JPH0369088A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン打ち込み転送路を用いた磁気バブルメモ
リ素子に係わり、特に機能部をコンダクタパタンとイオ
ン打ち込み転送路で構成した全イオン打ち込み方式の磁
気バブルメモリ素子に係わる。

〔従来の技術〕

従来の磁気バブルメモリ素子では、情報の書き込み読み
出しを行うメジャラインや機能部および情報の蓄積を行
うマイナループに、１ビツトづつが分離したシェブロン
型のパーマロイ転送路を用いている。このようなパーマ
ロイ素子では、マイナループ内の所望の位置にあるバブ
ルを一斉にメジャライン上に複製するブロックレプリケ
ートゲートによって非破壊読み出しを実現している。ま
た、マイナループ内の所望の位置にあるバブルをメジャ
ライン上の書き込みデータと入れ換えるスワップゲート
によって書き込み時のサイクル時間を短縮している。

磁気バブルメモリ素子への高密度・大容量化の要請に対
して、従来のパーマロイ素子には、マイナループを構成
するパーマロイ転送路のバタン間隙における最小加工寸
法、および微細なバタン形状におけるバブルの駆動力に
限界があった。そこで、より高密度・大容量化に適した
素子としてイオン打ち込み素子が米国特許法第３８２８
３２９号公報において提案された。

イオン打ち込み素子では、バブルを保持する磁性ガーネ
ットの表面に水素（Ｈ２”）等のイオンを打ち込んで転
送路を形成する。磁性ガーネットの表面では、イオンの
打ち込みによる歪で磁化が面内に向いている。この面内
磁化がイオン打ち込み転送路バタンのイオン打込み境界
上で向き合って、バブルを駆動する磁荷壁（チャージド
ウオール）を形成する。面内に回転磁界を印加すること
によって、チャージドウオールはイオン打ち込み転送路
上を移動し、バブルはこれに追従して転送する。

チャージドウオールはバブルと同じ磁性ガーネット内に
あるため１強いバブル駆動力が得られる。

またイオン打ち込み転送路にはバタン間隙がなく微細加
工が容易であるため、素子の高密度化に適する。

イオン打ち込み素子において、従来のパーマロイ素子と
同じようにメモリ動作を実現するためには、バブル発生
器・検出器・ブロックレプリケートゲートおよびスワッ
プゲート等の機能部をイオン打ち込み転送路を用いて形
成する必要がある。

バブル発生器については、たとえば特開昭５９−５６２
８３に記載されている。これは、ヘアピンコンダクタパ
タンをメジャライン上に配置しパルス電流を印加するこ
とで局所的にバイアス磁界を下げバブルをメジャライン
上に発生させる方式である６バブル検出器については、
たとえば特開昭５９−７７６９５に記載されている。こ
れは、ヘアピンコンダクタパタンをメジャライン上に配
置しパルス電流を印加することで局所的にバイアス磁界
を下げバブルを数１０倍に引き伸ばし、ヘアピンバタン
内に配置した軟磁性体薄膜検出線の磁気抵抗効果で電気
信号を得る方式である。

ブロックレプリケートゲートについては、特開昭６０−
２２６０８９に記載された２層の相互に直交するヘアピ
ンコンダクタパタンを用いる方法が提案されている。こ
れは、第１のヘアピンパタンにパルス電流を印加してバ
ブルをマイナループ凹部からメジャライン凹部まで引き
伸ばし、次に第２のヘアピンパタンにパルス電流を印加
して伸びたバブル磁区を２つに分割することで非破壊読
みだしを実現する。

さらに、特開昭６２−２６２２３９に記載のデュアルゲ
ートでは、同様に２層のヘアピンコンダクタパタンを用
いた構成で、１つのゲートでブロックレプリケートゲー
トとスワップゲートの両方の機能が実現可能である。こ
れについて、以下第２図を用いて具体的に説明する。

第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はデュアルゲートの構成
および動作に必要なパルス条件を示したものであり、（
ｂ）はスワップ動作、（ｃ）はブロックレプリケート動
作時の波形を示している。デュアルゲートは第１層コン
ダクタのヘアピンパタン５と第２Ｍコンダクタのヘアピ
ンパタン６をメジケライン３とマイプループコーナ４の
上において層間絶縁膜を介して交差させた構造である。

