JPH0375614A - Optical isolator - Google Patents

Optical isolator

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Publication number
JPH0375614A
JPH0375614A JP21160289A JP21160289A JPH0375614A JP H0375614 A JPH0375614 A JP H0375614A JP 21160289 A JP21160289 A JP 21160289A JP 21160289 A JP21160289 A JP 21160289A JP H0375614 A JPH0375614 A JP H0375614A
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JP
Japan
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magneto
optical
light
optical elements
elements
Prior art date
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Pending
Application number
JP21160289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuichi Yamada
裕一 山田
Sumi Nishiyama
寿美 西山
Toshiro Sakurai
俊郎 櫻井
Kimihiko Shibuya
公彦 渋谷
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0375614A publication Critical patent/JPH0375614A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain the optical isolator which can deal with plural wavelengths by displacing magneto-optical elements for the respective light wavelengths in the direction perpendicular to the optical axis in correspondence to the light wavelength of a semiconductor laser to be used to dispose the magneto-optical elements on the optical axis. CONSTITUTION:This optical isolator is provided with polarizers 11, 13, analyzers 12, 14, the magneto-optical elements 7, 8 disposed between these two elements, and a magnetic circuit constituting element 9. The plural magneto-optical elements 7, 8 designed to correspond to the different light wavelengths are provided in the magnetic circuit constituting element 9 so as to array in one direction on the plane perpendicular to the optical axis. The constitution to allow the plural magneto-optical elements 7, 8 to be displaced perpendicularly to the optical axis and in the direction where the magneto-optical elements 7, 8 array. The constitution to detect the reflected light wavelengths from the polarizers 11, 13 or analyzers 12, 14 and to rotate the plural magneto-optical elements 7, 8 on the basis of the detected values is adopted. The optical isolator which can deal with the plural wavelengths with the simple constitution is obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光通信、光計測や光記録などの方面において
主に用いられる光アイソレータに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to an optical isolator mainly used in fields such as optical communication, optical measurement, and optical recording.

従来の技術 従来より、半導体レーザを光通信などの光信号伝送系の
光源として用いる場合に、半導体レーザからの出射光の
一部が、伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部で反
射して、半導体レーザの発振特性の不安定化や雑音増加
を引き起こす原因となることが知られている。そして、
このような反射戻り光が半導体レーザに帰還するのを防
止するために、一般的に光アイソレータが使用されてい
る。
Conventional technology Conventionally, when a semiconductor laser is used as a light source in an optical signal transmission system such as optical communication, a portion of the light emitted from the semiconductor laser is reflected at the transmission path or at each connection of the transmission optical components. It is known that this causes instability of the oscillation characteristics of the semiconductor laser and an increase in noise. and,
In order to prevent such reflected return light from returning to the semiconductor laser, an optical isolator is generally used.

この光アイソレータは、例えば第5図に示すように、偏
光子4.磁気光学素子(ファラデー素子ともいう)3.
検光子5、および偏光分離素子であるところの前記偏光
子4と検光子5の間に前記磁気光学素子3を位置させる
ようにその磁気光学素子3を固定している円筒状の磁石
6とを備えて構成されている。そして、半導体L/−ザ
(図示せず)からの出射光lは偏光子4を通過して直線
偏光となり、磁気光学素子3を通過時にその偏光方向は
45°回転され、偏光子4と45°の角度で配置した検
光子5を通過する。逆に、反射戻り光2は検光子5を通
過して直線偏光となり、磁気光学素子3を通過時に、フ
ァラデー効果の持つ非相反性により偏光方向はさらに4
5°回転され、偏光4と直交するために直線偏光は通過
できない。以上のような原理で、反射戻り光2が半導体
レーザに帰還するのを防止することができる。
For example, as shown in FIG. 5, this optical isolator includes a polarizer 4. Magneto-optical element (also called Faraday element) 3.
An analyzer 5 and a cylindrical magnet 6 that fixes the magneto-optical element 3 so that the magneto-optical element 3 is positioned between the polarizer 4 and the analyzer 5, which are polarization separation elements. Configured with the necessary features. Then, the emitted light l from the semiconductor L/-zer (not shown) passes through the polarizer 4 and becomes linearly polarized light, and when passing through the magneto-optical element 3, the polarization direction is rotated by 45 degrees, and the polarizer 4 and 45 It passes through an analyzer 5 arranged at an angle of . Conversely, the reflected return light 2 passes through the analyzer 5 and becomes linearly polarized light, and when passing through the magneto-optical element 3, the polarization direction is further changed to 4 due to the non-reciprocity of the Faraday effect.
It is rotated by 5 degrees and is perpendicular to polarized light 4, so linearly polarized light cannot pass through. Based on the principle described above, it is possible to prevent the reflected return light 2 from returning to the semiconductor laser.

