JPH0380538B2 - - Google Patents

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JPH0380538B2
JPH0380538B2 JP58031791A JP3179183A JPH0380538B2 JP H0380538 B2 JPH0380538 B2 JP H0380538B2 JP 58031791 A JP58031791 A JP 58031791A JP 3179183 A JP3179183 A JP 3179183A JP H0380538 B2 JPH0380538 B2 JP H0380538B2
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gas
moving
granules
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は粒体の加熱処理方法およびその装置に
関する。 さらに、詳しくは本発明は例えば使用済触媒粒
子あるいは使用済吸着剤等の表面に付着あるいは
吸着した物質で、燃焼あるいは蒸発等の加熱処理
により除去可能な物質(例えばカーボン、イオ
ウ、水分、揮発性物質等)を加熱除去し、有効粒
体の再生および回収を行なうための加熱処理方法
およびそのための装置に関するものである。 従来流動層を用いた粒体の連続加熱方法とし
て、被加熱粒体の移動層に加熱ガス等の流体加熱
媒体を直接接触させて加熱する直接加熱方式や、
あるいは被加熱移動層の外側から、ジヤケツト等
の中を流れる流体加熱媒体もしくは二重管の外側
に導入する流体加熱媒体等によつて加熱する間接
加熱方式が採用されている。 しかしながら前者の直接加熱方法は伝熱効率
(あるいは加熱効率)に優れている反面、移動層
内粒子の移動に関し種々の弊害(例えば、移動層
内に粒子と粒子の付着等による粒塊の発生とその
成長とによる、ブロツキング現象が発生し粒子の
移動が阻害されること。あるいは加熱ガス体等の
加熱媒体が局部的に移動層内を流れるいわゆるチ
ヤネリング現象等により移動層の均一加熱が不可
能となり伝熱効率の低下をきたす等)のために使
用に際しては制限があつた。 又後者の間接加熱方式では伝熱効率の面で伝熱
面積を大きくせざるをえず装置上制限がある上
に、一般に粒子の有効熱伝導度が小さいために伝
熱効率(あるいは加熱効率)が悪く、かつ移動層
全体を均一に加熱することが困難であつた。 本発明は、上記に記述した従来方法の長所を最
大限に利用すると共に、短所を除去した極めて簡
単かつ効果的な処理方法と、その実施に直接使用
する装置を提供しようとするものである。 本発明によれば、接触容器内で上部から供給さ
れた粒体と底部から導入された加熱ガスとを接触
させることにより粒体を加熱処理する方法におい
て、 (1) 該粒体を、複数個の漏斗支持板で接触容器を
区画することにより形成した多段の移動層部を
順次上段から下段へと移動せしめ、このさい各
移動層部に設けた多孔板を経由して下降させる
ことにより粒体のブロツキングを防止し、 (2) 一方、該加熱ガスを、最下段の移動層部から
順次上段の移動層部へと上昇させて各移動層部
内で粒体と接触せしめ、このさい各下段の移動
層部のガス層から各上段の移動層部に設けたガ
ス分散板にまで通ずる各ガス管を経由して加熱
ガスを供給することにより、各上段の移動層部
に導入される加熱ガスを分散させ、 (3) 上記の各ガス管に設けた各熱交換器により、
該ガス管を経由して各上段の移動層部に導入さ
れる加熱ガスの温度を維持するか又は昇温ある
は降温し、それによつて各移動層部における粒
体の加熱処理温度を同一もしくは互いに異なる
所定の温度に保持する、 ことを特徴とする粒体の加熱処理方法が提供され
る。 更に、本発明によれば、下方に移動する粒体と
下方から上昇する加熱ガスとを接触させる接触容
器と、該接触容器の上部に粒体を供給するホツパ
ーとから成る粒体の加熱処理装置において、 (1) 接触容器の上部に、ホツパーと連通し且つ粒
体の供給を制御する手段を備えた粒体供給管、
