JPH0366239A - Slip control circuit for elastic storage - Google Patents

Slip control circuit for elastic storage

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JPH0366239A
JPH0366239A JP1202989A JP20298989A JPH0366239A JP H0366239 A JPH0366239 A JP H0366239A JP 1202989 A JP1202989 A JP 1202989A JP 20298989 A JP20298989 A JP 20298989A JP H0366239 A JPH0366239 A JP H0366239A
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JP
Japan
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read
signal
circuit
write
timing
Prior art date
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Application number
JP1202989A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Tanaka
伸二 田中
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] データの動作クロックの乗せ換えを行うエラスティック
ストアにおけるスリップ制御回路に関し。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] This invention relates to a slip control circuit in an elastic store that changes the operating clock of data.

書込みタイミングと読出しタイミングの衝突発生時に読
出しタイミングを適正な位置に変えることで衝突を確実
に防止することを目的とし。
The purpose is to reliably prevent the collision by changing the read timing to an appropriate position when a collision occurs between the write timing and the read timing.

エラスティックストアドメモリと、書込みタイミング発
生回路と、読出しタイミング発生回路とを備え、第1の
クロック周波数に同期した入力データが書き込まれたエ
ラスティックストアドメモリから、第2のクロック周波
数に同期した読出し信号により書き込まれたデータを読
み出して出力するエラスティックストアにおいて、エラ
スティックスドアトメモリにおける書込みタイミングと
読出しタイミングの衝突を検出する衝突検出回路と、衝
突検出回路からの衝突検出信号に応じて所定パルス幅の
マスク信号を発生するマスク信号発生回路と、衝突検出
時に読出しタイミング発生回路への動作クロックの供給
を該マスク信号によってマスクするゲート回路とを具備
してなる。
The elastic stored memory includes an elastic stored memory, a write timing generation circuit, and a read timing generation circuit, and reads a read signal synchronized with a second clock frequency from the elastic stored memory in which input data synchronized with the first clock frequency is written. In the elastic store that reads and outputs data written by the elastic store, a collision detection circuit detects a collision between write timing and read timing in the elastic store memory, and a predetermined pulse is generated in response to a collision detection signal from the collision detection circuit. The device includes a mask signal generation circuit that generates a mask signal of a certain width, and a gate circuit that uses the mask signal to mask the supply of an operation clock to the read timing generation circuit when a collision is detected.

[産業上の利用外ツF] 本発明は、エラスティックストアドメモリ(以下、ES
メモリと称する)を用いて入力データの動作クロックの
乗せ換えを行うエラス ティックストアに係り、特にデータの2度読みあるいは
データ破壊等のスリップ現象が発生することを防止する
スリップ制御回路に関する。
[Industrial Application F] The present invention is based on elastic stored memory (hereinafter referred to as ES).
The present invention relates to an elastic store that uses a memory (referred to as a memory) to change the operating clock of input data, and particularly relates to a slip control circuit that prevents slip phenomena such as reading data twice or destroying data from occurring.

入力データの2度読みあるいは欠落等のスリップ現象は
、ESメモリにおいて書込みタイミングと読出しタイミ
ングが衝突することにより生じるが、これはジッタ、ワ
ンプ等の伝送路遅延変動が生じた場合、あるいは相手局
との間で周波数同期状態が崩れた場合などに発生する。
Slip phenomena, such as reading input data twice or missing data, occur when the write timing and read timing collide in the ES memory. This occurs when frequency synchronization is lost between the two.

このスリップを回避する一つの方法として例えばESメ
モリを二つ持った並列構成のエラスティックストア回路
が知られている。かかるエラスティック31〜フ回銘に
おいては、書込みタイミングと読出しタイミングの衝突
が発生した場合には、読出しタイミングを変えることに
よりスリップを回避するスリップ制御が確実に行われる
ことが必要とされている。
As one method for avoiding this slip, for example, an elastic store circuit having a parallel configuration having two ES memories is known. In the elastic 31 to 31, when a conflict occurs between the write timing and the read timing, it is necessary to reliably perform slip control to avoid slip by changing the read timing.