一般に、磁気光学素子による偏光方向の回転角θは、 θ=VHL ■=ヴエルデ定数 H:磁界の強さ L:磁気光学素子の厚さ で表される。この中で、ヴエルデ定数Vは波長依存性、
温度依存性を持ち、磁気光学素子を構成する磁気光学結
晶の種類9組成によっても異なる。
In general, the rotation angle θ of the polarization direction by the magneto-optical element is expressed as: θ=VHL (2)=Wuelde constant H: Magnetic field strength L: Thickness of the magneto-optical element. In this, the Werde constant V is wavelength dependent,
It has temperature dependence and also differs depending on the type and composition of the magneto-optic crystal that constitutes the magneto-optical element.

従って、磁気光学素子は飽和磁界中で定温(一般には室
温)で一つの波長に対して偏光方向の回転角が45°と
なるように、その結晶の種類1組成、厚みなどが設計さ
れている。
Therefore, the crystal type 1 composition, thickness, etc. of a magneto-optical element are designed so that the rotation angle of the polarization direction is 45° for one wavelength at a constant temperature (generally room temperature) in a saturated magnetic field. .

発明が解決しようとする課題 さて、このような光アイソレータにおいて、最近になっ
て複数の波長に対応できる光アイソレータが望まれるよ
うになってきた。そして、このような複数の波長に対応
できる光アイソレータとしては、飽和磁界の領域で磁界
強度を変えることによって、偏光方向の回転角を45°
に補正する方法が提案されている(特開昭59−174
817号公報1特開昭59−181319号公報)が、
磁界強度の安定性が悪く、回転角が安定しないという問
題点を有していた。
Problems to be Solved by the Invention Recently, among such optical isolators, an optical isolator that can handle a plurality of wavelengths has become desired. As an optical isolator that can handle multiple wavelengths, the rotation angle of the polarization direction can be changed by 45° by changing the magnetic field strength in the saturation magnetic field region.
A method has been proposed to correct the
817 Publication 1 JP-A-59-181319) is
The problem was that the magnetic field strength was unstable and the rotation angle was unstable.

本発明は前記のような問題点を解決し、簡単な構成でも
って複数の波長に対応できる光アイソレータを提供する
ことを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide an optical isolator that has a simple configuration and can handle a plurality of wavelengths.

課題を解決するための手段 前記の課題を解決するために本発明は、偏光子、検光子
、これら両素子の間に置かれる磁気光学素子、および磁
気回路構成素子を備え、異なる光波長に対応するように
設計された複数の前記磁気光学素子を、光軸に対して垂
直な面内で一方向に並ぶように前記磁気回路構成素子中
に設け、かつ前記磁気光学素子を光軸に対して垂直でそ
の磁気光学素子が並んだ前記方向に変位できる構成とし
たものである。また、偏光子または検光子からの反射光
波長を検出し、この検出値にもとづき複数の磁気光学素
子が変位する構成としたものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention includes a polarizer, an analyzer, a magneto-optical element placed between these two elements, and a magnetic circuit component, and is compatible with different wavelengths of light. A plurality of said magneto-optical elements designed to The structure is vertical and can be displaced in the direction in which the magneto-optical elements are lined up. Further, the wavelength of reflected light from the polarizer or analyzer is detected, and the plurality of magneto-optical elements are displaced based on the detected value.

作用 前記のように構成された本発明の光アイソレータによれ
ば、使用する光の波長に対応して、異なる磁気光学素子
を光軸上に移動させて使用できるため、複数の波長に対
応できる光アイソレータが得られることとなる。また、
偏光子または検光子からの反射光波長を測定して、その
測定値にもとづき複数の磁気光学素子を光軸上に移動さ
せるようにすることによって、自動的に複数の波長に対
応できる光アイソレータが得られることとなる。
Effects According to the optical isolator of the present invention configured as described above, different magneto-optical elements can be moved on the optical axis depending on the wavelength of the light used, so that light that can handle multiple wavelengths can be used. An isolator will be obtained. Also,
By measuring the wavelength of reflected light from a polarizer or analyzer and moving multiple magneto-optical elements along the optical axis based on the measured values, an optical isolator that can automatically handle multiple wavelengths can be created. This will be obtained.