および粒体との接触を完了した加熱ガスを接触
容器外に取り出すためのガス抜出管を設置し、 (2) 接触容器をコーン部と脚管とを有する複数個
の漏斗型支持板で区画して、各漏斗型支持板の
上部に、粒子の移動層とその上のガス層とより
なる移動層部をそれぞれ形成させ、且つ最低市
の漏斗型支持板と接触容器の底部との間にガス
保持室を形成させ、 (3) 各段の移動層部の粒子の移動層のそれぞれ
に、断面が鋭角の頂角をもつ三角形である棧で
構成した多孔板よりなる一枚もしくは複数枚の
ブロツキング防止板を頂角が上向きになるよう
に設置し、 (4) 最下段の移動層部以外の各移動層部では、該
ブロツキング防止板のうち最下部のブロツキン
グ防止板の下面の中心にそれぞれカサ状のガス
分散板を末広側を下向きにして設置し、更にそ
れらの各ガス分散板の下部とその直ぐ下段の移
動層部のガス層とを連通し且つ熱交換器を備え
たガス管をそれぞれ設置し、 (5) 接触容器の底部に、前記のガス保持室に加熱
ガスを供給するための加熱ガス供給管、および
接触容器からの粒体の排出を制御する手段を備
えた粒体抜出管を設置し、そして該ガス保持室
から最下段の移動層部の粒子の移動層に加熱ガ
スを吹き込むための少なくとも1個のノズル
を、前記の最低位置の漏斗支持板のコーン部に
設置する、 ことを特徴とする粒体の加熱処理装置が提供され
る。 以下、本発明を図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の方法を実施するために好適な本発
明の装置の一実施態様を示すものであり、図1a
は装置の縦断面図であり、図1bは図1aの断面
線A−Aに沿う断面図である。 図1aに示す如く、円筒形(内径をDとする)
の接触容器1の内部に複数個の漏斗型支持板5,
5′,5″を設置して接触容器を区画し、これによ
り接触容器内に多段の移動層部6,6′,6″を形
成する。漏斗型支持板は、コーン部およびコーン
部の下部に接続した脚管(内径をD1とし、管の
長さをL1とする)より成り、脚管の内径D1は接
触容器の内径Dに比較してかなり小である。図1
aでは、一例として、3個の漏斗型支持板によつ
て接触容器が区画され、3段の移動層部が形成さ
れた装置が示されているが、一般に漏斗型支持板
の数は少なくとも2個が必要であり、好ましくは
2〜6個、一層好ましくは3〜4個であり、その
結果、漏斗型支持板の個数に相当する数の多段の
移動層部が形成される。 加熱処理せんとする粒体を接触容器の上部に供
給するためのホツパー2が接触容器1の上方に設
置され、また接触容器の上部にはホツパーと連通
している粒体供給管3が連結され、この粒体供給
管は粒体の供給を制御する手段、例えばロツクバ
ルブまたはロータリーバルブ等の如きバルブ4、
を備えている。 接触容器1に供給された粒体は、各移動層部
6,6′,6″において、漏斗型支持板5,5′,
5″により支持された粒体の堆積層7,7′,7″
を形成し、その一部の粒体は漏斗型支持板の脚管
から絶えず下方に移動しているので、この埋積層
はそれを構成する粒体が常に下方に移動する移動
層である。このため、本明細書では上記の埋積層
を移動層7,7′,7″と呼ぶことにする。漏斗型
支持板により区画された区域(即ち移動層部)に
おいて、粒体の移動層7,7′,7″の上部の空間
はガス層8,8′,8″である。即ち、各移動層部
6,6′,6″は、移動層7,7′,7″とガス層
8,8′,8″とより成つている。 各移動層部においては、粒体の移動層7,7′,
7″内に、多孔板よりなるブロツキング防止板9,
9′,9″を設置し、粒体が移動層内を下降するさ
いに、この多孔板の開口部を通過せしめることに
よつて粒体の塊状化を防止する。このブロツキン
グ防止板の設置は、また加熱ガスの分散を促進
し、粒体の加熱を均一に行なうのに有効である。
ブロツキング防止板として使用する多孔板は、断
面が三角形でその頂角が鋭角である棧で構成され
た多孔板であり、例えば、図2に示すようなリン
グ状のものであつてもよく、あるいは図3に示す
ような格子状のものであつてもよい。ブロツキン
グ防止板は、このような多孔板の一枚もしくは複
