JPH0371546A - 四重極質量分析計 - Google Patents

四重極質量分析計

Info

Publication number
JPH0371546A
JPH0371546A JP1207387A JP20738789A JPH0371546A JP H0371546 A JPH0371546 A JP H0371546A JP 1207387 A JP1207387 A JP 1207387A JP 20738789 A JP20738789 A JP 20738789A JP H0371546 A JPH0371546 A JP H0371546A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
voltage
high frequency
tuning
mass spectrometer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1207387A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2873239B2 (ja
Inventor
Seiji Hiroki
成治 廣木
Tetsuya Abe
哲也 阿部
Yoshio Murakami
村上 義夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Atomic Energy Agency
Original Assignee
Japan Atomic Energy Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Atomic Energy Research Institute filed Critical Japan Atomic Energy Research Institute
Priority to JP1207387A priority Critical patent/JP2873239B2/ja
Publication of JPH0371546A publication Critical patent/JPH0371546A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2873239B2 publication Critical patent/JP2873239B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野1 本発明は、真空容器内の残留ガス成分の測定に用いる四
重極質量分析計に関する。
[従来の技術] 第7図は、従来の四重極質量分析計を用いて残留ガス成
分を測定する〜測定系を示す。同図において、四1L極
質量分析計は、測定部2、RF(高周波)ユニ・71部
4及び制御電源6から成る。測定部2はイオン源8、四
重極棒10及びイオン検出器12から成り、容器に収め
られている。RFユニット部4は、高周波同調回路14
及び高周波増幅器16から成る。高周波同調回路14は
コイル18と可変フンデアザ20かもなる並列共振回路
である。制御電源6には、固定周波数の高周波電圧を発
生ずる高周波発振器(図示せず)が設けられている。該
高周波発振器により発生された高周波電圧はRFユニッ
ト部4の高周波増幅器16により増幅され高周波同調回
路14を介して測定部2の四重極棒10に印加される。
なお、四重極棒10には、印加された高周波電圧に対し
て一定の振幅比を持つ直流電圧が制御電R6によりつく
られ、該高周波電圧に重ね合わされて印加される。
測定部2は真空容器22に接続され、該真空容器22は
真空ポンプ24に接続されている。真空ポンプ24によ
り真空容器22内の気体が排気され、それと共に測定部
2内の気体も排気される。その後に、測定すべき気体が
真空容器22を介して測定部2に導入され、該測定すべ
き気体がイオン源8でイオン化される。該イオンは直流
電圧と高周波電圧が重畳されている四重極棒10を所定
の条件下で通過しイオン検出器12に入り、この検出結
果からガス成分が測定される。
上記した従来の四重極質量分析計では、高周波同調回路
14は、固定周波数の高周波電圧が四重極棒10に反射
等しないで適切に印加されるように、四重極棒10の静
電容量の影響を打ち消すために設けられている。従って
、四重極棒10と高周波同調回路14間の距離は、長く
なるほど同調が取りにくくなるため、通常数10cm以
内と短い。
また、高周波増幅器16も高周波同調回路14から離す
と、高周波電圧を送るための両者を接続する絶縁被覆電