したがって、従来の書込み用と読み出し用に２つのメジ
ャラインが必要であったが、デュアルゲートを用いた素
子では１つのメジャラインだけで素子を構成することが
できる。

デュアルゲートにおけるブロックレプリケート動作では
、まずマイプループコーナ４上のバブルが第１のヘアピ
ンパタン５のギャップ内に転送してきたときパルス電流
１０（第１のストレッチパルス）を印加する。第１のヘ
アピンパタン５のギャップ内にはパルス電流によって局
所的にバイアス磁界と反対向きの磁界が発生するので、
バブルは第１のヘアピンパタン５のギャップに沿ってメ
ジセライン３上の凹部９まで引き伸ばされる。パルス電
流１０に続いてこれより振幅の小さなパルス電流１１（
第２のストレッチパルス）を第１のヘアピンパタン５に
印加し、伸びたバブル磁区を保持する。パルス電流１１
を印加している間に第２のヘアピンパタン６に逆向きの
パルス電流１２（カットパルス）を印加する。このパル
ス電流により第２のヘアピンパタン６のギャップ内には
バイアス磁界と同じ向きの磁界が発生するので、２つの
ヘアピンパタンのギャップ交差位置７において、伸びた
バブル磁区は２つに分割される。この一連の動作でマイ
プループコーナ４上のバブルはメジケライン３の凹部９
に複製され、非破壊読みだしが実現できる。

スワップ動作では、まずマイプループコーナ４上の第２
のヘアピンパタン６のギャップ内の位置８にバブルが転
送してきたときに、第２のヘアピンパタン６にパルス電
流１３（アナイアレートパルス）を印加してバブルを消
去する６次に、第１のヘアピンパタン５にパルス電流１
０（第１のストレッチパルス）を印加してメジケライン
３の凹部９のバブルをマイプループコーナ４まで引き伸
ばす。引き続き第Ｉのヘアピンパタン５にパルス電流１
１（第２のストレッチパルス）を印加して伸びたバブル
を保持する。この後はブロックレプリケート動作と同じ
ように、第２のヘアピンパタン６にパルス電流１２（カ
ットパルス）を印加して伸びたバブル磁区を２つに分割
する。これにより、メジケライン３の凹部９のバブルは
マイプループコーナ４上に複製される。このような一連
の動作によって、従来のパーマロイ素子のスワップゲー
トと同等のマイナループ内情報の書換え機能が実現でき
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

このデュアルゲートの動作において問題となるのは、バ
ブルを引伸すために必要なパルス１０（第１のストレッ
チパルス）および伸びたバブル磁区を２つに分割するた
めに必要なパルスエ２（カットパルス）の電流振幅が２
００ｍＡ以上と大きいことができる。特に−４０℃付近
で素子を動作させる場合にはこの振幅が３００ｍＡ以上
になる。このためデュアルゲートを駆動する周辺回路の
負担が増え、広温度域で動作する素子を実現する上で極
めて深刻な問題となる。

このように大きな電流振幅が必要となる原因は。

デュアルゲートにおけるコンダクタパタンとバブル層と
の間の磁性ガーネットの表面近傍に、イオン打込みによ
る磁歪効果で形成された面内磁化層が存在し、この面内
磁化がコンダクタパタンからの磁界で不要な磁極を形成
するためである。

例えば第３図に示すように、ヘアピン型コンダクタパタ
ンにバブルを引伸す方向のパルス電流を一印加すると、
ここから発生・する磁界によって磁性ガーネットの表面
近傍の面内磁化１４は発散し、ヘアピン型バタンのギャ
ップの下にマイナスの不要磁極１５が形成される０図か
ら分るように、この不要磁極１５から発生する磁界は、
バブル１６の位置では、コンダクタパタンからの磁界の
方向１７（バブルを引伸す方向）とは反対の方向１８（
バブルを消滅させる方向）となる、したがって、不要磁
極の影響によりコンダクタパタンからの磁界は弱められ
ることになる。しかも、磁性ガーネット層内部のバブル
１６の直上位置にイオン打込み層１がありここに不要磁
極１５が形成されるので、この不要磁極工５からバブル
１６へ加わる磁界は強く、コンダクタパタンの磁界を著
しく弱める。バブルを引伸すためには、より強い磁界を
コンダクタパタンで発生させる必要があり、大きな振幅
のパルス電流をコンダクタパタンに供給する必要がある
６例えば、室温において０．８．バブルを引伸すのに必
要なパルス電流の振幅は（０゜４μｓｅｃのパルス幅と
する）、イオン打込み層が無い場合には１００ｍＡで十
分であるのに対して、イオン打込み層を介して印加する
と２００ｍＡ以上必要となる。

