JPH0374943B2 - - Google Patents

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JPH0374943B2
JPH0374943B2 JP59246116A JP24611684A JPH0374943B2 JP H0374943 B2 JPH0374943 B2 JP H0374943B2 JP 59246116 A JP59246116 A JP 59246116A JP 24611684 A JP24611684 A JP 24611684A JP H0374943 B2 JPH0374943 B2 JP H0374943B2
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peltier
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G01N25/56Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content
    • G01N25/66Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point
    • G01N25/68Investigating or analyzing materials by the use of thermal means by investigating moisture content by investigating dew-point by varying the temperature of a condensing surface

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、雰囲気中の湿度を露点温度により測
定するいわゆる露点湿度計のための湿度検出用素
子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a humidity detection element for a so-called dew point hygrometer that measures the humidity in an atmosphere based on dew point temperature.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

雰囲気中の湿度を検出するための湿度計とし
て、セラミツクあるいは高分子等の吸湿体による
ものが既に知られている。かかる湿度計は、吸湿
体の抵抗値あるいはキヤパシタンス値が雰囲気中
の湿度に応じて変化することを利用するものであ
る。
As a hygrometer for detecting the humidity in the atmosphere, one using a hygroscopic material such as ceramic or polymer is already known. Such a hygrometer utilizes the fact that the resistance value or capacitance value of a moisture absorbent body changes depending on the humidity in the atmosphere.

ところが、このような構成の湿度計は極めて単
純なる構成であるという特徴を有するものの、使
用中に雰囲気の汚染物が吸湿体に付着するため、
吸湿体の物性の変化が生じ、長期的な安定性が欠
けるという欠点があつた。そのため、使用環境に
よつては、1〜2ケ月で出力値誤差が無視できな
い程度に達することも少なくない。
However, although the hygrometer with this type of configuration is characterized by an extremely simple configuration, contaminants from the atmosphere adhere to the hygroscopic body during use.
The disadvantage was that the physical properties of the hygroscopic material changed, resulting in a lack of long-term stability. Therefore, depending on the usage environment, the output value error often reaches a non-negligible level in one to two months.

これに対して、露点湿度計はこのような問題点
の無い湿度計として良く知られており、具体的な
には次のような構成になつている。
On the other hand, a dew point hygrometer is well known as a hygrometer that does not have such problems, and specifically has the following configuration.

すなわち、ペルチエ冷却器等から成る冷却器の
表面を鏡面とし、この鏡面に水滴が生じることで
鏡面の曇りを光の反射率の変化として検出し、鏡
面の曇りが生じたときの冷却部温度すなわち露点
温度を検出するものである。露点温度が判れば、
ある温度における飽和水蒸気圧が一義的に定まる
ことから、当該雰囲気の水蒸気圧すなわち絶対湿
度を知ることができる。なお、相対湿度を知りた
い場合には、さらに雰囲気の温度を検出すれば算
出できるものである。
In other words, the surface of a cooler such as a Peltier cooler is made into a mirror surface, and when water droplets form on this mirror surface, fogging of the mirror surface is detected as a change in light reflectance. It detects dew point temperature. If you know the dew point temperature,
Since the saturated water vapor pressure at a certain temperature is uniquely determined, the water vapor pressure, that is, the absolute humidity of the atmosphere can be known. Note that if you want to know the relative humidity, you can calculate it by further detecting the temperature of the atmosphere.

この露点湿度計は、水分子の結露現象という純
粋に水の温度に対する相変化を利用したものであ
り、センサ要素の湿度に対する物理的性質の変化
を利用するものではないので、長期的な使用や汚
染物質の多い雰囲気での使用に対しても計測出力
の狂いが生じ難い。
This dew point hygrometer utilizes the condensation phenomenon of water molecules, which is a phase change in response to water temperature, and does not utilize changes in the physical properties of the sensor element in response to humidity, so it cannot be used for long periods of time. Even when used in an atmosphere with many pollutants, measurement output is unlikely to be distorted.

近年、オランダのデルフト工科大学が、ペルチ
エ効果を利用する露点湿度計において水滴検出セ
ンサと温度センサを集積化した素子を用いるとい
う研究を発表し注目を集めている。発表文献は、
ピー.ピー.エル.レグテイーン、ソリツドステ
ート ヒユーミデイテイ センサーズ,センサー
ズ アンド アクチユエーターズ(P.P.L.
REGTIEN,Solid−state humidity sensors,
Sensors and Actuators,2(1981/82)85−
95.)である。
In recent years, the Delft University of Technology in the Netherlands has attracted attention for their research on using an element that integrates a water droplet detection sensor and a temperature sensor in a dew point hygrometer that uses the Peltier effect. The published literature is
P. P. L. Legtain, Solid State Humidity Sensors, Sensors and Actuators (PPL)
REGTIEN,Solid−state humidity sensors,
Sensors and Actuators, 2 (1981/82) 85−
95.).

この露点湿度計は、表面に温度センサが形成さ
れているシリコン基板上に互いに対向する櫛型電
極から成る水滴検出センサを設け、温度センサと
水滴検出センサとを一体化した素子とし、さらに
この素子をペルチエ冷却器の上に配置することで
ペルチエ効果の冷却により雰囲気中の水分の水滴
生成を検出するとともに、水滴生成時の温度を測
定するものである。
This dew point hygrometer is an element that integrates a temperature sensor and a water droplet detection sensor by providing a water droplet detection sensor consisting of comb-shaped electrodes facing each other on a silicon substrate on which a temperature sensor is formed. By placing the sensor on top of a Peltier cooler, it is possible to detect the formation of water droplets in the atmosphere through the cooling of the Peltier effect, and also to measure the temperature at the time of water droplet formation.