線が長くなる。そのため絶縁被覆電線の静電容量が増え
、温度変化等により該静電容量の変化分も大きくなり、
高周波増幅器16と四重極棒10間全体の同調もずれや
すくなる。従って、高周波増幅器16も高周波同調回路
14に近接して配置され、従来の四重極質量分析計では
、第1図に示すように高周波増幅器16と高周波同調回
路14はRFユニット部4に収容され、且つ測定部2に
近接して配置されている。
このように構成されているので、測定部2における測定
が高温雰囲気内で行う必要がある場合には、空冷ファン
26によりRFユニット部4を冷却して、RFユニット
部4が室温から40’Cの温度範囲になるようにして測
定が行なわれていた。
[発明が解決しようとする課題] 上記したように、従来の四重極質量分析計においては、
四重極棒ioと高周波同調回路14間の距離が通常数1
0ern以内と短いため、高周波同調回路141:とっ
ては、最適な設置場所を選択する余裕がなく、−膜内に
は測定環境状態と同様の苛酷な環境条件となる。従って
、温度等の変化で高周波同調回路14を構成するコイル
18のインダクタンスやコンデンサ20の静電容量がそ
の都度変化してしまうので最適な同調状態から逸脱しや
すく、そのため同調回路のコンデサとして可変コンデン
サ20を用いて、たびたび同調を取り直す必要があった
このように、従来の四重極質量分析計は、人が容易に近
付くことができない高放射線場や、高温雰囲気または低
温雰囲気や、真空容器内等に測定部2だけでなく高周波
同調回路14も設置して測定しなければならない場合に
は、ひとたび同調がずれてしまうと、充分な振幅の高周
波電圧が四重極棒10に加わらないため、高質量数側の
イオン分析ができなくなったり、高周波電圧の反射波が
増えて高周波増幅器16の増幅素子が破壊されたり、更
には分解能が低下したりしてしまうという深刻な問題が
あった。
また、高周波同調回路14を上記のような苛酷な環境条
件下に設置しなければならない場合には、該高周波同調
回路14に近接して配置される高周波増幅器16もまた
同様の苛酷な環境条件下に置かれので、該高周波増幅器
16は出力低下をきたしたり、あるいは高温の場合には
増幅素子の破壊等が生じやすくなる。従って、RFユニ
ット部4が測定部2に近接して配置しなければならない
従来の四重極質量分析計では、その点からも測定環境条
件が限定されるという問題もあった。
本発明は以」二述べた従来技術の問題点を鑑み、高周波
同調回路内の調整が物理的に困難な場所に設置された場
合でも、回路内の素子は調整しないで自動的に最適な同
調状態を維持でき、広範囲の測定環境条件で測定できる
四重極質量分析計を提供することを目的にするものであ
る。
[課題を解決するための手段] 上記目的を遠戚するために、本発明の四重極質量分析計
は、四重極棒と、該四重極棒に接続されその静電容量と
組み合わさる高周波同調手段とを備える。
また、本発明の四重極質量分析計には、前記高周波同調
手段の同調周波数を検出する同調周波数検出手段と、前
記高周波同調手段を介して前記四重極線に印加される周
波数可変の高周波電圧を発生する可変高周波電圧発生手
段とが設けられている。
該可変高周波電圧発生手段は、前記同調周波数検出手段
からの同調周波数を表す検出信号に応答して、該発生さ
れた高周波電圧の可変周波数を前記高周波同調手段の同
調周波数に自動設定するようにする。
[作用] 上記のように構成された本発明の四重極質量分析計は、
高周波同調手段の設置環境、例えば温度等が極端に変化
しても、高周波同調手段を一切調整しないで、変化した
同調周波数を同調周波数検出手段により検出し、該検出
信号に基づいて前記可変高周波電圧発生手段により発生
した高周波電圧の周波数を自動的に変化させ、該変化し
た同調周波数に自動追尾して一致するようにする。
[実施例] 本発明による一実施例を以下に説明する。第1図は、高
周波同調回路が真空容器内に設置された場合の本発明の
一実施例を示し、同図中、第7図と同一符号は同一部分
を示し、説明は省略する。
第1図において、真空容器内22に設置される四重極質
量分析計の構成は、イオン源8、四重極棒10、イオン
検出器12、高周波同調回路収容容器30.高周波同調
回路32、電流導入端子34、電流導入端子付真空7ラ
ンジ36及び38、絶縁被覆電線40.42.44.4
6.48及び5゜である。なお、真空容器22には真空
ポンプ24が接続されている。
高周波同調回路32と四重掻棒10とを接続する電線4
0を長くすると#寛容量が増えて同調が取りにくくなる
ため、電線40は最短距離で配線されている。電線44