[従来の技術] 従来のエラスティックストアの構成例が第5図に示され
る。第5図において、■、2はESメモリ、3は書込み
タイミング発生回路、4は読出しタイミング発生回路、
5は禁止領域信号発生回路、6は位相比較器である。
[Prior Art] An example of the configuration of a conventional elastic store is shown in FIG. In FIG. 5, ■, 2 is an ES memory, 3 is a write timing generation circuit, 4 is a read timing generation circuit,
5 is a prohibited area signal generation circuit, and 6 is a phase comparator.

書込みタイミング発生回路3は、フリップフロップ31
.ゲート32.33で構成されており、書込みリセット
信号WRが入力され、この書込みリセット信号WRに基
づいてESメモリ1゜2に対する書込みリセット信号W
RI、WR2と書込み禁止信号WI 1.WI2を発生
する。これらの信号は一方のESメモリに書込みデータ
WDの書込みが行われている間は他方のESメモリへの
データ書込みが禁止されるような形で発生され、それに
よりESI、ES2には書込みデータWDが交互に書き
込まれていく。
The write timing generation circuit 3 includes a flip-flop 31
.. It is composed of gates 32 and 33, into which a write reset signal WR is input, and based on this write reset signal WR, a write reset signal W for the ES memory 1.2 is generated.
RI, WR2 and write inhibit signal WI 1. Generates WI2. These signals are generated in such a way that while the write data WD is being written to one ES memory, data writing to the other ES memory is prohibited, so that the write data WD is not stored in ESI and ES2. are written alternately.

読出しタイミング発生回路4は書込みタイミング発生回
路3と同じ構成となっており、フリップフロップ41.
ゲート42.43を含む。この読出しタイミング発生回
路4は、読出しリセット信号RRを二つに分岐して一方
をセレクトクロックSCとしてフリップフロップ41の
クロック端子Cに入力させることで、その出力端子Q、
Qから位相が互いに逆相となっている読出し禁止信号R
II、RI2を発生し、この読出し禁止信号R11、R
I2を用いてゲート42.43を交互に開くことで、読
出しリセット信号RRをゲート42.43から交互に出
力してESメモリ1,2に読出しリセット信号RRI、
RR2として供給するよう構成されている。
The read timing generation circuit 4 has the same configuration as the write timing generation circuit 3, and includes flip-flops 41 .
Includes gates 42.43. This read timing generation circuit 4 splits the read reset signal RR into two and inputs one as the select clock SC to the clock terminal C of the flip-flop 41, so that the output terminal Q,
Read inhibit signals R whose phases are opposite to each other from Q
II, RI2, and these read inhibit signals R11, R
By alternately opening the gates 42.43 using I2, the read reset signal RR is alternately output from the gate 42.43, and the read reset signal RRI,
It is configured to be supplied as RR2.

ここで、書込み側の書込みクロックWCの周波数flと
読出し側の読出しクロックRCの周波数f2とは位相の
違う(保証できない)周波数であるが、平均的には同期
している。ずなわち周波数flから周波数f2をみると
ジッタ成分を持っているものである。
Here, the frequency fl of the write clock WC on the write side and the frequency f2 of the read clock RC on the read side are frequencies that are out of phase (cannot be guaranteed), but are synchronized on average. That is, when looking at the frequency f2 from the frequency fl, it has a jitter component.

禁止領域信号発生回路5は、ESメモリ2への書込みリ
セゾト信号WR2に位相同期した所定パルス幅の禁止領
域信号IEを発生する回路である。この禁止領域信号I
Eは、この信号領域内に読出しリセット信号RR2が入
った場合に読出しリセット信号RR2の発生タイミング
を変えるためのもである。
The prohibited area signal generation circuit 5 is a circuit that generates a prohibited area signal IE having a predetermined pulse width that is phase-synchronized with the write reset signal WR2 to the ES memory 2. This prohibited area signal I
E is for changing the generation timing of the read reset signal RR2 when the read reset signal RR2 enters this signal region.