すなわち、水滴の生成により対向する櫛型電極
間の電気容量が急激に変化するので、この容量が
急激に変化する点すなわち露点が維持されるよう
にペルチエ冷却器の冷却作用を制御するととも
に、この露点状態における露点温度をシリコン基
板に形成された温度センサをもつて検出するもの
である。
In other words, the generation of water droplets causes a sudden change in the electrical capacitance between opposing comb-shaped electrodes, so the cooling action of the Peltier cooler is controlled to maintain the point at which this capacitance changes rapidly, that is, the dew point. The dew point temperature in the dew point state is detected using a temperature sensor formed on a silicon substrate.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

この露点湿度計は、IC技術により、水滴検出
センサと温度センサとを同一基板上に集積した素
子を使用した点が新規であるが、さらに素子全体
を冷却するためのペルチエ冷却器が必要であり、
素子全体を冷却するためには大きな動作電流が必
要で、冷却器の消費電力も大きい。また、冷却器
の発する熱を効率的に逃がさなければならず、冷
却器を含めた全体のセンサ部の設計上の制約が多
い。そのため、かかる露点湿度計は広く手軽に利
用する湿度計としては適さない。
This dew point hygrometer is new in that it uses an element that integrates a water droplet detection sensor and a temperature sensor on the same substrate using IC technology, but it also requires a Peltier cooler to cool the entire element. ,
A large operating current is required to cool the entire device, and the power consumption of the cooler is also large. Furthermore, the heat generated by the cooler must be efficiently dissipated, and there are many restrictions on the design of the entire sensor section including the cooler. Therefore, such a dew point hygrometer is not suitable as a hygrometer that is widely and easily used.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の湿度検出用素子は、上記問題点に鑑み
てなされたものであり、冷却部を湿度検出用素子
の中央部に集中させたペルチエ冷却手段と、感温
部を冷却部近傍に設けた冷却温度検出手段と、冷
却部の上部に付着する水滴を検出する水滴検出手
段とを中央部が除去されている基板上に形成した
ものである。
The humidity detection element of the present invention was made in view of the above problems, and includes a Peltier cooling means in which the cooling part is concentrated in the center of the humidity detection element, and a temperature sensing part is provided near the cooling part. Cooling temperature detection means and water droplet detection means for detecting water droplets adhering to the upper part of the cooling section are formed on a substrate from which the central portion has been removed.

〔作用〕[Effect]

基板が除去されている湿度検出用素子の中央部
にペルチエ冷却手段の冷却部を集中させたので、
この冷却部が熱的に絶縁され、微弱な電流で局部
冷却が可能となり、冷却温度検出手段および水滴
検出手段の出力から雰囲気の湿度を測定できる。
Since the cooling part of the Peltier cooling means is concentrated in the center of the humidity detection element from which the substrate has been removed,
This cooling section is thermally insulated, allowing local cooling with a weak current, and the humidity of the atmosphere can be measured from the outputs of the cooling temperature detecting means and the water droplet detecting means.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例と共に本発明を製造工程にしたが
つて詳細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be explained in detail along with examples and manufacturing steps.

第1図は本発明の一実施例の製造途中における
斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention during manufacture.

基板20はステンレス鋼等の金属あるいは単結
晶シリコンウエフア等の材料から成る。この基板
20の上に、まず絶縁層22として耐湿性の良好
な窒化シリコン(Si3N4)膜をプラズマCVD装置
により6000Å程度の厚さに生成する。
The substrate 20 is made of a metal such as stainless steel or a material such as a single crystal silicon wafer. On this substrate 20, first, a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film having good moisture resistance is formed to a thickness of about 6000 Å as an insulating layer 22 using a plasma CVD apparatus.

次に、第1のペルチエ金属24、第1の熱電対
金属28、および測温抵抗体32となる厚さ2μ
のP型のテルル鉛(PbTe)の薄膜を上記絶縁層
22の上に蒸着により生成する。
Next, the thickness of the first Peltier metal 24, the first thermocouple metal 28, and the resistance temperature detector 32 is 2μ.
A thin film of P-type lead tellurium (PbTe) is formed on the insulating layer 22 by vapor deposition.

そして、写刻技術により、このP型のテルル鉛
の薄膜を第1図に示す第1のペルチエ金属24、
第1の熱電対金属28および測温抵抗体32のパ
ターンと成るように選択的にエツチングする。
Then, by photolithography, this P-type tellurium lead thin film was formed into the first Peltier metal 24 shown in FIG.
The pattern of first thermocouple metal 28 and resistance temperature detector 32 is selectively etched.

すなわち、第1のペルチエ金属24は絶縁層2
2表面の周辺部から中心部に延びる帯状のパター
ンを所定の間隔で複数配列したものであり、ま
た、第1の熱電対金属28は第1のペルチエ金属
24と同じく周辺部から中心部に延びる帯状のパ
ターンである。
That is, the first Peltier metal 24 is
The first thermocouple metal 28 extends from the periphery to the center like the first Peltier metal 24. It is a band-like pattern.

さらに、測温抵抗体32は第1のペルチエ金属
24および第1の熱電対金属28を囲うように絶
縁層22表面の周辺部にパターニングされてい
る。なお、この測温抵抗体32は室温検出手段と
して機能するものである。
Further, the temperature measuring resistor 32 is patterned around the surface of the insulating layer 22 so as to surround the first Peltier metal 24 and the first thermocouple metal 28 . Note that this resistance temperature detector 32 functions as a room temperature detection means.

次に、上記のように第1のペルチエ金属24等
がパターニングされた表面上に絶縁層22として
の窒化シリコン膜をプラズマCVD装置により
3000Å程度の厚さに生成する。
Next, a silicon nitride film is formed as an insulating layer 22 on the surface patterned with the first Peltier metal 24 and the like as described above using a plasma CVD apparatus.
It forms to a thickness of about 3000 Å.

しかる後、写刻技術によりこの窒化シリコン膜
を選択的にエツチングすることで、第1のペルチ
エ金属24と後に形成される第2のペルチエ金属
25との接合部のためのコンタクトホール、およ
び第1の熱電対金属28と後に形成される第2の
熱電対金属29との接合部のためのコンタクトホ
ールを生成する。これらのコンタクトホールは、
第1のペルチエ金属24および第1の熱電対金属
28の端部に形成される。
Thereafter, by selectively etching this silicon nitride film using a photolithography technique, a contact hole for a joint between the first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25 to be formed later, and a first A contact hole is created for a joint between the second thermocouple metal 28 and the second thermocouple metal 29 that will be formed later. These contact holes are
Formed at the ends of first Peltier metal 24 and first thermocouple metal 28 .