.46.48及び5oの長さには特に制限はない。電線
42の長さについては後述する。
なお、これらの部品は、真空中で耐熱性の有するものを
使用する。
真空容器22外に設置される四重極質量分析計の構成は
、イオン源制御電源52、イオン検出器制御電源54、
直流増幅回路56、可変高周波発生回路58、鋸歯状波
発生回路60、振幅変調器62及び高周波増幅器16で
ある。
イオン源制御電i52は電線50を介してイオン源8を
駆動し、イオン検出制御電源54は電線48を介してイ
オン検出器12を駆動する。可変高周波発生回路58で
発生された高周波電圧は振幅変調器62において鋸歯状
波発生回路60で発生された波形により振幅変調され、
該振幅変調された高周波電圧は高周波増幅器16で増幅
され電線42を介して高周波同調回路32に与えられる
高周波同調回路32に与えられた高周波電圧は電線40
を介して四重極棒10に印加される。まl;、高周波同
調回路32においては、それにかかる高周波電圧の大き
さが後述するように全波整流電圧として検出され、該検
出された全波整流電圧は電線46を介して可変高周波発
生回路58に与えられる。可変高周波発生回路58で全
波整流電圧は平滑化され、該平滑化された全波整流電圧
に基づき可変高周波発生回路58で発生される高周波電
圧の周波数は高周波同調回路32の同調周波数に一致す
るように自動設定される。従って、自動設定後の四重極
棒10には高周波同調回路32の同調周波数と一致した
高周波電圧が印加される。また、該検出された全波整流
電圧は直流増幅回路56にも与えられ、該直流増幅回路
56に設けられた平滑回路(図示せず)により平滑化さ
れ、該平滑化された全波整流電圧に基づき直流槽#11
回路56は四重極棒10に与えられる高周波電圧に対し
て一定の振幅比を持つ直流電圧を発生し、該直流電圧を
電線44、高周波同調回路32及び電線40を介して四
重極棒ioに印加する。
鋸歯状波発生回路60は、第2図に示すような出力波形
を発生する。鋸歯状波発生回路60は、同図に示すイオ
ンの質量数を測定する測定期間64(可変高周波発生回
路58は高周波同調回路32の同調周波数に一致した高
周波電圧を発生)は一定の勾配で増大する電圧を発生し
、次に可変高周波発生回路58が周波数を可変にして高
周波電圧を発生する可変周波数発生期間66では測定期
間64の終わりにおける電圧に等しい大きさの電圧パル
スを所定数一定間隔で発生する。鋸歯状波発生回路60
は測定器間64と可変周波数発生期間66とを交互に繰
り返す。第2図に示されるような波形の電圧が、鋸歯状
波発生回路60から振幅変調器62に与えられ、該波形
の電圧により可変高周波発生回路58の高周波電圧が振
幅変調されるので、振幅変調器62の出力には、高周波
電圧の振幅の包絡が第2図に示す波形と同じ形をした高
周波電圧が与えられる。従って、測定期間64において
は、四重極棒1(Hこは振幅が一定の勾配で増大する高
周波電圧が印加されるので、イオンの質量数の小さいも
のから大きいものへ順に測定が可能となる。なお、第2
図に示す波形の電圧は振幅変調器62の振幅変調のため
のベース信号にあたり、鋸歯状波発生回路60はベース
信号発生回路でもある。
第3図は、第2図の高周波同調回路32の回路構成図で
ある。同図において、高周波トランス68の1次側のコ
イルに電線42を介して高周波増幅器16から高周波電
圧が印加される。、直流増幅回路56からの直流電圧を
電線44、高周波同調回路32及び電線40を介して四
重極棒10に高周波電圧と共に重畳させるため、高周波
トランス6Bの2次側は2つのコイルから成る。該2つ
のコイルの夫々の一端には電線44を介して直流電圧が
印加される。該2つのコイルの夫々の一端と接地との間
に各コンデンサ70が高周波カット用コンデンサとして
挿入される。1次側コイルに印加される高周波電圧の極
性が図に示す矢印の向きであるとき、2つのコイルに誘
起される電圧の向きが図に示す矢印の向きになるように
2つのコイルはコアに巻かれる。2つのコイルの夫々の
他端は電流導入端子34を介して電線4oに接続され、
高周波電圧及び直流電圧を四重極棒1oに印加する出力
側を形成する。2つのコイルの他端間に直列に順にコン
デンサ72、整流器として作用する2つの2極真空管7
4及びコンデンサ72が接続される。2つの2極真空管
74はアノードを共通に接続され且つ接地され、それぞ
れのカソードはコンデンサ72の端子のうち2次側コイ
ルに接続されていない各端子に接続される。2つの抵抗
76のそれぞれの一端は2つの2極真空v74のカソー
ドのそれぞれに接続され、該2つの抵抗76の他端は共
