JPH0382720A - Method for recovering indium - Google Patents

Method for recovering indium

Info

Publication number
JPH0382720A
JPH0382720A JP1217298A JP21729889A JPH0382720A JP H0382720 A JPH0382720 A JP H0382720A JP 1217298 A JP1217298 A JP 1217298A JP 21729889 A JP21729889 A JP 21729889A JP H0382720 A JPH0382720 A JP H0382720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
indium
acid
hydroxide
hydrochloric acid
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1217298A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoji Yoshimura
吉村 了治
Nobuhiro Ogawa
小川 展弘
Takashi Mori
隆 毛利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tosoh Corp
Original Assignee
Tosoh Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tosoh Corp filed Critical Tosoh Corp
Priority to JP1217298A priority Critical patent/JPH0382720A/en
Publication of JPH0382720A publication Critical patent/JPH0382720A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20Recycling

Abstract

PURPOSE:To recover In having high purity by subjecting the water soln. of hydrochloric acid or nitric acid including In to reducing treatment and thereafter regulating its pH to specified value. CONSTITUTION:The pH of the water soln. of hydrochloric acid or nitric acid including In obtd. from the by-products of zinc refining or lead smelting or from indium oxide scraps doped with tin is regulated to 2 to 5 in the presence of a reducing agent. In the above manner, the ions of impurity metals such as iron, zinc, tin, copper and Ta are reduced and the pH is regulated to the one at which these components are hard to settle, by which In components can selectively be formed. At this time, as the reducing agent to be used, hydrazine, ascorbic acid, sodium sulfite or the like are given, and above all, the former two components including no Na and S are preferably used. The obtd. hydroxide of In has excellent filtrability, and by an ion exchange method, an electrolytic precipitating method or the like, high purity In metal or In compounds can easily be obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はインジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液から有価
物であるインジウムを回収する方法に関するものである
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for recovering indium, which is a valuable material, from an aqueous solution of hydrochloric acid or nitric acid containing indium.

[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]インジ
ウムを主成分とする水溶液としては、例えば、亜鉛製錬
工程の副産物として得られ、る製錬中間物のインジウム
溶液、錫をドープした酸化インジウム(以下ITOと記
載)スパッタリングターゲットのスクラップを酸に溶解
したもの等が挙げられる。
[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] Aqueous solutions containing indium as a main component include, for example, an indium solution obtained as a by-product of a zinc smelting process and a smelting intermediate, and tin-doped indium oxide. (Hereinafter referred to as ITO) Examples include sputtering target scraps dissolved in acid.

現在、インジウムはs I nP、 1nAs等の金属
間化合物やITO等の透明導電性薄膜として利用されて
おり、今後、益々インジウムの需要は伸長するものと期
待されている。
Currently, indium is used in intermetallic compounds such as s I nP and 1nAs, and transparent conductive thin films such as ITO, and the demand for indium is expected to increase further in the future.

元来、インジウムは正鉱石がなく、工業的な生産は亜鉛
精練、鉛精練の副産物中に濃縮されたインジウムを回収
することで行なわれている。
Originally, there was no regular ore of indium, and industrial production was carried out by recovering indium concentrated in the byproducts of zinc smelting and lead smelting.

しかし、このようにして得られるインジウムは鉄、亜鉛
、アルミニウム、カドミウム、銅、タリウム等の金属不
純物を多く含んでおり、これら金属不純物を除去し、高
純度のインジウムを回収するには複雑な工程が必要とな
る。
However, the indium obtained in this way contains many metal impurities such as iron, zinc, aluminum, cadmium, copper, and thallium, and it takes a complicated process to remove these metal impurities and recover high-purity indium. Is required.

一般に上記したインジウムの回収工程は、何種類かの化
学精製と電解精練法との組合せ、溶媒抽出法との組合せ
、イオン交換法との組合せ等で行なわれている。
Generally, the above-described indium recovery process is carried out by a combination of several types of chemical refining and an electrolytic refining method, a combination with a solvent extraction method, a combination with an ion exchange method, and the like.

これらの内、化学精製は、インジウムを含む塩酸又は硝
酸水溶液のpt+を調整し、インジウムを水酸化物とし
て沈殿させると同時に、他の金属と分離する方法が提案
されている。この方法は金属イオンの水酸化物生成領域
の違いを利用したものであり、例えば、亜鉛、アルミニ
ウムとインジウムとの分離方法としては、pH12以上
にすることにより、亜鉛、アルミニウムを溶解し、沈殿
したインジウムの水酸化物を回収する方法である。
Among these, a method of chemical purification has been proposed in which the pt+ of a hydrochloric acid or nitric acid aqueous solution containing indium is adjusted, indium is precipitated as a hydroxide, and at the same time is separated from other metals. This method takes advantage of the difference in the hydroxide generation region of metal ions. For example, to separate zinc, aluminum and indium, by raising the pH to 12 or higher, zinc and aluminum are dissolved and precipitated. This is a method for recovering indium hydroxide.

この方法は、生成するインジウムの水酸化物の濾過性が
極めて悪く、濾過操作を長時間必要とする。また、この
方法では鉄、カドミウム、銅、タリウム等の金属はイン
ジウムと分離することができない。その他、不純物金属
を硫化物として沈殿させインジウムと分離する方法が提
案されているが、この方法ではインジウムの塩酸又は硝
酸溶液中に硫化水素が残存し、回収したインジウム成分
中に硫黄が残存する。
In this method, the indium hydroxide produced has extremely poor filterability and requires a long filtration operation. Furthermore, metals such as iron, cadmium, copper, and thallium cannot be separated from indium using this method. In addition, a method has been proposed in which impurity metals are precipitated as sulfides and separated from indium, but in this method, hydrogen sulfide remains in the hydrochloric acid or nitric acid solution of indium, and sulfur remains in the recovered indium component.

一方、インジウムの工業的な生産は前述のように、イン
ジウム源として亜鉛精練等の副産物を用いるが、他のイ
ンジウム源としてITO等の電子材料からのスクラップ
からインジウムを回収する方法も期待されている。例え
ば、ITO薄膜は製造工程での歩留りが悪く、使用する
インジウムの大部分がスクラップとなる。しかし、これ
らのスクラップから有価物であるインジウムを回収する
場合、錫以外にも鉄、カルシウム、ナトリウム、ジルコ
ニウム等の不純物が混入しており、これらを除去し高純
度インジウムを効果的に回収する方法は未だ提案されて
いない状況にある。
On the other hand, as mentioned above, industrial production of indium uses by-products such as zinc smelting as an indium source, but there are also expectations for a method of recovering indium from scraps from electronic materials such as ITO as another indium source. . For example, ITO thin films have a poor yield during the manufacturing process, and most of the indium used becomes scrap. However, when recovering indium, which is a valuable resource, from these scraps, impurities such as iron, calcium, sodium, and zirconium are mixed in in addition to tin, and there is a method to remove these and effectively recover high-purity indium. has not yet been proposed.

