JPH04110460A - 電気絶縁性板状材料 - Google Patents
電気絶縁性板状材料Info
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- JPH04110460A JPH04110460A JP22837590A JP22837590A JPH04110460A JP H04110460 A JPH04110460 A JP H04110460A JP 22837590 A JP22837590 A JP 22837590A JP 22837590 A JP22837590 A JP 22837590A JP H04110460 A JPH04110460 A JP H04110460A
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は金属基板−ヒにドライコーティング法によりセ
ラミック薄膜を形成した電気絶縁性板状材料に関するも
のである。
ラミック薄膜を形成した電気絶縁性板状材料に関するも
のである。
従来の技術
電気絶縁性板状材料はIC基板、太陽電池基板等に使用
され、電気、情報産業には欠かせない素材となっている
。また、コンデンサや静電アクチュエイター等の絶縁性
以外の特性を必要とする素子においても、その固有特性
に加え電気絶縁性は必要不可欠な特性の一つとなってい
る。
され、電気、情報産業には欠かせない素材となっている
。また、コンデンサや静電アクチュエイター等の絶縁性
以外の特性を必要とする素子においても、その固有特性
に加え電気絶縁性は必要不可欠な特性の一つとなってい
る。
この絶縁性材料には、従来セラミック材料や有機材料が
用いられているが、セラミック材料は強度或いは加工性
に欠け、有機材料は耐熱性に劣る等の欠点を持つ。しか
しながら、代梧材料は見出されていないのが現状である
。
用いられているが、セラミック材料は強度或いは加工性
に欠け、有機材料は耐熱性に劣る等の欠点を持つ。しか
しながら、代梧材料は見出されていないのが現状である
。
絶縁性材料とl、て考えられ得るものにドライコーティ
ング法を用いセラミック薄膜を表面にコーティングする
ことによって電気絶縁性を伺与した金属材料がある。こ
の金属材料はある程度の加工性を有し、耐熱性や強度に
優れ、安価である。金属材料としては、耐薬品性、強度
等の面よりステンレス鋼を基板といて用いるのが最適で
ある。
ング法を用いセラミック薄膜を表面にコーティングする
ことによって電気絶縁性を伺与した金属材料がある。こ
の金属材料はある程度の加工性を有し、耐熱性や強度に
優れ、安価である。金属材料としては、耐薬品性、強度
等の面よりステンレス鋼を基板といて用いるのが最適で
ある。
尚、ドライコーティング法とは高真空中において薄膜を
作成する方法の総称であり、LSIの製苗時に、シリコ
ンウェハの上に絶縁皮膜を作成する手法等として広く利
用されている。
作成する方法の総称であり、LSIの製苗時に、シリコ
ンウェハの上に絶縁皮膜を作成する手法等として広く利
用されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、ステンレス鋼板を基材として用いる場合、その
表面は圧延疵、介在物、凹凸等により平滑なものとなっ
ておらず、板表面に形成された11りも一様ではなく、
ピンホール等の物理的な)1り欠陥或いは物理的には欠
陥となっていないが電気的に絶縁性の弱い部分が多数存
在する。このためステンレス鋼板の表面にセラミック@
膜を形成している側材は、表面に絶縁性膜が存在してい
るにも関わらず、絶縁性は劣る。
表面は圧延疵、介在物、凹凸等により平滑なものとなっ
ておらず、板表面に形成された11りも一様ではなく、
ピンホール等の物理的な)1り欠陥或いは物理的には欠
陥となっていないが電気的に絶縁性の弱い部分が多数存
在する。このためステンレス鋼板の表面にセラミック@
膜を形成している側材は、表面に絶縁性膜が存在してい
るにも関わらず、絶縁性は劣る。
従って、ステンレス鋼板を基板とする電気絶縁性板状材
料の絶縁性を向−ヒさせるには膜欠陥や電気的弱点部を
できる限り減少させる必要がある。
料の絶縁性を向−ヒさせるには膜欠陥や電気的弱点部を
