JPH0368212A - Drive circuit - Google Patents

Drive circuit

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JPH0368212A
JPH0368212A JP20405789A JP20405789A JPH0368212A JP H0368212 A JPH0368212 A JP H0368212A JP 20405789 A JP20405789 A JP 20405789A JP 20405789 A JP20405789 A JP 20405789A JP H0368212 A JPH0368212 A JP H0368212A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
transistor
level
gate
drive circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP20405789A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takafumi Nagao
長尾 隆文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Computertechno Ltd
Original Assignee
NEC Computertechno Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Computertechno Ltd filed Critical NEC Computertechno Ltd
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Publication of JPH0368212A publication Critical patent/JPH0368212A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent an output signal from reaching the turn-on state independently of the power-on reset IC characteristic by providing a level shifting means, which shifts the level of the output voltage of a control means, between the control means and the base of a transistor TR. CONSTITUTION:The potential difference between the output terminal of an AND gate IC 2 and the ground level is denoted as Vout, and the minimum operating voltage between the base and the emitter of a TR 3 is denoted as VBEmin. Forward voltages of diodes 4-1 to 4-n are denoted as VF4-1 to VF4-n, and Vx=Vout and Vy=VF4-1+...VF4-n+VBEmin are true. As a result, the turn-on state or the turn-off state for rise transition of a supply voltage VCC is determined by relations between Vx and Vy. Consequently, when the number of connected diodes which satisfies Vxmax<Vymin is selected at the time of rise transition of the supply voltage VCC, the TR 3 is prevented from being turned on though an IC 1 does not perform the normal operation.

Description

【発明の詳細な説明】 妓術分野 本発明はドライブ回路に関し、特にトランジスタ”と、
このトランジスタのベース端子に所7【′レベルシフト
を印加1、、てこれをオンオフ制御オるl;1j ia
It!111 vh 、J:をHす711941回路に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to drive circuits, and in particular to transistors.
Apply a level shift to the base terminal of this transistor.
It! 111 vh, J: relates to the 711941 circuit.

jjL来技術 一般に、IC等の゛『導体によってtL戊された回路の
外部に接続される素子、機器類例えば、リレ、発光ダイ
オード、レシーバIC等を駆動するため、披駆動機器の
性質に合せて高電圧、高電流をも扱えるドライブ用トラ
ンジスタを組込んた出カトライブロ路が使用されている
In general, in order to drive elements such as ICs and devices connected to the outside of the circuit connected by conductors, such as relays, light emitting diodes, receiver ICs, etc., it is necessary to An output drive circuit is used that incorporates a drive transistor that can handle high voltages and high currents.

第2図はその従来のドライブ回路の代表的な例であるナ
ンド型出力ドライブ回路である。このドライブ回路はア
ンドゲートIC2と、ドライブ用のトランジスタ3と、
一端が接地され、トランジスタ3のベースーエミッタ間
電圧を決定するための抵抗益5とヲ含んで構成されてい
る。なお、5(1+,1入力端子、’, 1 1;!出
力端子、11及び12は亀源端了てあZ.。
FIG. 2 shows a NAND type output drive circuit which is a typical example of the conventional drive circuit. This drive circuit includes an AND gate IC2, a drive transistor 3,
One end is grounded, and the transistor 3 includes a resistor 5 for determining the base-emitter voltage. In addition, 5(1+, 1 input terminal, ', 1 1;! output terminal, 11 and 12 are Z.

7;ド7T’ート+c2はその2つの人力端子のうちσ
)一ノjに対L、fi@i.電圧の立上り過渡時におけ
る出力の゛(}′ レベ11,を保障するためのバヮー
オ゛7り七・・・ト1cが接続されている。なお、パワ
ーオニ−,→!ツl− 1 (、:は周知のパワーオン
リセラ1・回路をハイブ11ンド■C化することによっ
て実現される。
7; Do7T'to+c2 is the σ of the two human terminals.
) vs. L, fi@i. A power on/off gate 1c is connected to ensure the output level 11 at the time of voltage rise/transition. This is realized by converting the well-known power-on reseller 1 circuit into a hive 11-nd ■C circuit.

また、アンドゲートIC2は内部の素子であるエミッタ
フォロワトランジスタ20のエミッタから信号を出力す
るものである。
Further, the AND gate IC2 outputs a signal from the emitter of the emitter follower transistor 20, which is an internal element.