通接続され、電線46に接続される。
抵抗76は2つの2極真空管74のカソード間を分離す
るため挿入されている。高周波トランス68とコンデン
サ72は並列共振する高周波同調回路を形成する。また
、2つの2極真空管74及び2つの抵抗76により構成
される回路は高周波トランスの2次側に発生する電圧か
らコンデンサ72を介して全波整流電圧をつくり、高周
波同調回路32の同調周波数を検出する作用をする。
このような高周波同調回路32における周波数に対する
高周波トランスの2次側に発生する電圧の関係、即ち同
調特性を第4図に示す。高周波トランスの2次側に発生
する電圧は同調時に最大となり印加される高周波電圧の
周波数が同調周波数から上側または下側のいずれの方に
ずれてもずれるに従い該発生電圧は小さくなる。即ち、
該発生電圧の大きさは周波数に対して単峯特性を有する
ここで、室温(200C)、大気圧(1kPa)の雰囲
気で高周波同調回路32が例えば2.0MHzに同調す
るように設定するには、コンデンサ72に100pFの
静電容量を持つガラスコンデンサを用い、高周波トラン
ス68に外径29mmのフェライト・トロイダルコアに
4ターンの1次巻き線と19ターンの2次巻き線を巻い
たものを用いることができる。なお、コンデンサ70及
び抵抗76はそれぞれ10009F、100にΩにする
。このときの同調特性は第4図の■のようになる。この
状態で真空ポンプ24を使って真空容器22を排気し始
め、1O−2Pa以下に排気しながら真空容器2全体を
徐々に加熱してやると、フェライト・トロイダルコアの
透磁率の温度係数が約0.15、ガラスコンデンサの静
電容量の温度係数が約−1,0X10−’であるため、
同調周波数は低いほうに変化して行く。例えば、加熱温
度が200’Cになると同調周波数は約1.9MHzに
変化する。このときの同調特性は第4図の■のようにな
る。したがって、2つの抵抗76の共通接続点に発生す
る上記全波整流電圧の大きさは周波数に対して同調特性
に対応したものとなる。
第5図は、可変高周波発生回路58のブロック構成国で
ある。同図において、80は基準周波数発振器、82は
PLL (7エーズ・ロックド・ループ)、84はオフ
セット周波数発生器、86はクロツタ発生器、88は電
圧比較器及び90は基準電圧発生器を示す。なお、この
PLL82は、ミクサ、位相比較器及び電圧制御発振器
を有し、基$M号と電圧制御発振器の出力とがミクサに
入力され且つオフセット周波数の信号が位相比較器に入
力されることにより、基準信号に対してオフセット周波
数だけシフトした周波数の信号を出力する公知の周波数
変換を行うPLLである。電圧比較器88には高周波同
調回路32において検出された全波整流電圧が電線46
を介して与えられ、該与えられた全波整流電圧は電圧比
較器88に設けられた平滑回路(図示せず)により平滑
化される。また、電圧比較器88には、第4図に示すよ
うに高周波同調回路32の同調周波数あるいはそれに近
い周波数に対応する基準電圧が基準電圧発生器90によ
り与えられる。電圧比較器88は上記平滑化された全波
整流電圧が基準電圧より小さいときはローレベルを出力
し、上記平滑化された全波整流電圧が基準電圧に等しい
かそれより大きいときはハイレベルを出力する。クロッ
ク発生器86は、電圧比較器90から、ローレベルを受
け、且つ鋸歯状波発生回路60からの出力波形のうち第
2図に示す可変周波数発生期間68の電圧パルスを1つ
受けたときクロックパルスを1つ出力する。クロック発
生器86は、電圧比較器88からハイレベルを受けてい
るときは、鋸歯状波発生回路60から可変周波数発生期
間68の電圧パルスを受けてもクロックパルスを出力し
ない。また、クロック発生器86は、鋸歯状波発生回路
6oがら第2図に示す測定期間64における出力波形を
°受けているとき及び可変周波数発生期間66における
電圧パルスを受けてないないときもクロックパルスを出
力しない。オフセット周波数発生器84は、O〜100
KHzの間の周波数を有する交流電圧をクロック発生器
86からのクロックパルスを受ける毎に10KHz間隔
で次々にシフトして出力する。基準周波数発振器80は
基準周波数、例えば2MHzの高周波電圧を出力する。
PLL82は、基準周波数発振器80からの2 M H
zの基準周波数の高周波電圧と、オフセット周波数発生
器84からのオフセット周波数(0〜100KHz)を
有する交流電圧とを受け、差の周波数変換を行って振幅
変調器62に出力する。即ち、クロック発生器86がク
ロックを発生していれば、PLL82は、2.0〜1.