できる限り減少させる必要がある。
本発明は、このような膜欠陥や電気的弱点部の非常に少
ない、ステンレス鋼板を基板とし、電気絶縁性に優れた
電気絶縁性板状材料を提供することを目的とする。
ない、ステンレス鋼板を基板とし、電気絶縁性に優れた
電気絶縁性板状材料を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段・作用
従来、絶縁膜の膜欠陥を減少させる方法と1゜て、成膜
時に蒸着装置や蒸着条件の改善を試みた多くの報告があ
る。しかしながらその基板を改善することで膜欠陥を減
少させる知見はない。米発明者等は基板について検討を
重ねた結果、基板表面欠陥を減少させることによって基
板の電気絶縁性の改善に有効であるという知見を得た。
時に蒸着装置や蒸着条件の改善を試みた多くの報告があ
る。しかしながらその基板を改善することで膜欠陥を減
少させる知見はない。米発明者等は基板について検討を
重ねた結果、基板表面欠陥を減少させることによって基
板の電気絶縁性の改善に有効であるという知見を得た。
即ち、セルフヒーリング法(Werner Kern、
5olidStat、e Techr+ology
Mar、 p35〜42 (1974))等によって把
握できる絶縁欠陥の位置が、基板欠陥の]二であるケー
スが多く、基板表面欠陥が膜欠陥の原因となっているこ
とが明らかになった。基板の表面欠陥を低減する方法と
しては、鏡面研磨法が考えられ、研磨前(ステンl/ス
光輝焼鈍材)に比し絶縁性がかなり向上する。しか17
ながも、鏡面研磨材は表面疵を除去すること1士できる
が、生産コストが非常に高い上、ステンレス鋼中に存在
する介在物が母材に比べて研磨されにくく、突起として
残る。これが絶縁欠陥の起点となるため、これを基板と
して用いても電気絶縁性は市場の要求を満たすレベルに
は至らない。そこで絶縁欠陥の起点となり得る基板欠陥
について更に検討を進めた結果・表面粗さRIIaxお
よびかぶさり疵を低減した基板を作成することによって
絶縁性が著しく向−ヒした。
5olidStat、e Techr+ology
Mar、 p35〜42 (1974))等によって把
握できる絶縁欠陥の位置が、基板欠陥の]二であるケー
スが多く、基板表面欠陥が膜欠陥の原因となっているこ
とが明らかになった。基板の表面欠陥を低減する方法と
しては、鏡面研磨法が考えられ、研磨前(ステンl/ス
光輝焼鈍材)に比し絶縁性がかなり向上する。しか17
ながも、鏡面研磨材は表面疵を除去すること1士できる
が、生産コストが非常に高い上、ステンレス鋼中に存在
する介在物が母材に比べて研磨されにくく、突起として
残る。これが絶縁欠陥の起点となるため、これを基板と
して用いても電気絶縁性は市場の要求を満たすレベルに
は至らない。そこで絶縁欠陥の起点となり得る基板欠陥
について更に検討を進めた結果・表面粗さRIIaxお
よびかぶさり疵を低減した基板を作成することによって
絶縁性が著しく向−ヒした。
すなわち、第1図に示すように、フ、(板の表面粗さR
maxを0.1gm以下にし、かつ、かぶさり石数を1
平方センチあたり1個以内とすることにより、市場要求
の絶縁特性(直流電圧50Vにおける漏洩電流10”1
0A以下)を達成することができる。
maxを0.1gm以下にし、かつ、かぶさり石数を1
平方センチあたり1個以内とすることにより、市場要求
の絶縁特性(直流電圧50Vにおける漏洩電流10”1
0A以下)を達成することができる。
本発明の要旨は、
(1)ステンレス基板上にドライコーティング法により
セラミック薄膜を形成した電気絶縁性板状材料において
、表面粗さR11axが0.1用m以下、かつ、かぶさ
り疵が1平方センチ当り1個以内の基板からなることを
特徴とする電気絶縁性板状材料。
セラミック薄膜を形成した電気絶縁性板状材料において
、表面粗さR11axが0.1用m以下、かつ、かぶさ
り疵が1平方センチ当り1個以内の基板からなることを
特徴とする電気絶縁性板状材料。
(2) ドライコーティング法が、スパッタリング、
イオンプレーティング、プラズマCVDである請求項1
に記載の電気絶縁性板状材料。
イオンプレーティング、プラズマCVDである請求項1