[発明の目的コ 本発明は、従来技術のもつ前記課題を解決すべく為され
たものであって、インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液
から純度の高いインジウムを回収することを目的とする
[Object of the Invention] The present invention was made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its purpose is to recover highly pure indium from an aqueous solution of hydrochloric acid or nitric acid containing indium.

[課題を解決するための手段] 本発明者らは、インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液か
ら他の金属不純物を含まないインジウムの回収方法につ
いて鋭意検討した結果、前記溶液中に含まれる、鉄、タ
リウム等の金属イオンは、還元処理し、溶解度が小さい
Pe2+等の低価数金属イオンとし、この溶液のpHを
調整することによりインジウムを水酸化物として回収す
る方法を見出し本発明を完成した。
[Means for Solving the Problems] As a result of intensive study on a method for recovering indium that does not contain other metal impurities from an aqueous solution of hydrochloric acid or nitric acid containing indium, the present inventors found that iron and thallium contained in the solution The present invention was completed by discovering a method for recovering indium as hydroxide by reducing metal ions such as Pe2+ to low-valence metal ions with low solubility, and adjusting the pH of this solution.

即ち、本発明は、インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液
を還元処理し、次いでこの水溶液のpHを2〜5に調節
し水溶液中のインジウム成分を分離することを特徴とす
るインジウムの回収法に関するものである。
That is, the present invention relates to a method for recovering indium, which is characterized by subjecting a hydrochloric acid or nitric acid aqueous solution containing indium to a reduction treatment, and then adjusting the pH of this aqueous solution to 2 to 5 to separate the indium component in the aqueous solution. be.

以下、本発明をさらに詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.

前記したように亜鉛精練、鉛精練の副産物、又はITO
スクラップ等から得たインジウムを含む塩酸又は硝酸水
溶液中のインジウム以外の金属イオンとしては、鉄、亜
鉛、錫、銅、アルミニウム、カドミウム、タリウム、カ
ルシウム、マグネシウム、ナトリウム等が挙げられるが
、これらの金属不純物の含有量は、用いるインジウム源
の種類にも因るが、例えば、ITOスクラップの塩酸溶
解液には錫が多く含まれている。
As mentioned above, zinc smelting, lead smelting by-products, or ITO
Metal ions other than indium in a hydrochloric acid or nitric acid aqueous solution containing indium obtained from scrap etc. include iron, zinc, tin, copper, aluminum, cadmium, thallium, calcium, magnesium, sodium, etc. Although the content of impurities depends on the type of indium source used, for example, a hydrochloric acid solution of ITO scrap contains a large amount of tin.

ITOスクラップの塩酸溶解液をインジウム回収の原料
として用いる場合、前記した錫はインジウム回収工程の
前処理で分離し、錫の含有量を少なくすることにより、
純度の高いインジウム成分が得られ、また還元剤の使用
量も少なくできる。この前処理による錫の分離方法とし
ては、錫をハロゲノスズ酸塩として分離する方法等が挙
げられる。
When using a hydrochloric acid solution of ITO scrap as a raw material for indium recovery, the tin mentioned above is separated in the pretreatment of the indium recovery process and the tin content is reduced.
A highly pure indium component can be obtained, and the amount of reducing agent used can also be reduced. Examples of a method for separating tin using this pretreatment include a method for separating tin as a halogenostannate.

即ち、錫を含む水溶液から、強酸性下及びハロゲンイオ
ンの存在下でハロゲノスズ酸塩を生成させ、錫を選択的
に分離する方法である。このハロゲノスズ酸塩を生成さ
せる場合、錫を含む溶液は強酸性であることが必要であ
り、強酸性水溶液の塩酸濃度は溶液中のプロトン濃度に
相当するが、その濃度は0.5mmoJ / 1以上が
好ましく、更に3rAo!/J以上が特に好ましい。前
記プロトン濃度が低い場合は、ハロゲノスズ酸塩の沈殿
生成量が減少する。又、ハロゲノスズ酸塩を沈殿生成さ
せる際、インジウムと錫を含む水溶液中にハロゲンイオ
ンの存在が必要である。インジウムと錫を含む強酸性水
溶液のハロゲンイオン濃度は、ハロゲンイオンの種類に
もよるが錫の含有量に対して50倍モル以上が好ましく
、特に、80倍モル以上が好ましい。
That is, it is a method in which a halogenostannate is produced from an aqueous solution containing tin under strong acidity and in the presence of halogen ions, and tin is selectively separated. When producing this halogenostannate, the tin-containing solution needs to be strongly acidic, and the hydrochloric acid concentration of the strongly acidic aqueous solution corresponds to the proton concentration in the solution, which is 0.5 mmoJ/1 or more. is preferable, and further 3rAo! /J or more is particularly preferred. When the proton concentration is low, the amount of halogenostannate precipitate is reduced. Further, when precipitating a halogen stannate, the presence of halogen ions is required in the aqueous solution containing indium and tin. The halogen ion concentration of the strongly acidic aqueous solution containing indium and tin is preferably at least 50 times the molar content of tin, particularly preferably at least 80 times the molar content, although it depends on the type of halogen ions.

この際のハロゲンイオンの調整方法としてはハロゲンイ
オンを含む酸、例えば塩酸等を添加して調整してもよい
が、塩化ナトリウム、塩化アンモニラム等のハロゲンイ
オンを含む塩を添加して調整してもよい。
At this time, the halogen ions may be adjusted by adding an acid containing halogen ions, such as hydrochloric acid, or by adding a salt containing halogen ions such as sodium chloride or ammonium chloride. good.

このような強酸及びハロゲンイオンが共存するインジウ
ムと錫を含む水溶液に、ハロゲノスズ酸イオンの対イオ
ンを供給し、ハロゲノスズ酸塩を生成させる。ハロゲノ
スズ酸塩の対イオンとなる陽イオンの添加量は、溶液中
のハロゲンイオン濃度と酸濃度にもよるが、錫に対して
ハロゲノスズ酸塩の対イオンが等モル以上になるように
添加することが好ましい。ここで用いる陽イオンの種類
としては水溶液中で電解質として作用するものであれば
良く、無機質でも有機質でも良い。無機質としては、ア
ンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩
基、及びこれらの塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩等が挙げられ
る。有機質としては、メチルアミン、ジメチルアミン等
の塩基及びこれらの塩酸塩等が挙げられる。ハロゲノス
ズ酸塩はアンモニウム塩及び/又はアミン類の塩として
生成させることが好ましく、この時、溶液中へのナトリ
ウムイオン、カルシウムイオン等の無機金属イオンの混
入が避けられるので好ましい。
A counter ion of a halide stannate ion is supplied to an aqueous solution containing indium and tin in which such a strong acid and a halogen ion coexist to generate a halide stannate. The amount of cation to be added as a counter ion to the halogen stannate depends on the halogen ion concentration and acid concentration in the solution, but it should be added so that the counter ion of the halogen stannate is at least equimolar to tin. is preferred. The type of cation used here may be one that acts as an electrolyte in an aqueous solution, and may be inorganic or organic. Examples of inorganic substances include bases such as aqueous ammonia, sodium hydroxide, and potassium hydroxide, and their hydrochlorides, nitrates, and sulfates. Examples of organic substances include bases such as methylamine and dimethylamine, and their hydrochlorides. It is preferable to produce the halogenostannate as an ammonium salt and/or a salt of amines, and at this time, it is preferable to avoid mixing inorganic metal ions such as sodium ions and calcium ions into the solution.