位相比較器6は禁止領域信号IEと読出しリセット信号
R’R2の位相を比較し9両者の位相が一致(すなわち
書込みタイミングと読出しタイミングの衝突が発生)し
たならば衝突検出信号COLを発生する回路であり、こ
の衝突検出信号C0Lはフリップフロップ41のリセッ
ト端子Rに入力される。
The phase comparator 6 is a circuit that compares the phases of the prohibited area signal IE and the read reset signal R'R2 and generates a collision detection signal COL if the phases of the two match (that is, a collision between the write timing and the read timing occurs). This collision detection signal C0L is input to the reset terminal R of the flip-flop 41.

以下、この従来のエラスティックストアの動作を図面を
参照しつつ説明する。ここで第6図は第5図に示すエラ
スティックストアの通常動作時における各部信号のタイ
ムチャート、第7図は衝突発生時におけるタイムチャー
トである。
The operation of this conventional elastic store will be explained below with reference to the drawings. Here, FIG. 6 is a time chart of signals of various parts during normal operation of the elastic store shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a time chart when a collision occurs.

第5図のエラスティックストアでは9周波数f1に同期
したシリアルな書込みデータWDを周波数f2に同期し
たシリアルな読出しデータRDにするために、2個のE
Sメモリ1,2を使用してクロックの乗せ換えを行うも
のである。
In the elastic store shown in FIG. 5, two E
The clocks are switched using the S memories 1 and 2.

すなわち、書込み側では、書込みリセット信号WRから
、交互に出力される書込みリセット信号WRI、WR2
と、互いに逆相の書込み禁止信号Wll、WI2とを作
り、これらをESメモリ1.2にそれぞれ供給する。E
Sメモリ1.2は書込みリセット信号WRI、WR2に
よりアドレスをリセットされつつ書込み禁止信号WII
、W■2により交互に書込み禁止状態とされる。それに
より書込みデータWDは例えば8ビット単位でESメモ
リ1→ESメモリ2→ESメモリ1というようにESメ
モリlと2を交互に切り換えながら順次に書き込まれて
行く。
That is, on the write side, write reset signals WRI and WR2 are alternately output from write reset signal WR.
and write inhibit signals Wll and WI2 having mutually opposite phases are generated and supplied to the ES memory 1.2, respectively. E
S memory 1.2 has its address reset by write reset signals WRI and WR2, and write inhibit signal WII.
, W2 are alternately set to a write-inhibited state. As a result, the write data WD is sequentially written, for example, in 8-bit units, such as ES memory 1 → ES memory 2 → ES memory 1, while switching between the ES memories 1 and 2 alternately.

読出し側での動作も同様であり、読出しタイミング発生
回路4からの読出しリセット信号RR1、RR2と読出
し禁止信号RII、RI2に基づきESメモリlとES
メモリ2を切り換えながら読出しデータRDを順次読み
出して行く。
The operation on the read side is also similar, and the ES memory l and ES
The read data RD is sequentially read out while switching the memory 2.

いま1例えばESメモリ2において書込みリセット信号
WR2と読出しリセット信号RR2のタイミングが衝突
した場合、同一のESメモリに対して書込みと読出しの
アクセスが同一に行われることになるので、ESメモリ
の内部でデータの2度読みや欠落が生じ、データが破壊
される。
For example, if the timings of the write reset signal WR2 and the read reset signal RR2 collide in the ES memory 2, write and read accesses to the same ES memory will be performed in the same manner, so that Data may be read twice or lost, resulting in data destruction.

この衝突状態を回避するため、書込みおよび読出しのリ
セット信号WR2,RR2の衝突が発生した場合には、
読出しリセット信号を2度連続して発生することにより
両信号WR2,RR2のタイミングをずらすようにして
いる。これは位相比較器6により書込みリセット信号W
R2に位相同期した禁止領域信号IEと読出しリセット
信号RR2どを位相比較し9両者の位相一致時に衝突検
出信号COLを読出しタイミング発生回路4のフリップ
フロップ41のリセット端子Rに送出して、このフリッ
プフロップ41をリセットすることによって行われる。
To avoid this collision, if a collision occurs between write and read reset signals WR2 and RR2,
By generating the read reset signal twice in succession, the timings of both signals WR2 and RR2 are shifted. This is detected by the phase comparator 6 as the write reset signal W.
The prohibited area signal IE, which is phase-synchronized with R2, and the read reset signal RR2 are phase-compared, and when the two phases match, a collision detection signal COL is sent to the reset terminal R of the flip-flop 41 of the read timing generation circuit 4, and this flip-flop This is done by resetting step 41.