このアンドゲートIC2の出力にはエミッタが接地され
ている。また、ドライブ用のトランジスタ3のコレクタ
には駆動信号の出力端子・51が接続されている。
The emitter of the output of this AND gate IC2 is grounded. Further, a drive signal output terminal 51 is connected to the collector of the drive transistor 3.

かかる構成において、電源電圧の定′1M時においては
Vccとして、例えば+5〔V〕が!jえられる。
In this configuration, when the power supply voltage is constant '1M, Vcc is, for example, +5 [V]! I can get it.

ここで、アンドゲートIC2の入力端子50に論理信号
として、“0”レベルの信号が与えられたものとする。
Here, it is assumed that a "0" level signal is applied as a logic signal to the input terminal 50 of the AND gate IC2.

すると、アンドゲートIC2の内部素子−であるエミッ
タフォロワトランジスタ20はオフ状態となり、アンド
ゲートIC2の出力端rとグランドレベルとの間に電位
差が生じないため、ドライブ用のトランジスタ3はオフ
状態となる。
Then, the emitter follower transistor 20, which is an internal element of the AND gate IC2, is turned off, and since there is no potential difference between the output terminal r of the AND gate IC2 and the ground level, the drive transistor 3 is turned off. .

したがって、駆動信号の出力端子51はオフ状態となる
Therefore, the drive signal output terminal 51 is turned off.

一方、アンドゲートIC2の入力端子50に論理信号と
して、“1”レベル信号が与えられたものとする。する
と、アンドゲートIC2の内部素子であるエミッタフォ
ロワトランジスタ20はオン状態となり、アンドゲート
IC2の出力端子とグランドレベルとの間に電位差がピ
Lしる。それにより、ドライブ用のトランジスタ3はオ
ン状態となり、駆動信号の出力端子51は、オン状態と
なる。
On the other hand, it is assumed that a "1" level signal is applied as a logic signal to the input terminal 50 of the AND gate IC2. Then, the emitter follower transistor 20, which is an internal element of the AND gate IC2, is turned on, and a potential difference increases between the output terminal of the AND gate IC2 and the ground level. As a result, the drive transistor 3 is turned on, and the drive signal output terminal 51 is turned on.

なお、第2図においては、2人力のアンドゲート■Cが
示されているが、さらに複数の人力が追加され、それら
の論理積をとるものが用いられる場合もある。
In addition, in FIG. 2, AND gate ■C with two human forces is shown, but there are also cases in which a plurality of human forces are added and an AND gate is used.

また、上述した従来の出力ドライブ回路は、電ifi、
ta圧Vccの立上り過渡時にアンドゲートIC2の出
力素子である、エミッタフォロワトランジスタをオフ状
態とするため、パワーオンリセットIC1が入力端子の
うちの1つに接続されている。
In addition, the conventional output drive circuit described above is
A power-on reset IC1 is connected to one of the input terminals in order to turn off the emitter follower transistor, which is an output element of the AND gate IC2, during a rising transition of the ta pressure Vcc.

ところが、パワーオンリセットICIもその特性上電源
電圧VCCの立上り過渡時に完全な“O”レベルを保障
できない場合がある。このパワーオンリセットICIは
本来、電源電圧Vccの上夕?につれてその出力も上昇
し、Vceがあるレベルを越えると、その出力が“0″
レベルとなり、Vccが十分に立上ると出力の“0”レ
ベルを解除して1”レベルになるという動作をするもの
である。
However, due to its characteristics, the power-on reset ICI may not be able to guarantee a complete "O" level during the rising transition of the power supply voltage VCC. Is this power-on reset ICI originally above the power supply voltage Vcc? As Vce exceeds a certain level, the output will rise to “0”.
level, and when Vcc rises sufficiently, the output is released from the "0" level and becomes the "1" level.

しかし、パワーオンリセットICIの特性上、電源電圧
の立上り過渡時にアントゲ−)IC2の出力とグランド
レベルとの間に電位差が発生し、その電位差がドライブ
用のトランジスタ3の動作最低ベース−エミッタ間電圧
を上回る場合がある。
However, due to the characteristics of the power-on reset ICI, a potential difference occurs between the output of the anti-gauge IC2 and the ground level when the power supply voltage rises and transitions, and this potential difference is the lowest operating base-emitter voltage of the drive transistor 3. may exceed.

かかる場合には、ドライブ用のトランジスタ3がオン状
態となり、出力信号がオン状態となって被駆動機器を誤
動作させてしまうという欠点がある。
In such a case, there is a drawback that the drive transistor 3 is turned on, and the output signal is turned on, causing the driven device to malfunction.

