JPH0376559B2 - - Google Patents

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JPH0376559B2
JPH0376559B2 JP57226605A JP22660582A JPH0376559B2 JP H0376559 B2 JPH0376559 B2 JP H0376559B2 JP 57226605 A JP57226605 A JP 57226605A JP 22660582 A JP22660582 A JP 22660582A JP H0376559 B2 JPH0376559 B2 JP H0376559B2
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JP
Japan
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circuit
transistor
channel mis
mis transistor
channel
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JP57226605A
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Japanese (ja)
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JPS59119593A (en
Inventor
Masaharu Kimura
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers

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  • Shift Register Type Memory (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は、ダイナミツクシフト回路に関し、特
にCMIS回路によつて構成され単一のクロツクパ
ルスによつて動作可能なダイナミツクシフト回路
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a dynamic shift circuit, and more particularly to a dynamic shift circuit constructed of a CMIS circuit and operable by a single clock pulse.

(2) 技術の背景 近年、半導体メモリあるいはマイクロコンピユ
ータ等のLSIにおいて省電力化のためにCMISプ
ロセスを用いて回路の構成するものが増加してい
る。ところが、CMIS回路はN−MISまたはP−
MIS等の単一チヤンネルの回路に比べて2倍また
は3倍程度の素子数または回路面積を要し、その
結果チツプ全体のサイズが大きくなるという傾向
がある。CMIS回路を小型化するためには内部回
路をダイナミツク回路とすることが有効な手段と
なり、特に近年のマイクロコンピユータ等のLSI
はその内部回路が同期型回路で構成されているこ
とを有効に利用する必要がある。
(2) Background of the technology In recent years, the number of LSI circuits such as semiconductor memories or microcomputers that use the CMIS process to save power has increased. However, the CMIS circuit is N-MIS or P-
Compared to single-channel circuits such as MIS, it requires about twice or three times the number of elements or circuit area, and as a result, the overall size of the chip tends to increase. In order to miniaturize the CMIS circuit, it is effective to make the internal circuit a dynamic circuit, especially in recent LSIs such as microcomputers.
It is necessary to make effective use of the fact that its internal circuit is composed of synchronous circuits.

(3) 従来技術と問題点 第1図aはCMISプロセスを用いて構成される
従来形のトランスフアゲートを示す。この回路
は、第1図aに示す互いに逆相のクロツクφおよ
びによつてそれぞれオンオフされるNチヤンネ
ルMISトランジスタ1およびPチヤンネルMISト
ランジスタ2を並列接続した回路とバツフアアン
プとして動作するインバータ3を具備する。そし
て入力信号INはクロツク信号φおよびによつ
てそれぞれオンとされるトランジスタ1,2およ
びインバータ3を介して出力され、クロツク信号
φおよびに同期した出力信号OUTが得られる。
(3) Prior art and problems Figure 1a shows a conventional transfer gate constructed using the CMIS process. This circuit includes a circuit in which an N-channel MIS transistor 1 and a P-channel MIS transistor 2 are connected in parallel and are turned on and off by clocks φ and of mutually opposite phases shown in FIG. 1a, and an inverter 3 that operates as a buffer amplifier. . The input signal IN is outputted via the transistors 1 and 2 and the inverter 3, which are turned on by the clock signals φ and, respectively, and an output signal OUT synchronized with the clock signals φ and is obtained.