9MHzの間を10KHz間隔で高周波電圧を振幅変調
器62に供給する。
次に、このように構成された本発明の四重極質量分析計
の可変高周波発生回路58の出力周波数を高周波同調回
路32の同調周波数に自動的に設定する動作を説明する
初めに、高周波同調回路32は20°Cの雰囲気に置か
れ、その同調特性は第4図の■に示す特性を有し、可変
高周波発生回路58も同調周波数2.0MHzの高周波
電圧を出力しているとする。
次に、真空容器2が加熱され高周波同調回路32は20
0’ Cの雰囲気に置かれると、その同調周波数は1.
9MHzに下がり、同調特性は第4図の■に示すように
なる。従って、抵抗76(第3図)の共通接続点の全波
整流電圧も基準電圧より小さくなり、電圧比較器88の
出力はローレベルとなり、該ローレベルの出力がクロッ
ク発生器86に与えられる。クロック発生器86は、鋸
歯状波発生回路60(第1図)からの可変周波数発生期
間66(第2図)の最初の電圧パルスでタイミングヲ取
り、クロックパルスをオフセット周波数発生器84に与
える。オフセット周波数発生器84は該クロックパルス
に応答してl0KH2の周波数の交流電圧をPLL82
に出力する。PLL82は基準周波数発振器80からの
2.0MHzの高周波電圧とオフセット周波数発生器8
4からの10KHzの交流電圧とを受けて、1.99M
Hzの周波数の高周波電圧を出力する。この1゜99M
Hzの周波数の高周波電圧は振幅変調器62、高周波増
幅器16及び電線42を介して高周波同調回路32の高
周波トランスの1次側コイルに印加される。その結果、
2.0MHzの高周波電圧が印加されたときより大きい
が基準電圧より小さい全波整流電圧が得られ、電圧比較
器88に与えられるので、該電圧比較器88はローレベ
ルを維持し、以下上記した動作を繰返すことによりPL
L82の出力周波数は10KHz間隔で1゜9 M H
zのほうに順次シフトされる。従って、全波整流電圧は
第4図の■で示される1、9M11zの同調特性から明
らかなように順次大きくなり、基準電圧に等しくなった
とき電圧比較器88の出力はハイレベルとなり、クロッ
ク発生器86はクロックを出力することを停止し、PL
L82の出力周波数をロックする。このようにして、可
変高周波発生回路58は、高周波同調回路32の同調周
波数の変化に追随して該可変高周波発生回路58の出力
周波数を該変化した同調周波数に自動的に設定する。
なお、高周波同調回路32が20〜2009Cの間の雰
囲気温度に置かれる、即ち高周波同調回路32の同調周
波数が2.0〜1.9MHzの間に移動したときも上記
と同様にして可変高周波発生回路58の出力周波数が高
周波同調回路32の移動後の同調周波数に追随して自動
的に設定されることは明らかである。
また、第1図に示すように高周波同調回路32から高周
波増幅器16を離して電線42により両者を接続すると
、該電線42の静電容量が雰囲気温度等の変化により変
化するので、電線42の静電容量を含めた高周波同調回
路32の同調周波数も変化するが、上記のように可変高
周波発生回路58の出力周波数は変化した同調周波数に
追随する。従って、従来の四重極質量分析計のように高
周波増幅器を高周波同調回路に近接して配置する必要が
なく、高周波増幅器16を第1図に示すように真空容器
22の外に配置できるので、測定可能な環境条件が、例
えば温度200°Cと従来より著しく拡大される。なお
、電線42の長さは、可変高周波発生回路58の出力周
波数が、電線42の静電容量を含めた高周波同調回路3
2の同調周波数の変化に追随できる範囲まで長くするこ
とが可能である。
本発明による四重極質量分析計は、高周波同調回路32
を測定部(イオン源8、四重極棒10及びイオン検出器
12)と共に真空中で移動できるので真空中駆動型の四
重極質量分析計とtri〜うる。
該真空中駆動型四重極質量分析計の有効性を確認するた
め、真空容器22を真空ポンプ24で1×10−”Pa
以下に排気して200’Cに加熱した状態で、第6図(
a)に示すように真空容器22に設けられたポート92
の一部からリークノくルブ94でアルゴンガスを導入し
、真空容器22の内壁に沿って真空中駆動型四重極質量
分析計の測定部及び高周波同調回路を同図の参照番号9
6iこ示すように共に動かして、アルゴンイオン電流を
検出すると第6図(b)のようになり、真空容器22内
に噴出しI;アルゴンガスの該真空容器22の内壁に沿
っての分布状態がわかる。なお、前述した従来の四重極
質量分析計では高周波同調回路と高周波増幅回路を20
06Cという高温環境丁番こ設置できないので、このよ
うな環境下でのアルゴンガスの分布状態は測定できなか
った。
なお、以上説明した実施例においては、可変高周波発生
回路58は周波数をステップ状に変化させているが、連
続的に変化させてもよいことば明らかである。
