JPH038632Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH038632Y2 JPH038632Y2 JP2272885U JP2272885U JPH038632Y2 JP H038632 Y2 JPH038632 Y2 JP H038632Y2 JP 2272885 U JP2272885 U JP 2272885U JP 2272885 U JP2272885 U JP 2272885U JP H038632 Y2 JPH038632 Y2 JP H038632Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lid
- electrodes
- semiconductor
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔概要〕
本考案は、半導体装置に損傷を与えず、極めて
簡単に作業性良く半導体装置を収容でき、収容後
に静電気によるサージの発生を防止して半導体装
置内の素子の特性が劣化しないケースを得るもの
であり、半導体装置を収容する収容部上の蓋に電
極短絡用導体を配置するものである。
簡単に作業性良く半導体装置を収容でき、収容後
に静電気によるサージの発生を防止して半導体装
置内の素子の特性が劣化しないケースを得るもの
であり、半導体装置を収容する収容部上の蓋に電
極短絡用導体を配置するものである。
本考案は、半導体レーザや半導体受光素子等の
半導体チツプを搭載し上面に2つの電極を有する
半導体装置を収容する半導体装置用ケースに関す
る。
半導体チツプを搭載し上面に2つの電極を有する
半導体装置を収容する半導体装置用ケースに関す
る。
第2図及び第3図は従来の半導体装置用ケース
の部分斜視図であり、第4図は第2図及び第3図
に収容される半導体装置の斜視図である。
の部分斜視図であり、第4図は第2図及び第3図
に収容される半導体装置の斜視図である。
各図において、6は例えば半導体レーザ等のチ
ツプ、7は半導体チツプ6をヒートシンク等を介
して載置するキヤリア、8はアルミナ・セラミツ
ク等からなる絶縁体、9及び10はそれぞれ半導
体レーザ等のチツプ6に電気的に接続されるアノ
ード電極及び絶縁体上に形成されたメタライズ金
(Au)薄膜等からなるカソード電極、11は半導
体チツプ6とカソード電極10とを接続する例え
ば金製のワイヤ、12は半導体装置を使用する装
置にこの半導体装置をネジ等により取りつけるた
めの穴、21は基体、22,23は電極短絡用導
体である。
ツプ、7は半導体チツプ6をヒートシンク等を介
して載置するキヤリア、8はアルミナ・セラミツ
ク等からなる絶縁体、9及び10はそれぞれ半導
体レーザ等のチツプ6に電気的に接続されるアノ
ード電極及び絶縁体上に形成されたメタライズ金
(Au)薄膜等からなるカソード電極、11は半導
体チツプ6とカソード電極10とを接続する例え
ば金製のワイヤ、12は半導体装置を使用する装
置にこの半導体装置をネジ等により取りつけるた
めの穴、21は基体、22,23は電極短絡用導
体である。
例えば、半導体レーザでは、静電気によりサー
ジが発生すると、活性層のあたりに結晶欠陥が生
じ、発振寿命が短くなる。
ジが発生すると、活性層のあたりに結晶欠陥が生
じ、発振寿命が短くなる。
そこで、第2図のケースでは、半導体装置20
をばねのように弾力性を有する電極短絡用導体2
2で挟み込み、電極短絡用導体22により半導体
装置を固定すると共にアノード電極とカソード電
極間を短絡してサージが発生しないようにしてい
る。
をばねのように弾力性を有する電極短絡用導体2
2で挟み込み、電極短絡用導体22により半導体
装置を固定すると共にアノード電極とカソード電
極間を短絡してサージが発生しないようにしてい
る。
また、第3図のケースでは、アノード電極9と
一体に形成されてなる例えば銅(Cu)製のキヤ
リア7とカソード電極10間を弾力性を有する電
極短絡用導体23で挟み込み短絡している。
一体に形成されてなる例えば銅(Cu)製のキヤ
リア7とカソード電極10間を弾力性を有する電
極短絡用導体23で挟み込み短絡している。
尚、ここでは図示せず省略したが、これらのケ
ースの基体上には蓋が設けられる。
ースの基体上には蓋が設けられる。
然しながら、前記のようなケースにおいては、
半導体装置の固定時に電極短絡用導体の強い弾力
により半導体装置を挟み込むので、半導体装置の
キヤリアや電極部分が破損して半導体装置の特性
劣化が生じたり、また、半導体装置を所定の位置
に持つていく時に電極短絡用導体にワイヤが引つ
掛かり断線したり、チツプがとれてしまう問題が
あつた。
半導体装置の固定時に電極短絡用導体の強い弾力
により半導体装置を挟み込むので、半導体装置の
キヤリアや電極部分が破損して半導体装置の特性
劣化が生じたり、また、半導体装置を所定の位置
に持つていく時に電極短絡用導体にワイヤが引つ
掛かり断線したり、チツプがとれてしまう問題が
あつた。
したがつて、このようなケースへの半導体装置
の収容は、極めて慎重に行わなければならなかつ
た。
の収容は、極めて慎重に行わなければならなかつ
た。
本考案では、半導体装置に損傷を与えることな
く、極めて作業性良く半導体装置を収容でき、半
導体装置を収容した後にサージの発生を防止でき
るケースを提供するものである。
く、極めて作業性良く半導体装置を収容でき、半
導体装置を収容した後にサージの発生を防止でき
るケースを提供するものである。
本考案によれば、上記問題点は、半導体装置の
2つの電極が上方を向くように該半導体装置を収
容する収容部3を有する基体1と、該基体1上で
開閉する蓋2とを備え、該蓋の閉鎖時に前記収容
