JPH04111028A - Programmable storage device - Google Patents

Programmable storage device

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Publication number
JPH04111028A
JPH04111028A JP22999490A JP22999490A JPH04111028A JP H04111028 A JPH04111028 A JP H04111028A JP 22999490 A JP22999490 A JP 22999490A JP 22999490 A JP22999490 A JP 22999490A JP H04111028 A JPH04111028 A JP H04111028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
address
memory
signal
program
Prior art date
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Pending
Application number
JP22999490A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuharu Tanaka
田中 康陽
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04111028A publication Critical patent/JPH04111028A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To shorten the time when all signals are stabilized in a memory and the system access time to a storage device by generating address data and writing the address data in a program memory means. CONSTITUTION:The device is provided with a program memory 6 for storing an address generation program instead of inputting an address signal from the outside, a circuit 4 for writing program data in the program memory 6, and a sequence control circuit 3 of the program memory. In such a state, the program writing circuit 4 writes address data in the program memory 6. Subsequently, the control circuit 3 sets a data memory 1 to a read-out mode or a write mode. Also, when a clock signal is supplied to the program memory 6, an address signal is generated, and read-out or write of data is executed with respect to an address designated by the address signal. In such a way, the time when the address signal is propagated through an external circuit and a delay time of an address input circuit become unnecessary, and an access time in a read-out operation of the data memory is shortened.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はプログラマブル記憶装置に関し、特に、プログ
ラムによる自動アクセスを図るため記憶装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a programmable storage device, and particularly to a storage device for automatic access by a program.

[従来の技術] 従来の記憶装置は、第2図に示すように、外部から供給
される複数ビットのアドレス信号801が供給されるア
ドレス入力回路8と、アドレス入力回路8から出力され
るアドレス信号を入力してデータの読み出しまたは書き
込みを実行するデータメモリ1と、データ信号201を
データメモリ102と外部との間で入出力するデータ入
出力回路2と、外部からの制御信号301を入力してデ
ータメモリ1の読み出しまたは書き込み動作を制御する
制御回路3とを備えている。
[Prior Art] As shown in FIG. 2, a conventional storage device includes an address input circuit 8 supplied with a multi-bit address signal 801 supplied from the outside, and an address signal outputted from the address input circuit 8. a data memory 1 that inputs a signal to read or write data; a data input/output circuit 2 that inputs and outputs a data signal 201 between the data memory 102 and the outside; and a data input/output circuit 2 that inputs a control signal 301 from the outside. A control circuit 3 for controlling read or write operations of the data memory 1 is provided.

第3図は従来の記憶装置の適用例を示しており、キャッ
シュメモリなどの用途で実在する記憶装置である。第3
図の従来例は外部から供給される複数ビットのアドレス
信号801を人力するアドレス入力回路8と、アドレス
入力回路8の下位アドレス信号803を入力してデータ
の読み出しまたは書き込みを実行するデータメモリlと
、外部からの制御信号301を入力してデータメモリ1
の読み出しまたは書き込み動作を制御する制御回路3と
、アドレス入力回路8から下位アドレス信号803を入
力し以前に格納していた外部からのアドレス信号801
の上位アドレスを読み出しあるいはアドレス入力回路8
の上位アドレス信号804を書き込むタグメモリ9と、
タグメモリ9からの読み出しデータ信号901と、アド
レス入力回路8の上位アドレス信号804とを入力し一
致しているかをチエツクするアドレス比較回路10と、
アドレス比較回路10からの一致信号1001を入力し
タグメモリ9に対して上位アドレス信号804をデータ
として書き込みを制御するタグメモリ制御回路11と、
データ信号201をデータメモリ1と外部との間で入出
力しアドレス比較回路10からの一致信号1001によ
ってデータメモリ1からのデータ信号102を外部出力
制御するデータ入出力回路2とを備えている。
FIG. 3 shows an application example of a conventional storage device, which is a storage device that actually exists for purposes such as cache memory. Third
The conventional example shown in the figure includes an address input circuit 8 which manually inputs a multi-bit address signal 801 supplied from the outside, and a data memory l which inputs a lower address signal 803 of the address input circuit 8 to read or write data. , data memory 1 by inputting an external control signal 301.
A lower address signal 803 is inputted from the control circuit 3 that controls the read or write operation of the address input circuit 8, and an address signal 801 from the outside that was previously stored is input.
Read the upper address of or address input circuit 8
a tag memory 9 into which the upper address signal 804 of the tag memory 9 is written;
an address comparison circuit 10 that inputs the read data signal 901 from the tag memory 9 and the upper address signal 804 of the address input circuit 8 and checks whether they match;
a tag memory control circuit 11 that inputs the match signal 1001 from the address comparison circuit 10 and controls writing of the upper address signal 804 to the tag memory 9 as data;
The data input/output circuit 2 inputs and outputs the data signal 201 between the data memory 1 and the outside, and controls the output of the data signal 102 from the data memory 1 to the outside based on the match signal 1001 from the address comparison circuit 10.