バブルを分割する場合には、上述したバブルを引伸す場
合とは反対に、イオン打込み層の磁化は集中し、プラス
の不要磁極が形成される。したがってこの場合も、不要
磁極から発生する磁界は、バブルの位置では、コンダク
タパタンからの磁界の方向（バブルを消滅させる方向）
とは反対の方向（バブルを引伸す方向）となる０例えば
、室温におけるバブルを分割するのに必要なパルス電流
の値を比較すると、イオン打込み層が無い場合には、１
００ｍＡで十分であった電流振幅が、イオン打込み層を
介して印加すると、２００ｍＡ以上必要となる。

このように従来のゲートの構造では、イオン打込み層の
磁化の集中および発散がコンダクタパタンからの磁界を
必ず弱めるため、動作電流振幅が増大する問題があった
。

バブルを分割する電流を低減する手法としては。

例えば特開昭５８−２９１９１に開示されているように
、バブルを分割する位置に非イオン打込み領域をメジャ
ラインおよびマイナループから分離して設ける構造があ
る。第４図に示すようにこの構造ではイオン打込み層が
バブル分割位置に存在しないので、不要磁極の発生がな
く、低い電流でバブルの分割が実現できる。しかしこの
構造では、バブルの伸びる位置にはイオン打込み層があ
るので、バブルを引伸すための電流振幅の低減には効果
が無い。更に、転送路とは無関係の非イオン打込み領域
を設けるため、イオン打込み転送路のメジャラインとマ
イナループコーナのバブル転送特性が悪化する問題が生
じる。

また、特開昭５９−４８８８８に記載されているバブル
複製器のように、非イオン打込み領域を介してバブルを
引き伸ばし、分割するゲートが提案されている。しかし
この複製器では、マイナループの外でバブルを複製する
ため、バブルをマイナループからメジャラインに移すた
めと、複製後に残ったバブルをマイナループに戻すため
の別のゲートが必要であった。このため、メモリ動作を
行うために複雑な制御が必要であった。また、バブル複
製時には単一コンダクタパタンでバブルの引き伸ばしを
行なった後バブルの収縮前に分割を行なう動作が必要で
あったが、バイアス磁界が大きくなるとバブルは自然に
収縮するので、この動作を安定に広い温度域で実現する
ことが困難であった。

本発明の目的は、上記従来の問題点を解消し。

バブルメモリの広温度域動作を実現するため、用いるパ
ルスの電流振幅が実用レベルの１００ｍＡまで低減され
たデュアルゲートを備えた改良された磁気バブルメモリ
素子を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するためには、マイナループの内回りコ
ーナのバブル転送位置の裏側とメジャラインのバブル転
送位置の裏側とを非イオン打込み領域を介して接続した
構造にバブル引伸し用コンダクタパタンとバブル消去及
びバブル分割用コンダクタパタンとを設けたゲートを用
いることで解決することができる。