数枚、好ましくは複数枚、を棧の三角形の頂角が
上向きになるように配置したものであり、このよ
うな配置によつて、移動層における粒体の移動を
容易ならしめることができる。図1aでは各移動
層部にいずれも3枚のブロツキング防止板が設置
されているが、各移動層部に設置されるブロツキ
ング防止板の数が同じである必要はない。 加熱ガスは、接触容器の底部に設けた加熱ガス
供給管10から、加熱ガス保持室11を経由し、
接触容器に設置された複数個の漏斗型支持板のう
ちで最低位置に設置された漏斗型支持板5″のコ
ーン部に設置されたノズル12を通して、最下段
の移動層部6″の移動層7″中に噴射する。加熱ガ
ス保持室11は、上記最低位置の漏斗型支持板
5″と接触容器の底部との間の空間に形成せしめ
られ、これは最下段の移動層部6″の粒体の急冷
を防止するために設けたものである。加熱ガスを
噴射するためのノズル12は1本でもよいが、少
なくとも2本、好ましくは4〜8本のノズルを設
置することが望ましく、且つこれらのノズルは前
記のコーン部の同一円周上に設置されるように設
置することが好ましい。図1の装置では、図1b
に示される如く、4本のノズルがコーン部の同一
円周上に設置されている。 上記のようにして最下段の移動層部6″に導入
され、その移動層7″の粒子と接触した加熱ガス
は、次にガス管13′を通つて直ぐ上段の移動層
部6′に導入され、その移動層7′の粒子と接触す
る。このガス管13′は、最下段の移動層部6″の
ガス層8″から出て、上段の移動層部6′の漏斗型
支持板5′のコーン部の直ぐ上端に挿入され、そ
こから更に、移動層7′に設置されたブロツキン
グ防止板9′のうち最下部に位置するブロツキン
グ防止板の下面の中心に、図4に示す如く、末広
側を下向きにして取りつけられたカサ状のガス分
散板14′の下部にまで達している。このように
構成のために、下部の移動層部のガス層から、上
部の移動層部の移動層に導入された加熱ガスは、
局部的に移動層内を流れるチヤネリング現象を起
すことなく、移動層の粒体を均一に加熱すること
ができる。 更に、上記のガス管13′は交換器15′を備え
ており、所望ならば、ガス管13′を通る加熱ガ
スをより高い温度に昇温するか、またはより低い
温度に降温した後、移動層7′に導入し、これに
よつて最下部の移動層部6″における粒体の加熱
処理温度と、上部の移動層部6′における粒体の
加熱処理温度とを、それぞれ異なる所定の温度に
設定することができる。 また、燃焼反応等により、加熱ガスの酸素濃度
等が低下することを防止し、所定の温度における
燃焼反応等を維持するために、必要に応じて、加
熱ガス補給管16′より新たな加熱ガスを供給し
てもよい。 上記のようにして移動層部6′の移動層7′の粒
体と接触した加熱ガスは、上に述べたのと同様の
プロセスを繰返すことによつて、更に上段の移動
層部6の移動層7の粒体と接触する。そして、該
上部の移動層部6には、上に述べたのと同様なカ
サ状分散板14、その下部と下段の移動層部のガ
ス層とを連通するガス管13、それに付設されて
いる熱交換器15および加熱ガス補給管16が設
けられている。図1aでは、3段の移動層部を有
する装置を示したが、3段よりも多い段数の移動
層部を有する場合でも、上記と同様にして各移動
層部における粒体の加熱処理を行なうことができ
る。 最上段の移動層部6において粒体との接触を完
了した加熱ガスは、接触容器1の上部に設置した
加熱ガス抜出管17からの接触容器外へ排出され
る。一方、最下段の移動層部6″において加熱ガ
スと接触した粒体は、接触容器1の底部に設置し
た粒体抜出管18から取り出す。このさい、最低
位置の漏斗型支持板5″の脚管をそのまま粒体抜
出管として用いるか、またはこの脚管の粒体抜出
管を接続させ、この粒体抜出管18に粒体の排出
を制御する手段、例えばロータリーバルブ19お
よびロツクバルブ20等の如きバルブ、を配設し
て、所定の速度で粒体を接触容器外に排出する。 本発明の方法の始動時における粒体及び加熱ガ
スの供給、排出等の操作は下記のようにして行な
う。 粒体供給管3に設けたロツクバルブまたはロー
タリーバルブの如きバルブ4を閉止あるいは停止