ついで、第2のペルチエ金属25および第2の
熱電対金属29となる厚さ2μ程度のn型のテル
ル鉛の薄膜をコンタクトホールを含む絶縁層22
上全面に蒸着により生成する。
Next, a thin film of n-type tellurium lead with a thickness of about 2 μm, which will become the second Peltier metal 25 and the second thermocouple metal 29, is placed on the insulating layer 22 including the contact hole.
It is generated by vapor deposition on the entire upper surface.

その後、写刻技術により第1図に示す第2のペ
ルチエ金属25および第2の熱電対金属29のパ
ターンとなるように選択的にエツチングする。
Thereafter, selective etching is performed using a photolithography technique so that the pattern of the second Peltier metal 25 and the second thermocouple metal 29 shown in FIG. 1 is obtained.

すなわち、第2のペルチエ金属25は第1のペ
ルチエ金属24の中央部側端部(この上部には上
記コンタクトホールが形成されている)と、この
第1のペルチエ金属24と隣接する別の第1のペ
ルチエ金属24の周辺部側端部(この上部にもコ
ンタクトホールが形成されている)とを接続する
ように帯状にパターニングされる。
That is, the second Peltier metal 25 connects the central end of the first Peltier metal 24 (the contact hole is formed in the upper part) and another Peltier metal 25 adjacent to the first Peltier metal 24. The first Peltier metal 24 is patterned in a band shape so as to be connected to the peripheral side end (a contact hole is also formed in the upper part).

ただし、複数ある第2のペルチエ金属25のう
ちの一つは、一端のみが第1のペルチエ金属24
と接合されるもので、その他端は後述するペルチ
エ冷却手段の一方の電極部となる。また、複数あ
るいは第1のペルチエ金属24のうちの一つも、
一端のみが第2のペルチエ金属25と接合されて
おり、その他端がペルチエ冷却手段の他方の電極
部となる。
However, one of the plurality of second Peltier metals 25 has only one end connected to the first Peltier metal 24.
The other end becomes one electrode part of a Peltier cooling means to be described later. Also, one of the plurality or first Peltier metals 24,
Only one end is joined to the second Peltier metal 25, and the other end becomes the other electrode part of the Peltier cooling means.

このパターニングにより、第1のペルチエ金属
24と第2のペルチエ金属25とが交互に連続的
に接続され、電気的に一体化されて、ペルチエ冷
却手段を構成する。
By this patterning, the first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25 are alternately and continuously connected and electrically integrated to constitute a Peltier cooling means.

すなわち、第1のペルチエ金属24と第2のペ
ルチエ金属25との接合部のうち、基板20の中
心部にあるものを第1の接合部群26とし、周辺
部にあるものを第2の接合部群27とすると、所
定の方向に電流を流すことにより第1の接合部群
26に吸熱作用が生じ、第2の接合部群27に発
熱作用が生じる。この吸熱作用を利用して、第1
の接合部群26が集中している素子中央部を冷却
することができるのである。
That is, among the joints between the first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25, those located at the center of the substrate 20 are referred to as the first joint group 26, and those located at the periphery are referred to as the second joint group. In the case of the joint group 27, passing a current in a predetermined direction causes the first joint group 26 to absorb heat and the second joint group 27 to generate heat. Using this endothermic effect, the first
This makes it possible to cool the central part of the element where the group of joints 26 are concentrated.

第2の熱電対金属29はコンタクトホールが形
成された第1の熱電対金属28の中央部側端部か
ら第1の熱電対金属28と平行に周辺部まで延び
る帯状のパターンとする。第1の熱電対金属28
と第2の熱電対金属29との接合部が感温部30
となり、両金属の他端部が冷却温度検出手段とし
ての熱電対の電極部となる。
The second thermocouple metal 29 has a band-like pattern extending from the central end of the first thermocouple metal 28 in which the contact hole is formed to the peripheral portion in parallel with the first thermocouple metal 28. First thermocouple metal 28
The junction between the thermocouple metal 29 and the second thermocouple metal 29 is the temperature sensing part 30.
The other end portions of both metals serve as electrode portions of a thermocouple serving as cooling temperature detection means.

続いて、ペルチエ冷却手段、室温検出手段およ
び冷却温度検出手段を覆うように、再び絶縁層2
2となる窒化シリコン膜をプラズマCVD装置に
より6000Å程度の厚さに生成し、写刻技術により
窒化シリコン膜を選択的にエツチングすること
で、ペルチエ冷却手段、冷却温度検出手段および
室温検出手段の各電極部にコンタクトホールを形
成する。
Subsequently, the insulating layer 2 is again applied so as to cover the Peltier cooling means, the room temperature detection means, and the cooling temperature detection means.
By forming a silicon nitride film with a thickness of approximately 6000 Å using a plasma CVD device, and selectively etching the silicon nitride film using photolithographic technology, each of the Peltier cooling means, cooling temperature detection means, and room temperature detection means is formed. A contact hole is formed in the electrode part.

その後、アルミニウム等の厚さ1μ程度の金属
薄膜を、絶縁層22上にコンタクトホールを含む
全面にわたつて蒸着により生成し、写刻技術によ
りこの金属の薄膜を選択的にエツチングして第2
図の斜視図に示すようなペルチエ冷却手段のパツ
ド34a,34b、冷却温度検出手段のパツド3
5a,35b、室温検出手段のパツド36a,3
6bおよび水滴検出手段33をパターニングす
る。
Thereafter, a thin metal film of aluminum or the like having a thickness of approximately 1 μm is formed by vapor deposition over the entire surface including the contact holes on the insulating layer 22, and this thin metal film is selectively etched using a photolithography technique to form a second layer.
The pads 34a and 34b of the Peltier cooling means and the pad 3 of the cooling temperature detection means as shown in the perspective view of the figure.
5a, 35b, pads 36a, 3 of room temperature detection means
6b and the water droplet detection means 33 are patterned.

