JPH04111353A - Photoelectric conversion device - Google Patents
Photoelectric conversion deviceInfo
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- JPH04111353A JPH04111353A JP2228048A JP22804890A JPH04111353A JP H04111353 A JPH04111353 A JP H04111353A JP 2228048 A JP2228048 A JP 2228048A JP 22804890 A JP22804890 A JP 22804890A JP H04111353 A JPH04111353 A JP H04111353A
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換装置に関し、詳しくは基板上にイメー
ジセンサチップを複数個配列してなるマルチチップ型イ
メージセンサに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a photoelectric conversion device, and more particularly to a multi-chip image sensor in which a plurality of image sensor chips are arranged on a substrate.
［従来の技術］
リニアイメージセンサはファクシミリ、スキャナ等の読
取装置に多用されている。従来のリニアイメージセンサ
はシリコンウェハー上に作成されるためセンサ長がウェ
ハーサイズにより制限を受け、原稿と同一長さのリニア
イメージセンサチップを作ることは困難であった。この
ため原稿からの反射光を光学系を用いて縮小し、リニア
イメージセンサ上に縮小投影して画像を読取っていた。[Prior Art] Linear image sensors are often used in reading devices such as facsimiles and scanners. Since conventional linear image sensors are fabricated on silicon wafers, the sensor length is limited by the wafer size, making it difficult to fabricate a linear image sensor chip with the same length as the original. For this reason, the reflected light from the document is reduced using an optical system, and the image is read by projecting the reduced light onto a linear image sensor.
しかし、このような縮小光学系を使用する読取装置では
光学系のスペースを広（取らねばならず、また解像度も
十分でない。そこでリニアイメージセンサを複数個直線
状に配列してなるマルチチップ型イメージセンサが用い
られるようになった。この場合、各イメージセンサチッ
プは第３図に示されるように基板１の上にセンサチップ
２−１〜２−ｎを直線状に配列し透明樹脂４で封止して
いる。However, in a reading device that uses such a reduction optical system, the space for the optical system must be expanded, and the resolution is not sufficient. Sensors have come to be used.In this case, each image sensor chip consists of sensor chips 2-1 to 2-n arranged linearly on a substrate 1 and sealed with a transparent resin 4, as shown in FIG. It has stopped.
［発明が解決しようとしている課題］
しかしながら、上記従来例では透明樹脂によりセンサチ
ップを封止しているため、光源として赤外線等の発光を
多く含む例えば白熱電球を使用した場合、赤外線によっ
てセンサチップの画素に発生するキャリアが多（、これ
によってセンサ出力が飽和するという問題が有り、第４
図の５に示すような赤外カットフィルターを入れる必要
があった。このため、赤外カットフィルターを入れる分
コストアップとなり、また構造上もそれだけ複雑になる
という欠点があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, in the conventional example described above, the sensor chip is sealed with a transparent resin, so if an incandescent light bulb, which emits a lot of infrared rays, is used as a light source, the sensor chip will be damaged by the infrared rays. There are many carriers generated in the pixel (there is a problem that the sensor output is saturated due to this, and the fourth
It was necessary to install an infrared cut filter as shown in figure 5. Therefore, the cost increases due to the inclusion of an infrared cut filter, and the structure also becomes more complicated.
従って、本発明の目的は、赤外カットフィルターを用い
ずにセンサチップに到達する赤外線を遮断し得る、マル
チチップ型イメージセンサの光電変換装置を提供するこ
とにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion device for a multi-chip image sensor that can block infrared rays reaching a sensor chip without using an infrared cut filter.
［課題を解決するための手段及び作用］すなわち、本発
明は、入射した光に応じて光生成キャリアを発生する為
の画素を直線状に複数個配列してなるイメージセンサチ
ップを、基板上に複数個配列してなる光電変換装置にお
いて、前記イメージセンサチップを覆うチップコートが
、赤外線を吸収する染料を含有する材料により形成され
ていることを特徴とする光電変換装置である。[Means and effects for solving the problem] That is, the present invention provides an image sensor chip having a plurality of linearly arranged pixels for generating photogenerated carriers according to incident light, on a substrate. The photoelectric conversion device is characterized in that a chip coat covering the image sensor chips is formed of a material containing a dye that absorbs infrared rays.
本発明において、赤外線を吸収する染料としては、酸化
タングステン化合物、シアニン系色素、メチル系色素、
ナフトキノン系色素、キノンイミン系色素等が挙げられ
、好ましくは酸化タングステン化合物等の光に安定な物
質である。In the present invention, dyes that absorb infrared rays include tungsten oxide compounds, cyanine dyes, methyl dyes,
Examples include naphthoquinone dyes and quinoneimine dyes, and preferably light-stable substances such as tungsten oxide compounds.
また、チップコートの形成に用いられる材料としてはシ
リコーン樹脂、アクリル樹脂、紫外線硬化型樹脂等が挙
げられ、好ましくは応力等の影響を緩和できるシリコー
ン樹脂である。Materials used for forming the chip coat include silicone resins, acrylic resins, ultraviolet curable resins, etc., and silicone resins that can alleviate the effects of stress and the like are preferred.
前記赤外線を吸収する染料は、赤外線を十分に吸収する
量、例えば酸化タングステン化合物の場合、上記材料に
対して０．１〜５重量重量％台有させる。The infrared ray absorbing dye is present in an amount sufficient to absorb infrared rays, for example, in the case of a tungsten oxide compound, it is present in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the material.
チップコートの形成には、通常の定量吐出機を使用して
均一な厚さに塗布する方法が用いられる。To form the chip coat, a method is used in which the coating is applied to a uniform thickness using a regular metering dispenser.