また、可変高周波発生回路58に基準周波数に対して増
加・減少いずれの方向にも周波数をシフトできる回路と
、周波数をシフトさせたときの全波整流電圧の大きさの
増減方向を検出する回路とを設け、測定環境、例えば雰
囲気温度Jj;種々に変化する場合においても可変高周
波発生回路58の出力周波数が高周波同調回路32の同
調周波数に自動的に追随できるようにしてもよい。
また、上記のように測定雰囲気温度が2006Cと高い
場合は整流器として2極真空管が適してしているが、測
定環境がそれほど苛酷でない、例えば−20’C〜70
6Cのような温度範囲においては、全波整流電圧をつく
る整流器として2極真空管の代わりに、半導体製の整流
器を用いてもよい。
また、高周波同調回路32の同調周波数を検出する方法
は、上記実施例のように電圧検出型に限らず電流検出型
でもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、四重極質量分析
計の高周波同調手段を調整することが困難な場所に設置
、して雰囲気温度等が極端に変化しても、高周波同調手
段を調整する必要がなく、高周波同調手段の同調周波数
に可変高周波電圧発生手段の高周波電圧の周波数が自動
的に追尾して、最適な同調状態を維持することができる
。従って、四重極棒に印加される高周波電力の損失が少
なくなり、安定した質量分析をすることが可能となる。
特に高質量数側のイオン分析も安定に行える。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による四煎極質量分析計の一実施例の構
成図、第2図は第1図に係る鋸歯状波発生回路の出力波
形を示す図、第3図は第1図に係る高周波同調回路の構
成図、第4図は第3図の高周波同調回路の同調特性を示
す図、第5図は第1図に係る可変高周波発生回路のブロ
ック構成国、第6図(a)は真空容器中に導入したアル
ゴンガスを本発明による四重極質量分析計で検出する状
態を示す図、第6図(b)は第6図(a)における検出
結末を示す図、及び第7図は従来の四重極質量分析計の
構成図である。 2:1A11定部、4:RFユニット部、6:制御電源
、8:イオン源、10:四重極棒、 12:イオン検出器、 14.32:高周波同調回路、 16:高周波増輻器、18:コイル、 20:可変コンデンサ、22:真空容器、24:真空ポ
ンプ、26:空冷ファン、30:高周波同調回路収容容
器、 34:電流導入端子、 36.38:電流導入端子付真空7ランジ、40.42
.44.46.48.50:電線、52:イオン源制御
電源、 54:イオン検出器制御電源、 56:直流増幅回路、58:可変高周波発生回路、60
:鋸歯状波発生回路、62:振幅変調器、68:高周波
トランス、70,72:コンデンサ、74:2極真空管
、80:基準周波数発振器、82:PLL、84:オフ
セット周波数発生器、86:クロツタ発生器、88:電
圧比較器、90:基準電圧発生器、92:ポート、94
:リークパルプ、 窮1図 2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、四重極棒と、該四重極棒に接続されその静電容量と
    組み合わさる高周波同調手段とを備える四重極質量分析
    計において、 前記高周波同調手段の同調周波数を検出する同調周波数
    検出手段と、 前記高周波同調手段を介して前記四重極棒に印加される
    周波数可変の高周波電圧を発生する可変高周波電圧発生
    手段とを設け、 該可変高周波電圧発生手段は、前記同調周波数検出手段
    からの同調周波数を表す検出信号に応答して、該発生さ
    れた高周波電圧の可変周波数を前記高周波同調手段の同
    調周波数に自動設定するようにすることを特徴とする四
    重極質量分析計。 2、請求項1記載の四重極質量分析計において、前記高
    周波同調手段の同調周波数は前記四重極棒及び前記高周
    波同調手段の設置環境の変化により変化するものである
    四重極質量分析計。 3、請求項1又は2記載の四重極質量分析計において、
    前記可変高周波電圧発生手段と前記高周波同調手段との
    間に高周波増幅手段を更に設け、前記高周波同調手段は
    前記四重極棒と共に測定環境に設置され、一方前記高周
    波増幅手段は該測定環境の外に設置できるように、前記
    高周波増幅手段と前記高周波同調手段とが所与の長さの
    電気的接続手段により接続されていることを特徴とする
    四重極質量分析計。 4、請求項1又は2に記載の四重極質量分析計において
    、前記同調周波数検出手段は、前記高周波同調手段にか
    かる高周波電圧を全波整流する手段を有することを特徴
    とする四重極質量分析計。 5、請求項4記載の四重極質量分析計において、前記全