水滴検出手段33は、第2図の斜視図から判る
ように、素子中央部において2つの櫛型の電極3
3a,33bを互いに噛み合うように対向させた
平板状のコンデンサを構成している。
As can be seen from the perspective view of FIG.
3a and 33b are opposed to each other so as to mesh with each other to form a flat capacitor.

次に、素子の表裏両面に窒化シリコン膜をプラ
ズマCVD装置により6000Å程度の厚さに生成す
る。これは、窒化シリコンが極めて安定した材料
であるために保護膜として使うためである。
Next, a silicon nitride film with a thickness of about 6000 Å is formed on both the front and back surfaces of the device using a plasma CVD device. This is because silicon nitride is an extremely stable material and is therefore used as a protective film.

そして、写刻技術を使い、基板20の裏側の中
央部の窒化シリコン膜をプラズマエツチングによ
り選択的に除去して開口を形成し、さらに、この
開口を通して基板20を絶縁層22までエツチン
グ除去する。第3図はこのときの状態を示す断面
図であり、基板20の裏面からのエツチングによ
り凹部21が基板20の中央部に形成されている
ことが判る。
Then, using a photolithographic technique, the silicon nitride film at the center of the back side of the substrate 20 is selectively removed by plasma etching to form an opening, and the substrate 20 is further etched down to the insulating layer 22 through this opening. FIG. 3 is a sectional view showing the state at this time, and it can be seen that a recess 21 is formed in the center of the substrate 20 by etching from the back surface of the substrate 20.

最終工程として、第4図の概略斜視図に示すよ
うに、素子表面の窒化シリコン膜のうちの凹部2
1の周辺部の一部を写刻技術により選択的にエツ
チングすることで、素子表面と凹部21とを連通
する貫通孔23を形成すると共に、電極33a,
33b,…,36a,36bにおける外部回路と
の接続のためのボンデイングパツド開口部を形成
する。なお、この貫通孔23は、凹部21内の空
気と絶縁層22の上面に接する大気との圧力差を
無くすために形成されるものである。その後は基
板をダイシングし、各々のチツプに切り出し、所
定のパツケージを行なう。
As a final step, as shown in the schematic perspective view of FIG.
By selectively etching a part of the peripheral part of the electrode 33a by photolithography, a through hole 23 communicating between the element surface and the recess 21 is formed, and the electrodes 33a,
Bonding pad openings for connection with external circuits are formed at 33b, . . . , 36a, 36b. Note that this through hole 23 is formed to eliminate a pressure difference between the air in the recess 21 and the atmosphere in contact with the upper surface of the insulating layer 22. Thereafter, the substrate is diced, cut into individual chips, and predetermined packages are formed.

以上の工程を経て、本実施例の湿度検出用素子
が造られる。
Through the above steps, the humidity detection element of this example is manufactured.

なお、凹部21を基板20の裏面からのエツチ
ングにより形成したが、第5図および第6図の斜
視図に示すようにシリコン基板の異方性エツチン
グにより実現されるマイクロブリツヂ構造を適用
することも可能である。
Although the recesses 21 are formed by etching from the back surface of the substrate 20, it is also possible to apply a microbridge structure realized by anisotropic etching of a silicon substrate, as shown in the perspective views of FIGS. 5 and 6. It is.

また、第1のペルチエ金属24、第2のペルチ
エ金属25のパターンは、冷却部である第1の接
合部群26が所定の場所に集中できるものであれ
ば、実施例のパターンに限られるものではないこ
とは言うまでもない。
Further, the patterns of the first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25 are limited to the patterns of the embodiments as long as the first joint group 26, which is a cooling part, can be concentrated in a predetermined place. Needless to say, it is not.

また、本実施例ではペルチエ冷却手段2は第1
のペルチエ金属24と第2のペルチエ金属25と
を交互に接続して1組の直列回路を構成している
が、少なくとの1組の直列回路が形成されていれ
ばよく、2組以上の直列回路を並列接続したもの
でも構わない。
Further, in this embodiment, the Peltier cooling means 2 is the first
The first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25 are alternately connected to form one series circuit, but it is sufficient that at least one series circuit is formed; A series circuit connected in parallel may also be used.

さらに、第1のペルチエ金属24と第2のペル
チエ金属25との接合部が、使用する金属によつ
てはオーミツク接合とならずに半導体接合(例え
ばシヨツトキ接合等)となる場合があるが、その
ような場合には、ニツケル等第3の金属を介して
電気的接合をとれば冷却部におけるジユール熱の
発生を抑えることができ、冷却能力の低下を防止
できる。
Furthermore, depending on the metal used, the joint between the first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25 may not be an ohmic junction but a semiconductor junction (for example, a shotgun junction). In such a case, if electrical connection is made through a third metal such as nickel, generation of Joule heat in the cooling section can be suppressed, and a decrease in cooling capacity can be prevented.

さらに、第1の熱電対金属28および第2の熱
電対金属29の材料は、本実施例の如くそれぞれ
第1のペルチエ金属24および第2のペルチエ金
属25と同一の材料を使うことが製造の容易性等
から現実的であるが、これに限られるものではな
い。
Furthermore, it is preferable that the first thermocouple metal 28 and the second thermocouple metal 29 be made of the same materials as the first Peltier metal 24 and the second Peltier metal 25, respectively, as in this embodiment. Although this is practical due to ease of use, it is not limited to this.

また、室温検出手段である測温抵抗体32は、
後述するように、絶対湿度を測定する場合には不
要な要素である。そして相対湿度を測定する場合
にあつても、別途室温検出計を用いることが可能
であるので、湿度検出用素子上に必ずしも一体形
成する必要はない。
Further, the temperature measuring resistor 32, which is a room temperature detection means,
As will be described later, this is an unnecessary element when measuring absolute humidity. Even when measuring relative humidity, it is possible to use a separate room temperature detector, so it is not necessarily necessary to integrally form it on the humidity detection element.

