JPH0395914A - Apparatus and method for inspecting and correcting of x-ray mask - Google Patents

Apparatus and method for inspecting and correcting of x-ray mask

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JPH0395914A
JPH0395914A JP1232101A JP23210189A JPH0395914A JP H0395914 A JPH0395914 A JP H0395914A JP 1232101 A JP1232101 A JP 1232101A JP 23210189 A JP23210189 A JP 23210189A JP H0395914 A JPH0395914 A JP H0395914A
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JP
Japan
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ray mask
mask
ray
image
inspection
Prior art date
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Pending
Application number
JP1232101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Soichi Inoue
壮一 井上
Masaru Hori
勝 堀
Yoji Ogawa
洋司 小川
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Publication of JPH0395914A publication Critical patent/JPH0395914A/en
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To extremely easily inspect and correct an accurate X-ray mask in a short period of time by detecting a pattern image of the mask formed by image forming means, and collating the image detected by the means to a reference base pattern image to detect a defect. CONSTITUTION:A X-ray passed through an X-ray mask 129 forms an enlarged image on a two-dimensional X-ray detector 108, and it is transduced into an electric signal. A data comparator 115 compares X-ray mask measuring data with reference data, and outputs a defect signal. When an X-ray mask inspecting processor 102 outputs a defect signal, an X-ray mask correcting optical system 103 controls a deflector circuit 131, a gas flowrate regulating valve 127 and a heater 125, emits an electron beam to a defect position, and supplies desired reaction gas onto the mask 129. It is corrected by electron beam etching or electron beam deposition.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、X線マスク検査修正装置およびX線マスク検
査修正方法に係り、特にX線マスクのマスクパターンの
欠陥の検査および修正に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an X-ray mask inspection/correction device and an X-ray mask inspection/correction method, and particularly to inspection of defects in a mask pattern of an X-ray mask. and regarding amendments.

(従来の技術) X線マスクは極めて微細なパターンを形成するものであ
るため、ピンホールのような微細な欠陥やゴミ等の付着
も回路パターンにおいてはショトの発生を招いたり、種
々の問題を引き起こすことになる。
(Prior art) Since X-ray masks form extremely fine patterns, fine defects such as pinholes and adhesion of dust can also cause shorts and other problems in circuit patterns. It will cause it.

そこで、X線マスクの製造に際しては、製造後、入念な
検査と修正が重ねられている。
Therefore, when manufacturing X-ray masks, careful inspections and modifications are repeated after manufacturing.

この製造および検査プロセスとしては、第6図に示すよ
うに、X線マスクが製造ラインで完成されると(ステッ
プ601) 、X線マスク検査(ステップ602)を行
い、ここでX線マスクの欠陥の種類(欠け、ゴミ等)、
形状、位置が明らかになると、今度はX線マスクIIJ
EiTEプロセス(ステップ603)によって、このX
線マスクの欠陥の種類、形状、位置に応じた修正を行い
欠陥救済措置がなされる。
In this manufacturing and inspection process, as shown in FIG. 6, when an X-ray mask is completed on the production line (step 601), an X-ray mask inspection (step 602) is performed to detect defects in the X-ray mask. type (chips, dust, etc.),
Once the shape and location are clear, it is time to use the X-ray mask IIJ.
The EiTE process (step 603)
Defect relief measures are taken by making corrections according to the type, shape, and position of the defect in the line mask.

このようにして修1EのなされたX線マスクは再度X線
マスク検査(ステップ602)がなされ、修正が完了し
、欠陥がないことが確認されると、露光プロセス(ステ
ップ604)に移される。
The X-ray mask thus repaired 1E is inspected again (step 602), and when the correction is completed and it is confirmed that there are no defects, it is transferred to the exposure process (step 604).

一方、まだ欠陥が残留している場合は、再びX線マスク
修正プロセス(ステップ603)に戻され、同様の操作
が繰り返される。
On the other hand, if any defects still remain, the process returns to the X-ray mask correction process (step 603) and the same operation is repeated.

このようなX線マスク検査修正方法においては、検査装
置で把握した欠陥+nmを修正装置に伝えると共にX線
マスクを修正装置に正しく位置合わせする必要があり、
厳密な位置合わせのために要する時間は、作業性の向上
を阻む大きな問題となっている。
In such an X-ray mask inspection and repair method, it is necessary to convey the defect + nm detected by the inspection device to the repair device, and to correctly align the X-ray mask with the repair device.
The time required for precise alignment is a major problem that hinders improvements in workability.

さらに、X線マスクの欠陥は、その種類、形状、位置等
が不定であるため、その欠陥ごとに修正条件(ガス圧、
加速電圧、温度、修正時間)を変化させなければならな
いことが多く、修正の度ごとに再度検査を行い、修正が
適切であるか否かをその都度確認しなければならない。
Furthermore, since defects in X-ray masks are uncertain in their type, shape, location, etc., the correction conditions (gas pressure,
It is often necessary to change the accelerating voltage, temperature, correction time), and it is necessary to perform a re-inspection each time a correction is made to confirm whether the correction is appropriate each time.

このため、検査修正のプロセスを繰り返すと言う冗長性
を避け得ないという問題があった。
Therefore, there is a problem in that redundancy of repeating the inspection and correction process cannot be avoided.

また、検査装置、修正装置共に真空条件下での操作であ
るため、X線マスクの出し入れに際し、真空をブレーク
する必要があり、これも検査修正に要する時間の縮減を
阻む問題となっている。
Furthermore, since both the inspection device and the correction device are operated under vacuum conditions, it is necessary to break the vacuum when inserting and removing the X-ray mask, which also poses a problem that prevents reduction of the time required for inspection and correction.

さらには検査の後、修正装置に移送されるのに際し、X
線マスクは一旦大気にさらされるため、新たに大気中の
ゴミが付着したりするおそれもある。
Furthermore, after the inspection, when transferred to the correction equipment,
Since line masks are once exposed to the atmosphere, there is a risk that new atmospheric dust may adhere to them.

(発明が解決しようとする課題) このように、従来のマスク検査修正方法によれば、検査
装置から修正装置への移送あるいは修正装置から検査装
置への移送に際してその都度厳密な位置合わせをおこな
わねばならず、検査修正に要す、る時間が多大であるこ
と、X線マスクの欠陥は、その種類、形状、位置等が不
定であるため、その欠陥ごとに修正条件(ガス圧、加速
電圧、温度、修正時間)を変化させなければならないこ
とが多く、修正の度ごとに再度検査を行い、修正が適切
であるか否かをその都度確認しなければならないという
問題があった。
(Problem to be Solved by the Invention) As described above, according to the conventional mask inspection and correction method, strict alignment must be performed each time the mask is transferred from the inspection device to the correction device or from the correction device to the inspection device. However, since the type, shape, location, etc. of defects in X-ray masks are uncertain, the repair conditions (gas pressure, accelerating voltage, There is a problem in that it is often necessary to change the temperature (temperature, correction time), and it is necessary to re-inspect each time the correction is made to confirm whether the correction is appropriate each time.

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、検査およ
び修正に要する時間の低減および作業性の向上をはかる
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and aims to reduce the time required for inspection and correction and improve workability.