発明の目的 本発明は上述した従来の欠点を解決するためになされた
ものであり、その目的はパワーオンリセットICの特性
のいかんJこかかわらず、電源電圧の立−Eり過渡1時
における被駆動機器の誤動作を防止することができるド
ライブ回路を堤供することである。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional drawbacks, and its purpose is to reduce the effects of power-on reset ICs on rising and falling transients, regardless of the characteristics of the power-on reset IC. The object of the present invention is to provide a drive circuit that can prevent malfunctions of drive equipment.

発明の構成 本発明によるドライブ回路は、トランジスタと、前記ト
ランジスタのベース端子に所定レベルの電圧を印加して
該トランジスタをオンオフ制御する制御手段とをHする
ドライブ回路であって、前記制御手段の出力と前記トラ
ンジスタのベース端子との間に該制御手段の出力の電圧
をレベルシフトするレベルシフト手段を設けたことを特
徴とする。
Composition of the Invention A drive circuit according to the present invention is a drive circuit that drives a transistor and a control means for applying a voltage of a predetermined level to a base terminal of the transistor to control the on/off of the transistor, the drive circuit controlling the output of the control means. The present invention is characterized in that a level shift means for level shifting the voltage output from the control means is provided between the control means and the base terminal of the transistor.

実施例 以−F、図面を用いて本発明の詳細な説明する。Example Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明によるドライブ四路の一実施例の構成を
示す回路図であり、第2図と同等部分は同一符号により
示されている。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of a four-way drive circuit according to the present invention, and parts equivalent to those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals.

図において、第2図に示されている従来のドライブ回路
と異なる点はアンドゲートIC2の出力とトランジスタ
3との間にダイオード4−1〜4nが設けられている点
である。つまり、これらダイオード4−1〜4−n(例
えば、n−3)が順り向に仲人されていることにより、
アンドゲートIC2の出力の電圧レベルがシフトされて
いるのである。
In the figure, the difference from the conventional drive circuit shown in FIG. 2 is that diodes 4-1 to 4n are provided between the output of AND gate IC2 and transistor 3. In other words, since these diodes 4-1 to 4-n (for example, n-3) are arranged in the forward direction,
The voltage level of the output of AND gate IC2 is shifted.

すなわち、アンドゲートIC2の出力側にダイオード4
−1のアノード、トランジスタ3のベース側にダイオー
ド4−nのカソードが接続されているため、アンドゲー
トIC2の出力の電圧レベルがシフトされているのであ
る。
In other words, a diode 4 is connected to the output side of the AND gate IC2.
Since the cathode of the diode 4-n is connected to the anode of -1 and the base of the transistor 3, the voltage level of the output of the AND gate IC2 is shifted.

以上の構成とされた本実施例のドライブ回路の電源電圧
Vccが定′JK状態である場合における動作は先述し
た従来の回路と全く同様である。
The operation of the drive circuit of this embodiment configured as described above when the power supply voltage Vcc is in the constant 'JK state is exactly the same as that of the conventional circuit described above.

ところが、電流電圧Vccの立上り過渡時、パワーオン
リセットICIが0〔V〕からある一定の範囲内におい
てIL常に動作しない場合、パワーオンリセットICI
の出力には、電源電圧vccがそのまま現れ、完全な“
0″レベルを保障できない。
However, when the power-on reset ICI does not always operate within a certain range from 0 [V] during a rising transition of the current voltage Vcc, the power-on reset ICI
The power supply voltage vcc appears as it is at the output of
0″ level cannot be guaranteed.

そのため、アンドゲートIC2についても、7IS源電
圧Vccの上昇とともに、その出力電圧も上昇してしま
う。
Therefore, the output voltage of the AND gate IC2 also increases as the 7IS source voltage Vcc increases.

ここで、アンドゲートIC2の出力端子とグランドレベ
ルとの電位差をVouL 、  トランジスタ3の動作
最低ベース−エミッタ間電圧をVBBmln。
Here, the potential difference between the output terminal of the AND gate IC2 and the ground level is VouL, and the lowest operating base-emitter voltage of the transistor 3 is VBBmln.

