JPH0384890A - 画像読取装置用光源製造方法 - Google Patents
画像読取装置用光源製造方法Info
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- JPH0384890A JPH0384890A JP1220394A JP22039489A JPH0384890A JP H0384890 A JPH0384890 A JP H0384890A JP 1220394 A JP1220394 A JP 1220394A JP 22039489 A JP22039489 A JP 22039489A JP H0384890 A JPH0384890 A JP H0384890A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はファクシミリやスキャナ等に用いられる画像読
取装置の製造方法に係り、特に高輝度なＥＬ発光素子等
の画像読取装置用光源の製造方法に関する。
取装置の製造方法に係り、特に高輝度なＥＬ発光素子等
の画像読取装置用光源の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来のファクシミリやスキャナ等には、光源としてＥＬ
発光素子を用いるものがあり、特に、ＥＬ発光素子と密
着型イメージセンサとを一体化した超小型の画像読取装
置が提案されている。
発光素子を用いるものがあり、特に、ＥＬ発光素子と密
着型イメージセンサとを一体化した超小型の画像読取装
置が提案されている。
この画像読取装置は、例えば第５図に示すように、ガラ
ス、セラミック等から戊る基板１上に形成された受光素
子２と、ガラス等の透明部材から成るＥＬ基板１１上に
形成されたＥＬ発光素子４とを、透明かつ絶縁性の接着
剤（接着層３）で結合させて構成されるもので、図の表
裏方向（主走査方向）に長尺状に形成されている。
ス、セラミック等から戊る基板１上に形成された受光素
子２と、ガラス等の透明部材から成るＥＬ基板１１上に
形成されたＥＬ発光素子４とを、透明かつ絶縁性の接着
剤（接着層３）で結合させて構成されるもので、図の表
裏方向（主走査方向）に長尺状に形成されている。
受光素子２は、基板１上に第５図の表裏方向に複数配列
されるようクロム（Ｃｒ）等で形成された個別電極２１
と、アモルファスシリコン（ａ −８ｉ）で形成された
光導電層２２と、酸化インジウム・スズＣＩＴＯ）で形
成された透明電極２３とから成る。
されるようクロム（Ｃｒ）等で形成された個別電極２１
と、アモルファスシリコン（ａ −８ｉ）で形成された
光導電層２２と、酸化インジウム・スズＣＩＴＯ）で形
成された透明電極２３とから成る。
ＥＬ発光素子４は、ＥＬ基板１１上にＩＴＯ。
Ｉｎ、Ｏ，、・ＳｎＯ，等から構成される透明電極４１
と、Ｙ、Ｏ，、Ｓ ｔ、Ｎ、 、ＢａＴｉ０．等から成
る絶縁ｒ＠４２と、ＺｎＳ：Ｍｎ等から戊る発光層４３
と、また絶縁層４２と、アルミニュウム（Ａ１）等の金
属から成る不透明導電膜４４とを順次積層して成る。透
明電極４１と不透明導電膜４４との間に電圧をかけると
、その間で挟持された発光層４３から光が放射され、原
稿１００に照射される。また、プラテンローラ１０１の
回転により、原稿１００が左右方向に移動可能に構成さ
れている。
と、Ｙ、Ｏ，、Ｓ ｔ、Ｎ、 、ＢａＴｉ０．等から成
る絶縁ｒ＠４２と、ＺｎＳ：Ｍｎ等から戊る発光層４３
と、また絶縁層４２と、アルミニュウム（Ａ１）等の金
属から成る不透明導電膜４４とを順次積層して成る。透
明電極４１と不透明導電膜４４との間に電圧をかけると
、その間で挟持された発光層４３から光が放射され、原
稿１００に照射される。また、プラテンローラ１０１の
回転により、原稿１００が左右方向に移動可能に構成さ
れている。
前記不透明導電膜４４には、受光素子２の各受光部分に
対応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層
４３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光