このようにして、生成したハロゲノスズ酸塩を分離除去
し、錫含有量の少ないインジウム溶液を得ることができ
る。
In this way, the generated halogenostannate can be separated and removed, and an indium solution with a low tin content can be obtained.

得られた溶液は、錫含有量の少ないインジウムを含む塩
酸水溶液であり、該塩酸溶液は、鉄等の金属不純物を含
んでおり本発明の処理対象となる。
The obtained solution is an aqueous hydrochloric acid solution containing indium with a low tin content, and the hydrochloric acid solution contains metal impurities such as iron and is a target of the treatment of the present invention.

一方、ITOターゲトスクラップは、硝酸水溶液への溶
解速度が塩酸水溶液のそれに比べ遅いが、インジウムの
硝酸水溶液は、錫の含有量が極めて少なく、必ずしもハ
ロゲノスズ酸塩による錫の分離を行なう必要がなく、該
溶液は本発明の極めてよい被処理溶液である。
On the other hand, the dissolution rate of ITO target scrap in an aqueous nitric acid solution is slower than that of an aqueous hydrochloric acid solution, but an aqueous solution of indium in nitric acid has an extremely low tin content, so it is not necessarily necessary to separate tin using a halogenostannate. , this solution is an extremely good solution to be treated according to the present invention.

その他、亜鉛精練工程等で得られる、インジウムを多く
含み、且つ金属不純物を含んだ塩酸又は硝酸水溶液等が
本発明の処理対象溶液である。
In addition, hydrochloric acid or nitric acid aqueous solutions containing a large amount of indium and metal impurities, which are obtained in the zinc scouring process, etc., are solutions to be treated in the present invention.

このようなインジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液から金
属不純物を除去し、インジウム成分を回収する際、本発
明では、インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液を、還元
剤の存在下、pH2〜5に調節する。このように還元剤
を存在させることにより、鉄、亜鉛、銅、タリウム等の
不純物金属イオンを還元し、これら成分が沈殿しにくい
pHに調節することにより、インジウム成分を選択的に
生成させることができる。この際のpH調節は、通常の
アルカリ、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ
土類金属の水酸化物、アンモニア等で行ない、インジウ
ムの水酸化物として回収する。ここでアンモニアを用い
ると、インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液中にナトリ
ウムイオンやカリウムイオン等の金属イオンが混入する
ことがないため、高純度のインジウムを回収する場合は
特に好ましい。インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液か
ら水酸化物としてインジウムを生成させる際、還元剤の
存在下にこれを行なうが、この除用いる還元剤は、例え
ば、ヒドラジン、アスコルビン酸、亜硫酸ナトリウム、
二酸化イオウ等が使用でき、ナトリウム、硫黄を含まな
いヒドラジンやアスコルビン酸が好ましい。用いる還元
剤の添加量は還元剤の種類により異なるが、例えば不純
物が鉄で、還元剤がアスコルビン酸の場合、鉄に対して
2倍モル添加すれば充分である。このようにして鉄をF
e3+からPe2+に変化させることにより、比較的溶
解度の大きい水酸化第一鉄をインジウムの水酸化物と共
沈させないようにすることができる。
When removing metal impurities from such an aqueous hydrochloric acid or nitric acid solution containing indium and recovering the indium component, in the present invention, the aqueous hydrochloric acid or nitric acid solution containing indium is adjusted to pH 2 to 5 in the presence of a reducing agent. In this way, the presence of a reducing agent reduces impurity metal ions such as iron, zinc, copper, thallium, etc., and by adjusting the pH to a level at which these components are difficult to precipitate, it is possible to selectively generate indium components. can. At this time, the pH is adjusted using a common alkali such as alkali metal hydroxide, alkaline earth metal hydroxide, ammonia, etc., and the indium hydroxide is recovered. If ammonia is used here, metal ions such as sodium ions and potassium ions will not be mixed into the hydrochloric acid or nitric acid aqueous solution containing indium, so it is particularly preferable when recovering high-purity indium. When producing indium as a hydroxide from an aqueous solution of hydrochloric acid or nitric acid containing indium, this is done in the presence of a reducing agent.
Sulfur dioxide, etc. can be used, and hydrazine and ascorbic acid, which do not contain sodium or sulfur, are preferred. The amount of the reducing agent added varies depending on the type of reducing agent, but for example, if the impurity is iron and the reducing agent is ascorbic acid, it is sufficient to add twice the amount of iron. In this way, iron is F
By changing e3+ to Pe2+, ferrous hydroxide, which has a relatively high solubility, can be prevented from coprecipitating with indium hydroxide.

インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液のpH調節のため
の中和方法は、特に限定しないが、塩酸又は硝酸の中和
、インジウムの水酸化物析出のための中和とに分けて行
なった方が好ましい。塩酸又は硝酸の中和に用いるアル
カリの濃度は制限されないが、処理液量の増加を防止し
、生産効率を良くするには、高濃度のアルカリが好まし
い。ここで言う高濃度のアルカリとは、例えば5規定以
上の濃度のものである。塩酸又は硝酸の中和は、pHO
〜3の範囲で終了とする。但し硝酸溶液を処理する場合
はpHO〜1.5の範囲で終了とすることが好ましい。
The neutralization method for adjusting the pH of a hydrochloric acid or nitric acid aqueous solution containing indium is not particularly limited, but it is preferable to carry out the neutralization separately for hydrochloric acid or nitric acid and neutralization for precipitation of indium hydroxide. . Although the concentration of the alkali used for neutralizing hydrochloric acid or nitric acid is not limited, a high concentration of alkali is preferable in order to prevent an increase in the amount of treated liquid and improve production efficiency. The high-concentration alkali mentioned here is, for example, one with a concentration of 5 normal or higher. Neutralization of hydrochloric acid or nitric acid is performed using pHO
It will end in the range of ~3. However, when treating a nitric acid solution, it is preferable to finish the treatment at a pH of 1.5 to 1.5.

この塩酸又は硝酸の中和を終了した時点のpHから更に
pHを上昇させるためにアルカリを添加する工程をイン
ジウムの水酸化物析出のための中和という。
The process of adding alkali to further raise the pH from the pH at the end of neutralization with hydrochloric acid or nitric acid is called neutralization for precipitation of indium hydroxide.