    波整流する手段は2極真空管を有することを特徴とする
    四重極質量分析計。 6、請求項4記載の四重極質量分析計において、前記全
    波整流する手段からの全波整流電圧を受け、該全波整流
    電圧に基づいて前記四重極棒に印加される高周波電圧に
    対して所定の振幅比を有する直流電圧をつくる直流電圧
    発生手段を更に設け、該直流電圧を前記四重極棒に印加
    するようにすることを特徴とする四重極質量分析計。 7、請求項4記載の四重極質量分析計において、前記可
    変高周波電圧発生手段は、基準周波数発振器と、前記全
    波整流する手段からの全波整流電圧と、前記高周波同調
    手段の同調周波数又はそれに近い周波数を表す基準電圧
    とを比較する電圧比較器と、該電圧比較器と前記基準周
    波数発振器とに接続され該基準周波数発振器からの基準
    周波数を有する高周波電圧を受けこれに対して周波数を
    シフトした高周波電圧をつくる周波数シフト手段とを有
    し、 該周波数シフト手段は、前記全波整流電圧が前記基準電
    圧より小さいときの前記電圧比較器の比較結果に応答し
    て周波数をシフトし、前記全波整流電圧が前記基準電圧
    に等しいかそれより大きくなるときの前記電圧比較器の
    比較結果に応答して周波数のシフトを停止して周波数を
    ロックすることを特徴とする四重極質量分析計。 8、請求項7記載の四重極質量分析計において、所定の
    勾配で上昇する電圧と、該上昇する電圧が所定の電圧に
    達した後に所定の間隔と前記所定の電圧の大きさを有す
    る複数のパルス電圧とからなるベース信号を周期的に発
    生するベース信号発生手段と、 該ベース信号発生手段に接続され且つ前記可変高周波電
    圧発生手段及び前記高周波同調手段の間に挿入され、前
    記可変高周波電圧発生手段からの高周波電圧を前記ベー
    ス信号発生手段からのベース信号により振幅変調する振
    幅変調手段と、前記可変高周波電圧発生手段の電圧比較
    器と周波数シフト手段との間に挿入され且つ前記ベース
    信号発生手段に接続され、前記全波整流電圧が前記基準
    電圧より小さいときの前記電圧比較器の比較結果と前記
    ベース信号発生手段からのベース信号のうちの前記パル
    ス電圧とを受けたときクロックパルスを発生するクロッ
    クパルス発生手段とを更に設け、 前記所定の勾配で上昇する電圧が発生する期間に測定を
    行い、前記パルス電圧を発生する期間に前記クロックパ
    ルス発生手段からのクロックパルスに応答して前記周波
    数シフト手段が高周波電圧の周波数をシフトすることに
    より前記可変高周波電圧発生手段の高周波電圧の可変周
    波数を前記高周波同調手段の同調周波数に自動設定する
    ようにすることを特徴とする四重極質量分析計。
JP1207387A 1989-08-10 1989-08-10 四重極質量分析計 Expired - Lifetime JP2873239B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1207387A JP2873239B2 (ja) 1989-08-10 1989-08-10 四重極質量分析計

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1207387A JP2873239B2 (ja) 1989-08-10 1989-08-10 四重極質量分析計

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0371546A true JPH0371546A (ja) 1991-03-27
JP2873239B2 JP2873239B2 (ja) 1999-03-24

Family

ID=16538896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1207387A Expired - Lifetime JP2873239B2 (ja) 1989-08-10 1989-08-10 四重極質量分析計

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2873239B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08511729A (ja) * 1993-03-22 1996-12-10 アイエフエー、インスティトウテト、フォー、プロダクションズ、アンド、アルベツプラツトベックリング、エービー 溶融金属取扱容器の改良