[発明が解決しようとする課題1 上述の従来のエラスティックストアにおける書込み及び
読出しタイミングの衝突回避動作は9例えば第6図中に
おいて読出しリセット信号RR2が禁止領域信号IEに
図面左側から接近した場合には正常に行われる。
[Problem to be Solved by the Invention 1] The conflict avoidance operation between the write and read timings in the conventional elastic store described above is 9.For example, in FIG. 6, when the read reset signal RR2 approaches the prohibited area signal IE from the left side of the drawing, is performed normally.

ところが、第7図に示されるように、読出しリセット信
号RR2が図面右側から禁止信号IEに接近した場合に
は衝突回避が正常に動作しない。
However, as shown in FIG. 7, when the read reset signal RR2 approaches the inhibition signal IE from the right side of the drawing, collision avoidance does not operate normally.

すなわち、この場合には衝突検出信号COLがフリップ
フロップ41にリセット入力されても、読出し禁止信号
RII、RI2の極性反転タイミングは変わらず、この
ため読出しリセット信号RR1、RR2の出力タイミン
グも変化しない。この結果、衝突発生時にはそれ以降に
おいて読出しリセット信号RR2は本来、第7図に点線
で示す位置で出力されるように発生タイミングが変えら
れなくてはならないにもかかわらず、依然として従前と
同じタイミングで発生し続けられ、衝突状態が継続する
ことになり、データ破壊により正常にクロック乗せ換え
を行えなくなる。
That is, in this case, even if the collision detection signal COL is reset inputted to the flip-flop 41, the polarity inversion timing of the read inhibit signals RII and RI2 does not change, and therefore the output timing of the read reset signals RR1 and RR2 also does not change. As a result, even though the timing of the readout reset signal RR2 should be changed so that it is output at the position indicated by the dotted line in FIG. 7 after a collision occurs, it still remains at the same timing as before. This continues to occur, and the collision state continues, resulting in data destruction and normal clock transfer.

したがって本発明の目的は、書込み及び読出しタイミン
グの衝突が発生した場合には、読出しタイミングを適正
な位置に確実に変えることにより衝突を確実に回避でき
るスリップ制御回路を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a slip control circuit that can reliably avoid the collision by reliably changing the read timing to an appropriate position when a collision occurs between write and read timings.

[課題を解決するための手段] 第1図は本発明に係る原理説明図である。[Means to solve the problem] FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention.

本発明に係るエラスティックストアのスリップ制御回路
は、エラスティックストアドメモリ21と、書込みタイ
ミング発生回路22と、読出しり 0 イミンク発生回路23とを備え、第1のクロック周波数
に同期した入力データが書き込まれたエラスティックス
トアドメモリから、第2のクロック周波数に同期した読
出し信号により書き込まれたデータを読み出して出力す
るエラスティックストアにおいて、エラスティックスト
アドメモリにおける書込みタイミングと読出しタイミン
グの衝突を検出する衝突検出回路24と、衝突検出回路
24からの衝突検出信号に応じて所定パルス幅のマスク
信号を発生するマスク信号発生回路25と。
The elastic store slip control circuit according to the present invention includes an elastic stored memory 21, a write timing generation circuit 22, and a read 0 timing generation circuit 23, and input data synchronized with a first clock frequency is written. Collision detection detects a collision between write timing and read timing in the elastic stored memory, in which data written in the elastic stored memory is read and output using a read signal synchronized with a second clock frequency. circuit 24, and a mask signal generation circuit 25 that generates a mask signal of a predetermined pulse width in response to the collision detection signal from the collision detection circuit 24.