塩酸又は硝酸の中和の際、中和熱により液温の上昇が起
こるため、インジウムの水酸化物析出のための中和に移
る前に、液温を下げることが好ましい。高温のままイン
ジウムの水酸化物析出のための中和を行なうと生成した
インジウムの水酸化物がゲル状になり濾過性が極めて悪
くなる。したがって、インジウムの水酸化物析出のため
の中和は、5〜BO℃で行なうことが好ましく、特に5
〜85℃が好ましい。
During neutralization with hydrochloric acid or nitric acid, the temperature of the solution increases due to the heat of neutralization, so it is preferable to lower the temperature of the solution before proceeding to neutralization for precipitation of indium hydroxide. If neutralization is carried out to precipitate indium hydroxide at a high temperature, the produced indium hydroxide will become gel-like, resulting in extremely poor filterability. Therefore, neutralization for precipitation of indium hydroxide is preferably carried out at 5 to BO°C, particularly at 5°C to BO°C.
~85°C is preferred.

また、還元剤の添加は、塩酸又は硝酸の中和が終了し、
インジウムの水酸化物析出のための中和を行なう前が好
ましい。還元剤を添加してから、長時間経過すると、還
元された金属イオンが水溶液中の溶存酸素により酸化さ
れるため、還元剤添加の効果が減少する。
In addition, the addition of the reducing agent is carried out after the neutralization of hydrochloric acid or nitric acid is completed.
It is preferable to perform the neutralization for precipitation of indium hydroxide. If a long time elapses after adding the reducing agent, the reduced metal ions will be oxidized by dissolved oxygen in the aqueous solution, and the effect of adding the reducing agent will decrease.

還元剤を添加した後、再びアルカリを添加し、インジウ
ムの水酸化物の生成を行なう。この際のアルカリの添加
は、酸を所定のpHまで中和したインジウムを含む水溶
液が塩酸水溶液の場合、そのpHが8〜5の範囲になる
まで行うことが好ましく特に3.5〜4.5の範囲とす
ることが好ましい。又、同じく硝酸水溶液の場合、その
pHが1.5〜3.5の範囲になるまで行うことが好ま
しく特に2〜3の範囲とすることが好ましい。このpH
が高過ぎると、鉄等の不純物がインジウムと共沈し、p
Hが低過ぎるとインジウムの水酸化物生成効率が低くな
る。
After adding the reducing agent, alkali is added again to generate indium hydroxide. When the aqueous solution containing indium that has been neutralized to a predetermined pH is a hydrochloric acid aqueous solution, it is preferable to add the alkali until the pH reaches a range of 8 to 5, particularly 3.5 to 4.5. It is preferable to set it as the range of. Similarly, in the case of a nitric acid aqueous solution, it is preferable to carry out the reaction until the pH is in the range of 1.5 to 3.5, particularly preferably in the range of 2 to 3. This pH
If is too high, impurities such as iron will co-precipitate with indium, and p
If H is too low, the indium hydroxide production efficiency will be low.

添加するアルカリの濃度は、低濃度が好ましく、5規定
以下のものが好ましい。このアルカリの濃度が高過ぎる
と、生成するインジウムの水酸化物中に不純物が混入し
得られるインジウム純度の低下を招く。
The concentration of the alkali added is preferably low, and preferably 5N or less. If the concentration of this alkali is too high, impurities will be mixed into the indium hydroxide produced, resulting in a decrease in the purity of the indium obtained.

次に、得られたインジウムの水酸化物を含むスラリーか
らインジウムの水酸化物を分離回収する。
Next, indium hydroxide is separated and recovered from the obtained slurry containing indium hydroxide.

この分離には、通常の装置、例えば、遠心分離器、ベル
トフィルター、ドラムフィルター等を用いることができ
る。インジウムの水酸化物の濾過性は極めて良く、短時
間で容易に固液分離できる。
For this separation, conventional equipment such as centrifuges, belt filters, drum filters, etc. can be used. Indium hydroxide has extremely good filterability and can be easily separated into solid and liquid in a short time.

得られたインジウムの水酸化物は、純水、希酸の水溶液
又はアスコルビン酸等の還元剤を含む水溶液を用い洗浄
することが好ましい。希酸の水溶液又は還元剤を含む水
溶液で洗浄した場合、インジウムの水酸化物に付着した
インジウム以外の金属塩を容易に除去することができ、
又、純水中の溶存酸素による酸化反応を防止することが
できる。
The obtained indium hydroxide is preferably washed using pure water, an aqueous solution of a dilute acid, or an aqueous solution containing a reducing agent such as ascorbic acid. When cleaning with a dilute acid aqueous solution or an aqueous solution containing a reducing agent, metal salts other than indium attached to indium hydroxide can be easily removed.
Furthermore, oxidation reactions caused by dissolved oxygen in pure water can be prevented.

このようにして得られたインジウムの水酸化物は、乾燥
、焼成して酸化インジウムとすることもできる。又、更
に高純度のインジウムとして回収するには、得られた水
酸化物を酸に溶解して電解析出法によりインジウム金属
として回収しても良く、イオン交換法や溶媒抽出法によ
っても良い。
The indium hydroxide thus obtained can be dried and fired to form indium oxide. Further, in order to recover indium of higher purity, the obtained hydroxide may be dissolved in an acid and recovered as indium metal by electrolytic deposition, or ion exchange or solvent extraction may be used.

例えば、イオン交換法を利用する場合は、得られたイン
ジウムの水酸化物ケーキを酸に溶解し、イオン交換搭へ
の吸着液とする。ここで用いる酸の種類は、塩酸、硫酸
、硝酸等である。このようにして得たインジウムを含む
吸着液をイオン交換搭に供給する。ここで用いるイオン
交換樹脂は、スルホン酸基を有するものであればよく、
例えば、市販の商品名「アンバーライト252Jrアン
バーライトIl?−120BJ  rダイヤイオン5K
IBJ等の樹脂が挙げられるが、マクロポーラス型であ
る「アンバーライト252」等が好ましい。これらのイ
オン交換樹脂のスルホン酸基の対イオンは、プロトン、
アンモニウムイオン等が好ましく特にプロトンが好まし
い。これらの対イオンを使用した場合、不純物の混入量
が少なく、プロトンを使用した場合、インジウムと他金
属イオンの分離性が極めてよい。
For example, when using an ion exchange method, the obtained indium hydroxide cake is dissolved in an acid and used as an adsorption liquid for an ion exchange column. The types of acids used here include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, etc. The indium-containing adsorbent thus obtained is supplied to an ion exchange column. The ion exchange resin used here may be one having a sulfonic acid group,
For example, the commercially available product name “Amberlight 252Jr Amberlight Il?-120BJ r Diamond Ion 5K
Examples include resins such as IBJ, but macroporous type "Amberlite 252" and the like are preferred. The counter ion of the sulfonic acid group of these ion exchange resins is proton,
Ammonium ions and the like are preferred, and protons are particularly preferred. When these counterions are used, the amount of impurities mixed in is small, and when protons are used, the separation of indium and other metal ions is extremely good.