ダイオード4−1〜4−nの順電圧を夫々Vl!(4−
1)、−V F(4−n)とし、V x=V out 
、 V Y−V P(4−1) +、・+ V F(4
−n) + V BIEmlnとすれば、VxとVYと
の大小関係により、電源電圧Vccの立上り過渡時にお
けるトランジスタ3のオン状態又はオフ状態が決定され
る。
The forward voltages of the diodes 4-1 to 4-n are respectively Vl! (4-
1), -V F (4-n), and V x = V out
, V Y-V P(4-1) +,・+ V F(4
-n) + VBIEmln, the on-state or off-state of the transistor 3 during the rising transition of the power supply voltage Vcc is determined by the magnitude relationship between Vx and VY.

すなわち、VX >VYの場合は、トランジスタ3かオ
ン状態、つまり出力信号がオン状態となる。
That is, when VX>VY, the transistor 3 is turned on, that is, the output signal is turned on.

これに対し、VX<VYの場合には、出力信号はオフ状
態となる。
On the other hand, when VX<VY, the output signal is in an off state.

したがって、構成素子のバラツキを考慮し、電?fAf
′rfi圧vCCノ立上り過渡時におイテ、V X5a
x< VYminを満足するようにダイオードの接続数
を選べば良い。こうすれば、電源電圧Vccの立上り過
渡時において、パワーオンリセットICIが完全な1F
常動作をしない場合であっても、トランジスタ3がオン
状態とならず、よって出力信号がオン状態となり被駆動
機器を誤動作させてしまうという従来の問題点は完全に
防止できるのである。
Therefore, considering the variations in the constituent elements, fAf
'rfi pressure vCC rises transiently, V X5a
The number of connected diodes should be selected so as to satisfy x<VYmin. By doing this, the power-on reset ICI can be completely set to 1F during the rising transient of the power supply voltage Vcc.
Even when the device does not normally operate, the conventional problem that the transistor 3 does not turn on and therefore the output signal turns on, causing the driven equipment to malfunction, can be completely prevented.

なお、ダイオード4−1〜4−nの代りにツェナダイオ
ードを逆向きに接続しても同様の効果が得られることは
明らかである。
It is clear that the same effect can be obtained by connecting Zener diodes in the opposite direction instead of the diodes 4-1 to 4-n.

つまり、本発明においては電源電圧定常時においてトラ
ンジスタがオン可能な範囲内でアンドゲートICの出力
電圧をレベルシフトしているのである。
That is, in the present invention, the level of the output voltage of the AND gate IC is shifted within the range in which the transistor can be turned on when the power supply voltage is steady.

発明の詳細 な説明したように本発明は、エミッタフォロワトランジ
スタ出力型のアンドゲートICの出力電圧をレベルシフ
トするダイオードを設けたことにより、電源電圧の立上
り過渡時においてパワオンリセットICが正常に動作し
なくても、出力信号がオン状態になることを防1トでき
、被駆動機器には何ら悪影響を与えることがないという
効果がある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As described in detail, the present invention provides a diode that level-shifts the output voltage of an emitter-follower transistor output type AND gate IC, so that the power-on reset IC can operate normally during a rising transient of the power supply voltage. Even if the output signal is not turned on, the output signal can be prevented from turning on, and the driven equipment will not be adversely affected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例によるドライブ回路の構成を示
す回路図、第2図は従来のドライブ四路の構成を示す回
路図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・パワーオンリセットIC2・・・・・・
アンドゲートIC 3・・・・・・トランジスタ 1〜1 n・・・・・・ダイオード
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a drive circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional four-way drive. Explanation of symbols of main parts 1...Power-on reset IC2...
AND gate IC 3...transistor 1~1 n...diode

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)トランジスタと、前記トランジスタのベース端子
に所定レベルの電圧を印加して該トランジスタをオンオ
フ制御する制御手段とを有するドライブ回路であって、
前記制御手段の出力と前記トランジスタのベース端子と
の間に該制御手段の出力の電圧をレベルシフトするレベ
ルシフト手段を設けたことを特徴とするドライブ回路。
(1) A drive circuit comprising a transistor and a control means for applying a voltage at a predetermined level to a base terminal of the transistor to control on/off of the transistor,
A drive circuit characterized in that a level shift means for level shifting the voltage of the output of the control means is provided between the output of the control means and the base terminal of the transistor.
JP20405789A 1989-08-07 1989-08-07 Drive circuit Pending JPH0368212A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0576199A (en) * 1991-09-13 1993-03-26 Hitachi Ltd Switch circuit and stepping motor driving circuit using same
WO2011001838A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-06 ミツミ電機株式会社 Semiconductor integrated circuit

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