が光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射
するような構成となっている（特開昭５９−２１０８６
４号公報参照）。
対応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層
４３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光
が光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射
するような構成となっている（特開昭５９−２１０８６
４号公報参照）。
特に、ＥＬ発光素子４の製造方法は、ガラス等で形成し
たＥＬ基板１１の上にＩＴＯＳＩｎ、０、、ＳｎＯ，等
をスパッタ法で着膜して発光素子の透明電極４１を形成
し、この透明電極４１上にＳｍｔ Ｏｓ 、Ｙ２Ｏ５、
Ｓ ｔＯ，等を着膜して絶縁層４２を形成し、絶縁層４
２上にスパッタ法、電子ビーム法等でＺｎＳ：Ｍｎ等を
着膜して帯状の発光層４３を形成し、再度前記同様の絶
縁層４２を形成し、絶縁層４２上にアルミニウム等の金
属を蒸着し、フォトリソ法によりバターニングして光透
過窓４５を有する不透明電極膜４４を形成してＥＬ発光
素子４を作製する。
たＥＬ基板１１の上にＩＴＯＳＩｎ、０、、ＳｎＯ，等
をスパッタ法で着膜して発光素子の透明電極４１を形成
し、この透明電極４１上にＳｍｔ Ｏｓ 、Ｙ２Ｏ５、
Ｓ ｔＯ，等を着膜して絶縁層４２を形成し、絶縁層４
２上にスパッタ法、電子ビーム法等でＺｎＳ：Ｍｎ等を
着膜して帯状の発光層４３を形成し、再度前記同様の絶
縁層４２を形成し、絶縁層４２上にアルミニウム等の金
属を蒸着し、フォトリソ法によりバターニングして光透
過窓４５を有する不透明電極膜４４を形成してＥＬ発光
素子４を作製する。
また、ＥＬ発光素子４における絶縁層４２として、Ｓｍ
、Ｏ，、、Ｙ、Ｏ，、Ｓ ｉｏ、等の薄膜をスパッタリ
ングで形成する代わりに、例えば、Ｓｌ、Ｎ、の反応用
炉にＡ「を入れ、真空ポンプで低圧として、これに電極
を入れて高周波をかけて放電を起こさせると、プラズマ
の状態になり、これにＳＩＨ，とＮＨ，を入れて２５０
℃から４００℃で、ＳＬ、Ｎ、膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ（Ｐ−ＣＶＤ）を使って絶縁層４２を形成すること
が行われていた。
、Ｏ，、、Ｙ、Ｏ，、Ｓ ｉｏ、等の薄膜をスパッタリ
ングで形成する代わりに、例えば、Ｓｌ、Ｎ、の反応用
炉にＡ「を入れ、真空ポンプで低圧として、これに電極
を入れて高周波をかけて放電を起こさせると、プラズマ
の状態になり、これにＳＩＨ，とＮＨ，を入れて２５０
℃から４００℃で、ＳＬ、Ｎ、膜を形成するプラズマＣ
ＶＤ（Ｐ−ＣＶＤ）を使って絶縁層４２を形成すること
が行われていた。
但し、Ｐ−ＣＶＤによるＳＬ、Ｎ□の形成過程において
、Ｈやａ（アモルファス）が混入してａ−３ｉＮｘ：Ｈ
となることが多い。この場合、Ｐ−ＣＶＤで形成したａ
−ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜は絶縁性が高く、ＩＭＶ／ｃｍの電
界下で流れる電流は１０−”Ａ／ｃｄ以下であり、Ｓｍ
、ｏｌ 、Ｙｔ Ｏｓ、Ｓｉｎ、等の薄膜より絶縁性の
点では優れている（電子通信学会技術報告ＥＩＤ８７−
８５ｐｌ〜ｐ６ｒ緑色薄膜ＥＬ素子の高輝度、低駆動電
圧化」参照）。
、Ｈやａ（アモルファス）が混入してａ−３ｉＮｘ：Ｈ
となることが多い。この場合、Ｐ−ＣＶＤで形成したａ
−ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜は絶縁性が高く、ＩＭＶ／ｃｍの電
界下で流れる電流は１０−”Ａ／ｃｄ以下であり、Ｓｍ
、ｏｌ 、Ｙｔ Ｏｓ、Ｓｉｎ、等の薄膜より絶縁性の
点では優れている（電子通信学会技術報告ＥＩＤ８７−
８５ｐｌ〜ｐ６ｒ緑色薄膜ＥＬ素子の高輝度、低駆動電
