JPH0366389B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0366389B2 JPH0366389B2 JP60277899A JP27789985A JPH0366389B2 JP H0366389 B2 JPH0366389 B2 JP H0366389B2 JP 60277899 A JP60277899 A JP 60277899A JP 27789985 A JP27789985 A JP 27789985A JP H0366389 B2 JPH0366389 B2 JP H0366389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic flux
- magnet
- target
- circumferential magnet
- point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 23
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はスパツタリングに使用されるマグネト
ロン型スパツタカソードに関する。
ロン型スパツタカソードに関する。
（従来の技術）
従来この種のカソードは、第１図及び第２図示
のように、ターゲツトａの背後に、永久磁石から
なる中央部の内周マグネツトｂ及び外周の１個の
環状の外周マグネツトｃとを設けるか、或は第３
図示のように電磁石からなる中央部の内周マグネ
ツトｂとその外周の環状の外周マグネツトｃとを
設け、該ターゲツトａの前方に電界と直交する磁
界ｄを得、マグネトロン放電を発生させるを一般
とする。
のように、ターゲツトａの背後に、永久磁石から
なる中央部の内周マグネツトｂ及び外周の１個の
環状の外周マグネツトｃとを設けるか、或は第３
図示のように電磁石からなる中央部の内周マグネ
ツトｂとその外周の環状の外周マグネツトｃとを
設け、該ターゲツトａの前方に電界と直交する磁
界ｄを得、マグネトロン放電を発生させるを一般
とする。
（発明が解決しようとする問題点）
前記した従来の形式のものでは内周マグネツト
と外周マグネツトは同じ強さのマグネツトで作ら
れており、これによれば、PSCモード（Positive
Space charge dominated mode）で10-3Torr台
では安定した放電が得られるが10-4Torr台では
イオンの数が減るために放電がスタートしなかつ
たり、放電を維持出来なくなる等の欠点がある。
と外周マグネツトは同じ強さのマグネツトで作ら
れており、これによれば、PSCモード（Positive
Space charge dominated mode）で10-3Torr台
では安定した放電が得られるが10-4Torr台では
イオンの数が減るために放電がスタートしなかつ
たり、放電を維持出来なくなる等の欠点がある。
本発明はPSCモードで10-4Torr台でも安定し
た放電の得られるターゲツトを提供することを目
的とするものである。
た放電の得られるターゲツトを提供することを目
的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、ターゲツトの背後に、中央部の内
周マグネツトとその外周の環状の外周マグネツト
を設けて該ターゲツトの前方に磁界を得るように
したものに於て、該外周マグネツトの磁力を強
め、該内周マグネツトを弱めることによつて該タ
ーゲツトの前方の磁界の垂直磁束がゼロの点を水
平磁束の正負の最大の点にほぼ合致させることに
より前記問題点を解決するようにした。
周マグネツトとその外周の環状の外周マグネツト
を設けて該ターゲツトの前方に磁界を得るように
したものに於て、該外周マグネツトの磁力を強
め、該内周マグネツトを弱めることによつて該タ
ーゲツトの前方の磁界の垂直磁束がゼロの点を水
平磁束の正負の最大の点にほぼ合致させることに
より前記問題点を解決するようにした。
（作用）
外周マグネツトを強め内周マグネツトを弱める
ことにより垂直磁束のゼロの点と水平磁束の最大
の点を合致させ、磁束を整えると、電子を効率良
く磁束内に閉じ込めることができ、スパツタガス
のイオン化確率が高くなる。このため10-4Torr
台で安定した放電が得られる。
ことにより垂直磁束のゼロの点と水平磁束の最大
の点を合致させ、磁束を整えると、電子を効率良
く磁束内に閉じ込めることができ、スパツタガス
のイオン化確率が高くなる。このため10-4Torr
台で安定した放電が得られる。
（実施例）
本発明の実施例を永久磁石を使用した第４図の
マグネトロン型スパツタカソードにつき説明する
と、同図に於て１はスパツタリング用の円形のタ
ーゲツト、２は該ターゲツト１の背後に設けたパ
ツキングプレート、３は該パツキングプレート２
の背後の中央部に設けた永久磁石から成る内周マ
グネツト、４は該内周マグネツト３の外周の環状
の外周マグネツト、５はヨーク、６，７は冷却水
の流入口と流出口を示す。
マグネトロン型スパツタカソードにつき説明する
と、同図に於て１はスパツタリング用の円形のタ
ーゲツト、２は該ターゲツト１の背後に設けたパ
ツキングプレート、３は該パツキングプレート２
の背後の中央部に設けた永久磁石から成る内周マ
グネツト、４は該内周マグネツト３の外周の環状
の外周マグネツト、５はヨーク、６，７は冷却水
の流入口と流出口を示す。
内周及び外周マグネツト３，４の作用でターゲ
ツト１の前方には磁界８が形成される。
ツト１の前方には磁界８が形成される。
該マグネトロン型スパツタカソードは従来のも