第2図aは、上述のトランスフアゲートを2個
縦続接続して構成され、シフトレジスタあるいは
カウンタ等の回路を構成するために使用される従
来形のシフト回路を示す。同図の回路は、Nチヤ
ンネルMISトランジスタ4、PチヤンネルMISト
ランジスタ5およびインバータ6によつて構成さ
れる初段トランスフアゲートと、Nチヤンネル
MISトランジスタ7、PチヤンネルMISトランジ
スタ8およびインバータ9によつて構成される次
段トランスフアゲートを含む。初段トランスフア
ゲートの各トランジスタ4および5はそれぞれ第
2図bに示す互いに逆相のクロツクφAおよびA
によつて駆動され、次段トランスフアゲートの各
トランジスタ7および8はそれぞれ第2図bに示
す互いに逆相のクロツクφBBによつて駆動さ
れる。クロツクφBおよびBはクロツクφAおよび
φAよりも例えば1/2周期だけ遅延したものが用い
られる。初段インバータに使用された入力信号
INはクロツクφAおよびAによつて制御されるト
ランジスタ4および5を通過してインバータ6の
入力回路に存在する漂遊容量に蓄積される。漂遊
容量に蓄積された信号はインバータ6を介して次
段トランスフアゲートに入力され、クロツクφB
およびBのタイミング該トランスフアゲートを
通過し、インバータ9から出力信号OUTが取り
出される。
FIG. 2a shows a conventional shift circuit constructed by cascading two of the above-mentioned transfer gates and used to construct a circuit such as a shift register or a counter. The circuit in the figure consists of a first-stage transfer gate composed of an N-channel MIS transistor 4, a P-channel MIS transistor 5, and an inverter 6;
It includes a next-stage transfer gate constituted by an MIS transistor 7, a P-channel MIS transistor 8, and an inverter 9. Each of the transistors 4 and 5 of the first stage transfer gate receives clocks φA and A of opposite phase to each other as shown in FIG. 2b .
The transistors 7 and 8 of the next stage transfer gate are respectively driven by clocks φ B and B having mutually opposite phases shown in FIG. 2B. The clocks φ B and B are delayed from the clocks φ A and φ A by, for example, 1/2 period. Input signal used for first stage inverter
IN passes through transistors 4 and 5 controlled by clocks φ A and A and is stored in the stray capacitance present in the input circuit of inverter 6. The signal accumulated in the stray capacitance is input to the next stage transfer gate via the inverter 6, and the clock φ B
The output signal OUT is taken out from the inverter 9 through the transfer gate at the timings B and B.

第3図は、いわゆるクロツクゲートと称される
回路であつて、2個のNチヤンネルMISトランジ
スタ10,11および2個のPチヤンネルMISト
ランジスタ12,13を電源Vccとグランド間に
直列接続して構成される。入力信号INはトラン
ジスタ11および12のゲートに印加され、出力
信号OUTはこれらのトランジスタ11および1
2の共通ドレインから取り出される。トランジス
タ10および13のゲートにはそれぞれ第1図b
に示される互いに逆相のクロツクφおよびが印
加される。第3図の回路においてはクロツクφが
高レベルでありクロツクが低レベルである時に
トランジスタ10および13が共にオンとなり、
入力信号INが反転されて出力信号OUTとして出
力される。
FIG. 3 shows a circuit called a clock gate, which is constructed by connecting two N-channel MIS transistors 10, 11 and two P-channel MIS transistors 12, 13 in series between the power supply Vcc and the ground. Ru. The input signal IN is applied to the gates of transistors 11 and 12, and the output signal OUT is applied to the gates of transistors 11 and 12.
2 common drain. The gates of transistors 10 and 13 are shown in FIG. 1b, respectively.
The clocks φ and having mutually opposite phases shown in are applied. In the circuit of FIG. 3, when the clock φ is at a high level and the clock is at a low level, transistors 10 and 13 are both turned on.
Input signal IN is inverted and output as output signal OUT.