実施例 第1図に本発明による光アイソレータの構成を示す。ま
ず、同じ種類で同−組成である磁気光学結晶を2種の波
長に対応するように厚み設計し、第1波長に対応する磁
気光学素子(以下、第1磁気光学素子とする)7と、第
2波長に対応する磁気光学素子(以下、第2磁気光学素
子とする)8を光軸に対して垂直な面内に並べて円筒状
の磁石9中に固定する。そして、半導体レーザからの出
射光10は、第1波長に対応する偏光子(以下、第1偏
光子とする)11を通過して直線偏光となり、第1磁気
光学素子7を通過時にその偏光方向は456回転され、
第1偏光子11と45″の角度で配置された第1波長に
対応する検光子(以下、第1検光子とする)12を通過
する。逆に、反射戻り光は第1検光子12を通過して直
線偏光となり、第1磁気光学素子7を通過時に、ファラ
デー効果の持つ非相反性により偏光方向はさらに45゜
回転され、第1偏光子11と直交するために直線偏光は
通過できない。
Embodiment FIG. 1 shows the configuration of an optical isolator according to the present invention. First, magneto-optic crystals of the same type and composition are designed to have a thickness corresponding to two wavelengths, and a magneto-optic element (hereinafter referred to as the first magneto-optic element) 7 corresponding to the first wavelength is formed. Magneto-optical elements (hereinafter referred to as second magneto-optical elements) 8 corresponding to the second wavelength are arranged in a plane perpendicular to the optical axis and fixed in a cylindrical magnet 9. Then, the emitted light 10 from the semiconductor laser passes through a polarizer 11 corresponding to the first wavelength (hereinafter referred to as the first polarizer) to become linearly polarized light, and when passing through the first magneto-optical element 7, the polarization direction is rotated 456 times,
The reflected light passes through an analyzer (hereinafter referred to as the first analyzer) 12 corresponding to the first wavelength, which is arranged at an angle of 45'' with the first polarizer 11. Conversely, the reflected return light passes through the first analyzer 12. When passing through the first magneto-optical element 7, the polarization direction is further rotated by 45 degrees due to the non-reciprocity of the Faraday effect, and since it is orthogonal to the first polarizer 11, the linearly polarized light cannot pass through.

ところが、異なった波長の半導体レーザを使用する場合
、第1磁気光学素子7による偏光方向の回転角は45°
からずれてしまうため、第1検光子12を通過する光量
が減少する。さらに、反射戻り光が第1磁気光学素子7
を通過時にも偏光方向の回転角が45°からずれてしま
うので、第1偏光子11を通過する光量が増加し、その
結果アイソレーション比が劣化することになる。
However, when using semiconductor lasers with different wavelengths, the rotation angle of the polarization direction by the first magneto-optical element 7 is 45°.
As a result, the amount of light passing through the first analyzer 12 decreases. Further, the reflected return light is transmitted to the first magneto-optical element 7.
Since the rotation angle of the polarization direction also deviates from 45 degrees when passing through the first polarizer 11, the amount of light passing through the first polarizer 11 increases, and as a result, the isolation ratio deteriorates.