部3に収容される半導体装置の2つの電極にそれ
ぞれ当接してなる2つの導体部4,5が前記蓋2
に設けられ、該2つの導体部4,5が互いに電気
的に接続されてなることを特徴とする半導体装置
用ケースにより解決される。
2つの電極が上方を向くように該半導体装置を収
容する収容部3を有する基体1と、該基体1上で
開閉する蓋2とを備え、該蓋の閉鎖時に前記収容
部3に収容される半導体装置の2つの電極にそれ
ぞれ当接してなる2つの導体部4,5が前記蓋2
に設けられ、該2つの導体部4,5が互いに電気
的に接続されてなることを特徴とする半導体装置
用ケースにより解決される。
本考案のケースでは、基体1に半導体装置の収
容部3を有し、蓋に電極短絡用の2つの導体部
4,5が設けられており、蓋を閉めることにより
互いに電気的に接続された2つの導体部4,5が
半導体装置の上面に設けられた2つの電極に当接
するので、半導体装置の収容は簡便になり、半導
体装置を破損することがない。
容部3を有し、蓋に電極短絡用の2つの導体部
4,5が設けられており、蓋を閉めることにより
互いに電気的に接続された2つの導体部4,5が
半導体装置の上面に設けられた2つの電極に当接
するので、半導体装置の収容は簡便になり、半導
体装置を破損することがない。
また、電極間の短絡は、導体部が電極上に確実
に接することができるので、導体部に強い弾力を
必要とせずに確実となる。
に接することができるので、導体部に強い弾力を
必要とせずに確実となる。
第1図は本考案一実施例の半導体装置用ケース
の斜視図である。
の斜視図である。
図において、1は例えばアクリル樹脂等からな
る基体、2は基体1と同様の材質からなる蓋、3
は半導体装置20を収容する収容部、4及び5は
例えば燐青銅等の弾力性のある導電材料に金メツ
キがされてなる導体部、6は半導体チツプ、7は
キヤリア、8は絶縁体、9及び10は電極、11
はワイヤ、12は穴である。
る基体、2は基体1と同様の材質からなる蓋、3
は半導体装置20を収容する収容部、4及び5は
例えば燐青銅等の弾力性のある導電材料に金メツ
キがされてなる導体部、6は半導体チツプ、7は
キヤリア、8は絶縁体、9及び10は電極、11
はワイヤ、12は穴である。
基体1の一端を軸としてその部分に蓋2の一端
が回転可能に取りつけられていて、蓋2の回転に
より蓋2が半導体装置収容部3を有する基体1上
に覆い被さり蓋2が閉じられる。
が回転可能に取りつけられていて、蓋2の回転に
より蓋2が半導体装置収容部3を有する基体1上
に覆い被さり蓋2が閉じられる。
蓋2を閉じる際に、蓋2の内側の所定の箇所に
それぞれ設けられ下方に突出する弓形の2つの導
体部4及び5が、収容部3に収容された半導体装
置の2つの電極9及び10に当接する。ここで、
2つの導体部4,5は一体に成形されており電気
的に接続されているので、2つの電極9,10間
が短絡される。
それぞれ設けられ下方に突出する弓形の2つの導
体部4及び5が、収容部3に収容された半導体装
置の2つの電極9及び10に当接する。ここで、
2つの導体部4,5は一体に成形されており電気
的に接続されているので、2つの電極9,10間
が短絡される。
本実施例の導体部4,5は、弾力性を有する材
料からなり弓形に曲げられているので、電極に与
える衝撃が極めて少ない。
料からなり弓形に曲げられているので、電極に与
える衝撃が極めて少ない。
基体1の収容部3は半導体装置20が所定の位
置にくるように所定の寸法で設けられる。
置にくるように所定の寸法で設けられる。
半導体装置20上面の電極9及び10の寸法例
はそれぞれ一辺が2mm程度の正方形があり、この
場合の電極短絡用の導体部4及び5は線状部分の
弓形に曲げられた先端部の幅が例えば1mm程度で
ある。
はそれぞれ一辺が2mm程度の正方形があり、この
場合の電極短絡用の導体部4及び5は線状部分の
弓形に曲げられた先端部の幅が例えば1mm程度で
ある。
このように本考案のケースでは、小さな導体部
を用いても半導体装置上面の電極に正確に且つ確
実に当接でき、半導体装置の破損がなく、また、
半導体装置の収容を簡単に作業性良く行える。
を用いても半導体装置上面の電極に正確に且つ確
実に当接でき、半導体装置の破損がなく、また、
半導体装置の収容を簡単に作業性良く行える。
本考案によれば、半導体装置の損傷を防ぎ、半
導体装置の収容をより作業性良く行えると共に、
半導体装置上の2つの電極間をより確実に短絡す
ることができる。したがつて、このケースに収容
される半導体装置は良好な特性を保持でき信頼性
が向上が図れる。
導体装置の収容をより作業性良く行えると共に、
半導体装置上の2つの電極間をより確実に短絡す
ることができる。したがつて、このケースに収容
される半導体装置は良好な特性を保持でき信頼性
が向上が図れる。
第1図は本考案一実施例の半導体装置用ケース
の斜視図、第2図及び第3図は従来の半導体装置
用ケースを説明するための斜視図、第4図は本考
案に係る半導体装置の斜視図である。 図において、1は基体、2は蓋、3は収容部、
4及び5は導体部、6は半導体チツプ、7はキヤ
リア、8は絶縁体、9及び10は電極、11はワ
イヤをそれぞれ示している。
の斜視図、第2図及び第3図は従来の半導体装置
用ケースを説明するための斜視図、第4図は本考
案に係る半導体装置の斜視図である。 図において、1は基体、2は蓋、3は収容部、
4及び5は導体部、6は半導体チツプ、7はキヤ
リア、8は絶縁体、9及び10は電極、11はワ
イヤをそれぞれ示している。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体装置の2つの電極が上方を向くように該
半導体装置を収容する収容部3を有する基体1
と、 該基体1上で開閉する蓋2とを備え、 該蓋の閉鎖時に前記収容部3に収容される半導