なお、室温検出手段を湿度検出用素子に一体形
成する他の例としては、シリコン単結晶のウエフ
アにダイオードを集積したものを基板として使用
し、このダイオードの順方向電圧の温度依存性を
利用するもの等がある。
Another example of integrally forming the room temperature detection means with the humidity detection element is to use a silicon single crystal wafer with integrated diodes as the substrate, and utilize the temperature dependence of the forward voltage of the diodes. There are things etc.

また、冷却温度検出手段は必ずしも熱電対で構
成しなくてもよく、例えば測温抵抗体等で構成す
ることも可能である。
Further, the cooling temperature detecting means does not necessarily have to be composed of a thermocouple, but can also be composed of, for example, a temperature-measuring resistor.

つぎに、本実施例の湿度検出用素子を実際に露
点湿度計として用いる場合の回路構成を第7図の
ブロツク図に基づいて説明する。
Next, the circuit configuration when the humidity detecting element of this embodiment is actually used as a dew point hygrometer will be explained based on the block diagram of FIG.

一点鎖線で囲まれた部分が湿度検出用素子1で
あり、ペルチエ冷却手段2、水滴検出手段3、冷
却温度検出手段4、室温検出手段5を含む。
A portion surrounded by a dashed line is a humidity detection element 1, which includes a Peltier cooling means 2, a water droplet detection means 3, a cooling temperature detection means 4, and a room temperature detection means 5.

電流発生回路6はペルチエ冷却手段2に必要な
電流を供給する回路であり、ペルチエ冷却手段2
の冷却能力を決定する回路である。
The current generating circuit 6 is a circuit that supplies the necessary current to the Peltier cooling means 2.
This circuit determines the cooling capacity of the

水滴検出回路7は、直接的には水滴検出手段3
のインピーダス変化を検出する回路であり、この
変化を検出して水滴の有無を判断する。すなわ
ち、水滴検出手段3を構成するコンデンサの容量
が水滴の付着により大きく変化することを利用し
て水滴の有無を検出するものである。
The water drop detection circuit 7 directly connects to the water drop detection means 3.
This is a circuit that detects changes in impedance, and determines the presence or absence of water droplets by detecting this change. That is, the presence or absence of water droplets is detected by utilizing the fact that the capacitance of the capacitor constituting the water droplet detection means 3 changes greatly due to adhesion of water droplets.

温度差検出回路8は、冷却温度検出手段4とし
ての熱電対がペルチエ冷却手段2における冷却部
と室温との差に基づいて発生する起電力を検出
し、この起電力から冷却部と室温との温度差を検
出する回路である。
In the temperature difference detection circuit 8, a thermocouple serving as the cooling temperature detection means 4 detects an electromotive force generated based on the difference between the cooling section and the room temperature in the Peltier cooling means 2, and detects the difference between the cooling section and the room temperature from this electromotive force. This is a circuit that detects temperature differences.

室温検出回路9は、室温検出手段5としての測
温抵抗体32に接続され、測温抵抗体32の抵抗
変化から室内温度Taを検出する機能を有する。
The room temperature detection circuit 9 is connected to the temperature-measuring resistor 32 as the room-temperature detecting means 5, and has a function of detecting the room temperature Ta from the resistance change of the temperature-measuring resistor 32.

マイクロコンピユータ10は、電流発生回路
6、水滴検出回路7、温度差検出回路8、室温検
出回路9とバス12を介して接続され、水滴検出
回路7により検出される水滴の有無に応じて電流
発生回路6を制御するとともに、温度差検出回路
8によつて検出される温度差ΔTと室温検出回路
9によつて検出される室内温度Taを使つて演算
により絶対湿度と相対湿度を求める機能を有す
る。
The microcomputer 10 is connected to a current generation circuit 6, a water droplet detection circuit 7, a temperature difference detection circuit 8, and a room temperature detection circuit 9 via a bus 12, and generates a current depending on the presence or absence of water droplets detected by the water droplet detection circuit 7. It has a function of controlling the circuit 6 and calculating absolute humidity and relative humidity using the temperature difference ΔT detected by the temperature difference detection circuit 8 and the room temperature Ta detected by the room temperature detection circuit 9. .

インターフエース11はマイクロコンピユータ
10に接続され、マイクロコンピユータ10から
の露点温度、絶対湿度、相対湿度等に関する情報
を図示しない外部機器に送る機能を有する。
The interface 11 is connected to the microcomputer 10 and has a function of sending information regarding dew point temperature, absolute humidity, relative humidity, etc. from the microcomputer 10 to an external device (not shown).

次に、このように構成された露点湿度計の動作
について、第8図に示すマイクロコンピユータ1
0が実行するフローチヤートにしたがつて説明す
る。
Next, regarding the operation of the dew point hygrometer configured in this way, the microcomputer 1 shown in FIG.
This will be explained according to the flowchart executed by 0.

まず、マイクロコンピユータ10は電流発生回
路6に最大電流をペルチエ冷却手段2に流すよう
に指示する(ステツプ101)。
First, the microcomputer 10 instructs the current generating circuit 6 to cause the maximum current to flow through the Peltier cooling means 2 (step 101).

ペルチエ冷却手段2に電流が流れると接合部群
26,27においてペルチエ効果が生じる。すな
わち、第1の接合部群26では吸熱作用、第2の
接合部群27では発熱作用が生じる。
When a current flows through the Peltier cooling means 2, a Peltier effect occurs in the joint groups 26 and 27. That is, an endothermic action occurs in the first joint group 26, and an exothermic action occurs in the second joint group 27.

第1の接合部群26は湿度検出用素子1の中央
部に集中しており、表裏両面が空気中に露出する
薄膜層内に形成されているため、熱的に絶縁され
た状態となつている。したがつて、第1の接合部
群26の近傍すなわち冷却部の冷却は極めて微少
の電流にて実現できることになる。
The first joint group 26 is concentrated in the center of the humidity detection element 1, and is formed in a thin film layer whose front and back surfaces are exposed to the air, so that it is thermally insulated. There is. Therefore, cooling of the vicinity of the first joint group 26, that is, the cooling section, can be achieved with an extremely small amount of current.