そこで、第1磁気光学素子7と光軸に対して垂直な面内
で一方向に並ぶように配置した第2磁気光学素子8を光
軸上に当たるように、光軸に対して垂直で2つの磁気光
学素子7,8が並ぶ変位方向Aの方向に磁石9を移動さ
せる。そうすれば、第2図のように異なった第2波長に
対応する第2磁気光学素子8が光軸上に位置し、それと
共に第2波長に対応する偏光子(以下、第2偏光子とす
る)13および第2波長に対応する検光子(以下、第2
検光子とする)14が光軸上に位置するようになる。従
って、第2波長の半導体レーザからの出射光10aは、
第2偏光子13を通過して直線偏光となり、第2磁気光
学素子8を通過時にその偏光方向はちょうど45°回転
され、第2偏光子13と45″の角度で配置された第2
検光子14を通過する。そして、反射戻り光は第2検光
子14を通過して直線偏光となり、第2磁気光学素子8
を通過時に、ファラデー効果の持つ非相反性により偏光
方向はさらに45°回転され、第2偏光子13と直交す
るために直線偏光は通過できなくなり、高アイソレーシ
ヨン比が得られることになる。また、第1図、第2図に
おいて、15および16は偏光子ホルダと検光子ホルダ
である。
Therefore, the first magneto-optical element 7 and the second magneto-optical element 8, which are arranged in one direction in a plane perpendicular to the optical axis, are arranged in two directions perpendicular to the optical axis so as to be on the optical axis. The magnet 9 is moved in the direction of displacement direction A in which the magneto-optical elements 7 and 8 are lined up. By doing so, the second magneto-optical element 8 corresponding to a different second wavelength is located on the optical axis as shown in FIG. ) 13 and an analyzer corresponding to the second wavelength (hereinafter referred to as the second wavelength)
14, which is assumed to be an analyzer, is now located on the optical axis. Therefore, the emitted light 10a from the semiconductor laser of the second wavelength is
It passes through the second polarizer 13 and becomes linearly polarized light, and when it passes through the second magneto-optical element 8, its polarization direction is rotated by exactly 45 degrees.
It passes through an analyzer 14. Then, the reflected return light passes through the second analyzer 14 and becomes linearly polarized light, and the second magneto-optical element 8
When passing through, the polarization direction is further rotated by 45 degrees due to the non-reciprocity of the Faraday effect, and since it is perpendicular to the second polarizer 13, linearly polarized light cannot pass through, resulting in a high isolation ratio. Further, in FIGS. 1 and 2, 15 and 16 are a polarizer holder and an analyzer holder.

次に、本発明の他の実施例について第3図、第4図と共
に説明する。ここでは、第3図および第4図に示すよう
に、使用している半導体レーザの光波長を測定するため
に受光素子17を設置しているものである。そして、検
光子12.14からの反射光をこの受光素子17で測定
し、光波長に対応するパワーの電圧を変位制御機18へ
導くことによって、ホルダ19を光軸に対して垂直な方
向(変位方向A)に変位させることができる構成として
いる。このため、磁石9中に固定した2つの磁気光学素
子7,8をホルダ19の変位する方向に並べて配置して
いることにより、測定した光波長に対応する磁気光学素
子7または8を光軸上に移動させることができる。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4. Here, as shown in FIGS. 3 and 4, a light receiving element 17 is installed to measure the optical wavelength of the semiconductor laser used. The reflected light from the analyzers 12 and 14 is measured by the light receiving element 17, and a voltage with a power corresponding to the wavelength of the light is guided to the displacement controller 18, thereby moving the holder 19 in the direction perpendicular to the optical axis ( The structure is such that it can be displaced in the displacement direction A). Therefore, by arranging the two magneto-optical elements 7 and 8 fixed in the magnet 9 side by side in the direction in which the holder 19 is displaced, the magneto-optical element 7 or 8 corresponding to the measured light wavelength is placed on the optical axis. can be moved to

今、第1波長の半導体レーザを使用しているとすると、
半導体レーザからの出射光10は、第1偏光子11.第
1磁気光学素子7.第1検光子12を通過し、反射戻り
光は第1検光子12.第1磁気光学素子7を通過するが
第1偏光子11を通過できず、高アイソレーシヨン比が
得られる。ところが、第2波長の半導体レーザから光を
出射すると、第1磁気光学素子7による偏光方向の回転
角は45@からずれるため、アイソレーション比が劣化
する。ここで、光波長を測定する受光素子17を設けて
おけば、第1検光子12からの反射光を受光素子17に
導き、変位制御機18によってホルダ19を光軸に垂直
で磁気光学素子7,8が並んだ方向に変位させ、第4図
のように第2磁気光学素子8が光軸上に当たるように移
動させることができる。その結果、光軸上には、第2偏
光子13゜第2磁気光学素子8.第2検光子14が位置
するため、第2磁気光学素子8による偏光方向の回転角
は45°となり、高アイソレーシヨン比が得られること
となる。また、第4図に示す状態で第1波長の半導体レ
ーザから光が出射されると、前記と同様にして光波長を
測定する受光素子17に第2検光子14からの反射光を
導き、変位制御機18によってホルダ19を変位させ、
第1磁気光学素子7が光軸上に当たるように移動させる
ことができる。
Now, if we are using a semiconductor laser with the first wavelength,
The emitted light 10 from the semiconductor laser is transmitted through a first polarizer 11. First magneto-optical element7. The reflected return light passes through the first analyzer 12. The light passes through the first magneto-optical element 7 but cannot pass through the first polarizer 11, resulting in a high isolation ratio. However, when light is emitted from the semiconductor laser of the second wavelength, the rotation angle of the polarization direction by the first magneto-optical element 7 deviates from 45@, so that the isolation ratio deteriorates. Here, if a light receiving element 17 for measuring the light wavelength is provided, the reflected light from the first analyzer 12 is guided to the light receiving element 17, and the displacement controller 18 moves the holder 19 perpendicular to the optical axis to the magneto-optical element 7. , 8 are lined up so that the second magneto-optical element 8 is aligned with the optical axis as shown in FIG. As a result, on the optical axis, the second polarizer 13 degrees, the second magneto-optical element 8. Since the second analyzer 14 is located, the rotation angle of the polarization direction by the second magneto-optical element 8 is 45 degrees, resulting in a high isolation ratio. Furthermore, when light is emitted from the semiconductor laser of the first wavelength in the state shown in FIG. Displace the holder 19 by the controller 18,
The first magneto-optical element 7 can be moved so as to be on the optical axis.