さらに、具体的に詳述すれば上記本発明の目的は、（１
）磁気六プルを保持する磁性ガーネット膜の表面に選択
的にイオンを打ち込んで形成したイオン打ち込み転送路
と、該磁性ガーネット膜の上に形成した１層以上の絶縁
層と、該絶縁層の上に形成した１層以上の絶縁層と、該
絶縁層の上に形成した１層以上のコンダクタパタンと、
イオン打込み転送路で形成されたメジャラインとマイナ
ループとを少なくとも有し、該メジャラインのバブル転
送位置の裏側における他の部分よりイオン打込み深さが
浅いかイオン打込みされていない領域に、該マイナルー
プの内回りコーナのバブル転送位置の裏側が位置してお
り、この部分に該一層以上のコンダクタパタンによって
ゲートが構成されていることを特徴とする磁気バブルメ
モリ素子により、好ましくは（２）上記ゲートが、該メ
ジャラインとマイナループとの間にまたがって磁性ガー
ネット膜上に設けられた第１のヘアピン型コンダクタパ
タンと、絶縁層を介してそれにギャップどうしが交差し
て設けられた第２のヘアピン型コンダクタパタンとから
威り、しかも前記第１のヘアピン型コンダクタパタンの
ギャップがマイナループの内回りコーナの凹部とメジャ
ラインの凸部または凹部に重なり配置されると共に前記
第２のヘアピン型コンダクタパタンのギャップの一部が
マイナループコーナの凹部に隣接する凹部アナイアレー
ト位置に配置されて威るゲートである磁気バブルメモリ
素子により、さらに好ましくは、（３）上記第１のヘア
ピン型コンダクタパタンのギャップと第２のヘアピン型
コンダクタパタンのギャップとの交差位置の下における
磁性ガーネット層にはイオンが打込まれていないか、ま
たは他の部分より打込み深さが浅いことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子により達成される。また、上記目的
は磁気バブルを情報の記憶単位とするメモリ装置であっ
て、磁気バブルの書込み時にバブル引伸し及びバブル分
割の電流パルスを、磁気バブルの読み出し時にはバブル
消去及びバブル引伸しの電流パルスをそれぞれ印加する
動作パルスシーケンスを用いて成る上記バブルメモリ素
子で構成したメモリ装置により達成される。

〔作用〕

本発明のデュアルゲートでは、レプリケート動作を行う
際に、マイナループ内のバブルを非イオン打込み領域内
に引伸しメジャラインまで到達させた後、同じく非イオ
ン打込み領域内において伸びたバブルの分割を行い、マ
イナループ内のバブルの複製をメジャライン上に作製す
ることができる。擬似スワップ動作では、マイナループ
内のバブルを消去した後、メジャラインのバブルを非イ
オン打込み領域内に引伸しマイナループ内まで移動させ
書換え動作を行うことができる。このように１本発明の
デュアルゲートでは、従来問題であったバブルの引伸し
及び分割が非イオン打込み領域で行うことができる。ま
た、メジャラインとマイナループコーナの転送路のバブ
ル転送特性についても、新たに別パターンをイオン打込
み領域に付加する構造ではないので良好な特性である。

〔実施例〕

実施例１ 以下、本発明の第１の実施例を第１．７，８図を用いて
説明する。

第１図は本発明のデュアルゲートの構成を示した平面図
である。メジキライン３の凸部２０のバブル転送位置の
裏側の非イオン打込み領域と、マイナループの内回りコ
ーナ凹部１９のバブル転送位置の裏側の非イオン打込み
領域とを接続した構造のイオン打込み境界バタン形状で
ある。また、第１層ヘアピンコンダクタパタン５はマイ
ナループの凹部１９とメジャラインの凸部２０との間の
非イオン打込み領域上をそのギャップで結ぶように配置
する。第２層ヘアピンコンダクタパタン６は２つのヘア
ピンパタンを有する逆り字型をしており、一方は第１層
ヘアピンコンダクタパタン５の下の非イオン打込み領域
部２１において層間絶縁膜を介して交差させ、また他方
のヘアピンバタンはマイナループの内回りコーナ１９の
手前の凸部２２にその先端部を設けた構造である。

このデュアルゲートのブロックレプリケート動作を第５
図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）を用いて説
明する。これらの図において（ｅ）は駆動波形であり、
（ａ）〜（ｄ）は平面パターンでありそのうち（ａ）以
外は簡単のためコンタクタパタンは省略して書かれてい
る。まず、（ａ）に示すように、マイナループの内回り
コーナの凹部１９にバブルが転送してきた時に（ｅ）に
示す第１のストレッチパルス１０を第１のヘアピンコン
ダクタパタン５に印加する。バブルは（ｂ）に示すよう
に非イオン打込み領域を伸び、メジャラインの凸部２０
まで引伸される。この時、イオン打込み層の影響を受け
ずにバブルは伸びることができるので、ストレッチに必
要な電流振幅は１００ｍＡ以下で十分である６次に、第
Ｉのストレッチパルス１０に引続き第２のストレッチパ
ルス１１を約２０ｍＡの振幅で第１のヘアピンコンダク
タパタン５に印加し、伸びたバブルを保持する。

