JPH0410428B2 - - Google Patents

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JPH0410428B2
JPH0410428B2 JP57156105A JP15610582A JPH0410428B2 JP H0410428 B2 JPH0410428 B2 JP H0410428B2 JP 57156105 A JP57156105 A JP 57156105A JP 15610582 A JP15610582 A JP 15610582A JP H0410428 B2 JPH0410428 B2 JP H0410428B2
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    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は複数の発熱抵抗体によつて構成され
たサーマルヘツドの発熱抵抗体相互間の表面温度
の均一化を図るサーマルヘツドの駆動装置に関す
る。
感熱記録の際に用いられるサーマルヘツドは、
通常熱記録媒体の主走査方向の画素数に対応する
よう複数の発熱抵抗体（例えば日本工業規格Ａ列
Ｂ番の記録紙上に画情報を記録する場合必要とす
る発熱抵抗体数は1728個、日本工業規格Ｂ列４番
の記録紙の場合には2048個）によつて構成されて
おり、記録すべき画情報に応じた電力を該複数の
発熱抵抗体それぞれに各別に供給し、所要の発熱
抵抗体を発熱させることによつて、該発熱部に摺
接する熱記録媒体を発色させている。
ところで従来、このようなサーマルヘツドを用
いる場合、上記画情報に対応した発熱抵抗体それ
ぞれに単に一定電圧かつ一定時間の通電を行うこ
とにより所定の記録を行つていた。
しかるに、このような方法では、当然各発熱抵
抗体の有する抵抗値の相異によつて各発熱抵抗体
間の消費電力が異なる為、該消費電力と略比例関
係にある各発熱抵抗体の表面温度にバラツキを生
じることになる。その結果、熱記録媒体（感熱転
写法における転写テープ等の転写媒体も含む）に
対する記録の際に、該熱記録媒体に与える熱量が
各発熱抵抗体毎にバラツキを生じることから、記
録された画像濃度が不均一なものとなり、印字品
質が劣悪になつていた。
例えば、上述した従来のサーマルヘツドを用い
て記録を行つた場合、各発熱抵抗体相互間の抵抗
値のバラツキを15％以内に抑えても、印字濃度の
バラツキはID（Image Density）＝0.25以上生ずる
ことがある。
この発明は上記実情に鑑みてなされたものであ
り、各発熱抵抗体固有の発熱特性に基づいて各発
熱抵抗体に加える加熱時間を可変制御することに
より、各発熱抵抗体相互間の表面温度の均一化ひ
いては記録された画像濃度の均一化を図るサーマ
ルヘツドの駆動装置を提供することを目的とす
る。
すなわちこの発明は、画情報に対応して選択駆
動される複数の発熱抵抗体を具えたサーマルヘツ
ドにおいて、予測定した前記各発熱抵抗体の抵抗
値に基ずいて複数のグループに分類した前記複数
の発熱抵抗体が前記複数のグループのどのグルー
プに属するかを識別するグループ識別情報を該分
類したグループごとに記憶する複数のメモリと、
前記複数のメモリに記憶したグループ識別情報を
前記分類したグループ単位に読み出し、該読み出
した情報に基ずき前記複数の発熱抵抗体を前記グ
ループ単位に選択駆動する手段と、前記複数の発
熱抵抗体に共通接続され、前記分類したグループ
ごとの選択駆動に対応して各グループごとの最適
加熱時間に応じた長さのパルスを前記発熱抵抗体
に印加する加熱時間制御手段とを具えるようにす
る。
またこの発明では、画情報に対応して選択駆動
される複数の発熱抵抗体を具えたサーマルヘツド
において、予測定した前記各発熱抵抗体の抵抗値
に基ずいて前記複数の発熱抵抗体を複数のグルー
プに分類し、該分類したグループ単位に前記複数
の発熱抵抗体を複数の配線で共通接続するととも
に、前記分類したグループごとの最適加熱時間に
応じた長さのパルスを前記複数の配線を介して前
記発熱抵抗体に同時に印加する加熱時間制御手段
を具えるようにする。
以下、この発明にかかるサーマルヘツドの駆動
装置を添付図面に示す実施例にしたがつて詳細に