スルホン酸基の対イオンの変換は、例えば、塩酸等の酸
をイオン交換搭に供給し、調整することによりプロトン
型に容易に変換することができる。
The counter ion of the sulfonic acid group can be easily converted into a proton type by supplying and adjusting an acid such as hydrochloric acid to an ion exchange column.

この際のイオン交換法の操作手順としては、まず、イオ
ン交換搭に塩酸等の酸を通液して調整を行ない、次いで
、インジウムを含む吸着液を通液してイオン交換搭上部
にインジウムの吸着帯を形成させ、水洗し、その後、錯
形成剤の水溶液をイオン交換搭上部より通液し、溶離を
行なう。ここで用いる錯形成剤としてはエチレンジアミ
ン四酢酸(EDTA)、N−ヒドロキシエチルエチレン
ヂアミン三酢酸(HEDT^〉、ニトリロ酢酸(NTA
)等が挙げられるが、EDTAが分離性が良く好ましい
The operating procedure for the ion exchange method at this time is to first conduct adjustment by passing an acid such as hydrochloric acid through the ion exchange column, then pass an adsorption solution containing indium through the ion exchange column to deposit indium onto the top of the ion exchange column. An adsorption zone is formed, washed with water, and then an aqueous solution of a complex forming agent is passed through the top of the ion exchange column for elution. The complex forming agents used here are ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), N-hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid (HEDT), and nitriloacetic acid (NTA).
), but EDTA is preferred because of its good separability.

これらの錯形成剤水溶液をイオン交換搭の上部より通液
することによりイオン交換塔下部より精製されたインジ
ウムの錯形成剤水溶液が得られる。
By passing these complexing agent aqueous solutions from the upper part of the ion exchange tower, a purified indium complexing agent aqueous solution is obtained from the lower part of the ion exchange tower.

得られた溶液からインジウムを水酸化物や蓚酸塩等とし
て回収し、これを焼成することにより高純度酸化インジ
ウムを得ることができる。
High-purity indium oxide can be obtained by recovering indium as hydroxide, oxalate, etc. from the obtained solution and firing the recovered indium.

このように容易に高純度化できるのは、本発明によりイ
ンジウムの精製が充分に行なわれているためである。
The reason why indium can be purified so easily is that indium is sufficiently purified according to the present invention.

次に、インジウム金属として回収する場合、インジウム
の水酸化物を酸に溶解する。ここで使用する酸は、塩酸
、硝酸、硫酸等の無機酸でも良く、ギ酸、クエン酸、酒
石酸等の有機酸でも良い。このようなインジウムを含む
酸水溶液を電解液としてインジウムを電解採取する。こ
の際の電解液のpHは高い程操作中の水素発生を抑制す
ることができ、電流効率を向上させることができるが、
pHが必要以上に高過ぎると、インジウムの加水分解が
起こるので、インジウム以外の金属イオン濃度にもよる
が、電解液のpHは0〜3.5が好ましい。又、電解温
度は室温から使用する電解液の沸点以下の範囲で行なう
ことができるが、一般に金属の酸に対する溶解速度は温
度が高いほど速いため、低い温度で電解を行なう方が効
率的である。好ましくは、室温から60℃の範囲で電解
を行なうのがよい。
Next, when recovering indium metal, indium hydroxide is dissolved in acid. The acid used here may be an inorganic acid such as hydrochloric acid, nitric acid, or sulfuric acid, or an organic acid such as formic acid, citric acid, or tartaric acid. Indium is electrolytically extracted using such an acid aqueous solution containing indium as an electrolyte. The higher the pH of the electrolyte at this time, the more hydrogen generation can be suppressed during operation, and the current efficiency can be improved.
If the pH is too high than necessary, hydrolysis of indium will occur, so the pH of the electrolytic solution is preferably 0 to 3.5, although it depends on the concentration of metal ions other than indium. In addition, electrolysis can be carried out at a temperature ranging from room temperature to below the boiling point of the electrolyte used, but generally the higher the temperature, the faster the dissolution rate of metals in acids, so it is more efficient to carry out electrolysis at a lower temperature. . Preferably, electrolysis is carried out at a temperature ranging from room temperature to 60°C.

インジウムを電着回収する陰極はインジウム金属が好ま
しく、電着した陰極はそのままインゴットとすることが
できる。また、陽極は、電解液に侵されないものであれ
ば何れでも使用できるが、耐久性の面から、白金、黒鉛
の使用が好ましい。
The cathode for recovering indium by electrodeposition is preferably indium metal, and the electrodeposited cathode can be made into an ingot as it is. Further, as the anode, any material can be used as long as it is not corroded by the electrolytic solution, but from the viewpoint of durability, it is preferable to use platinum or graphite.

しかし、電解槽がアニオン交換膜で仕切られている場合
、陽極から溶解した金属イオンの影響を受けないため、
陽極は溶解性のものでもよい。
However, if the electrolytic cell is partitioned with an anion exchange membrane, it will not be affected by the metal ions dissolved from the anode.
The anode may be soluble.

[発明の効果] 本発明によればインジウムを純度良く精製でき、得られ
るインジウムの水酸化物は濾過性に優れ、濾過操作も容
易である。又、本発明で得られるインジウムの水酸化物
は、イオン交換法、電解析出法等により容易に高純度(
99,9%以上)インジウム金属及び/又インジウム化
合物を得ることができる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, indium can be purified to a high degree of purity, and the resulting indium hydroxide has excellent filterability and is easy to filter. In addition, the indium hydroxide obtained in the present invention can be easily purified to high purity (
99.9% or more) indium metal and/or indium compounds can be obtained.

[実施例] 以下本発明、の実施例、比較例及び参考例を示すが、本
発明はこれらに限定されるものでない。
[Examples] Examples, comparative examples, and reference examples of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

実施例1 撹拌機を備えた11のセパラブルフラスコに36X塩酸
水溶液IIとスクラップITOターゲット200gと塩
安107g入れ、80℃で3時間撹拌しターゲットを溶
解した。得られた溶解液を濾過し、残留物を取除き組成
を分析した結果、 塩酸濃度:  8.5o+oj / jIn    :
  1.14 Ioi / ISn    : lo、
1m IIoi/ J!(:a:  1.1tx mo
l / JZr    :  1.9m IOJ / 
jPe    :  0.8i mo1/ INa  
  :  8  mmoj/J!であった。
Example 1 A 36X hydrochloric acid aqueous solution II, 200 g of a scrap ITO target, and 107 g of ammonium chloride were placed in an 11 separable flask equipped with a stirrer, and the mixture was stirred at 80° C. for 3 hours to dissolve the target. The obtained solution was filtered to remove the residue and the composition was analyzed. Hydrochloric acid concentration: 8.5o+oj/jIn:
1.14 Ioi/ISn: lo,
1m IIoi/J! (:a: 1.1tx mo
l/JZr: 1.9m IOJ/
jPe: 0.8i mo1/INa
: 8 mmoj/J! Met.