[発明が解決しようとする課題] この従来の記憶装置では、複数ビットのアドレス信号を
外部から入力しているため、次のような問題点があった
[Problems to be Solved by the Invention] This conventional storage device has the following problems because it inputs a multi-bit address signal from the outside.

まず複数ビットのアドレス信号か外部回路からアドレス
入力回路8に伝播し、その後メモリ1てすべての信号が
安定するまでに時間かかかり、記憶装置へのシステムア
クセス時間か長いという問題点がある。また、記憶容量
の大容量化によるワード数の増加にともない、アドレス
信号のピット数、ひいては外部端子数が増大化し、その
結果、記憶装置の実装工数が増大し、実装面積も肥大化
する反面、信頼性は低下するという問題点もあった。
First, a multi-bit address signal is propagated from the external circuit to the address input circuit 8, and then it takes time for all the signals in the memory 1 to become stable, resulting in a problem that the system access time to the storage device is long. Furthermore, as the number of words increases due to the increase in memory capacity, the number of address signal pits and, by extension, the number of external terminals also increase.As a result, the number of man-hours required for mounting the memory device increases, and the mounting area also increases. There was also the problem of reduced reliability.

[課題を解決するための手段] 本発明は要旨は、複数のアドレスを有しており、各アド
レスにデータを記憶しているデータメモリと、アドレス
信号で指定されたデータメモリのアドレスに記憶されて
いるデータを外部に読み出しまたは書き込むデータ入出
力回路と、上記データの読み出しまたは書き込みを制御
する制御回路とを備えたプログラマフル記憶装置におい
て、上記アドレスを表すアドレスデータを記憶し外部か
ら供給されるクロック信号に応答して上記アドレス信号
を発生するブロクラムメモリ手段と、上記アドレスデー
タを発生し該アドレスデータをプログラムメモリ手段に
書き込むプログラム書き込み手段とを設けたことである
[Means for Solving the Problems] The gist of the present invention is to have a data memory that has a plurality of addresses and stores data at each address, and a data memory that stores data at an address specified by an address signal. A programmable storage device comprising a data input/output circuit that reads or writes data to the outside, and a control circuit that controls reading or writing of the data, which stores address data representing the address and is supplied from the outside. The present invention is characterized by the provision of block memory means for generating the address signal in response to a clock signal, and program writing means for generating the address data and writing the address data into the program memory means.

[発明の作用コ まず、プログラム書き込み手段がアドレスデータをプロ
グラムメモリ手段に書き込む。次に制御回路がデータメ
モリを読み出しモードまたは書き込みモードに設定する
。クロック信号がプログラムメモリ手段に供給されると
、アドレス信号が発生し、該アドレス信号で指定された
アドレスに対してデータの読み出し、または書き込みが
実行される。
[Operation of the Invention] First, the program writing means writes address data into the program memory means. A control circuit then sets the data memory to read or write mode. When the clock signal is supplied to the program memory means, an address signal is generated, and data is read from or written to the address specified by the address signal.

[実施例] 次に本発明の実施例について説明する。[Example] Next, examples of the present invention will be described.