圧化」参照）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のような画像読取装置の構成におけ
るＥＬ発光素子等の光源製造方法において、Ｓｍ、 Ｏ
ｓ 、Ｙｔ Ｏ２、Ｓ ｉＯ，等の絶縁層４２の代わり
にａ−ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜を絶縁層とする場合、Ｐ−ＣＶ
Ｄで形成したａ−５ＩＮｘ：Ｈ薄膜は絶縁性が高いもの
の、透明電極４１のＩＴＯの上にＰ−ＣＶＤ法でａ−３
ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜する際にＩＴＯとの間に化学反応
を起こしてしまう。つまり、ＩＴＯのＩ ｎ、ｏ、 、
ＳｎＯ。
るＥＬ発光素子等の光源製造方法において、Ｓｍ、 Ｏ
ｓ 、Ｙｔ Ｏ２、Ｓ ｉＯ，等の絶縁層４２の代わり
にａ−ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜を絶縁層とする場合、Ｐ−ＣＶ
Ｄで形成したａ−５ＩＮｘ：Ｈ薄膜は絶縁性が高いもの
の、透明電極４１のＩＴＯの上にＰ−ＣＶＤ法でａ−３
ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜する際にＩＴＯとの間に化学反応
を起こしてしまう。つまり、ＩＴＯのＩ ｎ、ｏ、 、
ＳｎＯ。
、のうち特にＳｉＨ，の水素（Ｈ）がＩｎ２Ｏ３の酸素
を奪い、還元してしまって金属Ｉｎを析出し、ＩＴＯと
ａ−ＳｉＮｘ：Ｈの境界面が黒色化して光の透過率を低
下させたり、ひどいときにはＩＴＯ全体が白濁して光が
ほとんど透過しなくなったりするとの問題点があった（
真空ｖｏｌ ２９．Ｎ。
を奪い、還元してしまって金属Ｉｎを析出し、ＩＴＯと
ａ−ＳｉＮｘ：Ｈの境界面が黒色化して光の透過率を低
下させたり、ひどいときにはＩＴＯ全体が白濁して光が
ほとんど透過しなくなったりするとの問題点があった（
真空ｖｏｌ ２９．Ｎ。
、５ ｐ３５０−ｐ３５４参照）。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、画像読取装
置用光源の製造方法において、ＩＴＯの透明電極の上に
Ｐ−ＣＶＤ法でａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜する際に、
ＩＴＯとａ−３ｉＮｘ：Ｈとの境界面で起こる反応を防
止し、ＩＴＯの光の透過率を損なわず、かつ絶縁性能に
優れた絶縁層としてのａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を形成する
画像読取装置用光源製造方法を提供することを目的とす
る。
置用光源の製造方法において、ＩＴＯの透明電極の上に
Ｐ−ＣＶＤ法でａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜する際に、
ＩＴＯとａ−３ｉＮｘ：Ｈとの境界面で起こる反応を防
止し、ＩＴＯの光の透過率を損なわず、かつ絶縁性能に
優れた絶縁層としてのａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を形成する
画像読取装置用光源製造方法を提供することを目的とす
る。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解決するため本発明は、ＥＬ発光
素子から成る画像読取装置用光源の製造方法において、
基板上に透明電極を着膜し、前記透明電極の上に還元反
応を起こさない透明薄膜を着膜し、前記透明薄膜の上に
プラズマＣＶＤ法で第１の絶縁層を形成し、前記第１の
絶縁層の上に発光層と、第２の絶縁層と、金属電極とを
順次形成することを特徴としている。
素子から成る画像読取装置用光源の製造方法において、
基板上に透明電極を着膜し、前記透明電極の上に還元反
応を起こさない透明薄膜を着膜し、前記透明薄膜の上に
プラズマＣＶＤ法で第１の絶縁層を形成し、前記第１の
絶縁層の上に発光層と、第２の絶縁層と、金属電極とを