ここで、第3図、第4図の実施例では、第1゜第2の検
光子12.14からの反射光を受光素子17に導き、そ
の測定値にもとづき変位制御機18によってホルダ19
を変位させ、それにより磁石9を変位させて第1.第2
の磁気光学素子7.8を光軸上に当たるように移動させ
ているが、これは第1.第2の偏光子11.13からの
反射光を受光素子に導き、その測定値にもとづき第1.
第2の磁気光学素子7.8を光軸上に当たるように移動
させる構成としてもよいものである。
In the embodiments shown in FIGS. 3 and 4, the reflected light from the first and second analyzers 12 and 14 is guided to the light receiving element 17, and based on the measured value, the displacement controller 18
, thereby displacing the magnet 9 to create the first. Second
The magneto-optical elements 7.8 of 1. are moved so that they are on the optical axis. The reflected light from the second polarizer 11.13 is guided to the light receiving element, and based on the measured value, the reflected light from the first polarizer 11.13 is guided to the light receiving element.
The second magneto-optical element 7.8 may be moved so as to be on the optical axis.

また、前記の実施例においては、第1.第2の磁気光学
素子7,8を磁石9に固定し、その磁石9を変位方向A
に変位させることにより、第1゜第2の磁気光学素子7
,8を光軸上に当たるように移動させる構成について説
明したが、これは第1、第2の磁気光学素子7,8を磁
石9中に移動できるだけのスペースをもって前記変位方
向Aに対し移動自在に設ける構成とし、磁石9を固定し
ておいて第1.第2の磁気光学素子7,8のみを光軸上
に当たるように移動させる構成としてもよいものである
Further, in the above embodiment, the first. The second magneto-optical elements 7 and 8 are fixed to a magnet 9, and the magnet 9 is moved in the displacement direction A.
By displacing the first degree second magneto-optical element 7
. The structure is such that the magnet 9 is fixed and the first. It is also possible to have a configuration in which only the second magneto-optical elements 7 and 8 are moved so that they are on the optical axis.

さらに、実施例における磁石9は、磁気光学素子7,8
に一方向の飽和磁界をかけられる磁気回路構成素子であ
ればよく、コイルなどでも構成できるものである。
Furthermore, the magnet 9 in the embodiment includes magneto-optical elements 7 and 8.
Any magnetic circuit constituent element that can apply a unidirectional saturation magnetic field to the magnetic circuit may be used, and it can also be composed of a coil or the like.

なお、本発明においては、3つ以上の波長に対応する磁
気光学素子を配置すれば、3つ以上の波長に対応できる
光アイソレータが得られることとなる。
Note that in the present invention, by arranging magneto-optical elements that can handle three or more wavelengths, an optical isolator that can handle three or more wavelengths can be obtained.