説明する。
第１図はこの発明にかかるサーマルヘツドの駆
動装置の一実施例の構成を示すものである。
前述したように、サーマルヘツドの発熱部には
主走査方向における画素数に対応した数の発熱抵
抗体R1，R2……Roが具えられており、該複数の
発熱抵抗体R1，R2……Roのそれぞれに画信号に
対応した電流を加えることによつて、所要とする
発熱抵抗体のみを発熱せしめ熱記録媒体に対する
記録を行う。各発熱抵抗体R1，R2……Roには好
適な発熱が行われる為の整流用の適宜なダイオー
ドＤがそれぞれ具えられていて、かつ各発熱抵抗
体R1，R2……RoのダイオードＤ側の端子は一定
の電位に保持されている。また、各発熱抵抗体の
もう片方の端子にはそれぞれアンドゲートG1，
G2……Goが具えられており、このアンドゲート
G1，G2……Goを介して、画情報に対応した発熱
抵抗体のみが適宜時間の加熱時間、かつ一定の電
圧をもつて発熱動作が行われるようになつてい
る。
さて、これら発熱抵抗体はその固有の発熱特性
の違いすなわちそれぞれの有する抵抗値の相違に
よつて、ある抵抗値幅のバラツキを有するもので
あり、該複数の発熱抵抗体を第２図に示すように
その抵抗値に応じて適宜数のグループに分類す
る。なお、この実施例においては、サーマルヘツ
ドの発熱部を構成する各発熱抵抗体が第２図に示
すように目標抵抗値ｒを中心に抵抗値ｒ−△r1か
らｒ＋△r2の範囲で分布しており、グループ、
グループ、グループ、グループの４グルー
プに分類した場合について説明する。なお、この
分類においてそれぞれのグループに発熱抵抗体数
を同数にすれば、後述するそれぞれのメモリの記
憶領域を均一にすることができる。
まず、メモリ１１，メモリ１２，メモリ
１３，メモリ１４には前述したごとくグループ
乃至グループの４グループに分類された各発
熱抵抗体がどのグループに属するかを判別させる
為の情報が記憶されている。勿論、メモリに記
憶された情報はグループの発熱抵抗体に対応し
たものであり、同様に、メモリ、メモリ、メ
モリに記憶された情報はそれぞれグループ、
グループ、グループの発熱抵抗体に対応した
ものである。第３図にこれらメモリ乃至メモリ
のそれぞれの記憶内容の一例を示す。すなわ
ち、メモリ、メモリ、メモリ、メモリは
少なくともサーマルヘツドの全発熱抵抗体数に相
当するビツトアドレス領域を有しており（第３図
では発熱抵抗体のドツト番号がそれぞれのメモリ
におけるビツトアドレスに対応している）、それ
ぞれのメモリは該メモリに該当するグループの発
熱抵抗体のドツト番号に対応するビツトアドレス
のみ論理値「１」として記憶されており、それ以
外のビツトアドレスは論理値「０」として記憶さ
れている。例えば第３図によると、ドツト番号１
の発熱抵抗体はグループに属し、ドツト番号２
の発熱抵抗体はグループに属し、ドツト番号３
の発熱抵抗体はグループに属し、ドツト番号４
の発熱抵抗体はグループに属し、ドツト番号５
の発熱抵抗体はグループに属していることにな
る。
他方、これらメモリ、メモリ、メモリ、
メモリの読出し動作はメモリ制御部２０の制御
によつて行われており、その読出し動作は、例え
ばメモリの記憶内容がそのビツトアドレスに従
つてシリアルに読出された後、メモリの記憶内
容がそのビツトアドレスに従つてシリアルに読出
され、以後メモリ、メモリの記憶内容が同様
にして読出されるようになつている。したがつて
メモリ読出し制御部２０は、例えばこの実施例装
置の各構成要素の基本クロツクである搬送クロツ
クに基づいて計数動作を実行するリングカウンタ
回路と、該リングカウンタ回路の各メモリに対す
る出力を所定の順番に基づいて順次切換えていく
セレクタ回路等によつて構成することができる。
また、これらメモリの出力端子はそれぞれオア
ゲート３０の入力端子に接続されており、このオ
アゲート３０でメモリ出力の論理和がとられた
後、アンドゲート３１の片方の入力端子に入力さ
れるようになつている。なお、ひとつはメモリが
読出し動作を実行しているときには他のメモリの
出力信号はハイインピーダンス状態となり、読出
し動作実行中のメモリの出力に影響を及ぼさない
ようになつている。
次にレジスタ４０は図示しない画情報読取り部
等から画情報VDを主走査線１ライン毎に受入