〔発明の構戊〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) そこで本発明では、試料室に設置されたX線マスクに対
して欠陥の検査を行なう欠陥検査手段と、欠陥検査手段
の出力に基づいて修正を行なう修iE手段とを具備し、
修正状況を実時間で検査しつつ即時修正できるように構
成されている。
(Means for Solving the Problems) Therefore, the present invention provides a defect inspection means for inspecting defects on an X-ray mask installed in a sample chamber, and a repair means for making corrections based on the output of the defect inspection means. and
It is configured so that corrections can be made immediately while checking the correction status in real time.

すなわち、本発明のX線マスク欠陥検査修正装置は、被
検マスクの欠陥を検出するX線マスク険゛査手段と、X
線マスク検査手段の出力に基づいて修正条件を決定する
処理手段と、処理手段の出力に応じてX線マスクの欠陥
の修正を行なうX線マスク修正手段とから構成されてい
る。
That is, the X-ray mask defect inspection and correction apparatus of the present invention includes an X-ray mask inspection means for detecting defects in a mask to be inspected;
The apparatus is comprised of a processing means for determining correction conditions based on the output of the ray mask inspection means, and an X-ray mask correction means for correcting defects in the X-ray mask according to the output of the processing means.

そして、このX線マスク検査手段は、X線マスクにX線
を照射することによりこの被検マスクのマスクパターン
像を形成する像形成手段と、この{象形成手段によって
形成されたパターン像を検出する像検出手段とから構或
されている。
The X-ray mask inspection means includes an image forming means for forming a mask pattern image of the mask to be inspected by irradiating the X-ray mask with X-rays, and detecting the pattern image formed by the image forming means. and an image detecting means.

またX線マスク修正手段は、レーザビームまたは粒子ビ
ームを欠陥位置に照射]7つつ反応性ガスを供給するこ
とにより、エッチングまたは堆積によって修正をおこな
うように構或されている。
Further, the X-ray mask repair means is configured to carry out the repair by etching or deposition by irradiating the defect location with a laser beam or particle beam and supplying a reactive gas.

(作用) 上記構戊によれば、X線マスクの欠陥を実時間てモニタ
しながら修正をおこなうことによって、従来の検査、修
正方法における冗長なプロセスを大幅に簡略化すること
ができ、検査修正に要する時間を大幅に短縮することが
可能となる。
(Function) According to the above structure, by performing correction while monitoring defects in the X-ray mask in real time, the redundant processes in conventional inspection and correction methods can be greatly simplified, and inspection and correction This makes it possible to significantly reduce the time required.

また、検査後修正に至るまでに大気にさらすことなく実
行することができるため、信頼性の高い修IEが可能と
なる。
Furthermore, since the inspection can be carried out without being exposed to the atmosphere before it is repaired, highly reliable repair IE is possible.

さらに反応性ガスを選択することにより、同一のガスで
エッチングおよび堆積を行うことも可能であり、極めて
作業性の高いものである。
Furthermore, by selecting a reactive gas, it is also possible to perform etching and deposition with the same gas, resulting in extremely high workability.

(実施例) 以下、本発明実施例のマスク検査修己装置及びマスク検
査修正方法について図面を参!′Iベしつつ、詳細に説
明する。
(Embodiment) Below, please refer to the drawings for the mask inspection/correction device and mask inspection/correction method according to the embodiment of the present invention! ' I will explain in detail.

第1図は本発明の第1の実施例のマスク検査修肥装置の
全体構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of a mask inspection and repair apparatus according to a first embodiment of the present invention.

このマスク検査修正装置は、X線マスク検査用光学系1
01と、X線マスク検査用処理系102、X線マスク修
正用電子光学系103と、X線マスクの支持および位置
合わせを行うためのテーブルを有すると共に、ガス導入
機構を有する試料室104とから構成されており、X線
マスクは試料室104内に一旦設置されるとそのままの
状態で、X線マスク検査用光学系101によって検査さ
れると共に、X線マスク検査用処理系102によりその
検査結果にもとすいて、X線マスク修正用電子光学系1
03が作動され、欠陥部のエッチングあるいは欠陥部へ
の堆積がおこなわれるようになっている。
This mask inspection and correction device consists of an X-ray mask inspection optical system 1
01, an X-ray mask inspection processing system 102, an X-ray mask correction electron optical system 103, and a sample chamber 104 having a table for supporting and aligning the X-ray mask and a gas introduction mechanism. Once installed in the sample chamber 104, the X-ray mask is inspected as it is by the X-ray mask inspection optical system 101, and the inspection results are processed by the X-ray mask inspection processing system 102. First of all, electron optical system for X-ray mask correction 1
03 is activated to perform etching of the defective portion or deposition on the defective portion.

そしてX線マスク検査用光学系101は、SOR5プラ
ズマX線源、電子励起型X線源等のX線源105と、X
線源105からのX線を集光する集光光学素子106と
、集光光学素子によって集光せしめられたX線は、X線
マスク129を照IJし、このX線マスク129上のマ
スクパターンからの透過光を対物光学素子107を介し
て検出する2次元X線検出器108とから構成されてい
る。
The X-ray mask inspection optical system 101 includes an X-ray source 105 such as an SOR5 plasma X-ray source or an electronically excited X-ray source;
A condensing optical element 106 condenses the X-rays from the radiation source 105, and the X-rays condensed by the condensing optical element illuminate an X-ray mask 129 and form a mask pattern on the X-ray mask 129. A two-dimensional X-ray detector 108 detects transmitted light from the X-ray beam through an objective optical element 107.

ここで109はオリフィスである。ここで集光光学素子
106および対物光学素子107としてはゾーンプレー
ト、ウオルタ型ミラー、多層膜をコーティングしたシュ
ワルツシルド型ミラー等が考えられる。また2次元X線
検出器108としては、MCP(マイクロチャンネルプ
レート)、CCD等を用いるようにする。
Here, 109 is an orifice. Here, as the condensing optical element 106 and the objective optical element 107, a zone plate, a Walter type mirror, a Schwarzschild type mirror coated with a multilayer film, etc. can be used. Furthermore, as the two-dimensional X-ray detector 108, an MCP (microchannel plate), CCD, or the like is used.

またX線マスク検査用処理系102は、ホスl・CPU
 (中央処理装置)110と、CADシステムにより設
計されX線マスク設計データが格納されてなるハードデ
ィスク111と、ドッ1・変換同路112と、基準デー
タ変換回路113と、テーブル制御回路114と、デー
タ比較回路115と、位置回路116とから構成されて
いる。そして、ホストCPUI10および各回路はI/
Oバス117a,DMAバス1 17bに接続されてい
る。
In addition, the processing system 102 for X-ray mask inspection includes a host l/CPU.
(Central processing unit) 110, a hard disk 111 designed by a CAD system and storing X-ray mask design data, a dot 1/conversion circuit 112, a reference data conversion circuit 113, a table control circuit 114, and a data It is composed of a comparison circuit 115 and a position circuit 116. The host CPU 10 and each circuit
It is connected to the O bus 117a and the DMA bus 1 17b.

また、ホストC P U i 1 0はドット変換回路
112、データ比較回路115、テーブル制御回路11
4、位置回路116、ハードディスク111を直接制御
する。
In addition, the host CPU i 10 includes a dot conversion circuit 112, a data comparison circuit 115, and a table control circuit 11.
4. Directly control the position circuit 116 and hard disk 111.