第1図は本発明の第1実施例の記憶装置を示すブロック
図である。本図は本発明に関係した回路ブロックのみを
示す。プログラムデータ書き込み回路4は外部から1ビ
ツトの書き込みデータ信号401と1ビツトの書き込み
クロック信号402とを人力し、プログラムメモリ6に
複数ビットのデータ信号403と書き込みパルス信号4
04を出力する。第5図に示されているように、プログ
ラムアドレスカウンタ5は外部からカウンタリセット信
号503でカウンタが“′0”にリセットされ(時刻t
501)、カウンタ起動信号501が高レベルにスタン
バイすると、カウンタクロック信号502の立ち上がり
タイミングに従ってカウンタが+1ずつ増加し、その方
つンタ値をプログラムメモリのシーケンス信号504と
してプログラムメモリ6へ出力(時刻t 502.  
t 503゜t504)。プログラムメモリ6は書き込
みデータ信号403を入力データに書き込みパルス信号
404を書き込みタイミングにとって、プロクラムアド
レスカウンタ5からのシーケンス信号504をアドレス
として書き込みを実行する。ブロクラムメモリ6へのプ
ログラムデータの書き込みが終了すると、書き込みクロ
ック信号402およUカウンタクロック信号502を外
部で停止する。
FIG. 1 is a block diagram showing a storage device according to a first embodiment of the present invention. This figure shows only circuit blocks related to the present invention. The program data write circuit 4 inputs a 1-bit write data signal 401 and a 1-bit write clock signal 402 from the outside, and writes a multi-bit data signal 403 and a write pulse signal 4 to the program memory 6.
Outputs 04. As shown in FIG. 5, the program address counter 5 is reset to "'0" by an external counter reset signal 503 (time t
501), when the counter activation signal 501 stands by at a high level, the counter increases by +1 in accordance with the rising timing of the counter clock signal 502, and the counter value is outputted to the program memory 6 as the sequence signal 504 of the program memory (at time t 502.
t503°t504). The program memory 6 executes writing using the write data signal 403 as input data, the write pulse signal 404 as the write timing, and the sequence signal 504 from the program address counter 5 as an address. When writing of the program data to the block memory 6 is completed, the write clock signal 402 and the U counter clock signal 502 are stopped externally.

プログラムメモリ6は書き込みクロック信号402が停
止すると、読み出し状態になる。第6図に示されている
ように、プログラムメモリ6からの読み出しデータ信号
601はシーケンス信号504が示すアドレスのプログ
ラムデータである。データメモリアドレス生成演算回路
7は読み出しデータ信号601を入力しデータメモリ1
を指すアドレスを生成するための演算回路である。プロ
グラムメモリ6はプロクラムアドレスカウンタ5がカウ
ンタクロック信号502に従って時刻t601、t61
1.t621.t631で+1ずつ増加するシーケンス
信号504をアドレスとし・てブロクラムデータを読み
出しデータ信号601として順次演算回路7へ出力する
(時刻t602.t612、t622.t632)。デ
ータメモリ1はプログラムデータに従って時刻t603
.t613、t623.t633に演算回路7で発生す
るデータメモリアドレス信号101をアドレスとして動
作する。制御回路3は制御信号301を入力しデータメ
モリ1の読み出しおよび書き込み動作を制御信号302
によって制御する。データ人出力回路2はデータメモリ
1から入出力データ信号201を外部に時刻t604.
t614.t624、t634で出力する。
The program memory 6 enters the read state when the write clock signal 402 stops. As shown in FIG. 6, the read data signal 601 from the program memory 6 is the program data at the address indicated by the sequence signal 504. The data memory address generation calculation circuit 7 inputs the read data signal 601 to the data memory 1
This is an arithmetic circuit for generating an address that points to . The program memory 6 is programmed by the program address counter 5 at times t601 and t61 according to the counter clock signal 502.
1. t621. Using the sequence signal 504 incremented by +1 at t631 as an address, block data is read out and sequentially output to the arithmetic circuit 7 as a data signal 601 (times t602.t612, t622.t632). Data memory 1 is stored at time t603 according to the program data.
.. t613, t623. It operates using the data memory address signal 101 generated by the arithmetic circuit 7 at t633 as an address. The control circuit 3 inputs a control signal 301 and controls read and write operations of the data memory 1 using a control signal 302.
controlled by. The data output circuit 2 outputs the input/output data signal 201 from the data memory 1 to the outside at time t604.
t614. Output at t624 and t634.