のと同様に真空の処理室内にアノードのワークと
対向して設置され、マグネトロン型の放電により
スパツタガスがイオン化するとターゲツト１がス
パツタされてその物質が薄膜状にワークに付着す
る。而して処理室内の真空がPSCモードで
10-4Torr台になるとイオンの数が減り、放電が
スタートしない等の不都合を生ずるので、本件発
明に於ては、外周マグネツト４の磁力を強め、内
周マグネツト３の磁力を弱め、これによりターゲ
ツト１の前方の磁界８の垂直磁束のゼロの点と水
平磁束の最大の点を一致させるようにした。その
具体例は第５図示の如くであり、ターゲツト１の
前方の垂直磁束を、ターゲツト周辺の１点Ｄから
中心Ｅを通り対向辺の１点Ｆまでは曲線Ａとなる
ように調節し、点Ｄ，Ｅ，Ｆを通る直線上の水平
磁束の曲線Ｂに於ける最大点Ｇと負の最小点Ｈが
垂直磁束のゼロの点Ｉ，Ｊにほぼ一致するように
調節される。
のと同様に真空の処理室内にアノードのワークと
対向して設置され、マグネトロン型の放電により
スパツタガスがイオン化するとターゲツト１がス
パツタされてその物質が薄膜状にワークに付着す
る。而して処理室内の真空がPSCモードで
10-4Torr台になるとイオンの数が減り、放電が
スタートしない等の不都合を生ずるので、本件発
明に於ては、外周マグネツト４の磁力を強め、内
周マグネツト３の磁力を弱め、これによりターゲ
ツト１の前方の磁界８の垂直磁束のゼロの点と水
平磁束の最大の点を一致させるようにした。その
具体例は第５図示の如くであり、ターゲツト１の
前方の垂直磁束を、ターゲツト周辺の１点Ｄから
中心Ｅを通り対向辺の１点Ｆまでは曲線Ａとなる
ように調節し、点Ｄ，Ｅ，Ｆを通る直線上の水平
磁束の曲線Ｂに於ける最大点Ｇと負の最小点Ｈが
垂直磁束のゼロの点Ｉ，Ｊにほぼ一致するように
調節される。
好ましくは直径152mmのターゲツトに於てはこ
うした調節を行なうと共に水平磁来の正は負の最
大値を500ガウス未満とし、垂直磁束の最大値が
250ガウス以上となるように調節し、磁束密度の
最大値を500ガウス以下に抑えることによりカソ
ード全域に亘つてPSCモードで放電させることが
出来る。
うした調節を行なうと共に水平磁来の正は負の最
大値を500ガウス未満とし、垂直磁束の最大値が
250ガウス以上となるように調節し、磁束密度の
最大値を500ガウス以下に抑えることによりカソ
ード全域に亘つてPSCモードで放電させることが
出来る。
本発明のマグネトロン型スパツタカソードは従
来のものと同様に真空の室内に処理されるべき基
板と対向して設けられ、該室内にスパツタガスを
導入し、PSCモードで10-4Torr台の真空として
該カソードに通電されるもので、従来はこの真空
圧ではマグネトロン型放電を良好に行なえなかつ
たが、前記のように垂直磁束のゼロの点に水平磁
束の正負の最大の点がほぼ一致するように外周マ
グネツト４の磁力を内周マグネツト３よりも強め
ることにより電子を磁束内に効率良く閉じ込める
ことが出来、スパツタガスのイオン化が向上する
ので10-4Torr台で安定した放電が得られる。
来のものと同様に真空の室内に処理されるべき基
板と対向して設けられ、該室内にスパツタガスを
導入し、PSCモードで10-4Torr台の真空として
該カソードに通電されるもので、従来はこの真空
圧ではマグネトロン型放電を良好に行なえなかつ
たが、前記のように垂直磁束のゼロの点に水平磁
束の正負の最大の点がほぼ一致するように外周マ
グネツト４の磁力を内周マグネツト３よりも強め
ることにより電子を磁束内に効率良く閉じ込める
ことが出来、スパツタガスのイオン化が向上する
ので10-4Torr台で安定した放電が得られる。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、外周マグネツ
トの磁力を強くし内周マグネツトの磁力を弱め、
垂直磁束のゼロの点を水平磁束の正負の最大の点
にほぼ合致させることにより、PSCモードで
10-4Torr台の圧力で安定したマグネトロン放電
を得ることが出来る等の効果がある。
トの磁力を強くし内周マグネツトの磁力を弱め、
垂直磁束のゼロの点を水平磁束の正負の最大の点
にほぼ合致させることにより、PSCモードで
10-4Torr台の圧力で安定したマグネトロン放電
を得ることが出来る等の効果がある。
第１図は従来例の載断側面図、第２図はその全
体斜視図、第３図は他の従来例の全体斜視図、第
４図は本発明の実施例の載断側面図、第５図は本
発明の実施例のもののターゲツト前方の磁束密度
の線図である。 １…ターゲツト、３…内周マグネツト、４…外
周マグネツト、８…磁界。
体斜視図、第３図は他の従来例の全体斜視図、第
４図は本発明の実施例の載断側面図、第５図は本
発明の実施例のもののターゲツト前方の磁束密度
の線図である。 １…ターゲツト、３…内周マグネツト、４…外
周マグネツト、８…磁界。
Claims (1)
- １ ターゲツトの背後に、中央部の内周マグネツ
トとその外周の環状の外周マグネツトを設けて該
ターゲツトの前方に磁界を得るようにしたものに
於て、該外周マグネツトの磁力を強め、該内周マ
グネツトを弱めることによつて該ターゲツトの前
方の磁界の垂直磁束がゼロの点を水平磁束の正負
の最大の点にほぼ合致させることを特徴とするマ