順次形成することを特徴としている。
（作用）
本発明によれば、基板上に着膜された透明電極の上に絶
縁層として直接Ｐ−ＣＶＤ法によりａ−ＳｉＮｘ：Ｈ薄
膜を着膜するのではなく、透明電極の上に還元反応を起
こさない透明薄膜を着膜し、その上にＰ−ＣＶＤ法によ
りａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜して絶縁層を形成するよ
うにしているので、透明電極のＩＴＯとａ−８ｉＮｘ：
Ｈとの間に、透過率を損なうようなＰ−ＣＶＤ過程にお
ける反応が起こるのを防ぐことができる。
縁層として直接Ｐ−ＣＶＤ法によりａ−ＳｉＮｘ：Ｈ薄
膜を着膜するのではなく、透明電極の上に還元反応を起
こさない透明薄膜を着膜し、その上にＰ−ＣＶＤ法によ
りａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜して絶縁層を形成するよ
うにしているので、透明電極のＩＴＯとａ−８ｉＮｘ：
Ｈとの間に、透過率を損なうようなＰ−ＣＶＤ過程にお
ける反応が起こるのを防ぐことができる。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例に係るＥＬ発光素子の断面
説明図を示し、第２図は、第１図のＥＬ発光素子を使用
した画像読取装置全体の断面説明図である。第５図と同
様の構成をとる部分については同一の符号を付している
。
説明図を示し、第２図は、第１図のＥＬ発光素子を使用
した画像読取装置全体の断面説明図である。第５図と同
様の構成をとる部分については同一の符号を付している
。
実施例の画像読取装置の構成は、ガラス、セラミック等
から戊る基板１上に形成された受光素子２とガラス等か
ら成るＥＬ基板１１上に形成されたＥＬ発光素子４とを
、透明かつ絶縁性の接着剤（接着層３）で結合させるも
のである。
から戊る基板１上に形成された受光素子２とガラス等か
ら成るＥＬ基板１１上に形成されたＥＬ発光素子４とを
、透明かつ絶縁性の接着剤（接着層３）で結合させるも
のである。
受光素子２の構成は、基板１上にクロム（Ｃｒ）等の金
属から戊る個別電極２１が形成され、その上にアモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉ）から成る光導電層２２が形成
され、さらにその上に酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）
から成る透明電極２３が形成される。
属から戊る個別電極２１が形成され、その上にアモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉ）から成る光導電層２２が形成
され、さらにその上に酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）
から成る透明電極２３が形成される。
尚、ここでは下部の個別電極２１は主走査方向に離散的
に分割して形成され、透明電極２３は帯状の共通電極と
なるよう形成されることにより、光導電層２２を個別電
極２１と透明電極２３とで挟んだ部分が各受光素子２を
構成し、その集まりが受光素子アレイを形成している。
に分割して形成され、透明電極２３は帯状の共通電極と
なるよう形成されることにより、光導電層２２を個別電
極２１と透明電極２３とで挟んだ部分が各受光素子２を
構成し、その集まりが受光素子アレイを形成している。
また、離散的に分割形成された個別電極２１の端部２４
は駆動用ＩＣ２５に接続され、受光素子２で生成される
電荷を抽出するようになっている。また、受光素子２に
おいて、アモルファスシリコンの代わりに、ＣｄＳｅ
（カドミウムセレン）等を光導電層３とすることも可能
である。
は駆動用ＩＣ２５に接続され、受光素子２で生成される
電荷を抽出するようになっている。また、受光素子２に
おいて、アモルファスシリコンの代わりに、ＣｄＳｅ
（カドミウムセレン）等を光導電層３とすることも可能
である。
ＥＬ発光素子４は、ＥＬ基板１１上にＩＴＯ等から成る