上述の従来形の各回路の欠点は、互いに逆位相
すなわちコンプリメントな2種類のクロツクを必
要とすることである。また、上述のトランスフア
ゲートまたはクロツクゲートを用いてシフトレジ
スタあるいはカウンタ等の回路を構成する場合に
は第2図bに示すような互いに逆位相のクロツク
を2組したがつて合計4種類のクロツク信号を必
要とする。さらに、互いに逆位相のクロツクはい
わゆるノンオーバラツプ型のクロツクであること
が必要であり、したがつて互いに逆位相のクロツ
クが同時に両方共高レベルあるいは低レベルにな
らないことが必要である。ところが、ノンオーバ
ラツプ型のクロツクは、クロツク周波数が高くな
るほどおよびクロツクのデユーテイサイクルが50
%に近づくほど回路の遅延による影響を受けやす
くなり作成が困難となる。
A disadvantage of each of the conventional circuits described above is that they require two types of clocks that are opposite in phase or complementary to each other. Furthermore, when constructing a circuit such as a shift register or a counter using the above-mentioned transfer gate or clock gate, two sets of clocks having mutually opposite phases as shown in FIG. 2b are used, resulting in a total of four types of clock signals. I need. Furthermore, it is necessary that the clocks having opposite phases to each other are so-called non-overlapping clocks, and therefore it is necessary that the clocks having opposite phases to each other do not both go to a high level or a low level at the same time. However, with non-overlapping clocks, the higher the clock frequency and the higher the duty cycle of the clock is 50
%, the more susceptible it is to circuit delays and the more difficult it becomes to create.

(4) 発明の目的 本発明の目的は、前述の従来形における問題点
に鑑み、CMIS形式のダイナミツクシフト回路に
おいて、シフト回路を単一のクロツクで動作する
ようにして所要クロツクの種類を少なくし動作の
信頼性を向上することにある。
(4) Purpose of the Invention In view of the problems with the conventional type described above, the purpose of the present invention is to reduce the number of types of clocks required in a CMIS-type dynamic shift circuit by operating the shift circuit with a single clock. The objective is to improve the reliability of operation.

(5) 発明の構成 そしてこの目的は、本発明によれば、ソースが
それぞれ第1の電源に接続された第1、第2のP
チヤネルMISトランジスタと、該第1のPチヤネ
ルMISトランジスタとゲート及びドレインが共通
接続された第1のNチヤネルMISトランジスタ
と、該第2のPチヤネルMISトランジスタと第2
の電源間に直列に接続された第2、第3のNチヤ
ネルMISトランジスタとを具備し、該第1のPチ
ヤネルMISトランジスタのドレインを該第2のP
チヤネルMISトランジスタのゲートに接続し、ク
ロツクパルスを該第1のPチヤネルMISトランジ
スタ及び該第1、第2のNチヤネルMISトランジ
スタのゲートにそれぞれ入力し、該第3のNチヤ
ネルMISトランジスタのゲートを該第1のNチヤ
ネルMISトランジスタのソースに接続し、それを
入力端とし、該第2のPチヤネルMISトランジス
タのドレインを出力端としたことを特徴とするダ
イナミツクシフト回路を提供することによつて達
成される。
(5) Structure of the invention According to the present invention, the first and second PPSs whose sources are respectively connected to the first power source
a first N-channel MIS transistor whose gate and drain are commonly connected to the first P-channel MIS transistor; a second P-channel MIS transistor and a second N-channel MIS transistor;
and a second and third N-channel MIS transistor connected in series between the power supplies of the first P-channel MIS transistor and the second P-channel MIS transistor.
A clock pulse is input to the gate of the first P-channel MIS transistor and the first and second N-channel MIS transistors, and the gate of the third N-channel MIS transistor is connected to the gate of the third N-channel MIS transistor. By providing a dynamic shift circuit, the dynamic shift circuit is connected to the source of a first N-channel MIS transistor, which serves as an input terminal, and the drain of the second P-channel MIS transistor serves as an output terminal. achieved.