次にプログラムメモリ書き込み動作を具体例をあげて説
明する。プログラムメモリ6の0番地から3番地にそれ
ぞれA (1111)、  B (0101)、C(0
010)、D (1101)のデータを書き込む場合に
は、まず、書き込みデータ信号401を書き込みクロッ
ク信号402の立ち上がりに同其月して(1,1,1,
1,0,1,0,1゜0、 0. 1. 0. 1. 
1. 0. 1)をセットする。
Next, a program memory write operation will be explained using a specific example. A (1111), B (0101), and C (0
010), D (1101), first, write the write data signal 401 at the rising edge of the write clock signal 402 in the same month (1, 1, 1,
1,0,1,0,1゜0, 0. 1. 0. 1.
1. 0. Set 1).

プログラムデータ書き込み回路4に入力された上記のデ
ータは4ビット幅の書き込みデータ信号403を書き込
みクロック信号402の4クロツク毎にA (1111
L  B (0101)、C(001o)、D(110
1)の順序で出力しく時刻t501、t502.t50
3.t504)書き込みデータ信号403のデータ切り
替えと同期して書き込みパルス信号404も出力する。
The above data inputted to the program data writing circuit 4 generates a 4-bit width write data signal 403 by A(1111) every 4 clocks of the write clock signal 402.
L B (0101), C (001o), D (110
It should be output in the order of 1) at time t501, t502. t50
3. t504) A write pulse signal 404 is also output in synchronization with the data switching of the write data signal 403.

一方、プロクラムアドレスカウンタ5は、カウンタリセ
ット信号503のパルスでリセットされ、カウンタ起動
信号501が高レベルの間はカウンタクロック信号50
2の立ち上がりに応じてカウントアツプされる。カウン
タクロック信号502を書き込みデータ信号403の切
り替えに対応して立ち上げることによって、シーケンス
信号504はOから3まで+1ずつカウントアツプして
、プログラムメモリ6の0番地から3番地に順次書き込
みデータ信号403を書き込む。
On the other hand, the program address counter 5 is reset by the pulse of the counter reset signal 503, and the counter clock signal 50 is reset while the counter start signal 501 is at a high level.
It is counted up according to the rise of 2. By raising the counter clock signal 502 in response to the switching of the write data signal 403, the sequence signal 504 counts up by +1 from 0 to 3, and sequentially writes the write data signal 403 from address 0 to address 3 of the program memory 6. Write.

プログラムメモリ6によるデータメモリ1の読み出し動
作を具体例をあげて説明する。書き込みクロック信号4
02にパルスか出ていないと・書き込みパルス信号40
4も低レベルのままでパルスが発生しない。この状態で
はブロクラムメモリ6は読み出し動作を行う。プログラ
ムメモリ6の読み出しアドレスは書き込み動作と同様の
手順でシーケンス信号504が0番地から順次+1され
て発生する(時刻t601.t611.t621゜t6
31)。プログラムメモリ6からの読み出しデータ信号
601はO番地化ら3番地までそれぞれA (1111
)、  B (0101)、  C(0010)、D 
(1101)と変化する(時刻t、 602゜t612
.t622.t+632)と、演算回路7によってデー
タメモリアドレス信号101、それぞれ(5)、  (
7)、  (0)、  (1)に変換される(時刻t6
03.t613.t623.t633)。この変換はプ
ログラムと演算回路7との変換ルールに依存する。デー
タメモリ1はアドレス(5)、  (7)、  (0)
、  (1)に対して、制御信号301が低レベルの場
合は読み出し動作を、高レベルの場合は書き込み動作を
行う。第6図の例ではアドレス(7)の時が書き込み動
作で、アドレス(5)と(0)と(1)の時が読み出し
動作である。そのときの入出力データ信号201はアド
レス(5)、  (0)、  (1)の時がデータメモ
リ1からのそれぞれの読出データD5.  DO。
The read operation of the data memory 1 by the program memory 6 will be explained using a specific example. Write clock signal 4
If a pulse is not output at 02, write pulse signal 40
4 also remains at a low level and no pulse is generated. In this state, the block memory 6 performs a read operation. The read address of the program memory 6 is generated by sequentially incrementing the sequence signal 504 by 1 starting from address 0 in the same procedure as the write operation (time t601.t611.t621°t6
31). The read data signal 601 from the program memory 6 is A (1111
), B (0101), C (0010), D
(1101) (time t, 602°t612
.. t622. t+632) and the data memory address signal 101 by the arithmetic circuit 7, respectively (5) and (
7), (0), (1) (time t6
03. t613. t623. t633). This conversion depends on the conversion rules between the program and the arithmetic circuit 7. Data memory 1 has addresses (5), (7), (0)
, (1), when the control signal 301 is at a low level, a read operation is performed, and when it is at a high level, a write operation is performed. In the example of FIG. 6, the write operation is at address (7), and the read operation is at addresses (5), (0), and (1). At that time, the input/output data signal 201 corresponds to the respective read data D5 from the data memory 1 at addresses (5), (0), and (1). D.O.