透明電極４１が形成され、その上にスパッタリングまた
は蒸着で形成したＳｉ、Ｎ、等の透明薄膜４６と、その
上にＰ−ＣＶＤで形成したａ−５ｉＮｘ：Ｈ等から成る
絶縁層４２と、次ぎにＺｎＳ：ＴｂＦ、等から成る発光
層４３が形成され、またその上に絶縁層４２と、アルミ
ニュウム（ＡＩ）等の金属から成る不透明導電膜４４と
を順次積層している。透明電極４１と不透明導電膜４４
との間に電圧をかけると、その間で挾持された発光層４
３から光が放射され、ＥＬ基板１１上の原稿１００に照
射される。
透明電極４１が形成され、その上にスパッタリングまた
は蒸着で形成したＳｉ、Ｎ、等の透明薄膜４６と、その
上にＰ−ＣＶＤで形成したａ−５ｉＮｘ：Ｈ等から成る
絶縁層４２と、次ぎにＺｎＳ：ＴｂＦ、等から成る発光
層４３が形成され、またその上に絶縁層４２と、アルミ
ニュウム（ＡＩ）等の金属から成る不透明導電膜４４と
を順次積層している。透明電極４１と不透明導電膜４４
との間に電圧をかけると、その間で挾持された発光層４
３から光が放射され、ＥＬ基板１１上の原稿１００に照
射される。
前記不透明導電膜４４には、受光素子２の各受光部分に
対応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層
４３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光
が光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射
するような構成となっている。
対応するよう方形状の光透過窓４５が開口され、発光層
４３から発光した光が原稿１００で反射し、その反射光
が光透過窓４５を通過して受光素子２の受光部分へ照射
するような構成となっている。
更に、画像読取装置は、上記受光素子２の上に上記ＥＬ
発光素子４をＥＬ基板１１が外側になるよう透明かつ絶
縁性の接着層３で結合する。接着層３は、Ｓｉｎ、 、
ｓｉ、Ｎ、 、ポリイミド、エポキシ、シリコーン等で
形成され、受光素子２とＥＬ発光素子４とを電気的に絶
縁している。
発光素子４をＥＬ基板１１が外側になるよう透明かつ絶
縁性の接着層３で結合する。接着層３は、Ｓｉｎ、 、
ｓｉ、Ｎ、 、ポリイミド、エポキシ、シリコーン等で
形成され、受光素子２とＥＬ発光素子４とを電気的に絶
縁している。
次に、この画像読取装置の製造方法について説明する。
この画像読取装置は、受光素子２部分とＥＬ発光素子４
部分をそれぞれ別々に作製し、これらを接合して形成す
もものである。
部分をそれぞれ別々に作製し、これらを接合して形成す
もものである。
まず、受光素子２の製造方法は、ガラスまたはセラミッ
ク等で形成された基板１上の全面にクロム（Ｃｒ）を着
膜し、この上にレジストを塗布する。マスクパターンを
用いて前記レジストを露光、現像してレジストパターン
を形成し、エツチングした後にレジストパターンを除去
して下部電極となる個別電極２１を形成する。そして、
ｐ−ｃｖＤ法によりアモルファスシリコンを着膜し、フ
ォトリソ法によるＣＦ、等を用いたプラズマエッチング
、またはメタルマスクによるバターニング蒸着により前
記個別電極２１の先端部分を覆う帯状の光導電層２２を
形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）を着膜し、フォトリソ法による混酸
を用いたウェットエツチングにより前記個別電極２１の
先端部分を覆い、ａ−３ｉの光導電層２２を挟むよう受
光素子２の透明電極２３を形成する。
ク等で形成された基板１上の全面にクロム（Ｃｒ）を着
膜し、この上にレジストを塗布する。マスクパターンを
用いて前記レジストを露光、現像してレジストパターン
を形成し、エツチングした後にレジストパターンを除去
して下部電極となる個別電極２１を形成する。そして、
ｐ−ｃｖＤ法によりアモルファスシリコンを着膜し、フ
ォトリソ法によるＣＦ、等を用いたプラズマエッチング
、またはメタルマスクによるバターニング蒸着により前
記個別電極２１の先端部分を覆う帯状の光導電層２２を