の状態にして、ホツパー2に粒体を供給する。接
触容器1の底部の加熱ガス供給管10から加熱ガ
スを供給したままの状態で、接触容器1の底部の
粒体抜出管18に設けたロータリーバルブ19お
よびロツクバルブ20を停止あるいは閉止の状態
にし、ついで前記の粒体供給管3に設けたロツク
バルブを適当な開度に保つか、あるいはロータリ
ーバルブを適当な回転数で回転することにより、
ホツパー2から粒体を接触容器内に供給し、各移
動層部において粒子の移動層を形成させる。この
さい、所望ならば、流体をあらかじめ適当な温度
に予熱して、ホツパー2から供給してもよい。 接触容器内に形成された移動層の流体は、流体
抜出管18に設けたロツクバルブ20を開き、ロ
ータリーバルブ19を一定の回転数に維持するこ
とにより、所定の速度で粒体抜出管18から抜き
出される。このさい、粒体供給管3のバルブ4は
開いた状態に維持して、ホツパー2から粒体を連
続的に供給する。 接触容器内部の各移動層部への流体の供給と加
熱ガスの供給とのバランスにより、接触容器内に
一定の圧力バランスが形成され、これによつて各
移動層部6,6′,6″の上部にガス層8,8′,
8″、下部に一定層高の粒子の移動層7,7′,
7″が形成され、粒体の良好な移動が可能となる。 本発明は以上述べたように連続式に操作しても
よく、また、一定時間接触容器の底部の粒体抜出
バルブを閉鎖して加熱処理が終了したら、このバ
ルブを開けて粒体を1段下の移動層部に移動させ
るようなバツチ式で行なつてもよい。 本発明において使用する接触容器の形状は、接
触容器の内径をD、接触容器の高さをHとした場
合、 2<H/D<15 の条件が満足されることが望ましく、一層好まし
いことには 3<H/D<10 の条件が満足されることである。 又、本発明で使用される漏斗型支持板のコーン
部の角度θ1は水平線に対して、 20°<θ1<80° の条件を満足することが望ましく、一層好ましい
ことは、 30°<θ1<60° の条件が満足されることである。 さらに上記のコーン部下部に接続される官の長
さL1は運転条件によつて決定される移動層の粒
体の上端レベルにより下に位置するようにし、常
に粒体層中に埋設された状態に維持することが好
ましい。 又、本発明で使用するブロツキング防止板(多
孔板)を構成する棧の断面は先に述べたように、
三角形であつて、その頂角は鋭角であるが、一般
に、その頂角θ2は、 10°<θ2<60° の条件を満足することが望ましく、一層、好まし
いことは、 30°<θ2<45° の条件が満足されることである。 ブロツキング防止板の目開きd2は粒体の平均径
DPの5〜100倍、好ましくは20〜50倍であればよ
い。また、ブロツキング防止板の目開きd2はブロ
ツク防止板の棧の幅d1の5〜100倍、好ましくは
10〜50倍であればよい。 ブロツキング防止板は、粒体の平均径DPと、
移動層内に設けた最下部の防止板の位置から移動
層の上端までの高さH3との比が、 5<H3/DP<100 の条件を満足することが望ましく、一層、好まし
いことは、 8<H3/DP<60 の条件が満足されるように、所要の枚数のブロツ
キング防止板を設置する。 本発明で使用するガス分散板は、図4aに示す
ように、頂角θ3が下記の範囲にあるカサ状の分散
板であり、前述したブロツキング防止板を利用
し、図4bに示すようにブロツキグン防止板のう
ち最下部の該防止板の下面の中心に末広側を下向
にして設置する。 カサ状分散板の頂角(θ3とする)は、 20°<θ3<80° の条件を満足することが望ましく、一層、好まし
いことは 30°<θ3<60° の条件が満足されることである。 なお、ブロツキング防止板およびガス分散板を
設置する際には、移動層の重量(粒体が充填され
た状態における接触容器の占める静圧)に十分に
耐える強度とする。 本発明に用い得る粒体は、その性状および形状
の範囲は非常に広く、粒径0.1〜10mmの球状粒子
および押出し成型粒子、その他あらゆる形状の粒
体粒子であり、特に6mm以下の粒体粒子を用いる
のが望ましい。 さらに粒体粒子の真比重は1.20〜7.00、見掛比