れ、該受入した１主走査ライン分の画情報VDを
一時記憶するとともに、記憶した画情報を前記搬
送クロツクに基づいて、かつ所定の順番に従つて
順次アンドゲート３１に出力するものである。従
つてその一時記憶容量は少なくともサーマルヘツ
ドの全発熱抵抗体数、他言すれば一主走査ライン
分の画素数に相当するビツト数を必要とする。ま
た該記憶した画情報VDのアンドゲート３１に対
する出力動作は前記メモリ、メモリ、メモリ
、メモリの読出し動作に同期して行われてお
り、レジスタ４０は該一時記憶した１主走査ライ
ン分の画情報VDを４回操り返してアンドゲート
３１に出力することになる。この為前記画情報
VDはメモリ乃至メモリの読出し動作が一通
り終了した後、すなわちレジスタ４０に一時記憶
された１主走査ライン分の画情報が４回繰り返し
てアンドゲート３１に出力された後、次ステツプ
の主走査ライン分の画情報が該レジスタ４０に入
力されるようになつている。
次に第４図に示すタイムチヤートに従つて１主
走査ラインを記録する場合のメモリ、乃至メモ
リ、レジスタ４０、アンドゲート３１の動作を
説明する。なお、このタイムチヤートにおいては
各メモリの記憶内容として第３図に示した各メモ
リの記憶内容例のうちサーマルヘツドの発熱抵抗
体のドツト番号１からドツト番号８までを採用し
ており、他のドツト番号の発熱抵抗体に対する動
作については省略している。
同図に示すようにまず、グループの発熱抵抗
体に対する加熱制御を行う為に、メモリの記憶
内容がビツトアドレスに従つて順次読出され、該
メモリの読出し動作に同期して出力されるレジス
タ４０の一時記憶内容（１主走査ライン分に相当
する画情報VD）との論理積がアンドゲート３１
によつて順次とられる。このようにして、グルー
プの発熱抵抗体のうち、画情報VDに基づき発
熱動作を行う発熱抵抗体に対応したメモリの記
憶内容のみが論理値「１」として後述するシフト
レジスタ５０の所定ビツト位置にシフトされるこ
とになる。このタイムチヤートにおいてはグルー
プの発熱抵抗体としてドツト番号１の発熱抵抗
体のみが発熱動作を実行されることになる。
メモリの読出し動作が終了すると、次にグル
ープの発熱抵抗体に対する加熱制御を行うため
に、メモリの記憶内容の読出し動作が開始され
る。この場合、レジスタ４０は一時記憶した１主
走査ライン分に相当する前記画情報VDを再度ビ
ツトアドレスに従つてアンドゲート３１に出力
し、前述したようにアンドゲート３１ではメモリ
の記憶内容と該レジスタ４０の出力の論理積が
とられた後、該出力をシフトレジスタ５０に出力
する動作が行われる。このタイムチヤートにおい
てはグループの発熱抵抗体としてドツト番号２
およびドツト番号６の発熱抵抗体が発熱動作を実
行されることになる。
上述した動作がグループ、グループの発熱
抵抗体についても同様に行われる。このタイムチ
ヤートにおいてはグループの発熱抵抗体として
ドツト番号４の発熱抵抗体が、グループの発熱
抵抗体としてドツト番号７の発熱抵抗体が発熱動
作を実行することになる。
この後、次ステツプの画情報VDがレジスタ４
０に入力され、再び各メモリの内容がメモリか
ら順番に読出されることになる。
次にシフトレジスタ５０は直列入力並列出力型
のシフトレジスタであり、その入力端子は前記ア
ンドゲート３１の出力端子に、その並列出力端子
は各発熱抵抗体毎に具備されているアンドゲート
G1，G2……Goの片方の入力端子にそれぞれ接続
されている。そのシフト動作は前記搬送クロツク
に基づいて行われており、分類したグループ毎に
発熱させるべき発熱抵抗体を発熱させる為に、前
記アンドゲート３１の出力が所定位置まで適宜シ
フトされるようになつている。
加熱時間コントロール６０には分類したグルー
プ毎に加える最適加熱時間に応じた矩形パルスが
あらかじめ記憶されている。さて、一定電圧印加
時における発熱抵抗体に対する加熱時間と発熱抵
抗体の表面温度は第５図のグラフに示すような関
係にあり、かつ発熱抵抗体の消費電力＝（−定電
圧値）2／発熱抵抗体の抵抗値の関係にあることか
ら、各グループに対する最適加熱時間は第６図に
示すような関係となる。すなわち、抵抗値の最も
小さい発熱抵抗体よりなるグループに対する加
熱時間を最も短くし、抵抗値の最も大きい発熱抵
抗体よりなるグループに対する加熱時間を最も