に記載の電気絶縁性板状材料。
である。
次に・板の表面疵の改善方法についてのべる。
かぶさり疵は、冷延前熱延板の表面凹凸が大きいほど多
く発生する。
く発生する。
熱延板の凹凸を小さくする方法の一例として、砂鉄用い
たウェットメカニカルデスケールし、その後の酸洗およ
びコイルグラインダー処理を行う。
たウェットメカニカルデスケールし、その後の酸洗およ
びコイルグラインダー処理を行う。
酸洗は、フェライト系ステンレス鋼の場合は殖耐水溶液
、オーステナイI・系ステンレス鋼の場合は硝酸−フッ
酸水溶液を用いて行う。
、オーステナイI・系ステンレス鋼の場合は硝酸−フッ
酸水溶液を用いて行う。
また、冷間圧延において、圧延油の粘度および圧延速度
を大きくし、さらにロール径を小さくすることで、かぶ
さり疵を低減することが可能である。
を大きくし、さらにロール径を小さくすることで、かぶ
さり疵を低減することが可能である。
ヒー)・スクラッチ疵は、冷延時に油押込み疵を発生さ
せないために初パスで高圧下をかけることにより発生す
る。これを低減させるには、かぶさり疵対策と同様の条
件(圧延油の粘度および圧延速度を小さくし、さらにロ
ール径を大きくする)で圧延できるような圧延スケジュ
ールにすればよい。但し、逆になるとヒーI・スクラッ
チが犬厳に発生する。これらの適正条件は、圧延油、ロ
ール径、圧延速度等の諸条件によて異なるので、予め実
験等によって適正条件を求めることにより達成できる。
せないために初パスで高圧下をかけることにより発生す
る。これを低減させるには、かぶさり疵対策と同様の条
件(圧延油の粘度および圧延速度を小さくし、さらにロ
ール径を大きくする)で圧延できるような圧延スケジュ
ールにすればよい。但し、逆になるとヒーI・スクラッ
チが犬厳に発生する。これらの適正条件は、圧延油、ロ
ール径、圧延速度等の諸条件によて異なるので、予め実
験等によって適正条件を求めることにより達成できる。
尚、光輝焼鈍材を用いる理由として、大気焼鈍材は粒界
や研削「Iのため表面の凹凸が非常に大きいのに対して
、光輝焼鈍材は優れた表面性状であり、絶縁材基板の用
途に適しているためである。
や研削「Iのため表面の凹凸が非常に大きいのに対して
、光輝焼鈍材は優れた表面性状であり、絶縁材基板の用
途に適しているためである。
絶縁膜の形成プロセスと17ては、ドライコーティング
のスパッタリング、イオンブl/−ティング、プラズマ
CVD等が用いることができ、同様の効果が得られる。
のスパッタリング、イオンブl/−ティング、プラズマ
CVD等が用いることができ、同様の効果が得られる。
また、絶縁膜は1層に限らず、例えばSiOx+AQ
20 :s等の2層以−にの複合層とする事ができる。
20 :s等の2層以−にの複合層とする事ができる。
複合層どしたセラミック薄膜は単一層膜と比較して、上
層膜が下層膜の欠陥部を埋める効果があるため絶縁性が
向上する。
層膜が下層膜の欠陥部を埋める効果があるため絶縁性が
向上する。
実施例
実施例1
基板として、第1表に示す化学成分組成を有する5U9
430鋼板を用いた。これを、冷間圧延ロールの平滑性
および熱延板の凹凸を変化させて、板表面粗さR+*a
xおよびかぶさり疵(1平方ミリ当りの個数)を変化さ
せた冷延板を得た。これに、スパッタリング法を用いて
M2O3絶縁膜を同一の条件でコーティングした。
430鋼板を用いた。これを、冷間圧延ロールの平滑性
および熱延板の凹凸を変化させて、板表面粗さR+*a
xおよびかぶさり疵(1平方ミリ当りの個数)を変化さ
せた冷延板を得た。これに、スパッタリング法を用いて
M2O3絶縁膜を同一の条件でコーティングした。
尚、コーティング条件は第2表に示すとおりである。膜
厚はすべて0.84 mである。このように]7て作成
した両材料の直流電圧50Vにおける漏洩電流を測定し
た。測定方法は、表面にM71i極(5mm角X 0.
1層m)を蒸着した材料の上に直径2φのステンレス製
電極を荷重50gとなるよう置いた測定系で、電圧をI
V/secの速度で上昇させ、電流を測定している。
厚はすべて0.84 mである。このように]7て作成
した両材料の直流電圧50Vにおける漏洩電流を測定し
た。測定方法は、表面にM71i極(5mm角X 0.