さらに、X線マスク修正用光学系103は、電子銃11
8と、電子銃118からの電子ビームを集束する集束コ
イル119と、プランキングtTs W120と、アバ
ーチャ121と、対物コイル122と、偏向器123と
から構成されている。
Further, the X-ray mask correction optical system 103 includes the electron gun 11
8, a focusing coil 119 that focuses the electron beam from the electron gun 118, a planking tTs W120, an aperture 121, an objective coil 122, and a deflector 123.

また、試料室104は、X線マスク129を載置すると
、このX線マスク129をXlj向およびY方向に移動
させるためのXYテーブルと、X線マスクを回転させる
ためのθテーブルとからなるテーブル124と、XYテ
ーブルの位置を検出するレーザ測定器130と、XYテ
ーブルをX軸方向に駆動するX方向駆動装置Mxと、X
YテーブルをY軸方向に駆動するY方向駆動装置Myと
、θテーブルを回転駆動するθモータMθとから構成さ
れている。なお、ここで各テーブルの中央にはX線マス
ク129を通過するX線を対物光学素子108に導くた
めの穴が設けられている。また、ここでX方向駆動装置
およびY方向駆動装置はそれぞれXYテーブルを微動駆
動する微動駆動装置およびXYテーブルを粗動駆動する
粗動駆動装置を備えており、微動駆動装置としては、例
えばビエゾ素子を用いたものを用いるこ.とかでき、ま
た粗動駆動装置としては、例えばステップモー夕を用い
たものを用いることができる。また125はX線マスク
を修正時に加熱するためのヒータ、126は反応性ガス
供給系、127はガス供給バルブ、128はガス供給ノ
ズルである。
Moreover, when the X-ray mask 129 is placed in the sample chamber 104, a table consisting of an XY table for moving the X-ray mask 129 in the Xlj direction and the Y direction, and a θ table for rotating the X-ray mask is provided. 124, a laser measuring device 130 that detects the position of the XY table, an X direction drive device Mx that drives the XY table in the X axis direction,
It is composed of a Y-direction drive device My that drives the Y-table in the Y-axis direction, and a θ motor Mθ that rotationally drives the θ table. Note that a hole is provided in the center of each table to guide the X-rays passing through the X-ray mask 129 to the objective optical element 108. In addition, the X-direction drive device and the Y-direction drive device each include a fine movement drive device that finely moves the XY table and a coarse movement drive device that coarsely moves the XY table. Use one that uses Further, as the coarse movement drive device, for example, one using a step motor can be used. Further, 125 is a heater for heating the X-ray mask during correction, 126 is a reactive gas supply system, 127 is a gas supply valve, and 128 is a gas supply nozzle.

ここで、X線源105より発せられるX線は、集光光学
素子106により集光され、X線マスク129のマスク
パターン上の各位置を照射する。
Here, the X-rays emitted from the X-ray source 105 are condensed by the condensing optical element 106 and irradiate each position on the mask pattern of the X-ray mask 129.

そしてX線マスク129を通過したX線は対物光学素子
107によって結像し、二次元X線検出器108上で拡
大像を形成する。そしてこの拡大像はX線検出器108
で電気的信号に変換される。
The X-rays that have passed through the X-ray mask 129 are imaged by the objective optical element 107 and form an enlarged image on the two-dimensional X-ray detector 108. This enlarged image is detected by the X-ray detector 108.
is converted into an electrical signal.

また、位置回路]−16は二次元X線検出器1 0 8
から出力された信号を増幅するとともに、これをアナロ
グ/デジタル(A/D)変換し、更にこのデジタル変換
した信号を正規化する。
In addition, position circuit ]-16 is a two-dimensional X-ray detector 1 0 8
The signal output from the converter is amplified, analog/digital (A/D) converted, and the digitally converted signal is normalized.

X線マスク129はθテーブルの上に載置されており、
このθテーブルによりX線マスク129上のパターンの
XY方向と後述する基準データのXY方向とが一致する
ように厳密に位置合わせがなされる。θテーブルの下に
は、XYテーブルが設けられ、このXYテーブルは、X
方向駆動装置MXおよびY方向駆動装置Myの粗動駆動
装置によって粗動駆動されて大体の位置決めが行なわれ
、その後微動駆動装置によって精密に位置決めがなされ
るようになでいる。また、XY両輔の移動、すなわちX
Yテーブルの位置はレーザfllll長器130によっ
て精密に測定され、X線マスク129上のパターンと、
それが二次元X線検出器108上に拡大結像される場所
との位置関係を正確に把握するようになっている。この
ようにしてX線マスク検出画像を得る。
The X-ray mask 129 is placed on the θ table,
Using this θ table, precise positioning is performed so that the XY directions of the pattern on the X-ray mask 129 match the XY directions of reference data, which will be described later. An XY table is provided below the θ table, and this XY table
The coarse movement drive devices of the directional drive device MX and the Y direction drive device My perform coarse movement driving to roughly position the object, and then the fine movement drive device strokes it so that precise positioning is performed. In addition, the movement of XY Ryosuke, that is,
The position of the Y table is precisely measured by a laser beam length device 130, and the pattern on the X-ray mask 129 and
The positional relationship between it and the place where the enlarged image is formed on the two-dimensional X-ray detector 108 is accurately grasped. In this way, an X-ray mask detection image is obtained.

一方、例えばCADシステム(コンピュータ支援設計シ
ステム)から出力されたX線マスク設計データが電子ビ
ーム描画用のデータにフォーマット変換された後、ハー
ドディスク111に格納される。ハードディスク111
から読み出された電子ビーム描画用データはドット変換
回路112によりドットパターンデータに変換される。
On the other hand, for example, X-ray mask design data output from a CAD system (computer-aided design system) is format-converted into data for electron beam lithography, and then stored in the hard disk 111. hard disk 111
The electron beam writing data read out from the dot conversion circuit 112 is converted into dot pattern data.

基準データ変換回路1]3では、このドットパターンデ
ータに、光学検出系101の点像分布関数を重畳するこ
とによって、基準データを得る。
The reference data conversion circuit 1]3 obtains reference data by superimposing the point spread function of the optical detection system 101 on this dot pattern data.

データ比較回路115では、この基準データ変換同路1
13で変換した基準データと、前述のX線マスク測定デ
ータとを比較し、この差の絶対値を求め、この差の画像
を適切な欠陥判定スレシホールドで二値化することによ
って欠陥の場所大きさ性質(パターン欠けかゴミの付着
かなど)を示す欠陥信号を出力する。
In the data comparison circuit 115, this reference data conversion circuit 1
The reference data converted in step 13 is compared with the aforementioned X-ray mask measurement data, the absolute value of this difference is determined, and the image of this difference is binarized using an appropriate defect determination threshold to determine the location of the defect. Outputs a defect signal indicating size characteristics (pattern chipping, dust adhesion, etc.).

第2図にこの実施例の装置における欠陥検出原理の詳細
説明図を示す。
FIG. 2 shows a detailed explanatory diagram of the principle of defect detection in the apparatus of this embodiment.

このマスク検査装置では、光学検出系101のX線源1
05より発せられ、集光光学素子によって集光せしめら
れたX線は、X線マスク129を透過し、その透過光は
二次元X線検出5 1 0 8上で拡大結像され、同検
出器にて検出される。
In this mask inspection apparatus, the X-ray source 1 of the optical detection system 101
The X-rays emitted from the X-ray detector 5105 and condensed by the condensing optical element pass through the X-ray mask 129, and the transmitted light is enlarged and imaged on the two-dimensional X-ray detector 5108. Detected at

X線検出器108により得られた検出信号206はこの
検出信号をA/D変換し、疋規化し、測定データを得る
。ここでは1次元成分を示している。
The detection signal 206 obtained by the X-ray detector 108 is A/D converted and normalized to obtain measurement data. Here, a one-dimensional component is shown.

一方、X線マスク検査用処理系102のハードディスク
111に格納されていたX線マスク設計データ202は
、ドット変換回路212によりドット変換されて、電子
ビーム描画用ドットパターン203になる。このドット
パターン203に、光学系の点像分布関数204を重畳
することによって基隼データ205を得る。205はこ
の)J.’Aデータの1次元戊分を示す。
On the other hand, the X-ray mask design data 202 stored in the hard disk 111 of the X-ray mask inspection processing system 102 is dot-converted by the dot conversion circuit 212 to become a dot pattern 203 for electron beam writing. By superimposing the point spread function 204 of the optical system on this dot pattern 203, base data 205 is obtained. 205 is this) J. 'A shows a one-dimensional segment of data.

この操作は、前記ドットパターン203が、疑似的に、
光学系にて結像され基準データ205として検出される
ことを意味しており、この基準データ205と測定デー
タ206との比較を行なうことによって空間周波数変調
の影響を相殺する効里がある。
This operation causes the dot pattern 203 to be pseudo-
This means that it is imaged by an optical system and detected as reference data 205, and by comparing this reference data 205 and measurement data 206, it is effective to cancel out the influence of spatial frequency modulation.

また、データ比較回路115においては、前記測定デー
タ206と、基準データ205の差の絶対値を求め、こ
の差画像を適切な欠陥判定スレッショルドで2値化する
ことによって欠陥の場所とその大きさを示す欠陥信号を
得る。なお、207はこの欠陥信号にもとづき形成され
た欠陥部を含むIi!ii1象を示したものである。
In addition, the data comparison circuit 115 calculates the absolute value of the difference between the measurement data 206 and the reference data 205, and binarizes this difference image using an appropriate defect determination threshold to determine the location and size of the defect. Obtain the defect signal shown. Incidentally, 207 indicates Ii! including the defective portion formed based on this defect signal. This shows the ii1 elephant.

このようにして、マスク検査光学系によれば、X線によ
って欠陥検出がなされ、X線マスクの微細な欠陥をも検
出することができる。
In this way, according to the mask inspection optical system, defects are detected using X-rays, and even minute defects in the X-ray mask can be detected.

そして、この欠陥信号は、X線マスク修正用光学系10
3の偏向器回路131およびガス流量調節バルブ127
、ヒータ125の制御信号として用いられる。
This defect signal is transmitted to the X-ray mask correction optical system 10.
3 deflector circuit 131 and gas flow rate adjustment valve 127
, is used as a control signal for the heater 125.

X線マスク修正用光学系103は、LaB6Wなどより
なる電子銃]18から発生する熱電子を加速し集束コイ
ル119によって集束するとJl.:にさらに対物コイ
ル122によって集束し、X線マスク129上で直径4
0nm以下となるように絞り込む。集束コイル119は
第1図に示すように一段でも良いが多段構戊でも良い。
The X-ray mask correction optical system 103 accelerates thermoelectrons generated from an electron gun 18 made of LaB6W, etc., and focuses them with a focusing coil 119 to generate Jl. : is further focused by the objective coil 122 and placed on the X-ray mask 129 with a diameter of 4
Narrow down to 0 nm or less. The focusing coil 119 may have a single stage as shown in FIG. 1, or may have a multi-stage structure.

また、鏡筒全体は、X線マスク129上での電子ビーム
スポット径が許容値を越えない範囲でX線マスクにχ・
Iして傾いていても良い。
In addition, the entire lens barrel is attached to the X-ray mask 129 within the range where the electron beam spot diameter does not exceed the allowable value.
It is okay to lean in an I direction.

このようにして欠陥信号が出力されると、これにもとづ
いて、X線マスク修正用光学系103ては偏向器回路1
31およびガス流M調節バルブ127、ヒータ125が
制御され、欠陥の位置、程度、形状に応じて電子ビーム
が適切な位置に偏向され、欠陥位置に電子ビームが照射
される一方、ガス流量調節バルブ127の作動によって
反応性ガスが選択されると共に流量凋整のなされた状態
でノズル128を介して所望の反応性ガスがX線マスク
129上に供給される。
When the defect signal is output in this way, based on this, the X-ray mask correction optical system 103 and the deflector circuit 1
31, gas flow control valve 127, and heater 125 are controlled, and the electron beam is deflected to an appropriate position according to the position, degree, and shape of the defect, and the defect position is irradiated with the electron beam. 127 selects a reactive gas, and the desired reactive gas is supplied onto the X-ray mask 129 through the nozzle 128 with its flow rate adjusted.

そして電子ビームエッチングまたは電子ビームデポジシ
ョンによって修正が行われる。
Modifications are then made by electron beam etching or electron beam deposition.

そしてこのマスク表面の様子はX線マスク検査系101
によってモニタされ、欠陥信号として偏向器回路131
およびガス流ffi調節バルブ127、ヒータ125に
フィードバックされる。
The appearance of this mask surface is X-ray mask inspection system 101
is monitored by the deflector circuit 131 as a defect signal.
and is fed back to the gas flow ffi adjustment valve 127 and heater 125.

そしてエッチングあるいはデポジションの終点に近くな
ると、ガス流量調節バルブ127を調整してガス流量を
減少させることにより、堆積率あるいはエッチング速度
を低減し、さらに終点に到達すると、バルブを締めると
同特にプランキング電極120,アパーチャ121によ
って電子ビームをプランキングする。
Then, as the end point of the etch or deposition is approached, the deposition rate or etch rate is reduced by adjusting the gas flow control valve 127 to reduce the gas flow rate, and when the end point is reached, the valve is tightened to reduce the gas flow rate. The electron beam is planked by the ranking electrode 120 and the aperture 121.

例えば、X線マスクがWの吸収体パターンを有する物で
ある場合、ソースチャンバ126にはWF6を充填し、
先端径0.2mm程度のノズル128かX線マスクに近
接してセットされるようになっている。ここで電子ビー
ムの加速電圧を10ke V , 電流密度8xlO 
 A/cIII,ガス圧2×1−4 Q  torrとしたとき、常温(25℃)では0.4
nmpsの堆積率で堆積し、130℃では0.1.2n
i/Sのエッチング速度でエッチングされる。
For example, if the X-ray mask has a W absorber pattern, the source chamber 126 is filled with WF6,
A nozzle 128 having a tip diameter of about 0.2 mm is set close to the X-ray mask. Here, the acceleration voltage of the electron beam is 10keV, and the current density is 8xlO.
A/cIII, gas pressure 2×1-4 Q torr, 0.4 at room temperature (25℃)
Deposited at a deposition rate of nmps and 0.1.2nm at 130°C
It is etched at an etching rate of i/S.

従って、基板温度をコントロールすることによって堆積
かエッチングかを切り換えることができる。
Therefore, by controlling the substrate temperature, it is possible to switch between deposition and etching.

このように、X線マスクの欠陥を即時的にモニタしなが
ら修正をおこなうことによって、従来の検査修正におけ
る冗長なプロセスを大幅に短縮することができる。
In this way, by immediately monitoring and correcting defects in the X-ray mask, the redundant process of conventional inspection and correction can be significantly shortened.

加えて、この方法では、X線光学系による露光次の波長
を用いて欠陥検査をおこなうことができるため、より正
確な吸収体の異常を発見することが可能となる。
In addition, with this method, defects can be inspected using the wavelength following exposure by the X-ray optical system, making it possible to more accurately discover abnormalities in the absorber.

次に、本発明の第2の実施例について説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.

第3図はこの発明の第2の実施例に係る装置仝体構或を
示したものである。この第3図に示す第2の実施例は電
子ビームに代えてイオンビームによって修正を行なうも
のである。
FIG. 3 shows the overall structure of a device according to a second embodiment of the invention. In the second embodiment shown in FIG. 3, correction is performed using an ion beam instead of an electron beam.

このマスク検査修正装置は、前記第1の実施例と同様、
X線マスク検査用光学系101と、X線マスク検査用処
理系102、X線マスク修正用集束イオンビーム光学系
303と、X線マスクの支持および位置合わせを行うた
めのテーブルを有すると共に、ガス導入機構を有する試
料室104とから構成されており、X線マスクは試料室
104内に一旦設置されるとそのままの状態で、X線マ
スク検査用光学系101によって検査されると共に、X
線マスク検査用処理系102によりその検査結果にもと
すいて、X線マスク修正用電子光学系303が作動され
、欠陥部へのエッチングあるいは薄膜形成がイオンビー
ムエッチングあるいはイオンビームデポジションによっ
ておこなわれるようになっている。
Similar to the first embodiment, this mask inspection/correction device has the following features:
It has an optical system for X-ray mask inspection 101, a processing system for X-ray mask inspection 102, a focused ion beam optical system for X-ray mask correction 303, and a table for supporting and aligning the X-ray mask. Once installed in the sample chamber 104, the X-ray mask is inspected as it is by the X-ray mask inspection optical system 101, and
Based on the inspection results, the X-ray mask inspection processing system 102 operates the X-ray mask correction electron optical system 303, and etching or forming a thin film on the defective portion is performed by ion beam etching or ion beam deposition. It looks like this.

ここでX線マスク修正用集束イオンビーム光学系303
は、Ga+イオン源305から発生せしめられるGa+
イオンを加速電極306で加速、静電レンズ307によ
って集束し、X線マスク上で直径約40ni程度まで絞
り込むように構成されている。ここで308は、プラン
キング電極、309はアパーチャ、310は偏向器であ
る。
Here, a focused ion beam optical system 303 for X-ray mask correction
is Ga+ generated from the Ga+ ion source 305
Ions are accelerated by an accelerating electrode 306, focused by an electrostatic lens 307, and narrowed down to a diameter of about 40 ni on an X-ray mask. Here, 308 is a planking electrode, 309 is an aperture, and 310 is a deflector.

また、鏡筒全体はX線マスク上でのイオンビームスポッ
ト径が許容値を越えない範囲でX線マスクに対して傾い
ていても良い。
Further, the entire lens barrel may be tilted with respect to the X-ray mask within a range where the ion beam spot diameter on the X-ray mask does not exceed a permissible value.

他部については、前記第1の実施例と全く同様であり、
同一部位には同一符号を付した。
The other parts are completely the same as the first embodiment,
Identical parts are given the same reference numerals.

次に、欠陥検出および修正動作について説明する。Next, defect detection and correction operations will be explained.

前記第1の実施例と同様にして、X線マスク険査用光学
系101から欠陥信号が出力されると、これにもとづい
て、X線マスク修正用集束イオンビーム光学系303で
は偏向器回路131およびガス流量調節バルブ127、
ヒータ125が制御され、欠陥の位置、程度、形状に応
じてイオンビームが適切な位置に偏向され、欠陥位置に
イオンビームが照射される一方、ガス流量調節バルブ1
27の作動によって反応性ガスが選択されると共に流量
調整のなされた状態でノズル128を介して所望の反応
性ガスがX線マスク129上に供給される。
Similarly to the first embodiment, when a defect signal is output from the X-ray mask inspection optical system 101, the deflector circuit 131 is activated in the X-ray mask correction focused ion beam optical system 303 based on the defect signal. and gas flow rate adjustment valve 127,
The heater 125 is controlled, the ion beam is deflected to an appropriate position according to the position, degree, and shape of the defect, and the ion beam is irradiated to the defect position.
27 selects a reactive gas, and the desired reactive gas is supplied onto the X-ray mask 129 through the nozzle 128 with its flow rate adjusted.

そしてイオンビームエッチングまたはイオンビームデポ
ジションによって修正が行われる。
Modifications are then made by ion beam etching or ion beam deposition.

そしてこのX線マスク表面の様子はX線マスク検査系1
01によってモニタされ、欠陥信号として偏向器回路1
31およびガス流量調節バルブ127、ヒータ125に
フィードバックされる。
And the appearance of this X-ray mask surface is X-ray mask inspection system 1
01 and deflector circuit 1 as a defect signal.
31, gas flow rate control valve 127, and heater 125.

そしてエッチングあるいはデポジションの終点に近くな
ると、ガス流量調節バルブ127を調整してガス流量を
減少させることにより、堆積率あるいはエッチング速度
を低減し、さらに終点に到達すると、バルブを締めると
同時にプランキング電極308,アバーチャ309によ
ってイオンビームをプランキングする。
When the end point of etching or deposition is near, the deposition rate or etching rate is reduced by adjusting the gas flow control valve 127 to reduce the gas flow rate, and when the end point is reached, the valve is tightened and planing is performed at the same time. The ion beam is planed by an electrode 308 and an aperture 309.

ここで例えば、X線マスクがWの吸収体パターンを有す
る物である場合、ソースチャンバ126にはW(CO6
)を充填し、先端径0.2mII1程度のノズル128
がX線マスクに近接してセットされるようになっている
。またW(COe)は固体であるため、ソースチャンバ
126およびノズル128bにはヒータを巻き、60℃
程度まで加熱し、W(CO6)を昇華させるようになっ
ている。
For example, if the X-ray mask has a W absorber pattern, the source chamber 126 contains W (CO6
) and a nozzle 128 with a tip diameter of about 0.2 mII1.
is set close to the X-ray mask. Furthermore, since W (COe) is a solid, a heater is wound around the source chamber 126 and the nozzle 128b, and the temperature is increased to 60°C.
It is designed to sublimate W (CO6) by heating it to a certain degree.

ここでイオンビームの加速電圧を30keV,試料室内
のガス圧2x 1 0  torrとしたとき、3〜5
 atoms/Ionの堆積率で堆積し、ガス流量調節
バルブ127を閉じてW(COs)の供給を止めた状態
でイオンビームを照射すると、3 atoms/ton
のエッチング速度でエッチングされる。
Here, when the acceleration voltage of the ion beam is 30 keV and the gas pressure in the sample chamber is 2 x 10 torr, 3 to 5
When the ion beam is irradiated with the gas flow rate control valve 127 closed and the supply of W (COs) stopped, the deposition rate is 3 atoms/ton.
etched at an etching rate of

従って、ここではガスの供給を調整することによって堆
積かエッチングかを切り換えることができる。
Therefore, here, it is possible to switch between deposition and etching by adjusting the gas supply.