Dlとなる(時刻t604.t614.t624゜t6
34)。アドレスか7の時は書き込み動作なので外部か
らのデータX7となる。第1実施例ではプロクラムアド
レスカウンタ5、プログラム6、データメモリアドレス
生成演算回路7がプログラムメモリ手段を構成する。
becomes Dl (time t604.t614.t624°t6
34). When the address is 7, it is a write operation, so the data is external data X7. In the first embodiment, a program address counter 5, a program 6, and a data memory address generation calculation circuit 7 constitute a program memory means.

第4図は本発明の第2実施例を示す。第1実施例との違
いはアドレス演算回路7を備えていない点である。従っ
て、プログラムメモリ6のデータ602そのものがデー
タメモリ1のアドレスとなる。プログラムメモリ6のデ
ータ幅は広くなる傾向にあるが、プログラムメモリ6へ
書き込むデータプログラムが単純で作りやすくなり、演
算回路7もなくなるので複雑な論理回路がへり、回路も
簡単になる。
FIG. 4 shows a second embodiment of the invention. The difference from the first embodiment is that the address calculation circuit 7 is not provided. Therefore, the data 602 in the program memory 6 itself becomes the address in the data memory 1. Although the data width of the program memory 6 tends to become wider, the data program written to the program memory 6 is simpler and easier to create, and since the arithmetic circuit 7 is also eliminated, the complicated logic circuit is reduced and the circuit becomes simpler.

第2実施例ではプログラムアドレスカウンタ5とブロク
ラムメモリ6がブロクラムメモリ手段を構成している。
In the second embodiment, the program address counter 5 and blockram memory 6 constitute blockram memory means.

[発明の効果] 以上説明したように本発明は、従来の記憶装置ついてい
るアドレス入力回路を除去し、外部からのアドレス入力
回路を除去し、外部からのアドレス信号を人力する代わ
りにアドレス発生プログラムを記憶するプログラムメモ
リと、プログラムメモリへプログラムデータな書き込む
回路と、プログラムメモリのシーケンス制御回路を備え
たことにより、以下に記す効果を奏する。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention eliminates the address input circuit included in the conventional memory device, eliminates the address input circuit from the outside, and uses an address generation program instead of manually inputting the address signal from the outside. By providing a program memory for storing program data, a circuit for writing program data into the program memory, and a sequence control circuit for the program memory, the following effects can be achieved.

まず、アドレス信号が外部回路を伝播する時間およびア
ドレス入力回路の遅延時間が不要となり、第7図に示し
たようにデータメモリの読み出し動作におけるアクセス
時間短縮が達成できる。
First, the time for the address signal to propagate through the external circuit and the delay time of the address input circuit are no longer necessary, and as shown in FIG. 7, the access time in the data memory read operation can be shortened.

次に、記憶容量の大容量化によりワード数が増加しても
、アドレス信号はもとよりプログラムメモリ制御用の信
号も表1に示したようにほとんど増加しないので、記憶
装置の実装工数の増大や実装面積の肥大および信頼性の
低下を防止することができる。
Next, even if the number of words increases due to an increase in storage capacity, address signals and program memory control signals will hardly increase as shown in Table 1. It is possible to prevent an increase in area and a decrease in reliability.