この状態で第２のヘアピンコンダクタパタンにカットパ
ルス１２を印加すると伸びたバブルは。

（ｃ）に示すように２つに分割される。この分割に要す
る電流振幅についても、非イオン打ち込み領域で行うの
で１００ｍＡ以下で十分である。第２のストレッチパレ
ス１１の印加が終わると、（ｄ）に示すようにマイナル
ープ内のバブルの複製がメジャライン上に、作製され、
非破壊読み出しが実現できる。

スワップ動作を第６図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）。

（ｄ）、（ｅ）を用いて説明する。まず、（ａ）に示す
ように、マイナループの内回りコーナ凹部１・９の手前
凸部２２にバブルが転送してきた時、第２のヘアピンコ
ンダクタパタン６に（ｅ）に示すアナイアレートパルス
１３を１００ｍＡの振幅で印加し、このバブルを消去す
る。この時メジセライン３の凹部２３にはこれから書込
むバブルが存在する０次にこのメジャライン上のバブル
が（ｂ）に示すように、メジャラインの凸部２０に転送
してきた時にストレッチパルス１０を印加する。バブル
は非イオン打込み領域を伸びて、マイナループの内回り
コーナの凹部１９に到達する。

この時バブルは、ブロックプリケート動作と同様に非イ
オン打込み領域を伸びるのでストレッチに必要な電流の
振幅は１００ｍＡ以下で十分である。

一般にイオン打込み転送路では、凸部より凹部の方がバ
ブル吸引磁極が強いので、ストレッチパレス１０の印加
が終わると、（ｄ）に示すように。

マイナループの内回りコーナの凹部１９に収縮する。こ
のようにして、マイナループ内のバブルがメジャライン
上のバブルと入替わり、情報の書換え動作が実現する。

本実施例によると、全てのゲート動作に必要なパルス電
流の振幅が１００ｍＡ以下で済むので、周辺回路の負担
が無い全イオン打込み素子を実現することができる。

実施例２ 以下本発明の第２の実施例を第７図を用いて説明する。

本実施例では、マイナループの内回りコーナのバタン形
状が第１の実施例とは異なる０図に示すようにイオン打
込みパタンをほぼ対称形とすることにより凹部１９．２
４におけるバブルの良好な転送特性を一４０℃〜９０℃
の範囲で実現することができた。

実施例３ 以下本発明の第３の実施例を第８図を用いて説明する。

本実施例では、上記の第２の実施例のイオン打込みバタ
ンに代えて、メジャラインの凹部のバブル転送位置の裏
側とマイナループの内回りコーナのバブル転送位置の裏
側とを非イオン打込みバタンで接続した構造としたもの
である。ブロックレプリケート動作時に、マイナループ
凹部１９のバブルは、メジャラインの凹部２３に複製さ
れる。

またスワップ動作時には、メジャライン凹部２３のバブ
ルがマイナループ凹部１９に移動する。−般にイオン打
込み転送路では１面内磁界の回転に伴い、バブルは凹部
において長い位相範囲で留る性質がある。これによって
凹部に留るバブルを用いることにより、バブルを引伸す
ストレッチパルスを印加する位相余裕度が上記の実施例
の約２倍に拡大する。