(6) 発明の実施例 以下図面により本発明の実施例を説明する。第
4図aは本発明の1実施例に係わるダイナミツク
シフト回路を示す。同図の回路は、互いに直列接
続されたNチヤンネルMISトランジスタ41およ
びPチヤンネルMISトランジスタ42からなる初
段CMIS回路と、電源Vccとグランド間に直列接
続されたNチヤンネルCMISトランジスタ43,
44およびPチヤンネルMISトランジスタ45か
らなる次段CMIS回路等を具備する。トランジス
タ42のソースは電源Vccに接続され、トランジ
スタ41のソースは入力信号INが印加される。
また、クロツクパルスφはトランジスタ42,4
1および44のゲートに印加される。トランジス
タ42および41のドレインは共通接続され初段
CMIS回路の出力Aとして取り出されて次段
CMIS回路のトランジスタ45のゲートに入力さ
れる。次段CMIS回路の出力OUTはトランジス
タ44および45の共通接続されたドレインから
取り出される。
(6) Examples of the invention Examples of the invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 4a shows a dynamic shift circuit according to one embodiment of the present invention. The circuit in the figure includes a first-stage CMIS circuit consisting of an N-channel MIS transistor 41 and a P-channel MIS transistor 42 connected in series, an N-channel CMIS transistor 43 connected in series between a power supply Vcc and ground,
44 and a next-stage CMIS circuit consisting of a P-channel MIS transistor 45, etc. The source of the transistor 42 is connected to the power supply Vcc, and the source of the transistor 41 is applied with the input signal IN.
Also, the clock pulse φ is the transistor 42, 4
1 and 44 gates. The drains of transistors 42 and 41 are commonly connected to each other in the first stage.
Taken out as output A of the CMIS circuit and sent to the next stage
It is input to the gate of transistor 45 of the CMIS circuit. The output OUT of the next stage CMIS circuit is taken out from the commonly connected drains of transistors 44 and 45.

第4図bは、第4図aに示す回路を従来形の2
相クロツクを用いる回路で表わした等価回路を示
す。すなわち、同図の等価回路はインバータ46
と、2相クロツクφおよびでそれぞれ駆動され
るNチヤンネルMISトランジスタ47とPチヤン
ネルMISトランジスタ48との並列回路によつて
構成される。
FIG. 4b shows the circuit shown in FIG.
An equivalent circuit using a phase clock is shown. That is, the equivalent circuit in the figure is the inverter 46
It is constituted by a parallel circuit of an N-channel MIS transistor 47 and a P-channel MIS transistor 48, which are driven by a two-phase clock φ and a two-phase clock φ and 48, respectively.

次に、第5図を用いて第4図aに示す回路の動
作を説明する。入力INが低レベルの場合は初段
CMIS回路はCMISインバータと等価になり点A
にはクロツクパルスφが反転された信号が出力さ
れる。この場合、次段CMIS回路のトランジスタ
43はオフであり、クロツクパルスφが高レベル
の期間では点Aのレベルが低レベルであるからト
ランジスタ45がオンとなつて出力OUTが低イ
ンピーダンス高レベルとなる。クロツクパルスφ
の低レベルの期間においては、点Aのレベルが高
レベルとなるためトランジスタ45もオフとなり
出力OUTは第5図において信号Zで示されるよ
うに高インピーダンス状態すなわちフローテイン
グ状態となり直前の期間におけるレベルがそのま
ま保持される。したがつて、出力OUTは入力IN
が低レベルになつた後クロツクパルスφの最初の
立上り時点から高レベルを維持する。
Next, the operation of the circuit shown in FIG. 4a will be explained using FIG. If input IN is low level, first stage
The CMIS circuit becomes equivalent to the CMIS inverter and reaches point A.
A signal obtained by inverting the clock pulse φ is output. In this case, the transistor 43 of the next stage CMIS circuit is off, and since the level at point A is low during the period when the clock pulse φ is at a high level, the transistor 45 is turned on and the output OUT becomes a low impedance high level. clock pulse φ
During the low level period, the level at point A becomes high level, so the transistor 45 is also turned off, and the output OUT becomes a high impedance state, that is, a floating state, as shown by the signal Z in FIG. is retained as is. Therefore, the output OUT is the input IN
After the clock pulse φ becomes low level, it remains high level from the first rising edge of the clock pulse φ.