JP2011522379A (ja) * 2008-05-27 2011-07-28 アストロテック コーポレイション 質量分析計のイオントラップまたは質量フィルタの駆動方法
WO2012108050A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 株式会社島津製作所 四重極型質量分析装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08511729A (ja) * 1993-03-22 1996-12-10 アイエフエー、インスティトウテト、フォー、プロダクションズ、アンド、アルベツプラツトベックリング、エービー 溶融金属取扱容器の改良
JP2011522379A (ja) * 2008-05-27 2011-07-28 アストロテック コーポレイション 質量分析計のイオントラップまたは質量フィルタの駆動方法
WO2012108050A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 株式会社島津製作所 四重極型質量分析装置
JP5527439B2 (ja) * 2011-02-10 2014-06-18 株式会社島津製作所 四重極型質量分析装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2873239B2 (ja) 1999-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2301061B1 (en) Driving a mass spectrometer ion trap or mass filter
US5273610A (en) Apparatus and method for determining power in plasma processing
EP0564629B1 (en) Power supply for multipolar mass filter
US6740842B2 (en) Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
US7190119B2 (en) Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system
US4877999A (en) Method and apparatus for producing an hf-induced noble-gas plasma
CN1515018B (zh) 等离子体处理器
US11398369B2 (en) Method and apparatus for actively tuning a plasma power source
Tuszewski et al. The accuracy of Langmuir probe ion density measurements in low-frequency RF discharges
TWI821157B (zh) 檢測離子的裝置及方法
US8115166B2 (en) Method of controlling mass spectrometer and mass spectrometer
JPH0371546A (ja) 四重極質量分析計
JP5970274B2 (ja) 質量分析装置
JPWO2020012704A1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ecr高さモニタ
Sulzer High-stability bridge-balancing oscillator
JP2000077025A (ja) 四重極質量分析装置
CN106656172B (zh) 一种变频它激式射频发生器
US11885315B2 (en) Radio-frequency plasma generating system and method for adjusting the same
JPS62213056A (ja) 高周波誘導結合プラズマを用いた分析装置
US20030008593A1 (en) Method and device for evaporating a getter material in a vacuum tube
JPS62168408A (ja) Mri装置用アンテナ回路自動共振・整合装置
Stephan et al. VHF Coaxial Helix Plasma Source for a-Si: H
JPS61173119A (ja) 音響式容積測定装置
JPH01117262A (ja) 高周波誘導結合プラズマ分析計
JPH02262031A (ja) 真空測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108

Year of fee payment: 11