〔発明の効果〕 本発明によれば、デュアルゲートの動作に必要なパルス
電流の振幅が大幅に低減できるので、イオン打込み素子
の広温度域動作が実現できるとともに、素子の利用分野
を大きく拡大することができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示すデュアルゲートの
平面図、第２図は従来のデュアルゲートの平面図および
パルス条件、第３図はイオン打込み素子の断面図、第４
図は従来の素子の一例を示す断面図、第５図は本発明の
デュアルゲートのブロックレプリケート動作の原理を示
す平面図、第６図は本発明のデュアルゲートのスワップ
動作の原理を示す平面図、第７図は本発明の第２の実施
例を示す断面図、第８図は本発明の第３の実施例を示す
平面図である。 １・・・選択的イオン打ち込み領域 ２・・・非打ち込み領域 ３・・・メジャライン ４・・・マイナループコーナ ５・・・第１のヘアピンコンダクタパタン６・・・第２
のヘアピンコンダクタパタン７・・・ヘアピンバタン交
差位置 ８・・・アナイアレート位置 ９・・・メジャラインのカスプ（凹部）第１のストレッ
チパルス 第２のストレッチパルス カットパルス アナイアレートパルス 面内磁化層の磁化 不要磁極 バブル コンダクタパタンからの磁界 不要磁極からの磁界 マイナループの内回りコーナの凹部 メジャラインの凸部 非イオン打込み領域上のコンダクタバ タン交差位置 ２２・・・内回りコーナ手前の凸部 ２３・・・メジャラインの凹部 ２４・・・ゲート手前のマイナループの内回りコーナの
凹部 １０　　・ １１　・ １２　・ ｌ　３　・ １４　・ 工　５　・ １６　・ １７　・ １８　・ １９　・ ２０　・ ２１　・ 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルを保持する磁性ガーネット膜の表面にイ
   オンを打ち込んで形成した第１のイオン打ち込み領域と
   、これとはイオンが打込まれていないか打込み深さが浅
   い領域を隔てて設けられた第２のイオン打込み領域と、
   これらの選択的にイオンが打込まれて形成されたイオン
   打ち込み境界から成る２つのイオン打込み転送路と、該
   磁性ガーネット膜の上に形成した絶縁層と、該絶縁層の
   上に形成した第１のヘアピンコンダクタパタンと、これ
   に絶縁層を介して形成した第２のヘアピンコンダクタパ
   タンとを少なくとも有し、該第１のヘアピンコンダクタ
   パタンが該第１のイオン打込み転送路と該第２のイオン
   打込み転送路の少なくとも両方に交差するように配置さ
   れ、該第２のヘアピンコンダクタパタンの一部が該選択
   的にイオンが打込まれてないか打込み深さが浅い領域に
   おいて該第１のヘアピンコンダクタパタンと少なくとも
   １箇所で交差することを特徴とする磁気バブルメモリ素
   子。 ２、磁気バブルを保持する磁性ガーネット膜の表面に選
   択的にイオンを打ち込んで形成したイオン打ち込み転送
   路と、該磁性ガーネット膜の上に形成した絶縁層と、該
   絶縁層の上に形成した１層以上のコンダクタパタンと、
   イオン打込み転送路で形成されたメジャラインとマイナ
   ループとを少なくとも有し、該メジャラインのバブル転
   送位置の裏側における他の部分よりイオン打込み深さが
   浅いかイオン打込みされていない領域に、該マイナルー
   プの内回りコーナのバブル転送位置の裏側が位置してお
   り、この部分に該一層以上のコンダクタパタンによって
   ゲートが構成されていることを特徴とする磁気バブルメ
   モリ素子。 ３、磁気バブルを保持する磁性ガーネット膜の表面に選
   択的にイオンを打ち込んで形成したイオン打ち込み転送
   路と、該磁性ガーネット膜の上に形成した絶縁層と、該
   絶縁層の上に形成した１層以上のコンダクタパタンと、
   イオン打込み転送路で形成されたメジャラインとマイナ
   ループとを少なくとも有し、複数のマイナループのイオ
   ン打込み転送路を形成するイオン打込み領域がそれぞれ
   独立し、選択的にイオンが打込まれていないか打込み深
   さが浅い領域に取囲まれており、さらにメジャラインを
   形成するイオン打ち込み領域がその外側に位置すること
   を特徴とする磁気バブルメモリ素子。 ４、請求項１記載のメジャラインとマイナループとの間
   にまたがって磁性ガーネット膜上に設けられた第１のヘ
   アピン型コンダクタパタンと、絶縁層を介してそれにギ
   ャップどうしが交差して設けられた第２のヘアピン型コ
   ンダクタパタンとから成り、しかも前記第１のヘアピン
   型コンダクタパタンのギャップがマイナループの内回り
   コーナの凹部とメジャラインの凸部または凹部に重なり
   配置されると共に前記第２のヘアピン型コンダクタパタ
   ンのギャップの一部がマイナループコーナの凹部に隣接
   する凸部アナイアレート位置に配置されて成るゲートで
   ある請求項１記載の磁気バブルメモリ素子。 ５、上記ゲートを構成するマイナループの内回りコーナ
   が該ゲートのアナイアレート位置を中心にほぼ線対称と
   なっていることを特徴とする請求項１記載の磁気バブル
   メモリ素子。