入力INが高レベルの場合は、点Aは常に高レ
ベルとなり、クロツクパルスφが高レベルの時は
トランジスタ42および41が共にオフとなり点
Aはハイインピーダンス状態となる。クロツクパ
ルスφが低レベルの場合はトランジスタ42が導
通状態となるため点Aは低インピーダンス状態と
なる。また、クロツクパルスφが高レベルの場合
はトランジスタ44がオンとなりかつトランジス
タ43がオンであるから出力OUTは低インピー
ダンスかつ低レベルの状態となる。クロツクパル
スφが低レベルの場合はトランジスタ44がオフ
となり、かつトランジスタ44および45もオフ
であるから出力OUTはハイインピーダンス状態
となり直前のレベルを維持する。したがつて、ク
ロツクパルスφが低レベルの期間中に入力信号
INが低レベルから高レベルに変化した場合は出
力信号OUTはクロツクパルスφの立上り時点で
高インピーダンス高レベルの状態から低インピー
ダンス低レベルの状態に変化する。以上のことか
ら明らかなように第4図aに示す回路は、第5図
に示すように、入力信号INがクロツクパルスφ
の低レベルの期間に立上りまたは立下つた場合に
クロツクパルスφの立上り時点で立下りまたは立
上る出力OUTを発生するシフト回路として動作
する。
When the input IN is at a high level, point A is always at a high level, and when the clock pulse φ is at a high level, transistors 42 and 41 are both turned off and point A becomes a high impedance state. When the clock pulse φ is at a low level, the transistor 42 becomes conductive, so that point A becomes a low impedance state. Further, when the clock pulse φ is at a high level, the transistor 44 is turned on and the transistor 43 is turned on, so that the output OUT has a low impedance and a low level. When the clock pulse φ is at a low level, the transistor 44 is turned off, and since the transistors 44 and 45 are also turned off, the output OUT enters a high impedance state and maintains the previous level. Therefore, while the clock pulse φ is at a low level, the input signal
When IN changes from a low level to a high level, the output signal OUT changes from a high impedance high level state to a low impedance low level state at the rising edge of the clock pulse φ. As is clear from the above, in the circuit shown in FIG. 4a, the input signal IN is clock pulse φ, as shown in FIG.
When the clock pulse φ rises or falls during the low level period, it operates as a shift circuit that generates an output OUT that falls or rises at the rising edge of the clock pulse φ.

第6図は、本発明の他の実施例に係わるCMIS
シフト回路を示す。同図の回路は、第4図aの回
路におけるトランジスタ41のソースすなわち入
力信号端子をトランジスタ61を介して接地し該
トランジスタ61のゲートに入力信号を印加
したものである。
FIG. 6 shows a CMIS according to another embodiment of the present invention.
A shift circuit is shown. In the circuit shown in the figure, the source of the transistor 41, that is, the input signal terminal, in the circuit shown in FIG.

第6図の回路は、第4図aの回路と同様のシフ
ト動作を行なうが入力信号が反転されること
なく出力される点において第4図aに示す回路と
異なる。
The circuit shown in FIG. 6 performs the same shift operation as the circuit shown in FIG. 4a, but differs from the circuit shown in FIG. 4a in that the input signal is output without being inverted.

第7図aは、本発明のさらに他の実施例に係る
シフト回路を示す。同図の回路は、Nチヤンネル
トランジスタ71およびPチヤンネルトランジス
タ72からなる初段CMIS回路とNチヤンネルト
ランジスタ73,74およびPチヤンネルトラン
ジスタ75からなる初段CMIS回路とNチヤンネ
ルトランジスタ76,77およびPチヤンネルト
ランジスタ78,79がグランドと電源Vcc間に
直列接続されて構成される第3段CMIS回路とを
具備する。初段および次段回路は第4図aに示す
回路と同じ構成を有する。第3段すなわち最終段
CMIS回路とトランジスタ76のゲートには初段
回路の出力点Aの信号が印加され、トランジスタ
77および78のゲートには次段回路の出力点B
が接続され、そしてトランジスタ79のゲートに
はクロツクパルスφが印加される。
FIG. 7a shows a shift circuit according to yet another embodiment of the invention. The circuit shown in the figure includes a first-stage CMIS circuit consisting of an N-channel transistor 71 and a P-channel transistor 72, a first-stage CMIS circuit consisting of N-channel transistors 73, 74, and a P-channel transistor 75, an N-channel transistor 76, 77, a P-channel transistor 78, A third stage CMIS circuit 79 is connected in series between the ground and the power supply Vcc. The first stage and next stage circuits have the same configuration as the circuit shown in FIG. 4a. The third or final stage
A signal from output point A of the first stage circuit is applied to the gates of the CMIS circuit and transistor 76, and a signal from output point B of the next stage circuit is applied to the gates of transistors 77 and 78.
is connected, and a clock pulse φ is applied to the gate of transistor 79.