体装置の2つの電極にそれぞれ当接してなる2つ
の導体部4,5が前記蓋2に設けられ、 該2つの導体部4,5が互いに電気的に接続さ
れてなることを特徴とする半導体装置用ケース。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2272885U JPH038632Y2 (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2272885U JPH038632Y2 (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61141274U JPS61141274U (ja) | 1986-09-01 |
JPH038632Y2 true JPH038632Y2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=30515296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2272885U Expired JPH038632Y2 (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH038632Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10038599B2 (en) | 2003-12-30 | 2018-07-31 | Intel Corporation | Techniques for guaranteeing bandwidth with aggregate traffic |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3536427B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2004-06-07 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 自動変速機 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP2272885U patent/JPH038632Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10038599B2 (en) | 2003-12-30 | 2018-07-31 | Intel Corporation | Techniques for guaranteeing bandwidth with aggregate traffic |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61141274U (ja) | 1986-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4089575A (en) | Connector for connecting a circuit element to the surface of a substrate | |
US5498903A (en) | Surface mountable integrated circuit package with integrated battery mount | |
US5986336A (en) | Semiconductor device including a heat radiation plate | |
US4953001A (en) | Semiconductor device package and packaging method | |
US3588628A (en) | Encapsulated electrical component with planar terminals | |
KR920001691A (ko) | 제로 전력 ic 모듈 | |
KR100206533B1 (ko) | 제로 전력 아이씨 모듈 | |
KR20180002496A (ko) | 리플로우 솔더링 가능한 전기접속단자 | |
JPH0828394B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR960005966A (ko) | 반도체 장치와 그의 제조 및 실장방법 | |
JPH038632Y2 (ja) | ||
JPH0231463B2 (ja) | ||
KR100216499B1 (ko) | 칩 온 보드(Chip On Board) 패키지의 삽입형 테스트 소켓 | |
US20240145348A1 (en) | Current sensor with inverted shielding element | |
KR920018879A (ko) | 백업 배터리를 구비한 집적회로 패키지 | |
CN212461672U (zh) | 晶片导通片组件及集成电路结构 | |
JPH0135483Y2 (ja) | ||
JPH10256319A (ja) | 半導体装置 | |
CN212434610U (zh) | 晶片导通片组件及集成电路结构 | |
KR920010845A (ko) | 모울드 셀을 갖는 집적회로 패키지 | |
JP3419358B2 (ja) | 金属キャップの絶縁膜形成方法 | |
JPH0121566Y2 (ja) | ||
JPS63107147A (ja) | 半導体装置 | |
TWM645166U (zh) | 晶片導通片組件及積體電路結構 | |
JPS62188189A (ja) | ソケツト |