一方、第2の接合部群27は湿度検出用素子1
の周辺部に分散しており、基板20に密着した薄
膜層内に形成されているため、その発熱は直ちに
基板20内に伝達される。したがつて、第2の接
合部群29の近傍での温度上昇は殆どなく、第1
の接合部群26の冷却作用に対して全くその影響
を与えることはない。
On the other hand, the second joint group 27 is connected to the humidity detection element 1
The heat generated by the heat generation is immediately transmitted to the inside of the substrate 20 because it is dispersed around the periphery of the substrate 20 and formed in a thin film layer that is in close contact with the substrate 20 . Therefore, there is almost no temperature rise in the vicinity of the second joint group 29, and the first
This has no effect on the cooling effect of the joint group 26 at all.

したがつて、湿度検出用素子1の中央部に位置
する冷却部は露点温度以下に速やかに冷却される
ことになり、この冷却部の上に形成されている水
滴検出手段3のさらにその上の絶縁層22上に結
露現象が現れ、水滴が付着する。
Therefore, the cooling section located in the center of the humidity detection element 1 is quickly cooled down to below the dew point temperature, and the water droplet detection means 3 formed above this cooling section is further cooled down to below the dew point temperature. A dew condensation phenomenon appears on the insulating layer 22, and water droplets adhere.

水滴検出手段3は前述したように、対向する互
いに分離した2本の電極33a,33bからなる
ことから、絶縁層22上に水滴が付着すると、誘
電率が増加し、電極33a,33b間のインピー
ダンスが急激に低下することになる。
As described above, the water droplet detection means 3 is composed of two electrodes 33a and 33b that are separated from each other and are opposed to each other. Therefore, when a water droplet adheres to the insulating layer 22, the dielectric constant increases and the impedance between the electrodes 33a and 33b increases. will drop sharply.

水滴検出回路7はこの水滴検出手段3のインピ
ーダンスの変化を検出し、マイクロコンピユータ
10は水滴検出回路7の出力から水滴の有無を知
る(ステツプ102)。
The water droplet detection circuit 7 detects the change in the impedance of the water droplet detection means 3, and the microcomputer 10 knows the presence or absence of water droplets from the output of the water droplet detection circuit 7 (step 102).

水滴検出回路7としては、例えば、一定周期の
の発振パルスで水滴検出手段3を励起し、この水
滴検出手段3のインピーダンス値を積分回路で対
応する電圧値に変換し、この電圧値を所定のレベ
ルと比較してコンパレータをもつて水滴付着の有
無を検出するといつた構成が考えられる。
The water droplet detection circuit 7 excites the water droplet detection means 3 with, for example, an oscillation pulse of a constant period, converts the impedance value of the water droplet detection means 3 into a corresponding voltage value using an integrating circuit, and converts this voltage value into a predetermined voltage value. A conceivable configuration is to use a comparator to detect the presence or absence of water droplets by comparing the level.

最大電流をもつてペルチエ冷却手段2の冷却部
を冷却することで所定時間内に水滴が付着し、水
滴検出回路7がこれを検出するとマイクロコンピ
ユータ10は冷却電流をN%減少させる(ステツ
プ105)。なお、このとき、所定時間経過しても水
滴が付着しない場合には、雰囲気の状態が測定レ
ンジ範囲外にあるので、その旨の表示信号を出力
する(ステツプ103,104)。
By cooling the cooling part of the Peltier cooling means 2 with the maximum current, water droplets adhere within a predetermined time, and when the water droplet detection circuit 7 detects this, the microcomputer 10 reduces the cooling current by N% (step 105). . At this time, if water droplets do not adhere even after a predetermined period of time has elapsed, the atmospheric condition is outside the measurement range, and a display signal to that effect is output (steps 103, 104).

冷却電流をN%減少させた後、所定時間経過し
た時点で、再び水滴の有無を判断する(ステツプ
106)。冷却電流の減少によつても水滴検出回路7
が水滴有りの信号を出し続けているときは、マイ
クロコンピユータ10はさらに冷却電流をN%減
少させ(ステツプ105)、このような循環を経るこ
とでペルチエ冷却手段2の冷却能力を徐々に減少
させる。
After reducing the cooling current by N%, the presence or absence of water droplets is determined again after a predetermined time has elapsed (step
106). Even if the cooling current decreases, the water droplet detection circuit 7
When the microcomputer 10 continues to issue a signal indicating that there are water droplets, the microcomputer 10 further reduces the cooling current by N% (step 105), and through this circulation, the cooling capacity of the Peltier cooling means 2 is gradually reduced. .

ペルチエ冷却手段2の冷却能力の減少により水
滴が付着しなくなり、さらに蒸発により水滴が消
失し始める。
Due to the reduction in the cooling capacity of the Peltier cooling means 2, water droplets no longer adhere, and furthermore, the water droplets begin to disappear due to evaporation.

水滴検出回路7が水滴の消失を検出すると、今
度は逆に冷却電流をM(<N)%増加し冷却能力
を増すことで水滴の付着し始める露点温度に戻す
ことになる(ステツプ107)。
When the water droplet detection circuit 7 detects the disappearance of water droplets, the cooling current is increased by M (<N)% to increase the cooling capacity and return to the dew point temperature at which water droplets begin to adhere (step 107).

水滴検出回路7が水滴の付着を検出すると(ス
テツプ108)、マイクロコンピユータ10は冷却温
度検出手段4が検出する冷却部と室温との温度差
ΔTおよび室温検出手段5が検出する室内温度Ta
を、それぞれ温度差検出回路8および室温検出回
路9を介して読み取る(ステツプ110,111)。
When the water droplet detection circuit 7 detects the adhesion of water droplets (step 108), the microcomputer 10 detects the temperature difference ΔT between the cooling section and the room temperature detected by the cooling temperature detection means 4 and the room temperature Ta detected by the room temperature detection means 5.
are read via the temperature difference detection circuit 8 and the room temperature detection circuit 9, respectively (steps 110 and 111).