第7図bは第7図aに示す回路の等価回路を示
す。すなわち、この等価回路はインバータ81
と、トランジスタ82および83からなるトラン
スフアゲートと、インバータ84、およびトラン
ジスタ85,86からなるトランスフアゲートと
を縦続接続したものであり、2つのトランスフア
ゲートは互いに逆相のクロツクφおよびとお
よびφによつて駆動される。
FIG. 7b shows an equivalent circuit of the circuit shown in FIG. 7a. In other words, this equivalent circuit is the inverter 81
, a transfer gate consisting of transistors 82 and 83, an inverter 84, and a transfer gate consisting of transistors 85 and 86 are connected in cascade. driven.

第8図を参照して第7図aの回路の動作を説明
する。入力信号INが低レベルの場合は点Aには
クロツクパルスφの反転信号が発生する。そし
て、クロツクパルスφが高レベルの時は点Aは低
レベルとなり、トランジスタ75がオンとなるか
ら点Bは低インピーダンスが高レベルの状態とな
る。クロツクパルスφが低レベルの場合は、トラ
ンジスタ74がカツトオフし、また点Aは高レベ
ルであるから、トランジスタ74および75もカ
ツトオフし点Bは高インピーダンスの状態となり
直前のレベルが維持される。最終段の出力OUT
は、クロツクパルスφが高レベルの場合はトラン
ジスタ79がオンであり、点Bは高レベルである
からトランジスタ78もオフとなり、また点Aは
低レベルであるからトランジスタ76もオフとな
り出力OUTは高インピーダンスの状態となつて
直前の電圧レベルを維持する。またクロツクパル
スφが低レベルになつた場合は、トランジスタ7
9がオン点Aが高レベルになるからトランジスタ
76もオンとなり、点Bが高レベルであるから出
力OUTは低インピーダンス低レベルの状態とな
る。したがつて、第8図から明らかなように入力
信号INが高レベルから低レベルに変化した場合
にはこの変化時点の後におけるクロツクパルスの
最初の立下り時点で出力OUTが立下る。
The operation of the circuit shown in FIG. 7a will be explained with reference to FIG. When the input signal IN is at a low level, an inverted signal of the clock pulse φ is generated at point A. Then, when the clock pulse φ is at a high level, point A becomes a low level, and since the transistor 75 is turned on, the low impedance at point B becomes a high level state. When clock pulse φ is at a low level, transistor 74 is cut off, and since point A is at a high level, transistors 74 and 75 are also cut off and point B becomes a high impedance state, maintaining the previous level. Final stage output OUT
When the clock pulse φ is at a high level, the transistor 79 is on, and since the point B is at a high level, the transistor 78 is also off, and since the point A is at a low level, the transistor 76 is also off, and the output OUT is a high impedance. state and maintains the previous voltage level. Also, when the clock pulse φ becomes low level, the transistor 7
Since the ON point A of 9 is at a high level, the transistor 76 is also turned on, and since the point B is at a high level, the output OUT is in a low impedance and low level state. Therefore, as is clear from FIG. 8, when the input signal IN changes from a high level to a low level, the output OUT falls at the first fall of the clock pulse after this change.