発明の効果 以上のように本発明によれば、使用する半導体レーザの
光波長に対応して、それぞれの光波長に対応する磁気光
学素子を光軸に対して垂直な方向に変位させて、前記磁
気光学素子を光軸上に配置させることができるので、複
数波長に対応できる光アイソレータが得られることとな
る。さらに、偏光分離素子である偏光子または検光子か
らの反射光波長を測定して、その測定値にもとづき光波
長に対応する磁気光学素子を自動的に光軸上に配置する
構成とすることによって、自動的に複数波長に対応でき
る光アイソレータが得られることとなる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the magneto-optical elements corresponding to the respective optical wavelengths are displaced in the direction perpendicular to the optical axis in accordance with the optical wavelengths of the semiconductor lasers used. Since the magneto-optical element can be placed on the optical axis, an optical isolator that can handle multiple wavelengths can be obtained. Furthermore, by measuring the wavelength of reflected light from a polarizer or analyzer that is a polarization separation element, and automatically arranging a magneto-optical element corresponding to the light wavelength on the optical axis based on the measured value. , an optical isolator that can automatically handle multiple wavelengths can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図は本発明による光アイソレータの一実施
例を示す構成図、第3図、第4図は本発明による光アイ
ソレータの他の実施例を示す構成図、第5図は従来の光
アイソレータを示す構成図である。 7・・・・・・第1波長に対応する磁気光学素子、8・
・・・・・第2波長に対応する磁気光学素子、9・・・
・・・磁石、10,10a・・・・・・出射光、11・
・・・・・第1波長に対応する偏光子、12・・・・・
・第1波長に対応する検光子、13・・・・・・第2波
長に対応する偏光子、14・・・・・・第2波長に対応
する検光子、15・・・・・・偏光子ホルダ、16・・
・・・・検光子ホルダ、17・・・・・・受光素子、1
8・・・・・・変位制御機、19・・・・・・ホルダ。
1 and 2 are block diagrams showing one embodiment of the optical isolator according to the present invention, FIGS. 3 and 4 are block diagrams showing other embodiments of the optical isolator according to the present invention, and FIG. 5 is a block diagram showing a conventional optical isolator. FIG. 2 is a configuration diagram showing an optical isolator of FIG. 7...Magneto-optical element corresponding to the first wavelength, 8.
...Magneto-optical element corresponding to the second wavelength, 9...
... Magnet, 10, 10a... Outgoing light, 11.
... Polarizer corresponding to the first wavelength, 12 ...
- Analyzer corresponding to the first wavelength, 13... Polarizer corresponding to the second wavelength, 14... Analyzer corresponding to the second wavelength, 15... Polarized light Child holder, 16...
...Analyzer holder, 17... Light receiving element, 1
8...Displacement controller, 19...Holder.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)偏光子、検光子、これら両素子の間に置かれる磁
気光学素子、および磁気回路構成素子を備え、異なる光
波長に対応するように設計された複数の前記磁気光学素
子を、光軸に対して垂直な面内で一方向に並ぶように前
記磁気回路構成素子中に設け、かつ前記磁気光学素子を
光軸に対して垂直でその磁気光学素子が並んだ前記方向
に変位できる構成とした光アイソレータ。
(1) A polarizer, an analyzer, a magneto-optical element placed between these two elements, and a magnetic circuit component, and a plurality of magneto-optical elements designed to correspond to different wavelengths of light are connected along the optical axis. The magneto-optical elements are arranged in the magnetic circuit component so as to be arranged in one direction in a plane perpendicular to the optical axis, and the magneto-optical elements can be displaced in the direction perpendicular to the optical axis in which the magneto-optical elements are arranged. optical isolator.
(2)偏光子または検光子からの反射光波長を検出し、
この検出値にもとづき複数の磁気光学素子が変位する構
成とした請求項1記載の光アイソレータ。
(2) Detect the wavelength of reflected light from a polarizer or analyzer,
2. The optical isolator according to claim 1, wherein the plurality of magneto-optical elements are displaced based on the detected value.
JP21160289A 1989-08-17 1989-08-17 Optical isolator Pending JPH0375614A (en)

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JP21160289A JPH0375614A (en) 1989-08-17 1989-08-17 Optical isolator

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JP21160289A Pending JPH0375614A (en) 1989-08-17 1989-08-17 Optical isolator

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JP (1) JPH0375614A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5375009A (en) * 1991-04-26 1994-12-20 Hoya Corporation Optical isolator device having a wider cutoff wavelength band for a return light beam

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US5375009A (en) * 1991-04-26 1994-12-20 Hoya Corporation Optical isolator device having a wider cutoff wavelength band for a return light beam

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