グネトロン型スパツタカソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277899A JPS62139869A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | マグネトロン型スパツタカソ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277899A JPS62139869A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | マグネトロン型スパツタカソ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139869A JPS62139869A (ja) | 1987-06-23 |
| JPH0366389B2 true JPH0366389B2 (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=17589840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60277899A Granted JPS62139869A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | マグネトロン型スパツタカソ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62139869A (ja) |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP60277899A patent/JPS62139869A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62139869A (ja) | 1987-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100396456B1 (ko) | 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 | |
| CA1169467A (en) | Cylindrical magnetron sputtering cathode, as well as sputtering apparatus provided with such cathode | |
| US5174880A (en) | Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field | |
| US6224725B1 (en) | Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode | |
| US4810347A (en) | Penning type cathode for sputter coating | |
| JP2962912B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード | |
| JPS5952957B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置のカソ−ド部 | |
| US6156170A (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
| GB2051877A (en) | Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method | |
| EP0451642A2 (en) | Sputtering system | |
| US4597847A (en) | Non-magnetic sputtering target | |
| EP1144713B1 (en) | High target utilization magnetic arrangement for a truncated conical sputtering target | |
| JPS6012426B2 (ja) | 磁界圧着形マグネトロンスパッタリング装置 | |
| EP0162643B1 (en) | Sputter coating source having plural target rings | |
| JPH0366389B2 (ja) | ||
| JPH01298154A (ja) | 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS61204371A (ja) | 陰極スパツタリング用磁気回路装置 | |
| JPS5943546B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| KR100456287B1 (ko) | 스퍼터링 증착장치의 스퍼터 건 | |
| JP3000417U (ja) | 陰極スパッタリング装置 | |
| JPS58199862A (ja) | マグネトロン形スパツタ装置 | |
| GB2241710A (en) | Magnetron sputtering of magnetic materials in which magnets are unbalanced | |
| JPS63223173A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JPH0241584B2 (ja) | ||
| JP2580149B2 (ja) | スパツタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |