JPH0389613A - Noise filter - Google Patents

Noise filter

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JPH0389613A
JPH0389613A JP1226431A JP22643189A JPH0389613A JP H0389613 A JPH0389613 A JP H0389613A JP 1226431 A JP1226431 A JP 1226431A JP 22643189 A JP22643189 A JP 22643189A JP H0389613 A JPH0389613 A JP H0389613A
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JP
Japan
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noise filter
noise
varistor
semiconductor
common electrode
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Pending
Application number
JP1226431A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuyoshi Nakamura
和敬 中村
Hiroaki Taira
浩明 平
Toru Azuma
亨 東
Yasunobu Yoneda
康信 米田
Yukio Sakabe
行雄 坂部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a noise filter with the noise absorbing capacity as a capacitive varistor, having reduced electrostatic capacitance, and the noise absorbing capacity as an inductance element, by arranging a magnetic material layer so that it overlaps at least a part of a line electrode which intersects a common electrode with a semiconductor porcelain layer between them. CONSTITUTION:A ferrite paste is applied by the screen printing method to form ferrite paste layers 10a to 10c so that parts, which are placed on the upper face of a semiconductor porcelain 7, of conductive paste layers 9a to 9c for each line electrode are partially covered with this ferrite paste. Thereafter, ferrite paste layers 10a to 10c are baked at 1000 deg.C for 30 minutes by the baking treatment to form the magnetic material layer. Thus, a three-terminal noise filter unit is constituted where an inductance L is combined besides a varistor.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、バリスタ特性を有する半導体磁器を用いて構
成されたノイズフィルタに関し、特に、バリスタにイン
ダクタンスが組合わされた構造を有するノイズフィルタ
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a noise filter constructed using semiconductor porcelain having varistor characteristics, and particularly to a noise filter having a structure in which a varistor is combined with an inductance.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

バリスタは、一般に、トランジェント・ノイズを吸収す
る素子として知られている。しかし、バリスタをノイズ
フィルタとして使用する際には、その電圧−電流特性の
みに着目されており、バリスタの静電容量特性は有効に
利用されていないのが実情である。
Varistors are generally known as elements that absorb transient noise. However, when using a varistor as a noise filter, attention is focused only on its voltage-current characteristics, and the actual situation is that the capacitance characteristics of the varistor are not effectively utilized.

セラミック・バリスタの場合には、そのほとんどが、粒
界障壁によりバリスタ特性を得ているが、粒界において
ブレークダウン電圧以下の電圧ではコンデンサとして機
能する。従って、このコンデンサ特性を積極的に利用す
ることにより、ノイズを吸収することも可能である。
In the case of ceramic varistors, most of them obtain varistor characteristics through grain boundary barriers, but at voltages below the breakdown voltage at the grain boundaries, they function as capacitors. Therefore, by actively utilizing this capacitor characteristic, it is also possible to absorb noise.

しかし、セラミック・バリスタの静電容おは、信号ライ
ン用のノイズフィルタに用いるには大きすぎるため、現
実には、セラミック・バリスタは、電源用ノイズ吸収素
子あるいは低周波信号ライン用ノイズフィルタとしてし
か用いられていない。
However, the capacitance of ceramic varistors is too large to be used as a noise filter for signal lines, so in reality, ceramic varistors are only used as noise absorbing elements for power supplies or noise filters for low frequency signal lines. It has not been done.

信号ライン用ノイズ吸収素子としては、従来より、ツェ
ナー・ダイオード等のダイオードが用いられてきている
。しかし、ダイオードは電圧抑制能力こそ高いものの、
サージ等の吸収能力は小さい、また、電圧抑制能力が高
いがために、エネルギが消耗されずにグランド配線等を
介してノイズを発生することもある。さらに、もっとも
よく用いられているコンデンサーインダクタ複合素子の
場合には、トランジェントな高電圧ノイズを吸収するこ
とはできない。
Diodes such as Zener diodes have conventionally been used as noise absorbing elements for signal lines. However, although diodes have high voltage suppression ability,
Since the absorption capacity for surges and the like is small, and the voltage suppression capacity is high, the energy may not be consumed and noise may be generated through the ground wiring or the like. Furthermore, the most commonly used capacitor-inductor composite device cannot absorb transient high-voltage noise.

〔発明が解決しようとする技術的課題〕上記のような問
題を解消するには、バリスタの静電容量を有効に利用し
たコンデンサーバリスタ複合機能素子の使用が考えられ
る。また、さらにノイズ吸収効果を高めるためには、イ
ンダクタ成分を組合わせることを考える必要がある。
[Technical Problems to be Solved by the Invention] In order to solve the above-mentioned problems, it is conceivable to use a capacitor-varistor multifunctional element that effectively utilizes the capacitance of the varistor. Furthermore, in order to further enhance the noise absorption effect, it is necessary to consider combining inductor components.

バリスタの直列成分としてインダクタンスを挿入した場
合、バリスタ素子に流れる急峻な電流をインダクタンス
により抑制し、2次的なノイズ発生を防止することがで
きる。しかしながら、他方では、トランジェントノイズ
の立ち上がり部分の吸収性能が悪くなるということも予
想される。
When an inductance is inserted as a series component of the varistor, the steep current flowing through the varistor element can be suppressed by the inductance, and the generation of secondary noise can be prevented. However, on the other hand, it is also expected that the absorption performance of the rising portion of the transient noise will deteriorate.

そこで、本発明の目的は、上記のようなインダクタンス
の長所を活かすように、インダクタンスがバリスタに組
合わされており、かつ信号ライン用として用い得るノイ
ズフィルタを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a noise filter in which an inductance is combined with a varistor so as to take advantage of the advantages of inductance as described above, and which can be used for signal lines.

〔技術的課題を解決するための手段〕[Means for solving technical problems]

本発明は、バリスタ特性を有する半導体磁器を用いて構
成されたノイズフィルタである。この半導体磁器の側面
の第1の部分から第2の部分に向かって延びるように、
少なくとも一本の共通電極が、半導体磁器内にまたは半
導体磁器表面に形成されている。そして、半導体磁器の
厚み方向において半導体磁器層を介して上記共通電極と
隔てられた少なくとも一本のライン電極が、共通電極と
交差するように、半導体磁器の側面の第3の部分から第
4の部分へ向かって延びるように形成されている。ライ
ン電極は、半導体磁器の内部または半導体磁器の表面に
形成されている。
The present invention is a noise filter constructed using semiconductor ceramic having varistor characteristics. In order to extend from the first part to the second part of the side surface of this semiconductor porcelain,
At least one common electrode is formed in or on the semiconductor porcelain. Then, at least one line electrode separated from the common electrode via the semiconductor ceramic layer in the thickness direction of the semiconductor ceramic is arranged from a third part to a fourth part of the side surface of the semiconductor ceramic so as to intersect with the common electrode. It is formed to extend toward the section. The line electrode is formed inside the semiconductor ceramic or on the surface of the semiconductor ceramic.

また、少なくとも一本の上記ライン電極の少なくとも一
部に重なり合うように、磁性体層が設けられている。
Further, a magnetic layer is provided so as to overlap at least a portion of at least one of the line electrodes.

〔作用〕[Effect]

バリスタ特性を有する半導体磁器に構成された少なくと
も一本のライン電極の少なくとも一部に重なり合うよう
に磁性体層が設けられているので、バリスタとしてのノ
イズ吸収性能に加えて、インダクタンスとしてのノイズ
吸収性能が与えられている。
Since a magnetic layer is provided to overlap at least a portion of at least one line electrode made of semiconductor porcelain having varistor characteristics, it has noise absorption performance as an inductance in addition to noise absorption performance as a varistor. is given.

さらに、半導体磁器層を介して共通電極とライン電極と
が交差するように配置されているので、バリスタ特性を
有する半導体磁器の誘電体としての性質をも利用するこ
とにより、コンデンサとしてのノイズ吸収性能も与えら
れる。
Furthermore, since the common electrode and line electrode are arranged to intersect with each other through the semiconductor ceramic layer, the noise absorption performance as a capacitor is achieved by utilizing the dielectric properties of the semiconductor ceramic which has varistor characteristics. is also given.

従って、LCフィルタ及びバリスタの双方の特性を併せ
持つため、種々のノイズを幅広く吸収することが可能と
されている。
Therefore, since it has the characteristics of both an LC filter and a varistor, it is possible to absorb a wide variety of noises.

〔実施例の説明〕[Explanation of Examples]

以下、本発明の第1の実施例のノイズフィルタの製造方
法を説明することにより、本実施例のノイズフィルタの
構造を明らかにする。
Hereinafter, the structure of the noise filter of this embodiment will be clarified by explaining the method for manufacturing the noise filter of the first embodiment of the present invention.

原料として、純度99%以上のZnO,BitO,、C
oo、Mn0z及び5bzOsを、それぞれ、98モル
%、0.5モル%、0.5モル%、0.5モル%、0.
5モル%の割合で秤量し、純水を用いてボールミルによ
り24時間混合して混合物を得た。次に、得られた混合
物を濾過乾燥し、800°Cの温度で2時間仮焼して仮
焼物を得た。
As raw materials, ZnO, BitO, C with a purity of 99% or more
oo, Mn0z and 5bzOs, respectively, 98 mol%, 0.5 mol%, 0.5 mol%, 0.5 mol%, 0.
The mixture was weighed at a ratio of 5 mol % and mixed with pure water in a ball mill for 24 hours to obtain a mixture. Next, the obtained mixture was filtered and dried, and calcined at a temperature of 800° C. for 2 hours to obtain a calcined product.

さらに得られた仮焼物を再度粉砕し、有m質バインダと
共に溶媒中に分散させてスラリーを得た。
Furthermore, the obtained calcined product was ground again and dispersed in a solvent together with a sulfuric binder to obtain a slurry.

得られたスラリーをドクターブレード法により50μm
の厚みの均一な生シートに底形した。この生シートを、
所定の大きさの矩形に打ち抜き、第2図に示す複数枚の
生シート1〜5を得た。
The obtained slurry was cut into 50μm by doctor blade method.
The bottom was shaped into a raw sheet with a uniform thickness. This raw sheet,
A rectangular shape of a predetermined size was punched out to obtain a plurality of green sheets 1 to 5 shown in FIG.

なお、生シート2上には、スクリーン印刷法により、銀
−パラジウムからなる合金を主体とする導電性ペースト
を、生シート2の一方端縁2aから他方端ji2bに至
るように印刷し、共1i11i極用導電ペースト層6を
形成した。この共通電極用導電ペースト層6は、後述の
焼成により焼付けられて共通電極として完成される。
Furthermore, on the green sheet 2, a conductive paste mainly composed of an alloy of silver and palladium is printed by a screen printing method so as to extend from one edge 2a of the green sheet 2 to the other edge ji2b. A conductive paste layer 6 for electrodes was formed. This common electrode conductive paste layer 6 is baked by firing to be described later to complete the common electrode.

第2図の生シート1〜5を図示のように積層し、厚み方
向に圧着した後、所定の大きさに切断し、しかる後10
00 ’Cの温度で2時間焼成した。
The raw sheets 1 to 5 in Fig. 2 are stacked as shown in the figure, crimped in the thickness direction, cut into a predetermined size, and then
It was baked at a temperature of 00'C for 2 hours.

得られた焼成済み半導体磁器7を第3図に示す。The fired semiconductor porcelain 7 thus obtained is shown in FIG.

半導体磁器7では、前述した共通電極用導電ペースト層
が焼成に際して焼付けられて内部電極の形態で共通電極
6が形成されている。すなわち半導体磁器7の第1の部
分としての第1の側面7aから第2の部分としての第2
の側面7bに至るように共通電極6が延ばされている。
In the semiconductor ceramic 7, the common electrode conductive paste layer described above is baked during firing to form the common electrode 6 in the form of an internal electrode. That is, from the first side surface 7a as the first portion of the semiconductor ceramic 7 to the second side surface 7a as the second portion.
The common electrode 6 is extended to reach the side surface 7b.

次に、第4図に示すように、半導体磁器7の第1の側面
?a、7bを覆う一対の端子電極用導電ペースト層8a
、8bと、ライン電極用導電ペーストJi9a〜9Cを
形成する。これらの端子電極用導電ペースト層8a、8
b及びライン電極用導電ペースト層、9a〜9Cは、半
導体磁器7の表面に、銀−パラジウム合金を主体とする
導電ペーストをスクリーン印刷法により塗布することに
より形成される。
Next, as shown in FIG. 4, the first side surface of the semiconductor ceramic 7? A pair of conductive paste layers 8a for terminal electrodes covering a and 7b
, 8b, and line electrode conductive pastes Ji9a to 9C are formed. These terminal electrode conductive paste layers 8a, 8
b and the line electrode conductive paste layers 9a to 9C are formed by applying a conductive paste mainly composed of a silver-palladium alloy to the surface of the semiconductor ceramic 7 by screen printing.

第4図から明らかなように、ライン電極用導電ペースト
j!9a〜9cは、本実施例では、半導体磁器7の第3
の側面7c、第4の側面7dとを結ぶように半導体磁器
7の上面に形成されている。
As is clear from Figure 4, the conductive paste for line electrodes j! 9a to 9c are the third portions of the semiconductor ceramic 7 in this embodiment.
It is formed on the upper surface of the semiconductor ceramic 7 so as to connect the side surface 7c and the fourth side surface 7d.

なお、上記端子電極用導電ペースト層8a、8b及びラ
イン電極用導電ペースト層9a〜9cは、後述の焼付は
処理により焼付けられて端子電極及びライン電極として
完成される。
The conductive paste layers 8a and 8b for terminal electrodes and the conductive paste layers 9a to 9c for line electrodes are baked by a baking process to be described later, and are completed as terminal electrodes and line electrodes.

次に、第1図(a)に示すように、各ライン電極用導電
ペーストN9a〜9cの半導体1ff17の上面に位置
している部分の一部を被覆するように、NiZnのフェ
ライト仮焼粉末に有aXバインダ及び溶媒を加えてペー
スト状にしてなるフェライト・ペーストをスクリーン印
刷法により塗布し、フェライト・ペースト層10a〜1
0cを形成する。しかる後、1000°Cの温度で30
分間焼付は処理によりフェライト・ペースト層10a−
10Cが焼き付けられて磁性体層が形成されると同時に
、前述した端子電極用導電ペースト層8a。
Next, as shown in FIG. 1(a), NiZn ferrite calcined powder is applied so as to cover a part of the upper surface of the semiconductor 1ff17 of each line electrode conductive paste N9a to 9c. A ferrite paste made into a paste by adding an aX binder and a solvent is applied by screen printing to form ferrite paste layers 10a to 1.
Form 0c. After that, at a temperature of 1000°C for 30
Depending on the process, the minute baking is performed on the ferrite paste layer 10a-
10C is baked to form the magnetic layer, and at the same time, the above-described terminal electrode conductive paste layer 8a is formed.

8b及びライン電極用導電ペースト層9a〜9Cが焼き
付けられ、端子電極及びライン電極が形成される。
8b and line electrode conductive paste layers 9a to 9C are baked to form terminal electrodes and line electrodes.

さらに、第5図に示すように、半導体磁器7の上面を密
封するために、ガラスペースト11を半導体磁器7の上
面のうち端子電極8a、8bで挟まれている領域の大部
分を覆うように印刷し、300℃の温度で焼付けること
により、本実施例のノイズフィルタ12を得た。
Furthermore, as shown in FIG. 5, in order to seal the top surface of the semiconductor porcelain 7, glass paste 11 is applied so as to cover most of the area of the top surface of the semiconductor porcelain 7 that is sandwiched between the terminal electrodes 8a and 8b. The noise filter 12 of this example was obtained by printing and baking at a temperature of 300°C.

上記のようにして構成されたノイズフィルタ12では、
各ライン電極9a〜9Cの両端を入出力端子として用い
、共通電極6に接続されている端子電極8a、8bをア
ース電位に接続することにより、第1図(b)に示すノ
イズフィルタ・ユニットが3個構成されることがわかる
8 すなわち、各ノイズフィルり・ユニットは、バリスタに
加えてインダクタンスLが組合わされた3端子型のノイ
ズフィルタ・ユニットを構成していることがわかる。
In the noise filter 12 configured as described above,
By using both ends of each line electrode 9a to 9C as input/output terminals and connecting the terminal electrodes 8a and 8b connected to the common electrode 6 to ground potential, the noise filter unit shown in FIG. In other words, it can be seen that each noise filter unit constitutes a three-terminal noise filter unit in which an inductance L is combined in addition to a varistor.

なお、上記実施例では、第1図(a)に示したように、
各ラインを極9a〜9Cの一部を覆うように磁性体層1
0a〜10cを形成していたが、第6図(a)に示すよ
うに、各ライン電i9a〜9cの大部分を覆うように磁
性体層10を形成してもよい、この場合には、各ライン
電極9a〜9Cの共通電極6と交差している部分の両側
において磁性体層10で被覆されていることになるため
、各ノイズフィルタ・ユニットの等価回路は第6図(b
)に示すとおりとなる。
In addition, in the above embodiment, as shown in FIG. 1(a),
A magnetic layer 1 is formed on each line so as to cover part of the poles 9a to 9C.
However, as shown in FIG. 6(a), the magnetic layer 10 may be formed to cover most of each line electrode i9a to 9c. In this case, Since each of the line electrodes 9a to 9C is covered with a magnetic layer 10 on both sides of the part where it intersects with the common electrode 6, the equivalent circuit of each noise filter unit is shown in FIG. 6(b).
) as shown.

第6図(a)に示したノイズフィルタの上面に、第5図
に示したガラスペースト11を焼付け、第2の実施例の
ノイズフィルタを作製した。この第2の実施例のノイズ
フィルタと、前述した第1の実施例のノイズフィルタ1
2の特性を測定した。
The glass paste 11 shown in FIG. 5 was baked on the top surface of the noise filter shown in FIG. 6(a) to produce a noise filter of the second example. The noise filter of this second embodiment and the noise filter 1 of the first embodiment described above.
2 characteristics were measured.

結果を、第1表に示す。The results are shown in Table 1.

(以下、余白) 第 1 表 なお、第1表において、αは電圧非直線係数を示し、本
は30A波頭値の8×20μ三角電流波を印加したとき
のバリスタ電圧の変化率を示す。
(Hereinafter, blank spaces) Table 1 In Table 1, α represents the voltage nonlinear coefficient, and the value represents the rate of change in the varistor voltage when an 8×20μ triangular current wave with a wavefront value of 30A is applied.

また、市販のノイズシミュレータを用い、50n秒、2
KVの矩形電圧パルスを印加したときの出力波形を第7
図に示す、第7図において、実線P、 Qは、それぞれ
、第1.第2の実施例のノイズフィルタの特性を示し、
破線Rは市販の22Vのバリスタ電圧を有するZnO系
ディスク・バリスタの特性を示す。
In addition, using a commercially available noise simulator, 50 ns, 2
The output waveform when a rectangular voltage pulse of KV is applied is the seventh
In FIG. 7, solid lines P and Q indicate the first and second lines, respectively. The characteristics of the noise filter of the second embodiment are shown,
The broken line R shows the characteristics of a commercially available ZnO disc varistor having a varistor voltage of 22V.

第7図から明らかなように、第1.第2の実施例のノイ
ズフィルタは、立ち上がり部分のノイズ抑制に大きな効
果を有し、従来のディスクタイプのバリスタに比べて優
れたノイズ吸収性能を示すことがわかる。
As is clear from FIG. 7, the first. It can be seen that the noise filter of the second example has a great effect in suppressing noise in the rising portion, and exhibits superior noise absorption performance compared to the conventional disk type varistor.

第8図〜第10図は、本発明の第3の実施例を説明する
ための各斜視図である。
8 to 10 are perspective views for explaining a third embodiment of the present invention.

本実施例では、第8図に示すように、半導体磁器7の上
面に、内部の共通電極6と平行に、但し共通電極6とは
重ならないように共通電極6の設けられている領域の両
側に、第1の磁性体層13a、13bが形威されている
。そして、第9図に示すように、第1の磁性体N15a
、13bを形威した後に、Ag−Pd合金を主体とする
導電ペーストを塗布することにより各ライン電極9a〜
9Cが形威されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 8, on the upper surface of the semiconductor ceramic 7, parallel to the internal common electrode 6, but on both sides of the area where the common electrode 6 is provided so as not to overlap with the common electrode 6. The first magnetic layers 13a and 13b are formed on the top. Then, as shown in FIG. 9, the first magnetic body N15a
, 13b, each line electrode 9a to 13b is formed by applying a conductive paste mainly composed of Ag-Pd alloy.
9C is prominent.

さらに、第10図に示すように、上記ライン電極9a〜
9Cを形成した後に、第1の磁性体層13a、13bが
設けられている領域において、ライン電極9a〜9Cの
上方に、第2の磁性体層I4a、14bが形成されてお
り、各ライン電極9a〜9Cが第1.第2の磁性体層1
3a、13b14a、14bで挟持されている。
Furthermore, as shown in FIG. 10, the line electrodes 9a to
9C, second magnetic layers I4a and 14b are formed above the line electrodes 9a to 9C in the region where the first magnetic layers 13a and 13b are provided, and each line electrode 9a to 9C are the first. Second magnetic layer 1
3a, 13b, 14a, and 14b.

第10図に示した構造を有する第3の実施例のノイズフ
ィルタの特性を、市販のシミュレータを用いて測定した
。比較のために、第10図の構造から第1.第2の磁性
体層を取り除いたノイズフィルタを用意し比較例とした
。測定は、50μ秒。
The characteristics of the noise filter of the third example having the structure shown in FIG. 10 were measured using a commercially available simulator. For comparison, 1. from the structure of FIG. A noise filter from which the second magnetic layer was removed was prepared as a comparative example. The measurement time is 50 μsec.

2KVの矩形電圧パルスを印加することにより行った。This was done by applying a 2KV rectangular voltage pulse.

出力波形を第11図に示す。The output waveform is shown in FIG.

第11図において、実線Sは第3の実施例の特性を、破
線Tは比較例の特性を示す、この特性の比較からも明ら
かなように、実施例の構造では、立ち上がり部分のノイ
ズ抑制に効果があり、インダクタンス成分を接続してい
ない場合に比べてノイズ吸収効果の高いことがわかる。
In FIG. 11, the solid line S shows the characteristics of the third embodiment, and the broken line T shows the characteristics of the comparative example.As is clear from the comparison of the characteristics, the structure of the example is effective in suppressing noise in the rising part. It can be seen that the noise absorption effect is higher than when the inductance component is not connected.

上述した実施例では、内部電極形態の共通電極6のみを
半導体磁器組成物と一体焼成したが、その他の電極を構
成する導電ペースト及び磁性体層を構成するフェライト
・ペーストを同時焼成してもよい、もっとも、全てを同
時焼成する場合には、収縮率等を考えてフェライト・ペ
ースト等の素材を検討する必要がある。
In the above embodiment, only the common electrode 6 in the form of an internal electrode was fired together with the semiconductor ceramic composition, but the conductive paste that constitutes the other electrodes and the ferrite paste that constitutes the magnetic layer may be fired at the same time. However, if all are fired at the same time, it is necessary to consider the shrinkage rate and other factors when choosing materials such as ferrite paste.

また、上述した各実施例では、半導体磁器7の上面に各
ライン電極を形成し、内部の共通電極6とで挟まれた半
導体磁器の上方部分のみを特性部として用いたが、半導
体磁器7の下面側にもライン電極を形威し、それによっ
てより多くのノイズフィルタ・ユニットを構成すること
が可能である。
Furthermore, in each of the embodiments described above, each line electrode was formed on the upper surface of the semiconductor porcelain 7, and only the upper part of the semiconductor porcelain sandwiched between the internal common electrode 6 was used as a characteristic part. By forming line electrodes on the lower surface side, it is possible to configure more noise filter units.

さらに、共通電極6は内部電極の形態に構成されていた
が、共通電極6を半導体磁器7の下面に形成しても、上
記各実施例と同様の効果を得ることができる。
Further, although the common electrode 6 is configured in the form of an internal electrode, the same effects as in each of the above embodiments can be obtained even if the common electrode 6 is formed on the lower surface of the semiconductor ceramic 7.

また、各ライン電極9a〜9cについても、半導体磁器
7の上面や下面のような外表面でなく半導体磁器7内に
内部電極の形態で構成してもよい。
Further, each of the line electrodes 9a to 9c may also be configured in the form of an internal electrode within the semiconductor ceramic 7 instead of on the outer surface such as the upper surface or the lower surface of the semiconductor ceramic 7.

もっとも、その場合には半導体磁器7内において該内部
ライン電極に接するように磁性体層を設ける必要がある
However, in that case, it is necessary to provide a magnetic layer within the semiconductor ceramic 7 so as to be in contact with the internal line electrode.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明では、バリスタ特性を有する半導
体磁器を用いて構成されたノイズフィルタにおいて、共
通電極と半導体Mi器層を介して交差するように設けら
れたライン電極の少なくとも一部に重なり合うように磁
性体層が配置されているので、静電容量が低められた容
量性バリスタとしてのノイズ吸収性能とインダクタンス
素子としてのノイズ吸収性能を併せ持つ、すなわち従来
のLC型ノイズフィルタにバリスタ機能を付加した構造
に相当するノイズフィルタが実現される。従って、種々
のノイズに対して幅広いノイズ吸収性能を有し、小型で
かつ信号ライン等に用いることの可能な高性能のノイズ
フィルタを得ることが可能となる。
As described above, in the present invention, in a noise filter configured using semiconductor ceramic having varistor characteristics, the noise filter overlaps at least a portion of the line electrode provided to intersect with the common electrode via the semiconductor layer. Because the magnetic layer is arranged in this way, it has both the noise absorption performance of a capacitive varistor with low capacitance and the noise absorption performance of an inductance element, that is, it adds varistor function to the conventional LC type noise filter. A noise filter corresponding to this structure is realized. Therefore, it is possible to obtain a high-performance noise filter that has a wide range of noise absorption performance against various noises, is compact, and can be used in signal lines and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)及び(b)は本発明の第1の実施例の要部
を示す斜視図及び等価回路図、第2図は第1の実施例の
製造に用いられる生シート及び共通電極の形状を説明す
るための分解斜視図、第3図は半導体磁器を示す斜視図
、第4図はライン電極及び端子電極を形成した状態を示
す斜視図、第5図は本発明の第1の実施例の斜視図、第
6図(a)は本発明の第2の実施例のノイズフィルタの
斜視図、第6図(b)はその等価回路図、第7図は第1
.第2の実施例及び従来例の特性を示す図、第8図は本
発明の第3の実施例における第1の磁性体層を説明する
ための斜視図、第9図は第1の磁性体層上に各ライン電
極を形成した状態を示す斜視図、第10図は本発明の第
3の実施例の斜視図、第11図は第3の実施例及び比較
例の特性を示す図である。 図において、6は共通電極、7は半導体磁器、7a、7
bは第1.第2の部分としての第1.第2の側面、7c
、7dは第3.第4の部分としての第3.第4の側面、
9a〜9cはライン電極、10.10a、10b、13
a、13b、14a。 14bは磁性体層を示す。
FIGS. 1(a) and (b) are perspective views and equivalent circuit diagrams showing the main parts of the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a raw sheet and common electrode used in manufacturing the first embodiment. 3 is a perspective view showing the semiconductor porcelain, FIG. 4 is a perspective view showing the state in which line electrodes and terminal electrodes are formed, and FIG. FIG. 6(a) is a perspective view of the noise filter of the second embodiment of the present invention, FIG. 6(b) is its equivalent circuit diagram, and FIG. 7 is the first embodiment.
.. A diagram showing the characteristics of the second embodiment and the conventional example, FIG. 8 is a perspective view for explaining the first magnetic layer in the third embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing the characteristics of the first magnetic layer. FIG. 10 is a perspective view of a third embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a diagram showing characteristics of the third embodiment and a comparative example. . In the figure, 6 is a common electrode, 7 is semiconductor porcelain, 7a, 7
b is the first. The first as the second part. Second side, 7c
, 7d is the third. Third as the fourth part. The fourth aspect,
9a to 9c are line electrodes, 10.10a, 10b, 13
a, 13b, 14a. 14b indicates a magnetic layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  バリスタ特性を有する半導体磁器と、 前記半導体磁器の側面の第1の部分から第2の部分に向
かって延びるように、半導体磁器内または半導体磁器表
面に形成された少なくとも一本の共通電極と、 前記半導体磁器の厚み方向において半導体磁器層を隔て
て前記共通電極と交差するように、かつ前記半導体磁器
の側面の第3の部分から第4の部分に向かって延びるよ
うに、半導体磁器内または半導体磁器表面に形成された
少なくとも一本のライン電極と、 前記少なくとも一本のライン電極の少なくとも一部に重
なり合うように設けられた磁性体層とを備えることを特
徴とするノイズフイルタ。
[Scope of Claims] Semiconductor porcelain having varistor characteristics; and at least one wire formed within or on the surface of the semiconductor porcelain so as to extend from a first portion toward a second portion of a side surface of the semiconductor porcelain. a common electrode extending from a third portion toward a fourth portion of the side surface of the semiconductor ceramic so as to intersect the common electrode across the semiconductor ceramic layer in the thickness direction of the semiconductor ceramic; A noise filter comprising: at least one line electrode formed within or on the surface of the semiconductor ceramic; and a magnetic layer provided to overlap at least a portion of the at least one line electrode. .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8982550B2 (en) 2009-02-12 2015-03-17 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Information processing apparatus

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