重0.10〜1.50の範囲のものが好ましい。 本発明に用い得る粒子としては、たとえば、使
用済み触媒粒子あるいは吸着剤等が例示できる。
使用済触媒粒子はアルミナ、シリカ、モルデナイ
ト、ジルコニア、ケイ藻土、その他の耐火性無機
物等の担体に第族、第族、第族の金属を担
持させたもので、粒子表面あるいは細孔内には油
分、炭素粒子、イオウ、ニツケル、バナジウム等
の金属が付着あるいは吸着されたものである。又
使用済吸着剤はシリカゲル、活性アルミナ、モレ
キユラーシーブその他無機物を使用し、粒子表面
あるいは細孔内に水分、揮発性物質等が吸着され
たものである。 本発明で用い得る加熱ガスは例えば窒素、空
気、酸素と窒素の混合ガス等を所定の温度に加熱
したもの、ボイラー廃ガスあるいは石油精製工業
における接触分解装置の触媒再生塔からの廃ガス
等の加熱ガスがあげられる。 本発明の方法を行なうに当り、各移動層部にお
ける加熱ガス体の線速度(空塔基準)をUgとし、
粒体粒子の粒径および真比重、加熱ガス体の比重
および粘度によつて決定される流動化開始速度
(空塔基準で粒体粒子が流動層を形成する最小速
度)をUnfとした場合、 Ug<Unf の条件下で運転することが望ましい。 本発明の各段の移動層部の温度はたとえば、次
のように制御する。 3段の移動層部を有する接触容器を用いて使用
済触媒粒子の処理を行なう際には、上、中、下各
段の移動層部を、例えば下記のようにそれぞれ異
なる温度に制御することにより処理することがで
きる。 (1) 上段の移動層部の温度は250〜350℃の範囲内
の温度に制御することが望ましく、一層好まし
いことには、270〜320℃の範囲内の温度にて制
御することが望ましい(精度は±3℃とする)。 (2) 中段の移動層部の温度は350〜450℃の範囲内
の温度に制御することが望ましく、一層好まし
いことには、370〜430℃の範囲内の温度にて制
御することが望ましい(精度は±3℃とする)。 (3) 下段の移動層部の温度は450〜550℃の範囲内
の温度に制御することが望ましく、一層好まし
いことには、470〜530℃の範囲内の温度にて制
御することが望ましい(精度は±3℃とする)。 又別の処理方法としては、上、中、下各段の移
動層部の温度を一定温度に制御し、使用済触媒粒
子の循環供給を行うことにより、処理を行うこと
も可能である。この場合の温度制御の精度は前述
と同様であり、各段の移動層部で順次処理を行な
う。 さらに前述した各移動層の温度制御の順序を変
えて、上段の移動層部を高温、下段の移動層部を
低温として処理することも可能である。 又、3段の移動層部を有する接触容器を用い、
本発明で用いる使用済吸着剤の再生、回収の際に
は、使用済触媒粒子の処理と同様に、上、中、下
各段の移動層部をそれぞれ異なる温度に制御する
ことにより処理することができる。 (1) 上段の移動層部の温度は105〜150℃の範囲内
の温度に制御することが望ましく、一層、好ま
しいことには、110〜130℃の範囲内の温度にて
制御することが望ましい(精度は±3℃とす
る)。 (2) 中段の移動層部の温度は150〜200℃の範囲内
の温度に制御することが望ましく、一層、好ま
しいことには、160〜180℃の範囲内の温度にて
制御することが望ましい(精度は±3℃とす
る)。 (3) 下段の移動層部の温度は200〜260℃の範囲内
の温度に制御することが望ましく、一層、好ま
しいことには、210〜240℃の範囲内に制御する
ことが望ましい(精度は±3℃とする)。 又、別の処理方法としては、上、中、下各段の
移動層部の温度を一定温度に制御し、使用済吸着
剤の循環供給を行なうことにより、再生、回収を
行うことも可能である。この場合の温度制御の精
度は前述と同様であり、各段の移動層部で順次処
理を行なうもとする。 さらに使用済触媒粒子の再生、回収処理と同様
に各移動層部の温度制御の順序を変えて処理する
ことも可能である。 なお、吸着剤の再生、回収処理においては、冷
却処理を十分行う必要があるため、各移動層の1
部を冷却部として用いると良い。 以上本発明を詳細に説明したが、本発明の特徴
及びそれによつて得られる効果を要約すると下記