なお、冷却電流をM%増加させていく循環(ス
テツプ107,108,109)で、冷却電流が最大とな
つてしまつた場合には、雰囲気の状態が測定レン
ジ範囲外にあることを意味し、その旨の表示信号
を出力する(ステツプ104)。
In addition, in the cycle of increasing the cooling current by M% (steps 107, 108, 109), if the cooling current reaches the maximum, it means that the atmospheric condition is outside the measurement range. A display signal to that effect is output (step 104).

冷却温度検出手段4は前述したように感温部3
0を素子1のほぼ中央に配置する熱電対28,2
9からなり、この熱電対28,29の他端は素子
1の周辺部すなわち凹部21でない基板20上に
配置されることから、この温度差ΔTは室温状態
にある基板20の温度値とペルチエ冷却手段の冷
却部の温度値との差分値である。
The cooling temperature detection means 4 includes the temperature sensing section 3 as described above.
thermocouple 28,2 with 0 placed approximately in the center of element 1;
9, and the other ends of the thermocouples 28 and 29 are placed on the periphery of the element 1, that is, on the substrate 20, not on the recess 21, so this temperature difference ΔT is determined by the temperature value of the substrate 20 at room temperature and the Peltier cooling. This is the difference value from the temperature value of the cooling section of the means.

室温検出手段5は前述したように測温抵抗体3
2からなり、室温変化に伴う抵抗値の変化を微少
電流を流して電圧値に変換することで室温値を検
出する。
The room temperature detection means 5 includes the resistance temperature detector 3 as described above.
2, the room temperature value is detected by converting the change in resistance value due to room temperature change into a voltage value by flowing a minute current.

マイクロコンピユータ10は温度差ΔTと室内
温度Taを読み込むと、 Td=Ta−ΔT を求める(ステツプ112)。このTdがペルチエ冷
却手段2の冷却部の露点温度である。
When the microcomputer 10 reads the temperature difference ΔT and the room temperature Ta, it calculates Td=Ta−ΔT (step 112). This Td is the dew point temperature of the cooling section of the Peltier cooling means 2.

マイクロコンピユータ10内の図示しない
ROMには、第9図に示す公知の雰囲気温度と飽
和水蒸気圧力との関係のグラフが関数近似により
テーブル化されている。したがつて、室温温度
Taと露点温度Tdが求まるとマイクロコンピユー
タ10はこのテーブルをを使つて室内温度Taと
露点温度Tdにおける飽和水蒸気圧力Pa,Pdを求
めることができる。
Not shown in the microcomputer 10
In the ROM, the well-known graph of the relationship between atmospheric temperature and saturated steam pressure shown in FIG. 9 is tabulated by function approximation. Therefore, room temperature
Once Ta and the dew point temperature Td are determined, the microcomputer 10 can use this table to determine the saturated water vapor pressures Pa and Pd at the indoor temperature Ta and the dew point temperature Td.

絶対湿度はこの飽和水蒸気圧力Pdで定義され、
相対湿度はPd/Paで定義されることから演算に
より湿度値がすべて求まることになる(ステツプ
113)。
Absolute humidity is defined by this saturated water vapor pressure Pd,
Since relative humidity is defined as Pd/Pa, all humidity values can be found by calculation (step
113).

マイクロコンピユータ10は使用者の要求に応
じ、インターフエース11を介して露点温度Td、
絶対湿度Pd、相対湿度Pd/Paを外部機器に出力
する(ステツプ114)。
The microcomputer 10 controls the dew point temperature Td,
Absolute humidity Pd and relative humidity Pd/Pa are output to external equipment (step 114).

以上のフローチヤートのステツプにおいて、冷
却電流を最大値から徐々にN%毎減少させ、結露
現象が消失してから逆に冷却電流を徐々にM%増
加させて露点を実現する方法を示した。そして、
Nの値をMの値より大きく設定することで大凡の
露点温度を見つけ、それから細かく正確な露点温
度を見つけ出すことで応答性を高めようとしたも
のであるが、初めから冷却電流を最大値からゆつ
くりと減少させ、結露現象の生じた時点での温度
データをもつて露点温度してもよい。さらに、冷
却電流を最大値から増加させたり、デユーテイ比
で実効的に変えるものでも構わない。
In the steps of the above flowchart, a method has been shown in which the cooling current is gradually decreased by N% from the maximum value, and after the dew condensation phenomenon disappears, the cooling current is gradually increased by M% to achieve the dew point. and,
The idea was to find the approximate dew point temperature by setting the value of N larger than the value of M, and then to find the precise dew point temperature in order to improve responsiveness. The dew point temperature may be determined by gradually decreasing the temperature and using the temperature data at the time when the dew condensation phenomenon occurs. Furthermore, the cooling current may be increased from the maximum value, or the duty ratio may be effectively changed.

また、上記実施例では、水滴検出手段として互
いに対向する二つの電極33を用いたが、水滴の
付着によつてその特性が急激に変化する感湿素子
たとえばZn3(PO42やZn3(PO42とLiPO4を用い
てもよい。
Further, in the above embodiment, two electrodes 33 facing each other are used as the water droplet detection means, but moisture sensing elements such as Zn 3 (PO 4 ) 2 or Zn 3 whose characteristics change rapidly due to adhesion of water droplets are used. (PO 4 ) 2 and LiPO 4 may also be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の湿度検出用素子
によれば、冷却部を湿度検出用素子の中央部に集
中させた第1の感熱手段と感温部を冷却部近傍に
設けた第2の感熱手段とからなる温度差検出手段
と、冷却部の上部に付着する水滴を検出する水滴
検出手段とを中央部が除去されている基板上に集
積したので、冷却部が熱的に絶縁され、微弱な電
流で急速に必要部分のみを局部冷却でき、第2の
感熱手段および水滴検出手段の出力からきわめて
早い応答速度で雰囲気の湿度を測定できる。
As explained above, according to the humidity detecting element of the present invention, the first heat sensitive means has the cooling part concentrated in the central part of the humidity detecting element, and the second heat sensitive means has the temperature sensitive part located near the cooling part. Since the temperature difference detection means consisting of a heat sensitive means and the water droplet detection means for detecting water droplets adhering to the upper part of the cooling section are integrated on the substrate from which the central portion is removed, the cooling section is thermally insulated. Only necessary parts can be locally cooled rapidly with a weak current, and the humidity of the atmosphere can be measured with an extremely fast response speed from the outputs of the second heat-sensitive means and the water droplet detection means.