このターゲット溶解液100−を撹拌機を備えた500
dのセパラブルフラスコにとり、28%アンモニア水を
添加し、pHを2.5に調整した。その後放冷し液温を
25℃とした。次にこの溶液を撹拌しながらアスコルビ
ン酸を0.41g添加し、続いて1.4%アンモニア水
を添加し溶液のpHを4,2に調節してインジウムの水
酸化物を生成した。この時の温度は30℃であった。次
に、No、5Cの濾紙で吸引濾過し水洗した後インジウ
ムの水酸化物を得た。濾過性は非常に良く濾液中のイン
ジウム量からインジウム回収率は97%と推定された。
This target solution solution 100-500 was heated using a stirrer.
d was placed in a separable flask, and 28% ammonia water was added thereto to adjust the pH to 2.5. Thereafter, it was allowed to cool to a liquid temperature of 25°C. Next, 0.41 g of ascorbic acid was added to this solution while stirring, and then 1.4% ammonia water was added to adjust the pH of the solution to 4.2 to produce indium hydroxide. The temperature at this time was 30°C. Next, after suction filtration with No. 5C filter paper and washing with water, indium hydroxide was obtained. The filtration performance was very good, and the indium recovery rate was estimated to be 97% based on the amount of indium in the filtrate.

得られたケーキを塩酸に再溶解し誘導結合プラズマ発光
分光分析装置によりインジウム以外の金属元素を分析し
たところ酸化インジウムに対してSnが3500ppm
 、 Caが10ppm 、Feが90ppISzrが
300ppIISNaが10ppm含まれていた。ただ
し、Naは原子吸光分析装置にて測定した。
The obtained cake was redissolved in hydrochloric acid and analyzed for metal elements other than indium using an inductively coupled plasma emission spectrometer, and it was found that Sn was 3500 ppm relative to indium oxide.
, 10 ppm of Ca, 90 ppm of Fe, 300 ppm of ISzr, and 10 ppm of ISNa. However, Na was measured using an atomic absorption spectrometer.

実施例2 撹拌機を備え付けたljのセパラブルフラスコに60%
硝酸水溶液1jとスクラップITOターゲット200g
を入れ、80℃で10時間撹拌しターゲットを溶解した
。得られた溶解液を濾過し、残留物を取除き組成を分析
した結果、 In       :   1.114 5oil  
/  jSn     :  0.3m vIol /
 iCa     :  l  ml1oJ!/jZr
     :  1.7IlioJ / iFe   
  :  0.8i moj / INa     :
  2.liIImol / 1であった。
Example 2 60% in a lj separable flask equipped with a stirrer
1j of nitric acid aqueous solution and 200g of scrap ITO target
was added and stirred at 80°C for 10 hours to dissolve the target. The obtained solution was filtered to remove the residue, and the composition was analyzed. As a result, In: 1.114 5 oil
/ jSn : 0.3m vIol /
iCa: lml1oJ! /jZr
: 1.7IlioJ/iFe
: 0.8i moj/INa:
2. It was liIImol/1.

このターゲット溶解液100ijを撹拌機を備えた50
0mAのセパラブルフラスコにとり、28%アンモニア
水を添加し、pHをlに調整した。その後放冷し液温を
25℃とした。次にこの溶液を撹拌しながらアスコルビ
ン酸を0.1g添加し、続いて1.4%アンモニア水を
添加し溶液のpHを3.2に調節してインジウムの水酸
化物を生成した。この時の温度は、30℃であった。次
に、No、5Gの濾紙で吸引濾過し、水洗した後インジ
ウムの水酸化物を得た。濾過性は非常に良く、濾液中の
インジウム量からインジウム回収率は97%と推定され
た。得られたケーキを塩酸に再溶解し、実施例1と同様
に、インジウム以外の金属元素を分析したところ酸化イ
ンジウムに対してSnが30ppm % Caが1Op
pa+ 、 reが95ppm 。
100 ij of this target solution was added to a 50 liter tube equipped with a stirrer.
The mixture was placed in a 0 mA separable flask, and 28% aqueous ammonia was added to adjust the pH to 1. Thereafter, it was allowed to cool to a liquid temperature of 25°C. Next, 0.1 g of ascorbic acid was added to this solution while stirring, and then 1.4% ammonia water was added to adjust the pH of the solution to 3.2 to produce indium hydroxide. The temperature at this time was 30°C. Next, suction filtration was performed using No. 5G filter paper, and after washing with water, indium hydroxide was obtained. The filterability was very good, and the indium recovery rate was estimated to be 97% based on the amount of indium in the filtrate. The obtained cake was redissolved in hydrochloric acid and analyzed for metal elements other than indium in the same manner as in Example 1. Sn was 30 ppm % and Ca was 1 Op with respect to indium oxide.
pa+, re is 95 ppm.

2「が310ppiSNaが8ppm含まれていた。2" contained 310ppiSNa at 8ppm.

比較例1 実施例1のターゲット溶解液10hjを使って、アスコ
ルビン酸を添加しなかった以外は実施例1と同様に実験
を行なったところ、得られたインジウムの水酸化物中に
酸化インジウムに対してSnが3500ppm 、 C
aが10ppm % Feが700ppm、 Zrが3
00ppa+。
Comparative Example 1 An experiment was conducted in the same manner as in Example 1 using 10hj of the target solution of Example 1, except that ascorbic acid was not added. Sn is 3500ppm, C
a is 10ppm% Fe is 700ppm, Zr is 3
00ppa+.

Naがloppm含まれていた。It contained loppm of Na.

比較例2 実施例1のターゲット溶解液100a+J!を撹拌機を
備えた5001Iiのセパラブルフラスコにとり、28
%アンモニア水を添加しpHを2.5に調整した。その
後放冷し液温を25℃とした。次にこの溶液を撹拌しな
がらアスコルビン酸を0.41g添加し、続いて1.4
%アンモニア水を添加し、溶液のpHを2.9に調節し
たがインジウムの水酸化物は生成しなかった。
Comparative Example 2 Target solution 100a+J of Example 1! into a 5001Ii separable flask equipped with a stirrer, and add 28
% ammonia water was added to adjust the pH to 2.5. Thereafter, it was allowed to cool to a liquid temperature of 25°C. Next, while stirring this solution, 0.41 g of ascorbic acid was added, followed by 1.4 g of ascorbic acid.
% ammonia water was added to adjust the pH of the solution to 2.9, but no indium hydroxide was produced.