形成する。次に、スパッタリング法により酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）を着膜し、フォトリソ法による混酸
を用いたウェットエツチングにより前記個別電極２１の
先端部分を覆い、ａ−３ｉの光導電層２２を挟むよう受
光素子２の透明電極２３を形成する。
次に、ＥＬ発光素子４の製造方法を第３図の製造プロセ
スフローチャートを使って説明する。ガラス等で形成し
たＥＬ基板１１の上にＩＴＯ等をＥＢ蒸着等で着膜して
ＩＴＯの帯状パターンを形成するためにフォトリソ法に
よるフォトエツチングを行い（２０１） 、ＥＬ発光素
子４の透明電極４１を形成する。この透明電極４１上に
Ｓｔ、Ｎ、を１０ＯＡの厚さでメタルマスクを用いてス
パッタリング（２０２）Ｌ、て透明薄膜４６を形成し、
さらに別のメタルマスクを用いてＰ−ＣＶＤ法によりａ
−ＳｉＮｔ：Ｈを３０００Ａの厚さで着膜（２０３）し
て絶縁層４２を形成する。次ぎに絶縁層４２ 、ｈにス
パッタ法でＺｎＳ：ＴｂＦ、等を着膜（２０４）して帯
状の発光層４３を形成し、再度前記同様の絶縁層４２を
Ｐ−ＣＶＤ法で形成（２０５）Ｌ、絶縁層４２上にアル
ミニウム（Ａ１）等の金属を１μｍの厚さでスパッタリ
ング（２０６）Ｌ、フォトリソ法によるエツチングを行
い（２０７）、光透過窓４５を有する不透明電極Ｈ４４
のパターンを形成する。
スフローチャートを使って説明する。ガラス等で形成し
たＥＬ基板１１の上にＩＴＯ等をＥＢ蒸着等で着膜して
ＩＴＯの帯状パターンを形成するためにフォトリソ法に
よるフォトエツチングを行い（２０１） 、ＥＬ発光素
子４の透明電極４１を形成する。この透明電極４１上に
Ｓｔ、Ｎ、を１０ＯＡの厚さでメタルマスクを用いてス
パッタリング（２０２）Ｌ、て透明薄膜４６を形成し、
さらに別のメタルマスクを用いてＰ−ＣＶＤ法によりａ
−ＳｉＮｔ：Ｈを３０００Ａの厚さで着膜（２０３）し
て絶縁層４２を形成する。次ぎに絶縁層４２ 、ｈにス
パッタ法でＺｎＳ：ＴｂＦ、等を着膜（２０４）して帯
状の発光層４３を形成し、再度前記同様の絶縁層４２を
Ｐ−ＣＶＤ法で形成（２０５）Ｌ、絶縁層４２上にアル
ミニウム（Ａ１）等の金属を１μｍの厚さでスパッタリ
ング（２０６）Ｌ、フォトリソ法によるエツチングを行
い（２０７）、光透過窓４５を有する不透明電極Ｈ４４
のパターンを形成する。
また、第４図にＥＬ発光素子製造過程におけるＥＬ基板
１１上の平面説明図を示すように、ガラス等のＥＬ基板
１１上には、ＩＴＯの透明電極４１のパターンが形成さ
れるが、透明電極４１の領域部分とａ−３ｔＮｘ：Ｈの
第１の絶縁層４２の領域部分が直接接触しないように、
ａ−８ｉＮｘ：Ｈの第１の絶縁層４２の領域よりもＳｉ
、Ｎ、の透明薄膜４６の領域が小さくならないようにし
たほうがよい。またＳｔ、Ｎ、の透明薄膜４６の領域が
小さくなったとしても、ＩＴＯの透明電極４１とａ−６
ｉＮｘ：Ｈの第１の絶縁層４２とが直接接触しないよう
な構成であれば構わない。
１１上の平面説明図を示すように、ガラス等のＥＬ基板
１１上には、ＩＴＯの透明電極４１のパターンが形成さ
れるが、透明電極４１の領域部分とａ−３ｔＮｘ：Ｈの
第１の絶縁層４２の領域部分が直接接触しないように、
ａ−８ｉＮｘ：Ｈの第１の絶縁層４２の領域よりもＳｉ
、Ｎ、の透明薄膜４６の領域が小さくならないようにし
たほうがよい。またＳｔ、Ｎ、の透明薄膜４６の領域が
小さくなったとしても、ＩＴＯの透明電極４１とａ−６
ｉＮｘ：Ｈの第１の絶縁層４２とが直接接触しないよう
な構成であれば構わない。
本実施例においては、透明電極４１と絶縁層４２の間の
透明薄膜４６をＳｉ３Ｎ、としたが、還元雰囲気に耐性
のある材料で透明であれば、例えば、ＳｎＯ，の酸化膜
や金（Ａｕ）の薄膜（約５０〜２０ＯＡ）であっても構
わない。つまり、透明薄膜４６は、Ｐ−ＣＶＤによるａ
−ＳｉＮｘ：Ｈと反応しにくいものであれば特に導電性
・絶縁性は問わない。また、着膜方法は、スパッタリン
グだけでなく蒸着でもよいし、透明電極４１のＩＴｏと