衝突検出時に読出しタイミング発生回路23への動作ク
ロックの供給をマスク信号によってマスクするゲート回
路26とを具備してなる。
A gate circuit 26 is provided for masking the supply of an operating clock to the read timing generation circuit 23 using a mask signal when a collision is detected.

[作用] エラスティックストアドメモリ21において書込みタイ
ミングと読出しタイミングの衝突が発生した場合、この
衝突状態は衝突検出回路24によって検出され、−それ
により出力される衝突検出信号によってマスク信号発生
回路25でマスク信号が発生される。このマスク信号に
よりゲート回路26が閉じられて読出しタイミング発生
回路23へのセレクトクロックの供給が一時的に遮断さ
れ、読出しタイミング発生回路23からエラスティック
ストアドメモリ21に出力される読出しタイミング信号
の発生タイミングが変更され、衝突状態が回避される。
[Operation] When a collision occurs between write timing and read timing in the elastic stored memory 21, this collision state is detected by the collision detection circuit 24, and masked by the mask signal generation circuit 25 by the collision detection signal outputted thereby. A signal is generated. This mask signal closes the gate circuit 26 and temporarily cuts off the supply of the select clock to the read timing generation circuit 23, thereby changing the generation timing of the read timing signal output from the read timing generation circuit 23 to the elastic stored memory 21. is changed and the collision condition is avoided.

【実施例] 以下9図面を参照して本発明の詳細な説明する。【Example] The present invention will be described in detail below with reference to nine drawings.

第2図には本発明の一実施例としてのエラスティックス
トアのスリップ制御回路が示される。
FIG. 2 shows a slip control circuit for an elastic store as an embodiment of the present invention.

第2図中、ESメモリ1,2.書込タイミング発生回路
3.読出しタイミング発生回路4.禁止領域信号発生回
路51位相比較器6は先に第5図により従来技術として
説明したものと同じ構成のものである。
In FIG. 2, ES memories 1, 2 . Write timing generation circuit 3. Read timing generation circuit 4. The prohibited area signal generating circuit 51 and the phase comparator 6 have the same structure as that described above as the prior art with reference to FIG.

従来のエラスティックストアとの相違点として、読出し
タイミング発生回路4に入力されるセ1 2 レクトクロックSCは読出しリセット信号RRを遅延回
路10.11を介して所定時間の遅延を与えた後に、ゲ
ート9を介して読出しタイミング発生回路4のフリップ
フロップ41のクロック端子Cに入力されるようになっ
ている。ここで遅延回路10.11はシフトレジスタで
構成されている。また9位相比較器6からの衝突検出信
号COLはインバータ7を介してフリップフロップ6の
クロック端子CKに入力されており、このフリップフロ
ップ8の出力Qがクロックマスク信号CMとしてゲート
9に入力されて、ゲート9の開閉を制御できるよう構成
されている。なお、フリップフロップ8のリセットは、
遅延回路11の出力信号QHがクロックマスククリア信
号C’MCとしてリセット端子Rに入力されることで実
行される。
The difference from the conventional elastic store is that the select clock SC input to the read timing generation circuit 4 delays the read reset signal RR by a predetermined time via the delay circuit 10. 9 to the clock terminal C of the flip-flop 41 of the read timing generation circuit 4. Here, the delay circuits 10 and 11 are composed of shift registers. Further, the collision detection signal COL from the 9-phase comparator 6 is inputted to the clock terminal CK of the flip-flop 6 via the inverter 7, and the output Q of this flip-flop 8 is inputted to the gate 9 as the clock mask signal CM. , the opening and closing of the gate 9 can be controlled. In addition, the reset of the flip-flop 8 is as follows.
This is executed by inputting the output signal QH of the delay circuit 11 to the reset terminal R as the clock mask clear signal C'MC.

以下、実施例回路の動作を図面を参照して説明する。第
3図は実施例回路における通常動作時の各部信号のタイ
ムチャート、第4図は衝突発生時の各部信号のタイムチ
ャートである。
The operation of the embodiment circuit will be explained below with reference to the drawings. FIG. 3 is a time chart of the signals of each part during normal operation in the circuit of the embodiment, and FIG. 4 is a time chart of the signals of each part when a collision occurs.