このように、X線マスクの欠陥を即時的にモニタしなが
ら修正をおこなうことによって、従来の検査修正におけ
る冗長なプロセスを大幅に短縮することができる。
In this way, by immediately monitoring and correcting defects in the X-ray mask, the redundant process of conventional inspection and correction can be significantly shortened.

また、この方法でも、X線光学系による露光041次の
波長を用いて欠陥検査をおこなうことができるため、よ
り正確な吸収体の異常を発見することが可能となる。
Furthermore, with this method as well, defect inspection can be performed using the 041st wavelength of exposure by the X-ray optical system, making it possible to more accurately discover abnormalities in the absorber.

次に、本発明の第3の実施例として、X線マスクの修正
にレーザビームを用いた例について説明する。
Next, as a third embodiment of the present invention, an example in which a laser beam is used to correct an X-ray mask will be described.

第4図はこの発明の第3の実施例に係る装置全体購或を
示したものである。二の第4図に示す第3の実施例は電
子ビームに代えてレーザビームによって修正を行なうも
のである。
FIG. 4 shows the purchase of the entire apparatus according to the third embodiment of the present invention. In the third embodiment shown in FIG. 2, the correction is performed using a laser beam instead of the electron beam.

このマスク検査修正装置は、前記第1の実施例と同様、
X線マスク検査用光学系101と、X線マスク検査用処
理系102、X線マスク修正用光学系403と、X線マ
スクの支持および位置合わせを行うためのテーブルを有
すると共に、ガス導入機構を有する試料室104とから
構成されており、X線マスクは試料室104内に一旦設
置されるとそのままの状態で、X線マスク検査用光学系
]01によって検査されると共に、X線マスク検査用処
理系]02によりその検査結果にもとすいて、X線マス
ク修正用光学系403が作動され、欠陥部へのエッチン
グあるいは薄膜形成がレーザビームエッチングあるいは
レーザビームデポジションによっておこなわれるように
なっている。
Similar to the first embodiment, this mask inspection/correction device has the following features:
It has an optical system for X-ray mask inspection 101, a processing system for X-ray mask inspection 102, an optical system for X-ray mask correction 403, a table for supporting and aligning the X-ray mask, and a gas introduction mechanism. Once installed in the sample chamber 104, the X-ray mask is inspected as it is by the X-ray mask inspection optical system]01, and the Processing system] 02 activates the X-ray mask correction optical system 403 based on the inspection results, and etching or forming a thin film on the defective part is performed by laser beam etching or laser beam deposition. There is.

ここでX線マスク修正用光学系403は、Arレーザ光
源405から発生せしめられるArレーザビームをAO
(アコーステックオプチヵル)スキャナー406で回折
角を変化せしめレーザビームをブランンキングし、さら
にコンデンサレンズ407によって発散せしめ、第1レ
ンンズ408で集光し、サイドローブをカットするため
のアパーチャ409を介して第2レンズ410で絞り込
みX線マスク上で直径約40rv程度まで絞り込むよう
に構成されている。
Here, the X-ray mask correction optical system 403 converts the Ar laser beam generated from the Ar laser light source 405 into an AO
(Acoustic Optical) A scanner 406 changes the diffraction angle to blank the laser beam, and a condenser lens 407 diverges the laser beam.The first lens 408 focuses the beam, and the laser beam is passed through an aperture 409 to cut side lobes. The second lens 410 is used to narrow down the beam to a diameter of about 40 rv on the X-ray mask.

ここで、適当な回折角でAOスキャナー406を出たレ
ーザビームはコンデンサレンズで発散光となり、第1レ
ンズ408で集光される際、ビームが回折限界まで絞ら
れた場合には、第5図(a)に示すようなサイドローブ
をもったエアリディスクとよばれる強度分布のスポット
となる。このサイドローブをアバーチャ409でカット
して第5図(b)に示すようにメインローブのみとする
。また、このメインローブをさらに細くするために第1
レンズにアボジゼーションを施すようにしても良い。
Here, the laser beam that exits the AO scanner 406 at an appropriate diffraction angle becomes a diverging light by the condenser lens, and when the beam is condensed by the first lens 408 and narrowed down to the diffraction limit, the laser beam as shown in FIG. This results in a spot with an intensity distribution called an Airy disk with side lobes as shown in (a). This side lobe is cut by an aperture 409 to leave only the main lobe as shown in FIG. 5(b). Also, in order to make this main lobe even thinner, the first
Abogization may be applied to the lens.

また、この修正用光学系403全体はX線マスク上での
レーザビームスポットの焦点深度内でX線マスクに対し
て傾いていても良い。
Further, the entire correction optical system 403 may be tilted with respect to the X-ray mask within the focal depth of the laser beam spot on the X-ray mask.

他部については、前記第1の実施例と全く同様であり、
同一部位には同一符号を付した。
The other parts are completely the same as the first embodiment,
Identical parts are given the same reference numerals.

次に、欠陥検出および修正動作について説明する。Next, defect detection and correction operations will be explained.

前記第1の実施例と同様にして、X線マスク検査用光学
系101から欠陥信号が出力されると、これにもとづい
て、処理系102のデータ比較回路から欠陥情報として
X線マスク修正用光学系403に人力せしめられる。
Similarly to the first embodiment, when a defect signal is output from the X-ray mask inspection optical system 101, based on the defect signal, the data comparison circuit of the processing system 102 outputs the X-ray mask repair optical system as defect information. System 403 is forced to use human power.

ここでは、この欠陥情報をもとにしてテーブル125を
制御し、レーザビームスポット位置に欠陥位置を合わせ
る。また、欠陥の種類によってガス流量調節バルブ12
7、ヒータ125が制御され、欠陥の位置、程度、形状
に応じてテーブル125か操作され、欠陥位置にレーザ
ビームが照射される一方、ガス流量3方向調節バルブ4
27の作動によって反応性ガスが選択されると共に流量
調整のなされた状態でノズル128を介して所望の反応
性ガスがX線マスク129上に供給される。
Here, the table 125 is controlled based on this defect information to align the defect position with the laser beam spot position. Also, depending on the type of defect, the gas flow control valve 12 may be
7. The heater 125 is controlled, the table 125 is operated according to the position, degree, and shape of the defect, and the laser beam is irradiated to the defect position, while the gas flow rate three-way control valve 4
27 selects a reactive gas, and the desired reactive gas is supplied onto the X-ray mask 129 through the nozzle 128 with its flow rate adjusted.

モしてレーザビームエッチングまたはレーザビームデポ
ジションによって修正が行われる。
Modifications are then performed by laser beam etching or laser beam deposition.

そしてこのX線マスク表面の様子はX線マスク検査系1
01によってモニタされ、欠陥信号としてテーブル制御
回路114およびガス流量調節バルブ127、ヒータ1
25にフィードバックされる。
And the appearance of this X-ray mask surface is X-ray mask inspection system 1
01, and the table control circuit 114, gas flow rate adjustment valve 127, and heater 1 are monitored as defect signals.
25 is fed back.