還元反応を起こさない着膜方法であれば何であっても構
わない。そして、透明薄膜４６は、透明電極４１のＩＴ
Ｏの表面を保護する層を構成しているも、極めて薄いた
めＥＬの特性に何等影響を与えるものではなく、安定し
たＥＬ光源を提供できる。
透明薄膜４６をＳｉ３Ｎ、としたが、還元雰囲気に耐性
のある材料で透明であれば、例えば、ＳｎＯ，の酸化膜
や金（Ａｕ）の薄膜（約５０〜２０ＯＡ）であっても構
わない。つまり、透明薄膜４６は、Ｐ−ＣＶＤによるａ
−ＳｉＮｘ：Ｈと反応しにくいものであれば特に導電性
・絶縁性は問わない。また、着膜方法は、スパッタリン
グだけでなく蒸着でもよいし、透明電極４１のＩＴｏと
還元反応を起こさない着膜方法であれば何であっても構
わない。そして、透明薄膜４６は、透明電極４１のＩＴ
Ｏの表面を保護する層を構成しているも、極めて薄いた
めＥＬの特性に何等影響を与えるものではなく、安定し
たＥＬ光源を提供できる。
次に、本発明に係る一実施例の画像読取装置の駆動方法
について説明すると、ＥＬ発光素子４において、透明電
極４１と不透明導電膜４４に電気が流れると、発光層４
３からＥＬ発光光が発光し、ＥＬ基板１１上の原稿１０
０を照射し、その反射光が光透過窓４５を透過して、受
光素子２の受光部分に入光する。すると、受光素子２が
光に反応して電荷を発生させ、駆動用ＩＣの制御によっ
て画情報を信号として出力する。
について説明すると、ＥＬ発光素子４において、透明電
極４１と不透明導電膜４４に電気が流れると、発光層４
３からＥＬ発光光が発光し、ＥＬ基板１１上の原稿１０
０を照射し、その反射光が光透過窓４５を透過して、受
光素子２の受光部分に入光する。すると、受光素子２が
光に反応して電荷を発生させ、駆動用ＩＣの制御によっ
て画情報を信号として出力する。
本実施例によれば、ＥＬ発光素子４のＥＬ基板１１上に
着膜された透明電極４１の上に、スパッタリングまたは
蒸着でＳｔ、Ｎ、等の透明薄膜４６を着膜し、その上に
Ｐ−ＣＶＤ法によりａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜して絶
縁層４２を形成するようにしているので、透明電極４１
のｒＴＯの上に直接ａ−３ｔＮｘ：Ｈ膜をＰ−ＣＶＤ法
で形成する場合と異なり、Ｉｎ、Ｏ，を還元してＩＴＯ
の透過率を損なうような反応が発生せず、ＩＴＯの透過
率を保持できる効果がある。
着膜された透明電極４１の上に、スパッタリングまたは
蒸着でＳｔ、Ｎ、等の透明薄膜４６を着膜し、その上に
Ｐ−ＣＶＤ法によりａ−３ｉＮｘ：Ｈ薄膜を着膜して絶
縁層４２を形成するようにしているので、透明電極４１
のｒＴＯの上に直接ａ−３ｔＮｘ：Ｈ膜をＰ−ＣＶＤ法
で形成する場合と異なり、Ｉｎ、Ｏ，を還元してＩＴＯ
の透過率を損なうような反応が発生せず、ＩＴＯの透過
率を保持できる効果がある。
（発明の効果）
本発明によれば、基板上に着膜された透明電極の上に絶
縁層として直接Ｐ−ＣＶＤ法によりａ−８ｉＮｘ：Ｈ薄
膜を着膜するのではなく、還元反応を起こさない透明薄
膜を透明電極の上に着膜し、その上にＰ−ＣＶＤ法によ
りａ−ＳｉＮｘ＋Ｈ薄膜を着膜して絶縁層を形成するよ
うにしているので、Ｐ−ＣＶＤ法による絶縁層形成にお
ける透明電極のＩＴＯとａ−３ｉＮｘ：Ｈとの間に、透
過率を損なうような反応が起こるのを防ぐことができ、
絶縁層が優れた絶縁性能を保持しつつ、透明電極の光の
透過率を低下させないで、高輝度な画像読取装置用光源
を製造できる効果がある。
縁層として直接Ｐ−ＣＶＤ法によりａ−８ｉＮｘ：Ｈ薄
膜を着膜するのではなく、還元反応を起こさない透明薄
膜を透明電極の上に着膜し、その上にＰ−ＣＶＤ法によ
りａ−ＳｉＮｘ＋Ｈ薄膜を着膜して絶縁層を形成するよ
うにしているので、Ｐ−ＣＶＤ法による絶縁層形成にお
ける透明電極のＩＴＯとａ−３ｉＮｘ：Ｈとの間に、透
過率を損なうような反応が起こるのを防ぐことができ、
絶縁層が優れた絶縁性能を保持しつつ、透明電極の光の
透過率を低下させないで、高輝度な画像読取装置用光源
を製造できる効果がある。
第１図は本発明のＥＬ発光素子の一実施例の断面説明図