の如くである。 (1) 接触容器内に漏斗型支持板で区画した複数の
移動層部に、特殊な構造のブロツキング防止板
及びガス分散板を設置することにより、各移動
層部における粒体の移動層が阻害されることな
しに移動すると共に、粒体のブロツキング(塊
状化)を防止でき、且つ加熱ガスのチヤネリン
グを防止して加熱ガスを移動層に均一に分散さ
せることができる。 (2) 接触容器の断面積と漏斗型支持板の脚管の断
面積の差により、粒子の移動速度に速度差をつ
けることが可能であり、このことは、移動層の
閉塞等の防止に効果的である。 (3) 前記の特殊なガス分散板は、加熱処理せんと
する流体に比較して熱伝導度の高い金属で作製
できるために、移動層内部の伝熱効率を高める
と共に、均一加熱を行なうことが可能となる。 (4) 接触容器内の各移動層部において、それぞれ
異なる温度にコントロールすることにより、燃
焼速度(反応速度、あるいは乾燥速度等)の異
なる処理を行なうことができ、つまり複数の燃
焼工程(反応工程あるいは乾燥工程)を同一接
触容器内で実施することが可能となり、そのた
め、接触容器の効果的な利用を図ることがで
き、また上記(2)項の移動速度の差を利用し、異
なる工程にすみやかに移行できる。 (5) 上記(4)項の特徴により、加熱ガス体の使用量
は従来の同一装置の場合に比較して著しく減少
できる。 以下、本発明を実施例によつて説明する。 実施例 1 第1図と同様の装置を用い、第2図に示したブ
ロツキング防止板および第4図に示したガス分散
板と同様なものを用いて表−1に示す条件に基づ
いて流体粒子の移動実験を行つた。
【表】 本実験においては加熱ガス(ガス体として空気
を使用)を50℃に維持し、10/min(0.53cm/
sec)、500/min(26.5cm/sec)、1000/min
(53.0cm/sec)(線速度はいずれも空塔基準)と
流量を変化させた状態で移動層各部における粒体
粒子の移動状態を観察した。 上記各条件下においてロータリーバルブをコン
トロールすることにより粒体粒子を移動させた
が、いずれも移動層の上端レベルは一定に保た
れ、粒体粒子の局部的な詰り等による移動速度の
変動も認められず、極めてスムースに移動が行な
われることを確認した。 第2図のブロツキング防止板の代りに、第3図
のブロツキング防止板を使用しても同様の結果が
得られた。 実施例 2 実施例1の表−1に示した接触容器および使用
済触媒粒子を用いてこの触媒粒子に付着あるいは
吸着した炭素(10wt%)を除去する燃焼実験を
下記に示す実験条件により実施した。
【表】 上記実験は極めて良好に行われ、初期の付着炭
素量(10wt%)に対して処理終了後は0.02wt%
と炭素除去率99.8%の成果をおさめた。 実施例 3 第1図と同様の装置を用い、第2図に示したブ
ロツキング防止板および第4図に示したガス分散
板と同様のものを用いて、表−3に示す条件に基
づいて燃焼実験を行つた。
【表】
【表】 上記実験は極めて良好に行われ、初期の付着炭
素量(14.5wt%)に対して処理終了後は0.04wt%
と炭素除去率99.7%の成果をおさめた。 第2図のブロツキング防止板の代りに、第3図
のブロツキング防止板を用いても、同様の結果が
得られた。 実施例 4 第1図と同様の装置を用い、第2図に示した分
散板および第4図に示した加熱ガス分散板と同様
のものを用いて、表−4に示す条件に基づいて吸
着剤(シリカゲル)の乾燥実験を行つた。
【表】 乾燥ガスとして接触容器の下段(移動層第2
層)に温度30℃、関係湿度0.01(KgH2O/Dry
air)の空気を40m2/HR、接触容器の上段(移動
層第1層)に温度200℃、関係湿度0.01(KgH2O/
Dry Air)の空気198m2/HRを供給し、出口空気
温度を120℃になるようにしてシリカゲルの水分
量を0.14(KgH2O/Kgシリカゲル)まで減少させ
た。 その結果、接触容器出口の空気の関係湿度は
0.039(KgH2O/Dry Air)とり、シリカゲルは十
分再生可能であることが明らかとなつた。 第2図のブロツキング防止板の代りに、第3図