そしてエッチングあるいはデポジションの終点に近くな
ると、ガス流量3方向調節バルブ127を調整してガス
流量を減少させることにより、堆積率あるいはエッチン
グ速度を低減し、さらに終点に到達すると、バルブを締
めると同時にAOスキャナ、アバーチャによってレーサ
ビームをプランキングする。
Then, as the end point of etching or deposition approaches, the deposition rate or etch rate is reduced by adjusting the three-way gas flow control valve 127 to reduce the gas flow rate, and when the end point is reached, the valve is simultaneously tightened. Planking the laser beam using an AO scanner and averture.

ここで例えば、X線マスクかWの吸収体パターンを有す
る物である場合、ソースチャンバ426aにはW(CO
s)を、ソースチャンバ426bにはCI2を充填し、
先端径0.2mIl1程度のノズル]28がX線マスク
に近接してセットされるようになっている。またW(C
O6)は固体であるため、ソースチャンバ126aおよ
びノズル128にはヒータを巻き、60℃程度まで加熱
し、W(CO6)を昇華させるようになっている。ここ
でArレーザのパワーを300mW,W (COs )
のガス圧1 torrとしたとき、1000八/sec
の堆積率で堆積し、ガス流量3方向調節バルブ127を
切り換え、w (co6 )の供給を止めた状態でAr
レーザのパワーを100mW,C12ガス圧3 0 0
 Torrとすると104八/secのエッチング速度
でエッチングされる。
For example, if the X-ray mask is an X-ray mask having an absorber pattern of W, the source chamber 426a is filled with W (CO
s), the source chamber 426b is filled with CI2,
A nozzle with a tip diameter of about 0.2 ml1 is set close to the X-ray mask. Also W(C
Since O6) is a solid, a heater is wound around the source chamber 126a and the nozzle 128 to heat it to about 60° C. and sublimate W(CO6). Here, the power of the Ar laser is 300mW, W (COs)
When the gas pressure is 1 torr, 10008/sec
After depositing at a deposition rate of
Laser power 100mW, C12 gas pressure 300
When Torr is used, etching is performed at an etching rate of 1048/sec.

従って、ここではガスの供給を調整することによって堆
積かエッチングかを切り換えることができる。
Therefore, here, it is possible to switch between deposition and etching by adjusting the gas supply.

このように、X線マスクの欠陥を即時的にモニタしなが
ら修正をおこなうことによって、従来の検査修正におけ
る冗長なプロセスを大幅に短縮することかできる。
In this way, by immediately monitoring and correcting defects in the X-ray mask, the redundant process in conventional inspection and correction can be significantly shortened.

また、この方法でも、X線光学系による露光時の波長を
用いて欠陥検査をおこなうことができるため、より正確
な吸収体の異常を発見することが可能となる。
In addition, with this method as well, defect inspection can be performed using the wavelength at the time of exposure by the X-ray optical system, making it possible to more accurately discover abnormalities in the absorber.

また、上述した実施例においては、透過形のX線マスク
を用いた場合について説明したが、X線マスクが反射形
の場合にも適用可能である。この場合は、X線マスクを
反射したX線にもとづきマスクパターンの欠陥を検出す
るように溝或する。
Further, in the above-described embodiments, a case where a transmission type X-ray mask is used has been described, but the present invention is also applicable to a case where the X-ray mask is a reflection type. In this case, the grooves are formed so that defects in the mask pattern are detected based on the X-rays reflected from the X-ray mask.

なお、前記実施例では、X線発生源からのX線を集光光
学素子によって集光しマスクを介して2次元検出器に導
くことによってX線マスクの検査を行うようにしたが、
X線発生源からのX線から微小スポットを形成し、拡大
投影を行うようにしても良い。
In the above embodiment, the X-ray mask is inspected by focusing the X-rays from the X-ray source using the condensing optical element and guiding them to the two-dimensional detector through the mask.
A minute spot may be formed from X-rays from an X-ray source and then enlarged and projected.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、X線マスクの検
査および修正を同一装置内で即時的に行なうようにして
いるため、欠陥の位置、形状、種類に応じて修正条件を
リアルタイムで制御することができ、極めて容易に短時
間で高精度のX線マスクの検査および修正を行うことが
可能となる。
As explained above, according to the present invention, the inspection and repair of the X-ray mask are performed instantly within the same device, so the repair conditions can be controlled in real time according to the position, shape, and type of the defect. This makes it possible to inspect and repair X-ray masks with high accuracy in a short time and with great ease.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1の実施例を示す全体構或図、第
2図は第1の実施例におけるマスクパターンの欠陥検出
原理を説明する図、第3図はこの発明の第2の実施例を
示す全体構或図、第4図はこの発明の第3の実施例を示
す全体構成図、第5図(a)および第5図(b)はアパ
ーチャによってサイドローブを除去する前と後とのビー
ム変化を示す説明図、第6図は従来のマスク検査および
修II三王程のフローチャートを示す図である。 101・・・X線マスク検査用光学系、102・・・X
線マスク検査用処理系、103・・・X線マスク修It
用電子光学系、104・・・試料室、105・・・X線
源、106・・・集光光学素子、】07・・・対物光学
素子、108・・・2次元X線検出器、109・・・オ
リフイス、110・・・CPU (中央処理装置)、1
11・・・ノ\−ドディスク、112・・・ドット変換
回路、1]3・・・基準データ変換回路、114・・・
テーブル制御同路、115・・・データ比較回路、1]
6・・・位置回路、1 1 7 a − 1 / 0バ
ス、117b−DMAバス、118・・・電子銃、11
つ・・・集束コイル、120・・・プランキング電極、
121・・・アパーチャ、122・・・対物コイル、1
23・・・偏向器、124・・・テーブル、125・・
・ヒータ、126・・・反応性ガス供給系、127・・
・ガス供給バルブ、128・・・ガス供給ノズル、12
9・・・X線マスク、130・・・レーザ測定器、13
1・・・偏向器回路、303・・・X線マスク修IE用
集束イオンビーム光学系、305・・・Ga+イオン源
、306・・・加速電極、307・・・静電レンズ、3
08・・・プランキング電極、309・・・アパーチャ
、310・・・偏向器、403・・・X線マスク修正用
光学系、404・・・Arレーザ光源、406・・・A
Oスキャナー 407・・・コンデンサレンズ、408
・・・第1レンンズ、409・・・アパーチャ、410
・・・第2レンズ。 工了1}一〒1スク (0) (bノ 第 5 図
FIG. 1 is an overall configuration diagram showing the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram explaining the principle of mask pattern defect detection in the first embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing the second embodiment of the invention. FIG. 4 is a diagram showing the overall configuration of the third embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 6 is an explanatory diagram showing a beam change with respect to the previous one, and FIG. 6 is a diagram showing a flowchart of conventional mask inspection and the three-way process. 101...X-ray mask inspection optical system, 102...X
Processing system for ray mask inspection, 103... X-ray mask repair It
Electron optical system for use, 104... Sample chamber, 105... X-ray source, 106... Condensing optical element, ]07... Objective optical element, 108... Two-dimensional X-ray detector, 109 ... Orifice, 110 ... CPU (central processing unit), 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Node disk, 112... Dot conversion circuit, 1]3... Reference data conversion circuit, 114...
Table control circuit, 115...data comparison circuit, 1]
6... Position circuit, 1 1 7 a-1/0 bus, 117b-DMA bus, 118... Electron gun, 11
1...Focusing coil, 120...Planking electrode,
121...Aperture, 122...Objective coil, 1
23...Deflector, 124...Table, 125...
・Heater, 126... Reactive gas supply system, 127...
・Gas supply valve, 128...Gas supply nozzle, 12
9... X-ray mask, 130... Laser measuring device, 13
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Deflector circuit, 303... Focused ion beam optical system for X-ray mask repair IE, 305... Ga+ ion source, 306... Accelerating electrode, 307... Electrostatic lens, 3
08... Planking electrode, 309... Aperture, 310... Deflector, 403... Optical system for X-ray mask correction, 404... Ar laser light source, 406... A
O Scanner 407... Condenser lens, 408
...First lens, 409...Aperture, 410
...Second lens. Completed 1}1〒1sk(0) (Figure 5 of b