長くし、中間グループであるグループ、グルー
プに対する加熱時間は前記グループとグルー
プの間に位置する最適な加熱時間をもつて各発
熱抵抗体を加熱することによつて、表面温度バラ
ツキのないサーマルヘツドを構成することが可能
となる。勿論、該加熱時間コントロール６０から
出力されるこの矩形パルス幅はシフトレジスタ５
０から出力されるパルス幅より短いものである。
また加熱時間コントロール６０から出力される最
適加熱時間に応じた矩形パルスの切換えは、前記
メモリ読出し制御部２０によつて行われるメモリ
読出しの切換え制御に同期して行われている。し
たがつて、シフトレジスタ５０からグループの
発熱抵抗体を発熱させる為のパルスが該当するア
ンドゲートG1，G2……Goに加えられる際には、
これに同期して加熱時間コントローラ６０からは
グループの最適加熱時間に応じた矩形パルスが
適宜アンドゲートG1……Goに加えられることに
なり、グループに属する発熱抵抗体のうち画情
報VDに基づいたドツト番号の発熱抵抗体のみが
最適加熱時間によつて発熱される。同様の動作が
グループ、グループ、グループの順に従つ
て行われ、その結果、濃度ムラの小さい、良好な
印字品質を得ることができるようになる。例えば
上記実施例装置によつて記録を行つた場合、印字
濃度のバラツキをID（Image Density）＝0.1以下
に抑えることができた。
ところで、この実施例装置のメモリ、メモリ
、メモリ、メモリは発熱抵抗体の分類情報
を適宜記憶することができるものであればいかな
るものを用いてもいいのであるが、これらメモリ
に例えば書込み自在かつ不揮発性のプログラマブ
ルROM等を採用すれば、各装置毎に異なるサー
マルヘツドの発熱抵抗体の抵抗値バラツキに応じ
て該メモリの記憶内容を変えるだけで上述したよ
うな良好な印字品質を実現することができるよう
になり、汎用性に富んだサーマルヘツドを提供す
ることができ、かつ製造の際の省力化、低コスト
化を図ることができる。
なお、第１図に示した実施例装置のスピードア
ツプを図る際、例えば印字すべきドツト数が少な
い場合は予め加熱時間コントロール６０にグルー
プおよびグループの両グループに共通する最
適加熱時間と、グループおよびグループの両
グループに共通する最適加熱時間を記憶させてお
き、かつメモリ読出し制御部２０によつてまずメ
モリ、メモリを同時に能動してその記憶内容
を並列に読出すとともに、前記加熱時間コントロ
ーラ６０にグループおよびグループの最適通
電時間に対応した矩形パルスをアンドゲートG1，
G2……Goに出力してグループおよびグループ
の発熱抵抗体を発熱させた後、同様にしてグル
ープおよびグループの発熱抵抗体を発熱させ
るようにすれば、実質的に２つのグループに分類
したのと等しくなり、印字時間を半減することが
できる。
次にこの発明にかかるサーマルヘツドの駆動装
置の他の実施例を第７図に示す。
この実施例装置において、サーマルヘツドの発
熱抵抗体R1，R2……Roがその発熱特性によつて
４つのグループに分類され、かつ加熱時間コント
ローラ７０からそれぞれのグループの最適加熱時
間に応じた矩形パルスが各グループ毎に発熱抵抗
体R1，R2……Roに加えられることは前述した実
施例と同じである。しかし、この実施例装置で
は、前記画情報VDが直接シフトレジスタ５０に
入力され、加熱時間コントローラ７０と各発熱抵
抗体に具えられたアンドゲートG1，G2……Goと
の接続は該分類したグループ毎に行われており、
加熱時間コントローラ７０は予記憶しているグル
ープ毎の最適加熱時間に応じた、前記４種の矩形
パルスを前記アンドゲートG1，G2……Goに一主
走査ラインの印字毎に同時に出力する。したがつ
て、前記実施例のように一主走査ラインの印字に
４回の動作ステツプをふむことなく、一回の動作
で一主走査ラインの印字を行うことができる。勿
論、この実施例では発熱抵抗体をその配線態様に
よつてグループ分けした為に、汎用性にかけるも
のとなるが、高速かつ良好な印字品質のサーマル
ヘツドを実現することができる。
なお、上述した実施例においては発熱抵抗体を
その抵抗値に応じて４つのグループに分類した場
合について示したが、該分類数は勿論４つに限る
わけでなく、各サーマルヘツドの抵抗値バラツキ