、第２図は画像読取装置全体の断面説明図、第３図はＥ
Ｌ発光素子の製造プロセスフローチャート、第４図はＥ
Ｌ発光素子の製造過程におけるＥＬ基板の平面説明図、
第５図は従来の受光素子、発光素子一体型の画像読取装
置の断面説明図である。 １・・・・・・・・基板 １１・・・・・・ＥＬ基板 ２・・・・・・・・・受光素子 ２１・・・・・・個別電極 ２２・・・・・・光導電層 ２３・・・・・・透明電極 ３・・・・・・・・・接着層 ４・・・・・・・・・ＥＬ発光素子 ４１・・・・・・透明電極 ４２・・・・・・絶縁層 ４３・・・・・・発光層 ４４・・・・・・不透明導電膜 ４５・・・・・・光透過窓 ４６・・・・・・透明薄膜 １００・・・原稿 １０１・・・プラテンローラ １ 第 図 １ 第４ 図 第２図 第３図 第５ 図
、第２図は画像読取装置全体の断面説明図、第３図はＥ
Ｌ発光素子の製造プロセスフローチャート、第４図はＥ
Ｌ発光素子の製造過程におけるＥＬ基板の平面説明図、
第５図は従来の受光素子、発光素子一体型の画像読取装
置の断面説明図である。 １・・・・・・・・基板 １１・・・・・・ＥＬ基板 ２・・・・・・・・・受光素子 ２１・・・・・・個別電極 ２２・・・・・・光導電層 ２３・・・・・・透明電極 ３・・・・・・・・・接着層 ４・・・・・・・・・ＥＬ発光素子 ４１・・・・・・透明電極 ４２・・・・・・絶縁層 ４３・・・・・・発光層 ４４・・・・・・不透明導電膜 ４５・・・・・・光透過窓 ４６・・・・・・透明薄膜 １００・・・原稿 １０１・・・プラテンローラ １ 第 図 １ 第４ 図 第２図 第３図 第５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＥＬ発光素子から成る画像読取装置用光源の製造方法
において、 基板上に透明電極を着膜し、前記透明電極の上に還元反
応を起こさない透明薄膜を着膜し、前記透明薄膜の上に
プラズマＣＶＤ法で第１の絶縁層を形成し、前記第１の
絶縁層の上に発光層と、第２の絶縁層と、金属電極とを
順次形成することを特徴とする画像読取装置用光源製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220394A JPH0384890A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 画像読取装置用光源製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220394A JPH0384890A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 画像読取装置用光源製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384890A true JPH0384890A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16750431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1220394A Pending JPH0384890A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 画像読取装置用光源製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316584A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP1220394A patent/JPH0384890A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007316584A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
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