また、素子の局部のみが冷却されるので、冷却
される空気も局部となり被計測空気を熱的に乱す
ことが少なくなるので狭い空間での湿度計測が可
能である。さらに、素子の局部のみが冷却される
ということは、素子の他の部分は冷却されずに室
温に保持されていることを意味し、したがつて、
室温センサを素子上に必要に応じて集積化するこ
とができる。
Further, since only a local part of the element is cooled, the air to be cooled is also localized and there is less thermal disturbance of the air to be measured, making it possible to measure humidity in a narrow space. Furthermore, cooling only a local part of the element means that other parts of the element are not cooled and are kept at room temperature, thus
A room temperature sensor can be integrated on the device as required.

さらに、一般のICと同様に1度に多量の生産
が可能であるので、湿度検出に必要なすべての検
出機能を具備するにもかかわらず非常に安価とな
る。
Furthermore, like general ICs, it can be produced in large quantities at one time, so it is very inexpensive despite having all the detection functions necessary for humidity detection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図はいずれも本発明の一実施
例の製造途中における斜視図、第3図は本発明の
一実施例の製造途中における断面図、第4図は本
発明の一実施例を示す概略断面図、第5図および
第6図は基板の凹部の他の形成方法を示す斜視
図、第7図は本実施例の湿度検出用素子を実際に
露点湿度計として用いた場合のブロツク図、第8
図はマイクロコンピユータの動作を示すフローチ
ヤート、第9図は雰囲気温度と飽和水蒸気圧力と
の関係を示すグラフである。 1…湿度検出用素子、2…ペルチエ冷却手段、
3,33…水滴検出手段、4…冷却温度検出手
段、5…室温検出手段、24…第1のペルチエ金
属、25…第2のペルチエ金属、26…第1の接
合部群、30…感温部。
1 and 2 are both perspective views of one embodiment of the present invention during manufacture, FIG. 3 is a sectional view of one embodiment of the present invention during manufacture, and FIG. 4 is an embodiment of the present invention. 5 and 6 are perspective views showing other methods of forming the recessed portions of the substrate. FIG. Block diagram, No. 8
The figure is a flowchart showing the operation of the microcomputer, and FIG. 9 is a graph showing the relationship between ambient temperature and saturated steam pressure. 1... Humidity detection element, 2... Peltier cooling means,
3, 33... Water droplet detection means, 4... Cooling temperature detection means, 5... Room temperature detection means, 24... First Peltier metal, 25... Second Peltier metal, 26... First joint group, 30... Temperature sensing Department.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 基板上に水滴検出手段と、温度差検出手段
と、冷却手段とを有し、前記冷却手段は薄膜状の
複数のペルチエ素子を有する薄膜層からなり、前
記複数のペルチエ素子の発熱接合部は前記薄膜層
の周辺部に位置し、前記複数のペルチエ素子の吸
熱接合部は前記薄膜層の中央の冷却部に互いに隣
接して位置し、前記薄膜層の周辺部は基板に接合
し前記薄膜層の中央部は前記基板と遊離し、前記
複数のペルチエ素子の全ての吸熱接合部および全
ての発熱接合部は同一面上に形成され、前記水滴
検出手段は前記冷却手段上に位置し、前記温度差
検出手段は前記冷却手段の中央部に位置する第1
の感熱手段と前記薄膜層の周辺部に位置する第2
の感熱手段とからなることを特徴とする湿度検出
用素子。
1. A water droplet detection means, a temperature difference detection means, and a cooling means are provided on a substrate, the cooling means is composed of a thin film layer having a plurality of thin film-like Peltier elements, and the heat generating joint of the plurality of Peltier elements is The heat-absorbing joints of the plurality of Peltier elements are located at the periphery of the thin film layer, and the heat-absorbing joints of the plurality of Peltier elements are located adjacent to each other in the central cooling part of the thin film layer, and the periphery of the thin film layer is bonded to the substrate and A central portion of the Peltier elements is separated from the substrate, all heat-absorbing joints and all heat-generating joints of the plurality of Peltier elements are formed on the same surface, the water droplet detection means is located on the cooling means, and the temperature The difference detection means includes a first one located in the center of the cooling means.
and a second heat sensitive means located at the periphery of the thin film layer.
A humidity detection element comprising a heat sensitive means.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3633015A1 (en) * 1986-09-29 1988-04-07 Draegerwerk Ag METHOD AND ARRANGEMENT FOR MEASURING THE DEW POINT
JP2008256516A (en) * 2007-04-04 2008-10-23 Asmo Co Ltd Water-drop detector and controller
DE102009054869B4 (en) * 2009-04-09 2022-02-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirrors for guiding a beam of radiation, devices with such a mirror and methods for producing microstructured or nanostructured components
EP3470829B1 (en) * 2016-06-08 2022-07-13 National Institute for Materials Science Dew point measuring method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5335592A (en) * 1976-09-13 1978-04-03 Kazuhiro Takizawa Dew point meter utilizing electronic cooling
JPS5817349A (en) * 1981-07-23 1983-02-01 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Detector for dew condensation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5335592A (en) * 1976-09-13 1978-04-03 Kazuhiro Takizawa Dew point meter utilizing electronic cooling
JPS5817349A (en) * 1981-07-23 1983-02-01 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Detector for dew condensation

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