のブロツキング防止板を用いても、同様の結果が
得られた。
【図面の簡単な説明】
第1図aはこの発明にかかる粒体の加熱処理装
置の縦断面図、第1図bは第1図aの断面線A−
Aに沿う断面図であり、第2図aはリング状のブ
ロツキング防止板の平面図、第2図bは第2図a
の断面線B−Bに沿う断面図および第2図cは第
2図aの断面線B′−B′に沿う断面図であり、第
3図は格子状のブロツキング防止板の平面図、第
3図bは第3図aの断面線C−Cに沿う断面図で
あり、第4図aはカサ状のガス分散板の斜視図、
第4図bはブロツキング防止板の下面に取付けた
ガス分散板の断面図である。 1……接触容器、2……ホツパー、5,5′,
5″……漏斗型支持板、9,9′,9″……ブロツ
キング防止板、14,14′……ガス分散板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 接触容器内で上部から供給された粒体と底部
    から導入された加熱ガスとを接触させることによ
    り粒体を加熱処理する方法において、 (1) 該粒体を、複数個の漏斗支持板で接触容器を
    区画することにより形成した多段の移動層部を
    順次上段から下段へと移動せしめ、このさい各
    移動層部に設けた多孔板を経由して下降させる
    ことにより粒体のブロツキングを防止し、 (2) 一方、該加熱ガスを、最下段の移動層部から
    順次上段の移動層部へと上昇させて各移動層部
    内で粒体と接触せしめ、このさい各下段の移動
    層部のガス層から各上段の移動層部に設けたガ
    ス分散板にまで通ずる各ガス管を経由して加熱
    ガスを供給することにより、各上段の移動層部
    に導入される加熱ガスを分散させ、 (3) 上記の各ガス管に設けた各熱交換器により、
    該ガス管を経由して各上段の移動層部に導入さ
    れる加熱ガスの温度を維持するか又は昇温ある
    いは降温し、それによつて各移動層部における
    粒体の加熱処理温度を同一もしくは互いに異な
    る所定の温度に保持する、 ことを特徴とする粒体の加熱処理方法。 2 下方に移動する粒体と下方から上昇する加熱
    ガスとを接触させる接触容器と、該接触容器の上
    部に粒体を供給するホツパーとから成る粒体の加
    熱処理装置において、 (1) 接触容器の上部に、ホツパーと連通し且つ粒
    体の供給を制御する手段を備えた粒体供給管、
    および粒体との接触を完了した加熱ガスを接触
    容器外に取り出すためのガス抜出管を設置し、 (2) 接触容器をコーン部と脚管とを有する複数個
    の漏斗型支持板で区画して、各漏斗型支持板の
    上部に、粒子の移動層とその上のガス層とより
    なる移動層部をそれぞれ形成させ、且つ最低位
    置の漏斗型支持板と接触容器の底部との間にガ
    ス保持室を形成させ、 (3) 各段の移動層部の粒子の移動層のそれぞれ
    に、断面が鋭角の頂角をもつ三角形である棧で
    構成した多孔板よりなる一枚もしくは複数枚の
    ブロツキング防止板を頂角が上向きになるよう
    に設置し、 (4) 最下段の移動層部以外の各移動層部では、該
    ブロツキング防止板のうち最下部のブロツキン
    グ防止板の下面の中心にそれぞれカサ状のガス
    分散板を末広側を下向きにして設置し、更にそ
    れらの各ガス分散板の下部とその直ぐ下段の移
    動層部のガス層とを連通し且つ熱交換器を備え
    たガス管をそれぞれ設置し、 (5) 接触容器の底部に、前記のガス保持室に加熱
    ガスを供給するための加熱ガス供給管、および
    接触容器からの粒体の排出を制御する手段を備
    えた粒体抜出管を設置し、そして該ガス保持室
    から最下段の移動層部の粒子の移動層に加熱ガ
    スを吹き込むための少なくとも1個のノズル
    を、前記の最低位置の漏斗支持板のコーン部に
    設置する、 ことを特徴とする粒体の加熱処理装置。
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