比較例3 実施例1のターゲット溶解液100111を使って、イ
ンジウムの水酸化物生成時、1.4%アンモニア水をイ
ンジウム溶液のpHが6,5になるまで添加した以外は
実施例1と同様に実験を行なったところ、得られたイン
ジウムの水酸化物中に酸化インジウムに対してSnが4
000ppm 、Caが50ppIISFeが700p
pm、 Zrが700ppm、 Naがlippm含ま
れていた。
Comparative Example 3 Same as Example 1 except that 1.4% ammonia water was added until the pH of the indium solution reached 6.5 when indium hydroxide was generated using the target solution 100111 of Example 1. When an experiment was conducted, it was found that Sn was 4% relative to indium oxide in the obtained indium hydroxide.
000ppm, Ca 50ppIISFe 700p
It contained 700 ppm of Zr, and lippm of Na.

比較例4 実施例2のターゲット溶解液100sjを使ってをアス
コルビン酸を添加しなかった以外は実施例1と同様な実
験を行なったところ、得られたインジウムの水酸化物中
に酸化インジウムに対してSnが35ppm 、Caが
lOppw SPeが720pHSZrが310ppI
l。
Comparative Example 4 An experiment similar to Example 1 was conducted using 100sj of the target solution of Example 2, except that ascorbic acid was not added. Sn is 35ppm, Ca is lOppw, SPe is 720pHSZr is 310ppI
l.

NaがlOppmが含まれていた。It contained lOppm of Na.

比較例5 実施例2のターゲット溶解液100dを撹拌機を備え付
けた5001J!のセパラブルフラスコにとり、28%
アンモニア水を添加しPHをlに調整した。その後放冷
し液温を25℃とした。次にこの溶液を撹拌しながらア
スコルビン酸を0.41g添加し続いて1.4%アンモ
ニア水を添加し溶液のpi(を14に調節したがインジ
ウムの水酸化物は生成しなかった。
Comparative Example 5 100d of the target solution of Example 2 was added to 5001J equipped with a stirrer! Transfer to a separable flask and add 28%
Aqueous ammonia was added to adjust the pH to 1. Thereafter, it was allowed to cool to a liquid temperature of 25°C. Next, 0.41 g of ascorbic acid was added to this solution while stirring, and then 1.4% ammonia water was added to adjust the pi of the solution to 14, but no indium hydroxide was produced.

比較例6 実施例2のターゲット溶解液の1000を使って、イン
ジウムの水酸化物生成時1.4%アンモニア水をインジ
ウム溶液のPHが6,5になるまで添加した以外は実施
例2と同様に実験を行なったところ、得られたインジウ
ムの水酸化物中に酸化インジウムに対してSnが40p
pm 、 Caが55ppIl、 Paが7LOppm
Comparative Example 6 Same as Example 2 except that 1000 of the target solution of Example 2 was used and 1.4% ammonia water was added until the pH of the indium solution reached 6.5 when indium hydroxide was generated. When an experiment was conducted, it was found that the obtained indium hydroxide contained 40p of Sn relative to the indium oxide.
pm, Ca is 55ppIl, Pa is 7LOppm
.

Zrが7301)I)II、 Haが10pp11が含
まれていた。
It contained 7301)I)II for Zr and 10pp11 for Ha.

参考例1 陽極も陰極も金属インジウムを電極とし、隔膜として東
ソー株式会社製のフッ素系アニオン交換膜5P−34を
配した電解槽において陽極側の電解液を20%ギ酸水溶
液、陰極側の電解液を実施例1と同様の操作を行なって
インジウムの水酸化物ケーキを生成させ、該ケーキを2
0Xギ酸水溶液に溶解して得られたものを使用して電解
を行なった。
Reference Example 1 In an electrolytic cell with metal indium as electrodes for both the anode and cathode and a fluorine-based anion exchange membrane 5P-34 manufactured by Tosoh Corporation as a diaphragm, the electrolyte on the anode side was a 20% formic acid aqueous solution and the electrolyte on the cathode side was was carried out in the same manner as in Example 1 to produce an indium hydroxide cake, and the cake was converted into 2
Electrolysis was performed using the product obtained by dissolving in 0X formic acid aqueous solution.

電解温度は25℃で、電流密度は20ffiA/cI1
12とした。電解中、極間電圧は安定しており、陽極側
の電流効率は105%、陰極側の電流効率は98%であ
った。陽極側の電流効率が100%以上になるのは金属
インジウムの自然溶解の為である。
Electrolysis temperature was 25℃, current density was 20ffiA/cI1
It was set to 12. During electrolysis, the voltage between the electrodes was stable, the current efficiency on the anode side was 105%, and the current efficiency on the cathode side was 98%. The reason why the current efficiency on the anode side is 100% or more is due to the natural dissolution of metallic indium.

次に、陰極に析出した金属インジウムを塩酸に溶解し、
・不純物の含有量をICPで調べたところ、インジウム
に対してスズが340ppm、カルシウム、鉄、ジルコ
ニアが各々10pH以下であり、3Nのインジウム金属
の回収が可能であった。一方、陽極室の電解液を加熱濃
縮しインジウムのギ酸塩を生成させ、次いで、得られた
インジウムのギ酸塩を700℃、5時間焼成することに
より平均粒径0.2μmの酸化インジウムかえられた。
Next, the metallic indium deposited on the cathode is dissolved in hydrochloric acid,
- When the content of impurities was examined by ICP, the pH of tin was 340 ppm relative to indium, and the pH of each of calcium, iron, and zirconia was 10 or less, and it was possible to recover 3N indium metal. On the other hand, the electrolyte in the anode chamber was heated and concentrated to produce indium formate, and the obtained indium formate was then calcined at 700°C for 5 hours to obtain indium oxide with an average particle size of 0.2 μm. .

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] インジウムを含む塩酸又は硝酸水溶液を還元処理し、次
いでこの水溶液のpHを2〜5に調節し水溶液中のイン
ジウム成分を分離することを特徴とするインジウムの回
収法。
A method for recovering indium, which comprises reducing an aqueous solution of hydrochloric acid or nitric acid containing indium, adjusting the pH of the aqueous solution to 2 to 5, and separating the indium component in the aqueous solution.
JP1217298A 1989-08-25 1989-08-25 Method for recovering indium Pending JPH0382720A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1217298A JPH0382720A (en) 1989-08-25 1989-08-25 Method for recovering indium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1217298A JPH0382720A (en) 1989-08-25 1989-08-25 Method for recovering indium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0382720A true JPH0382720A (en) 1991-04-08

Family

ID=16701947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1217298A Pending JPH0382720A (en) 1989-08-25 1989-08-25 Method for recovering indium

