
ルキルシランを用い垂直配向膜14,15が形成されて
いる。垂直配向膜上をラビングして、ラビング方向が平
行となるようにこれらガラス基板12゜13をほぼ平行
に配置し、その周囲はエポキシ系接着剤からなるシール
剤16で接着しTPTアクティブマトリクス駆動形液晶
表示素子26の空セルを作製した。このとき基板間隔d
は、スペーサー材により制御し、種種の基板間隔の空セ
ルを作成した。
視野角は広く、階調制御性も良好だが、正面輝度が低く
、かつコントラストが低くなり、逆にΔn−dの値が0
644μmより大きい場合は、正面輝度が高くコントラ
ストも高くなるが、視野角は狭く、階調制御性も悪くな
る (実施例) 以下本発明にかかる液晶表示素子の実施例を図面を用い
て説明する。第1図の様に、能動素子付画素電極11が
付いたTFTアレイ基板12と表面に透明電極10が形
成された透明ガラスでできた基板13が、TFTアレイ
面と透明電極が対向するように配置されている。TFT
アレイ面、透明電極上には一塩基性クロム錯体や長鎖ア
ルキルシランを用い垂直配向膜14,15が形成されて
いる。垂直配向膜上をラビングして、ラビング方向が平
行となるようにこれらガラス基板12゜13をほぼ平行
に配置し、その周囲はエポキシ系接着剤からなるシール
剤16で接着しTPTアクティブマトリクス駆動形液晶
表示素子26の空セルを作製した。このとき基板間隔d
は、スペーサー材により制御し、種種の基板間隔の空セ
ルを作成した。
液−晶組成物22には誘電異方性が負の液晶としテZ
L I −2787(E−メルク社製の商品名)ヤEN
−24(チッソ社製の商品名)やEXN−001(ロブ
イック社製の商品名)を用い、空セルに注入して液晶セ
ルを作成した。この様な液晶セルの前後にそれぞれ二枚
の偏光板23.24を直交ニコルとなるように設置し、
液晶表示素子26を作成した。なお、符号17は電圧無
印加部、符号18は電圧印加部である。
L I −2787(E−メルク社製の商品名)ヤEN
−24(チッソ社製の商品名)やEXN−001(ロブ
イック社製の商品名)を用い、空セルに注入して液晶セ
ルを作成した。この様な液晶セルの前後にそれぞれ二枚
の偏光板23.24を直交ニコルとなるように設置し、
液晶表示素子26を作成した。なお、符号17は電圧無
印加部、符号18は電圧印加部である。
これらの液晶表示素子26を、各々アクティブマトリク
ス駆動点灯させた場合の表示コントラストと視野角及び
階調制御性について評価した。その結果を第1表に示す
。
ス駆動点灯させた場合の表示コントラストと視野角及び
階調制御性について評価した。その結果を第1表に示す
。
なお、第1表中において、サンプル番号1,2゜3.4
.5は、垂直配向剤として、長鎖アルキルシランを用い
、サンプル番号6.7.8は垂直配向剤として、−塩基
性クロム錯体を用いた。
.5は、垂直配向剤として、長鎖アルキルシランを用い
、サンプル番号6.7.8は垂直配向剤として、−塩基
性クロム錯体を用いた。
表から、Δnodの値が0.35μm乃至0.44μm
の範囲にあれば、高コントラスト、広視野角な、かつ階
調制御性が良好なアクティブマトリクス駆動液晶表示素
子が得られることが判る。
の範囲にあれば、高コントラスト、広視野角な、かつ階
調制御性が良好なアクティブマトリクス駆動液晶表示素
子が得られることが判る。
(以下余白)
なお、実施例としては、三端子素子であるTPT型アク
ティブマトリクス駆動方式の場合を示したが、二端子素
子であるMIM型アクティブマトリクス駆動方式などを
用いても同様の効果が得られる。
ティブマトリクス駆動方式の場合を示したが、二端子素
子であるMIM型アクティブマトリクス駆動方式などを
用いても同様の効果が得られる。
[発明の効果]
本発明によれば、高速応答で高コントラスト、正面輝度
が高く、広視野角な階調制御性が良好な液晶表示素子が
得られる。
が高く、広視野角な階調制御性が良好な液晶表示素子が
得られる。
なお実施例としては、垂直配向膜として、表面がラビン
グ処理されたー塩基性クロム錯体や長鎖アルキルシラン
を用いた場合を示したが、その他の方法すなわちSiO
斜方蒸着法や上記の垂直配向方法の併用などを用いるこ
ともできる。
グ処理されたー塩基性クロム錯体や長鎖アルキルシラン
を用いた場合を示したが、その他の方法すなわちSiO
斜方蒸着法や上記の垂直配向方法の併用などを用いるこ
ともできる。
第1図は本発明の液晶表示素子の概略断面図を示す図、
第2図はΔnodをかえた場合の印加電圧−透過率特性
を示す図である。 12.13・・・ガラス基板 10・・・透明電極 1・・・能動素子付画素電極 4.15・・・配向膜 3.24・・・偏光板 7・・・電圧無印加部 8・・・電圧印加部 2・・・液晶分子 6・・・シール剤 6・・・液晶表示素子 1・・・Δn−dが大きい場合の印加電圧−透過率特性
の特性曲線 2・・・Δn−dが中くらいの場合の印加電圧−透過率
特性の特性曲線 3・・・Δn−dが小さい場合の印加電圧−透過率特性
の特性曲線 G 第 図 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
第2図はΔnodをかえた場合の印加電圧−透過率特性
を示す図である。 12.13・・・ガラス基板 10・・・透明電極 1・・・能動素子付画素電極 4.15・・・配向膜 3.24・・・偏光板 7・・・電圧無印加部 8・・・電圧印加部 2・・・液晶分子 6・・・シール剤 6・・・液晶表示素子 1・・・Δn−dが大きい場合の印加電圧−透過率特性
の特性曲線 2・・・Δn−dが中くらいの場合の印加電圧−透過率
特性の特性曲線 3・・・Δn−dが小さい場合の印加電圧−透過率特性
の特性曲線 G 第 図 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の能動素子を形成した基板と、 この基板と対向し、間隔dで配置された透明電極を有す
るガラス基板と、 前記基板と前記ガラス基板との間に配置され、この透明
電極に電圧を印加しない時に液晶分子長軸が前記基板法
線に対して微小角度のプレチルト角を有した垂直配向を
している誘電異方性が負の液晶組成物とを備えたアクテ
ィブマトリクス駆動型の液晶表示素子において、 前記液晶分子の長軸方向と前記基板法線とのなす角度が
0.9度以下であり、 前記液晶組成物の屈折率異方性Δnと液晶層厚dとの積
Δn・dの値が0.35μm乃至0.44μmの範囲に
あることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23570990A JPH04116523A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23570990A JPH04116523A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04116523A true JPH04116523A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=16990072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23570990A Pending JPH04116523A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04116523A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998033092A1 (fr) * | 1997-01-24 | 1998-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a cristaux liquides et son procede de fabrication |
JP2008293041A (ja) * | 1997-10-21 | 2008-12-04 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23570990A patent/JPH04116523A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998033092A1 (fr) * | 1997-01-24 | 1998-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif a cristaux liquides et son procede de fabrication |
US6452655B1 (en) | 1997-01-24 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal device and its manufacturing method |
JP2008293041A (ja) * | 1997-10-21 | 2008-12-04 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
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