本発明においては、マルチチップ型イメージセンサの光
電変換装置において、イメージセンサチップを覆うチッ
プコートを、赤外線を吸収する染料を材料により形成す
ることにより、赤外線をカットしセンサ上まで達しない
ようにして赤外カットフィルターを別に設けなくともよ
い構成にしたものである。In the present invention, in a photoelectric conversion device of a multi-chip image sensor, the chip coat that covers the image sensor chip is made of a material containing a dye that absorbs infrared rays, thereby cutting off infrared rays and preventing them from reaching the top of the sensor. This configuration eliminates the need for a separate infrared cut filter.
［実施例〕
実施例１
第１図は本発明の第１の実施例を示し、同図において１
はセンサチップを実装する基板、２−１〜２−ｎはセン
サチップ、３はセンサチップを覆うチップコート材であ
る。[Example] Example 1 FIG. 1 shows a first example of the present invention, in which 1
2-1 is a substrate on which a sensor chip is mounted, 2-1 to 2-n are sensor chips, and 3 is a chip coating material that covers the sensor chip.
本発明においては３のセンサチップを覆うチップコート
材に赤外線を吸収する染料として酸化タングステンを０
．５重量％含ませ、センサチップ上に赤外線が達するの
を防止している。In the present invention, tungsten oxide is added to the chip coating material covering the sensor chip in step 3 as a dye that absorbs infrared rays.
．． It contains 5% by weight to prevent infrared rays from reaching the sensor chip.
実施例２
第２図は本発明の第２の実施例で３は赤外線を吸収する
材料を入れたチップコート材、４は透明チップコート材
である。第２図においては、まず透明なチップコート材
でセンサチップを覆うことで、従来と同様の信頼性を確
保でき、またその上部に紫外線を吸収する染料を入れた
チップコート材を配置することによって赤外線をカット
している。なお、センサチップ材および染料は実施例１
と同じであり、チップコート上部の染料の含有量は１．
０重量％である。Embodiment 2 FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention, in which numeral 3 is a chip coating material containing a material that absorbs infrared rays, and 4 is a transparent chip coating material. In Figure 2, by first covering the sensor chip with a transparent chip coating material, the same reliability as before can be ensured, and by placing a chip coating material containing a dye that absorbs ultraviolet rays on top of the sensor chip. It blocks infrared rays. Note that the sensor chip material and dye were the same as in Example 1.
The content of dye on the top of the chip coat is 1.
It is 0% by weight.
［発明の効果］
以上説明したように、センサチップを覆う樹脂に赤外線
を吸収する染料を含有させることによって、別に赤外カ
ットフィルターを使用することなく、工程の簡略化が行
なえ、量産性を上げることが可能となりコストダウンが
行なえる。[Effects of the invention] As explained above, by incorporating a dye that absorbs infrared rays into the resin covering the sensor chip, the process can be simplified without using a separate infrared cut filter, and mass productivity can be increased. This makes it possible to reduce costs.
第１図は本発明の第１の実施例を示す模式断面図である
。第２図は本発明の第２の実施例を示す模式断面図であ
る。第３図、第４図は従来例を示す模式断面図であり、
第３図は赤外カットフィルターのない例、第４図は赤外
カットフィルターを別に設けた例である。
１：センサチップを実装する基板
２−１〜２−ｎ：センサチップ
３：赤外線を吸収する染料を含有したチップコート用樹
脂
４：チップコート用透明樹脂
：赤外カットフィルターFIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the present invention. 3 and 4 are schematic cross-sectional views showing conventional examples,
FIG. 3 shows an example without an infrared cut filter, and FIG. 4 shows an example in which an infrared cut filter is provided separately. 1: Substrate on which the sensor chip is mounted 2-1 to 2-n: Sensor chip 3: Chip coating resin containing dye that absorbs infrared rays 4: Transparent resin for chip coating: Infrared cut filter
Claims (1)
素を直線状に複数個配列してなるイメージセンサチップ
を、基板上に複数個配列してなる光電変換装置において
、前記イメージセンサチップを覆うチップコートが、赤
外線を吸収する染料を含有する材料により形成されてい
ることを特徴とする光電変換装置。In a photoelectric conversion device in which a plurality of image sensor chips each having a plurality of linearly arranged pixels for generating photogenerated carriers according to incident light are arranged on a substrate, the image sensor chip is covered. A photoelectric conversion device characterized in that the chip coat is formed of a material containing a dye that absorbs infrared rays.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2228048A JPH04111353A (en) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2228048A JPH04111353A (en) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Photoelectric conversion device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111353A true JPH04111353A (en) | 1992-04-13 |
Family
ID=16870387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2228048A Pending JPH04111353A (en) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | Photoelectric conversion device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111353A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340811A (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-08 | Agilent Technol Inc | Light filtering image sensor |
| JP2007019231A (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | New Japan Radio Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor optical sensor |
| JP2007201137A (en) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | New Japan Radio Co Ltd | Semiconductor photosensor |
| WO2011067998A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 東レ株式会社 | Photosensitive resin composition, laminate utilizing same, and solid-state imaging device |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2228048A patent/JPH04111353A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2011067998A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | 東レ株式会社 | Photosensitive resin composition, laminate utilizing same, and solid-state imaging device |
| CN102640054A (en) * | 2009-12-04 | 2012-08-15 | 东丽株式会社 | Photosensitive resin composition, laminate utilizing same, and solid-state imaging device |
| JP5088419B2 (en) * | 2009-12-04 | 2012-12-05 | 東レ株式会社 | Photosensitive resin composition, laminate using the same, and solid-state imaging device |
| US8901225B2 (en) | 2009-12-04 | 2014-12-02 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive resin composition, laminate utilizing same and solid-state imaging device |
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