次に、入力信号INが高レベルの場合は、クロ
ツクパルスφが高レベルの時に点Aがハイインピ
ーダンス高レベルとなり点Bは低インピーダンス
低レベルとなる。この場合、トランジスタ79が
オフでありかつトランジスタ77もオフであるか
ら出力OUTは高インピーダンス状態となり直前
のレベルを維持する。したがつて、入力INが低
レベルから高レベルに立上つた場合は出力OUT
は第8図に示すように入力INの立上り時点の後
におけるクロツクパルスφの最初の立上り時点で
低レベルから高レベルに立上る。以上の説明から
明らかなように第7図aの回路はいわゆるD型フ
リツプフロツプと同様の動作をすることが分る。
Next, when the input signal IN is at a high level, when the clock pulse φ is at a high level, point A becomes a high impedance high level and point B becomes a low impedance low level. In this case, since the transistor 79 is off and the transistor 77 is also off, the output OUT enters a high impedance state and maintains the previous level. Therefore, when input IN rises from low level to high level, output OUT
rises from a low level to a high level at the first rising edge of the clock pulse φ after the rising edge of the input IN, as shown in FIG. As is clear from the above description, the circuit of FIG. 7a operates in the same manner as a so-called D-type flip-flop.

第9図は、本発明のさらに他の実施例を示すも
のであり、同図の回路においては第9図aに示す
シフト回路の初段回路におけるトランジスタ71
のソースにNチヤンネルトランジスタ91および
Pチヤンネルトランジスタ92からなるCMISイ
ンバータを介して入力信号を供給するように
したものである。この回路は、入力信号が反
転されて出力OUTに出力される点において第7
図aに示す回路と異なるが基本的なシフト動作は
同じであるからその説明を省略する。
FIG. 9 shows still another embodiment of the present invention, in which the transistor 71 in the first stage circuit of the shift circuit shown in FIG.
An input signal is supplied to the source of the CMIS inverter including an N-channel transistor 91 and a P-channel transistor 92. This circuit has a seventh point in that the input signal is inverted and output to the output OUT.
Although the circuit is different from the circuit shown in FIG. a, the basic shift operation is the same, so a description thereof will be omitted.