に応じて任意数のグループ分けを行えばよい。該
分類数を多くした場合は、サーマルヘツドの表面
温度のバラツキをより小さくすることができる。
また、この発明にかかるサーマルヘツドの駆動
装置の構成は第１図、第７図に示した実施例に限
るわけではなく、予測定した抵抗値に基づいて複
数のグループに分類した発熱抵抗体に対してそれ
ぞれのグループ毎に最適加熱時間をもつて加熱制
御を行うものであれば他のいかなる構成としても
よい。
ところで、連続パルス印加時または隣接効果に
よる発熱抵抗体の温度上昇を補正する為に加熱時
間を短くするという制御方式があるが、この制御
方式にこの発明にかかるサーマルヘツドの駆動方
法を付随させ、より印字品質の優れたサーマルヘ
ツドを実現することもできる。
以上説明したように、この発明にかかるサーマ
ルヘツドの駆動装置によれば、各発熱抵抗体固有
の発熱特性に基づいて各発熱抵抗体に加える加熱
時間を可変制御するようにしたことによつて、各
発熱抵抗体の表面温度のバラツキを小さくするこ
とができ、ひいては記録された画像濃度のバラツ
キを小さくし、印字品質の向上を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明にかかるサーマルヘツドの駆
動装置の第１の実施例の構成を示すブロツク図、
第２図はサーマルヘツドの発熱抵抗体の抵抗値に
よる分布と、該発熱抵抗体をその抵抗値に基づい
て４つのグループに分類したことを示すグラフ、
第３図は第１図に示した実施例装置におけるメモ
リ、メモリ、メモリ、メモリの記憶内容
例を説明する為の説明図、第４図は第１図に示し
た実施例装置の動作例を示したタイムチヤート、
第５図は発熱抵抗体の表面温度と加熱時間の関係
を示すグラフ、第６図は４つのグループに分類し
た発熱抵抗体のそれぞれのグループに対する最適
加熱時間を示す図、第７図はこの発明にかかるサ
ーマルヘツドの駆動装置の第２の実施例の構成を
示すブロツク図である。 １１，１２，１３，１４……メモリ、２０……
メモリ読出し制御部、４０……レジスタ、５０…
…シフトレジスタ、６０，７０……加熱時間コン
トローラ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 画情報に対応して選択駆動される複数の発熱
    抵抗体を具えたサーマルヘツドにおいて、 予測定した前記各発熱抵抗体の抵抗値に基ずい
    て複数のグループに分類した前記複数の発熱抵抗
    体が前記複数のグループのどのグループに属する
    かを識別するグループ識別情報を該分類したグル
    ープごとに記憶する複数のメモリと、 前記複数のメモリに記憶したグループ識別情報
    を前記分類したグループ単位に読み出し、該読み
    出した情報に基ずき前記複数の発熱抵抗体を前記
    グループ単位に選択駆動する手段と、 前記複数の発熱抵抗体に共通接続され、前記分
    類したグループごとの選択駆動に対応して各グル
    ープごとの最適加熱時間に応じた長さのパルスを
    前記発熱抵抗体に印加する加熱時間制御手段と、 を具えるサーマルヘツドの駆動装置。 ２ 画情報に対応して選択駆動される複数の発熱
    抵抗体を具えたサーマルヘツドにおいて、 予測定した前記各発熱抵抗体の抵抗値に基ずい
    て前記複数の発熱抵抗体を複数のグループに分類
    し、該分類したグループ単位に前記複数の発熱抵
    抗体を複数の配線で共通接続するとともに、前記
    分類したグループごとの最適加熱時間に応じた長
    さのパルスを前記複数の配線を介して前記発熱抵
    抗体に同時に印加する加熱時間制御手段を具える
    ようにしたサーマルヘツドの駆動装置。
JP57156105A 1982-09-08 1982-09-08 サーマルヘッドの駆動装置 Granted JPS5945176A (ja)

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JP4922080B2 (ja) * 2006-09-20 2012-04-25 本田技研工業株式会社 排風ダクトを備える車両搭載内燃機関

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