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0382720A (en)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543031A (en) * 1994-08-19 1996-08-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for recovering indium by electrowinning and apparatus therefor
JP2001098335A (en) * 1999-08-05 2001-04-10 Anglo American Platinum Corp Ltd Separation of platinum group metal
JP2001348632A (en) * 2000-06-09 2001-12-18 Nikko Materials Co Ltd Method for recovering indium
JP2002069684A (en) * 2000-08-28 2002-03-08 Nikko Materials Co Ltd Method for recovering indium
JP2002201026A (en) * 2000-12-28 2002-07-16 Nikko Materials Co Ltd Method for recovering indium
KR20040042696A (en) * 2002-11-15 2004-05-20 주식회사 씨에스 이엔지 Method for withdrawing indium from waste-ITO target
KR20040048662A (en) * 2002-12-04 2004-06-10 주식회사 씨에스 이엔지 Method for withdrawing indium from waste-ITO target by using nitric acid
US6846470B2 (en) 2001-02-06 2005-01-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Methods for producing indium-containing aqueous solutions containing reduced amounts of metal impurities
JP2005314786A (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Method for collecting indium
JP2006241479A (en) * 2005-02-28 2006-09-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Method for producing indium-containing metal
JPWO2006006497A1 (en) * 2004-07-09 2008-04-24 株式会社アクアテック Indium adsorbent and method for fractionating indium
WO2008053616A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008053617A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008053618A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008053619A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008099774A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metal from scrap containing conductive oxide
WO2008099773A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Methods of recovering valuable metal from scrap containing electrically conductive oxide
WO2008117649A1 (en) 2007-03-27 2008-10-02 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metal from scrap containing conductive oxide
JP2008240090A (en) * 2007-03-28 2008-10-09 Dowa Metals & Mining Co Ltd Indium recovery method
WO2009101864A1 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metals from izo scrap
WO2009101863A1 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metals from izo scrap
WO2009110149A1 (en) 2008-03-06 2009-09-11 日鉱金属株式会社 Process for recovery of valuable metals from scrap izo
CN110042436A (en) * 2019-04-06 2019-07-23 柳州呈奥科技有限公司 A kind of phosphide material processing electrolysis process of enriching
CN110042435A (en) * 2019-04-06 2019-07-23 柳州呈奥科技有限公司 A kind of electrolytic refining process of phosphide material preparation

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5543031A (en) * 1994-08-19 1996-08-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for recovering indium by electrowinning and apparatus therefor
JP2001098335A (en) * 1999-08-05 2001-04-10 Anglo American Platinum Corp Ltd Separation of platinum group metal
JP2001348632A (en) * 2000-06-09 2001-12-18 Nikko Materials Co Ltd Method for recovering indium
JP2002069684A (en) * 2000-08-28 2002-03-08 Nikko Materials Co Ltd Method for recovering indium
JP2002201026A (en) * 2000-12-28 2002-07-16 Nikko Materials Co Ltd Method for recovering indium
JP4549527B2 (en) * 2000-12-28 2010-09-22 日鉱金属株式会社 Indium recovery method
US6846470B2 (en) 2001-02-06 2005-01-25 Sumitomo Chemical Company, Limited Methods for producing indium-containing aqueous solutions containing reduced amounts of metal impurities
KR20040042696A (en) * 2002-11-15 2004-05-20 주식회사 씨에스 이엔지 Method for withdrawing indium from waste-ITO target
KR20040048662A (en) * 2002-12-04 2004-06-10 주식회사 씨에스 이엔지 Method for withdrawing indium from waste-ITO target by using nitric acid
JP2005314786A (en) * 2004-03-31 2005-11-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Method for collecting indium
JPWO2006006497A1 (en) * 2004-07-09 2008-04-24 株式会社アクアテック Indium adsorbent and method for fractionating indium
JP4843491B2 (en) * 2004-07-09 2011-12-21 株式会社アクアテック Indium adsorbent and method for fractionating indium
US7611631B2 (en) * 2004-07-09 2009-11-03 Aquatech Corporation Indium adsorbent and indium fractioning method
JP2006241479A (en) * 2005-02-28 2006-09-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Method for producing indium-containing metal
WO2008053617A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008053619A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008053618A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008053616A1 (en) 2006-10-24 2008-05-08 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for collection of valuable metal from ito scrap
WO2008099774A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metal from scrap containing conductive oxide
WO2008099773A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Methods of recovering valuable metal from scrap containing electrically conductive oxide
WO2008117649A1 (en) 2007-03-27 2008-10-02 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metal from scrap containing conductive oxide
JP2008240090A (en) * 2007-03-28 2008-10-09 Dowa Metals & Mining Co Ltd Indium recovery method
WO2009101864A1 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metals from izo scrap
WO2009101863A1 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of recovering valuable metals from izo scrap
WO2009110149A1 (en) 2008-03-06 2009-09-11 日鉱金属株式会社 Process for recovery of valuable metals from scrap izo
CN110042436A (en) * 2019-04-06 2019-07-23 柳州呈奥科技有限公司 A kind of phosphide material processing electrolysis process of enriching
CN110042435A (en) * 2019-04-06 2019-07-23 柳州呈奥科技有限公司 A kind of electrolytic refining process of phosphide material preparation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0382720A (en) Method for recovering indium
JP3879126B2 (en) Precious metal smelting method
KR101155359B1 (en) Method for collection of valuable metal from ito scrap
KR20090055651A (en) Method for collection of valuable metal from ito scrap
TWI428451B (en) Valuable metal recovery method from lead-free waste solder
JP4519294B2 (en) Indium recovery method
JP2023103941A (en) Method for recovering lithium from waste lithium ion battery
CN114540641A (en) Low-cost efficient open circuit and resource utilization method for arsenic in copper electrolysis
JP3151182B2 (en) Copper electrolyte cleaning method
CN113636672A (en) Method for recovering nickel-containing wastewater
JP5200588B2 (en) Method for producing high purity silver
JP4515804B2 (en) Method for recovering metallic indium by electrowinning
US4265718A (en) Method for producing hydroxylated nickel compounds
JP2791161B2 (en) Method for recovering silver from silver-containing nitric acid solution
CN117897508A (en) Method for recovering lithium from waste lithium ion battery
JP4663053B2 (en) Indium recovery method
JP3933869B2 (en) Method for recovering indium hydroxide or indium
JP2777955B2 (en) Desilvering or silver recovery method
CN111099652B (en) Method for separating silver and copper in silver electrolysis waste liquid
US3755110A (en) Process for the recovery of mercury from the brine filter sludge obtained in the electrolysis of alkali metal chlorides by the amalgam process
EP0192426A2 (en) Removal of sodium ions from alkaline aqueous solutions by means of an electrolytic membrane process
JPH0375224A (en) Method for purifying aqueous solution of indium
JP3043437B2 (en) Method for producing chromic acid
JPH0375223A (en) Recovery of indium
CN114959306B (en) Method for recycling lithium from lithium precipitation mother liquor by closed cycle method