表1Table 1

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1実施例を示すブロック図、第2図
は従来例のブロック図、第3図は従来例の適用を示すブ
ロック図、第4図は第2実施例のブロック図、第5図は
第1実施例のプログラムメモリ書き込み動作を示すタイ
ミングチャート、第6図は第1実施例のデータメモリ読
出動作を示すタイミングチャート、第7図は本発明の読
出動作における時短効果を示すグラフである。 1・・・・・データメモリ、 2・・・・・データ入出力回路、 3・・・・・制御回路、 4・・・・・プログラムデータ書き込み回路、5・・・
・・プログラムアドレスカウンタ、6・・・・・プログ
ラムメモリ、 7・・・・・データメモリアドレス生成演算回路、8・
・・・・アドレス入力回路、 9・・・・・タグメモリ、 10・・・・アドレス比較回路、 11・・・・タグメモリ制御回路、 101・・・データメモリアドレス信号、201・・・
入出力データ信号、 301 ・ ・ 401 ・ ・ 402 ・ ・ 403 ・ ・ 404 ・ ψ 501 ・ ・ 502 φ ・ 503 ・ ・ 504 ・ ・ 803 ・ ・ 804 ・ ・ 1001 φ ・制御信号、 ・書き込みデータ信号、 ・書き込みクロック信号、 ・書き込みデータ信号、 ・書き込みパルス信号、 ・カウンタ起動信号、 ・カウンタクロック信号、 ・カウンタリセット信号、 ・シーケンス信号、 ・続出データ信号、 ・下位アドレス信号、 ・上位アドレス信号、 ・読出データ信号、 ・一致信号。
Fig. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram of a conventional example, Fig. 3 is a block diagram showing application of the conventional example, and Fig. 4 is a block diagram of a second embodiment. , FIG. 5 is a timing chart showing the program memory write operation of the first embodiment, FIG. 6 is a timing chart showing the data memory read operation of the first embodiment, and FIG. 7 is a timing chart showing the time saving effect in the read operation of the present invention. This is a graph showing. 1...Data memory, 2...Data input/output circuit, 3...Control circuit, 4...Program data writing circuit, 5...
...Program address counter, 6...Program memory, 7...Data memory address generation calculation circuit, 8.
... Address input circuit, 9 ... Tag memory, 10 ... Address comparison circuit, 11 ... Tag memory control circuit, 101 ... Data memory address signal, 201 ...
Input/output data signal, 301 ・ ・ 401 ・ ・ 402 ・ ・ 403 ・ ・ 404 ・ ψ 501 ・ ・ 502 φ ・ 503 ・ ・ 504 ・ ・ 803 ・ ・ 804 ・ ・ 1001 φ ・Control signal, ・Write data signal, ・Write clock signal, ・Write data signal, ・Write pulse signal, ・Counter start signal, ・Counter clock signal, ・Counter reset signal, ・Sequence signal, ・Successive data signal, ・Lower address signal, ・Upper address signal, ・Read Data signal, - Match signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数のアドレスを有しており、各アドレスにデータを記
憶しているデータメモリと、アドレス信号で指定された
データメモリのアドレスに記憶されているデータを外部
に読み出しまたは書き込むデータ入出力回路と、上記デ
ータの読み出しまたは書き込みを制御する制御回路とを
備えたプログラマブル記憶装置において、 上記アドレスを表すアドレスデータを記憶し外部から供
給されるクロック信号に応答して上記アドレス信号を発
生するプログラムメモリ手段と、上記アドレスデータを
発生し該アドレスデータをプログラムメモリ手段に書き
込むプログラム書き込み手段とを設けたことを特徴とす
るプログラマブル記憶装置。
[Claims] A data memory that has a plurality of addresses and stores data in each address, and reads or writes data stored in an address of the data memory specified by an address signal to the outside. A programmable storage device comprising a data input/output circuit and a control circuit that controls reading or writing of the data, which stores address data representing the address and outputs the address signal in response to a clock signal supplied from the outside. A programmable storage device comprising: program memory means for generating the address data; and program writing means for generating the address data and writing the address data into the program memory means.
JP22999490A 1990-08-30 1990-08-30 Programmable storage device Pending JPH04111028A (en)

Priority Applications (1)

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JP22999490A JPH04111028A (en) 1990-08-30 1990-08-30 Programmable storage device

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JP22999490A JPH04111028A (en) 1990-08-30 1990-08-30 Programmable storage device

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JPH04111028A true JPH04111028A (en) 1992-04-13

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