1層m)を蒸着した材料の上に直径2φのステンレス製
電極を荷重50gとなるよう置いた測定系で、電圧をI
V/secの速度で上昇させ、電流を測定している。
電流測定結果を第1図に示す、Rmaxが小さくなりか
ぶさり疵が減少するにつれて漏洩電流が少なく絶縁性が
向上しており、本発明の表面粗さRmaxを0.1JL
m以下にし、かつ、かぶさり疵を1平方ミリ出り1個以
下の範囲(斜線範囲内)では1O−10A以下になって
おり絶縁性が優れている。
ぶさり疵が減少するにつれて漏洩電流が少なく絶縁性が
向上しており、本発明の表面粗さRmaxを0.1JL
m以下にし、かつ、かぶさり疵を1平方ミリ出り1個以
下の範囲(斜線範囲内)では1O−10A以下になって
おり絶縁性が優れている。
実施例2
基板として、表面粗さRmaxを0.1 g m以下に
し、かつ、かぶさり疵を1平方ミリ出り1個以下とした
5US430光輝焼鈍材を用いて2種類のコーティング
処理を行った。1つは、実施例1と同一・条件でM2O
3膜を0.8gm1層コーティングし、もう1つは同じ
条件でM2O3を0.4ALmコーティングした後、プ
ラズマCVDを用い第2表に示す条件で5iOXを0.
4 JLmコーティングして二重膜とした。その結果を
第4図に示すように、直流電圧50Vにおける漏れ電流
値は、同じ膜厚でもAl2O3+5iO)< 2層膜の
方が絶縁特性が優れていることがわかる。
し、かつ、かぶさり疵を1平方ミリ出り1個以下とした
5US430光輝焼鈍材を用いて2種類のコーティング
処理を行った。1つは、実施例1と同一・条件でM2O
3膜を0.8gm1層コーティングし、もう1つは同じ
条件でM2O3を0.4ALmコーティングした後、プ
ラズマCVDを用い第2表に示す条件で5iOXを0.
4 JLmコーティングして二重膜とした。その結果を
第4図に示すように、直流電圧50Vにおける漏れ電流
値は、同じ膜厚でもAl2O3+5iO)< 2層膜の
方が絶縁特性が優れていることがわかる。
(以下余白)
発明の効果
木発IJJによれば、ステンレス鋼板を基板として電気
絶縁性の優れた板状材料を提供することができる。
絶縁性の優れた板状材料を提供することができる。
第11gはステンレス鋼基板の表面粗さおよび疵個数を
変えた材料の電気絶縁性(直浣電圧50Vにおける漏洩
電流A)を示す図、第2図はステンレス鋼板上のかぶさ
り疵の模式図、第3図はヒートスクラッチ疵の模式図、
第4図は同一のステンレス鋼基板にM2O31層膜とS
+OX + Afj2032層膜とをそれぞれコーティ
ングした絶縁材料の絶縁性(漏洩主流A)を示す図であ
る。
変えた材料の電気絶縁性(直浣電圧50Vにおける漏洩
電流A)を示す図、第2図はステンレス鋼板上のかぶさ
り疵の模式図、第3図はヒートスクラッチ疵の模式図、
第4図は同一のステンレス鋼基板にM2O31層膜とS
+OX + Afj2032層膜とをそれぞれコーティ
ングした絶縁材料の絶縁性(漏洩主流A)を示す図であ
る。
Claims (2)
- (1)ステンレス基板上にドライコーティング法により
セラミック薄膜を形成した電気絶縁性板状材料において
、表面粗さRmaxが0.1μm以下、かつ、かぶさり
疵が1平方センチ当り1個以内の基板からなることを特
徴とする電気絶縁性板状材料。 - (2)ドライコーティング法が、スパッタリング、イオ
ンプレーティング、プラズマCVDである請求項1に記
載の電気絶縁性板状材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22837590A JPH04110460A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 電気絶縁性板状材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22837590A JPH04110460A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 電気絶縁性板状材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04110460A true JPH04110460A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16875481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22837590A Pending JPH04110460A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 電気絶縁性板状材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04110460A (ja) |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP22837590A patent/JPH04110460A/ja active Pending
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