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)X線マスクを設置する試料室と、 前記試料室内に設置されたX線マスクにX 線を照射することによりこの被検マスクのマスクパター
ン像を形成する像形成手段と、 この像形成手段によって形成されたパター ン像を検出する像検出手段と 前記X線マスクの参照基準パターンを記憶 するパターン記憶手段と、 前記パターン記憶手段から前記参照基準パ ターンを読みだし、参照基準パターン像を形成する参照
基準パターン形成手段と、 この参照基準パターン像と前記像検出手段 上で検出されたマスクパターン像とを照合することによ
り前記X線マスクの欠陥を検出する欠陥検出手段とを具
備したX線マスク検査系と、 荷電粒子発生手段と、 荷電粒子加速手段と、 荷電粒子を微小スポットに集束する荷電粒 子集束手段と、 この荷電粒子の微小スポットを偏向し前記 試料室に設置されたX線マスクに前記微小スポットを照
射する偏向手段と、 前記試料室に設置されたX線マスクに反応 性ガスを導入する反応性ガス導入手段とを具備したこと
を特徴とするX線マスク検査修正装置。
(1) A sample chamber in which an X-ray mask is installed; an image forming means for forming a mask pattern image of the mask to be inspected by irradiating the X-ray mask installed in the sample chamber with X-rays; and this image formation. an image detection means for detecting a pattern image formed by the means; a pattern storage means for storing a reference standard pattern of the X-ray mask; and a pattern storage means for reading the reference standard pattern from the pattern storage means to form a reference standard pattern image. An X-ray mask comprising a reference standard pattern forming means, and a defect detecting means for detecting defects in the X-ray mask by comparing the reference standard pattern image with a mask pattern image detected on the image detecting means. An inspection system, a charged particle generating means, a charged particle accelerating means, a charged particle focusing means for focusing the charged particles into a minute spot, and an X-ray mask that deflects the minute spot of the charged particles and is installed in the sample chamber. An X-ray mask inspection and correction apparatus comprising: a deflection means for irradiating the minute spot; and a reactive gas introducing means for introducing a reactive gas into the X-ray mask installed in the sample chamber.
(2)X線マスクを設置する試料室と、 前記試料室内に設置されたX線マスクにX 線を照射することによりこの被検マスクのマスクパター
ン像を形成する像形成手段と、 この像形成手段によって形成されたパター ン像を検出する像検出手段と 前記X線マスクの参照基準パターンを記憶 するパターン記憶手段と、 前記パターン記憶手段から前記参照基準パ ターンを読みだし、参照基準パターン像を形成する参照
基準パターン形成手段と、 この参照基準パターン像と前記像検出手段 上で検出されたマスクパターン像とを照合することによ
り前記X線マスクの欠陥を検出する欠陥検出手段とを具
備したX線マスク検査系と、 レーザ発生手段と、 前記レーザ発生手段で発生したレーザを微 小スポットに集束するレーザ集束手段と、 前記レーザ集束手段で形成されたレーザの 微小スポットをマスクの所望の位置に照射するための位
置決め手段と、 前記試料室に設置されたX線マスクに反応 性ガスを導入する反応性ガス導入手段とを具備したこと
を特徴とするX線マスク検査修正装置。
(2) a sample chamber in which an X-ray mask is installed; an image forming means for forming a mask pattern image of the mask to be inspected by irradiating the X-ray mask installed in the sample chamber with X-rays; an image detection means for detecting a pattern image formed by the means; a pattern storage means for storing a reference standard pattern of the X-ray mask; and a pattern storage means for reading the reference standard pattern from the pattern storage means to form a reference standard pattern image. An X-ray mask comprising a reference standard pattern forming means, and a defect detecting means for detecting defects in the X-ray mask by comparing the reference standard pattern image with a mask pattern image detected on the image detecting means. an inspection system; a laser generating means; a laser focusing means for focusing the laser generated by the laser generating means into a minute spot; and a method for irradiating the laser minute spot formed by the laser focusing means to a desired position on the mask. An X-ray mask inspection and correction apparatus comprising: a positioning means; and a reactive gas introduction means for introducing a reactive gas into the X-ray mask installed in the sample chamber.
(3)X線マスクを試料室に設置するX線マスク設置工
程と、 試料室に設置されたX線マスクにX線を照 射することによりこの被検マスクのマスクパターン像を
形成し、このパターン像を検出するパターン像検出工程
と この検出されたマスクパターン像と前記X 線マスクの参照基準パターン像とを照合することにより
前記X線マスクの欠陥を検出する欠陥検出工程と、 試料室に設置されたX線マスクに対し、反 応性ガスを供給しつつ、この欠陥に基づいて、欠陥位置
に荷電粒子の微小ビームまたはレーザビームを照射し、
エッチングあるいは堆積によりX線マスクの欠陥の修正
を行なう修正工程と、 を含むことを特徴とするX線マスク検査修 正方法。
(3) An X-ray mask installation step in which an X-ray mask is installed in the sample chamber, and a mask pattern image of the mask to be inspected is formed by irradiating the X-ray mask installed in the sample chamber with X-rays. a pattern image detection step of detecting a pattern image; a defect detection step of detecting defects in the X-ray mask by comparing the detected mask pattern image with a reference standard pattern image of the X-ray mask; While supplying a reactive gas to the X-ray mask, a micro beam of charged particles or a laser beam is irradiated to the defect location based on the defect,
An X-ray mask inspection and repair method comprising: a repair step of repairing defects in the X-ray mask by etching or deposition.
(4)前記検査工程および前記修正工程は実時間で行う
工程であることを特徴とする請求項(3)記載のX線マ
スク検査修正方法。
(4) The X-ray mask inspection/correction method according to claim (3), wherein the inspection step and the correction step are performed in real time.
(5)前記修正工程は、 X線マスクの吸収体を構成する金属を含有 するハロゲン化物を反応性ガスとして用い、ガス流量お
よび基板温度を制御することにより、エッチングおよび
堆積を同一ガスでおこなう工程であることを特徴とする
請求項(3)に記載のX線マスク検査修正方法。
(5) The modification step is a step in which etching and deposition are performed with the same gas by using a metal-containing halide constituting the absorber of the X-ray mask as a reactive gas and controlling the gas flow rate and substrate temperature. The X-ray mask inspection and correction method according to claim (3).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007232964A (en) * 2006-02-28 2007-09-13 Laserfront Technologies Inc Method for correcting defect of photomask and defect correcting device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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