(7) 発明の効果 このように、本発明によれば、ダイナミツクシ
フト回路を単一のクロツクで動作するようにする
ことができるからいわゆるノンオーバーラツプ型
の2相クロツク等を作成する必要かなくなり動作
の信頼性を向上することができる。また、ダイナ
ミツク回路化することによりスタチツク型回路あ
るいは単一チヤンネル型のMISトランジスタを用
いる回路等に比較して回路素子数を大幅に削減し
かつ回路の専有面積を減少させることが可能とな
る。
(7) Effects of the Invention As described above, according to the present invention, since the dynamic shift circuit can be operated with a single clock, there is no need to create a so-called non-overlap type two-phase clock. Therefore, the reliability of operation can be improved. Furthermore, by using a dynamic circuit, it is possible to significantly reduce the number of circuit elements and the area occupied by the circuit, compared to a static type circuit or a circuit using a single channel type MIS transistor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図aは、従来形のダイナミツクシフト回路
の1例を示すブロツク回路図、第1図bは、第1
図aに示す回路に使用されるクロツクパルスを示
す波形図、第2図aは、従来形のダイナミツクシ
フト回路の他の例を示すブロツク回路図、第2図
bは、第2図aに示す回路に用いられるクロツク
パルスを示す波形図、第3図は、従来形のクロツ
クゲート回路を示す電気回路図、第4図aは、本
発明の1実施例に係わるダイナミツクシフト回路
を示す電気回路図、第4図bは、第4図aに示す
回路の等価回路を示す電気回路図、第5図は、第
4図aに示す回路の動作を説明するための波形
図、第6図は、本発明の他の実施例に係わるダイ
ナミツクシフト回路を示す電気回路図、第7図a
は、本発明のさらに他の実施例に係わるダイナミ
ツクシフト回路を示す電気回路図、第7図bは、
第7図aに示す回路の等価回路を示すブロツク回
路図、第8図は、第7図aに示す回路の動作を説
明するための波形図、そして第9図は、本発明の
さらに他の実施例に係わるダイナミツクシフト回
路を示す電気回路図である。 1,4,7,10,11,41,43,44,
47,61,71,73,74,76,77,8
2,85,91……NチヤンネルMISトランジス
タ、2,5,8,12,13,42,45,4
8,72,75,78,79,83,86,92
……PチヤンネルMISトランジスタ、3,6,
9,46,81,84……インバータ。
FIG. 1a is a block circuit diagram showing an example of a conventional dynamic shift circuit, and FIG. 1b is a block circuit diagram showing an example of a conventional dynamic shift circuit.
FIG. 2a is a block circuit diagram showing another example of a conventional dynamic shift circuit; FIG. 2b is a waveform diagram showing clock pulses used in the circuit shown in FIG. 2a. 3 is an electric circuit diagram showing a conventional clock gate circuit; FIG. 4a is an electric circuit diagram showing a dynamic shift circuit according to an embodiment of the present invention; FIG. 4b is an electric circuit diagram showing an equivalent circuit of the circuit shown in FIG. 4a, FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 4a, and FIG. FIG. 7a is an electric circuit diagram showing a dynamic shift circuit according to another embodiment of the invention;
is an electric circuit diagram showing a dynamic shift circuit according to yet another embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 8 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 7a, and FIG. 9 is a block circuit diagram showing an equivalent circuit of the circuit shown in FIG. FIG. 2 is an electrical circuit diagram showing a dynamic shift circuit according to an embodiment. 1, 4, 7, 10, 11, 41, 43, 44,
47, 61, 71, 73, 74, 76, 77, 8
2, 85, 91...N channel MIS transistor, 2, 5, 8, 12, 13, 42, 45, 4
8, 72, 75, 78, 79, 83, 86, 92
...P channel MIS transistor, 3,6,
9, 46, 81, 84...inverter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ソースがそれぞれ第1の電源に接続された第
1、第2のPチヤネルMISトランジスタと、該第
1のPチヤネルMISトランジスタとゲート及びド
レインが共通接続された第1のNチヤネルMISト
ランジスタと、該第2のPチヤネルMISトランジ
スタと第2の電源間に直列に接続された第2、第
3のNチヤネルMISトランジスタとを具備し、該
第1のPチヤネルMISトランジスタのドレインを
該第2のPチヤネルMISトランジスタのゲートに
接続し、クロツクパルスを該第1のPチヤネル
MISトランジスタ及び該第1、第2のNチヤネル
MISトランジスタのゲートにそれぞれ入力し、該
第3のNチヤネルMISトランジスタのゲートを該
第1のNチヤネルMISトランジスタのソースに接
続し、それを入力端とし、該第2のPチヤネル
MISトランジスタのドレインを出力端としたこと
を特徴とするダイナミツクシフト回路。 2 前記第1のNチヤネルMISトランジスタのソ
ースと第2の電源間にNチヤネルMISトランジス
タを接続し、該トランジスタのゲートに信号を入
力する様にした特許請求の範囲第1項に記載のダ
イナミツクシフト回路。 3 入力信号を他のインバータを介して前記第1
のNチヤネルMISトランジスタのソースに入力す
る様にした特許請求の範囲第1項に記載のダイナ
ミツクシフト回路。
[Claims] 1. First and second P-channel MIS transistors whose sources are respectively connected to a first power supply, and a first P-channel MIS transistor whose gate and drain are commonly connected to the first P-channel MIS transistor. The first P-channel MIS transistor includes an N-channel MIS transistor, and second and third N-channel MIS transistors connected in series between the second P-channel MIS transistor and a second power supply. The drain is connected to the gate of the second P-channel MIS transistor, and the clock pulse is connected to the gate of the second P-channel MIS transistor.
MIS transistor and the first and second N channels
the gate of the third N-channel MIS transistor is connected to the source of the first N-channel MIS transistor, which is used as an input terminal;
A dynamic shift circuit characterized by using the drain of the MIS transistor as the output terminal. 2. The dynamic device according to claim 1, wherein an N-channel MIS transistor is connected between the source of the first N-channel MIS transistor and the second power supply, and a signal is input to the gate of the transistor. shift circuit. 3. The input signal is passed through another inverter to the first
The dynamic shift circuit according to claim 1, wherein the dynamic shift circuit is configured to input to the source of an N-channel MIS transistor.
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