通常動作時においては、読出しリセット信号RRが遅延
回路10.11で所定時間の遅延を与えられた後に、ゲ
ート9を介して読出しタイミング発生回路4のフリップ
フロップ41にセレクトクロックSCとして入力され、
それによりフリップフロップ41の出力端子Q、Qから
の読出し禁止信号RII、R,I2が反転出力される。
During normal operation, the read reset signal RR is delayed for a predetermined time by the delay circuit 10.11, and then input as the select clock SC to the flip-flop 41 of the read timing generation circuit 4 via the gate 9.
As a result, the read inhibit signals RII, R, I2 from the output terminals Q, Q of the flip-flop 41 are inverted and output.

そしてこの読出し禁止信号R11,RI2によりゲート
42.43が交互に開かれて、読出しリセット信号RR
がESメモリ1,2にそれぞれリセット信号RRI、R
R2として供給される。
Then, the gates 42 and 43 are opened alternately by the read inhibit signals R11 and RI2, and the read reset signal RR
sends reset signals RRI and R to ES memories 1 and 2, respectively.
Supplied as R2.

次に衝突発生時について説明する。いまESメモリ2に
おいて書込みタイミングと読出しタイミングが同一とな
り、タイミングの衝突が発生したものとする。この衝突
は位相比較器6により検出されて衝突検出信号COLが
発生される。この衝突検出信号COLはインバータ7を
介してフリップフロップ8のクロック端子GKに入力さ
れ、それによりフリップフロップ8は衝突検出信号Co
13 4 Lの立下がりエツジを検出することで出力端子から’ 
H”レベルのクロックマスク信号CMを発生する(第4
図■参照)。このクロックマスク信号CMによりゲート
9が閉じられてセレクトクロックSCがマスクされ(第
4図■参照)、読出しタイミング発生回路4へのセレク
トクロックSCの供給が遮断される。
Next, what happens when a collision occurs will be explained. It is now assumed that the write timing and the read timing in the ES memory 2 are the same, and a timing conflict has occurred. This collision is detected by the phase comparator 6 and a collision detection signal COL is generated. This collision detection signal COL is input to the clock terminal GK of the flip-flop 8 via the inverter 7, so that the flip-flop 8 receives the collision detection signal Co
13 4 By detecting the falling edge of L, the signal is output from the output terminal.
Generates a clock mask signal CM of H” level (fourth
(See figure ■). This clock mask signal CM closes the gate 9 to mask the select clock SC (see FIG. 4), and the supply of the select clock SC to the read timing generating circuit 4 is cut off.

この結果、フリップフロップ41の出力Q、 Qである
読出し禁止信号RII、RI2は極性が反転せず、した
がって9次に入力された読出しリセット信号RRは再び
ゲート43を介してESメモリ2に読出しリセット信号
RR2として入力される(第4図◎参照)。すなわち、
ESメモリ2へ読出しリセット信号RR2が2度連続し
て入力されることとなり、書込みリセット信号WR2に
対して読出しリセット信号RR2の発生タイミングが変
わることになる。
As a result, the polarity of the read inhibit signals RII and RI2, which are the outputs Q and Q of the flip-flop 41, is not inverted, and therefore, the read reset signal RR inputted to the ninth order is read out and reset to the ES memory 2 via the gate 43 again. It is input as signal RR2 (see ◎ in Figure 4). That is,
The read reset signal RR2 is input to the ES memory 2 twice in succession, and the timing of generation of the read reset signal RR2 changes with respect to the write reset signal WR2.

この後、フリップフロップ8は、読出しリセット信号R
Rをシフトレジスタ11でシフトさせることで発生され
たクロックマスククリア信号CMCでクリアされ(第4
図■参照)、以降は通常時の動作となる。
After this, the flip-flop 8 receives the read reset signal R
It is cleared by the clock mask clear signal CMC generated by shifting R with the shift register 11 (the fourth
(See Figure ■), and from then on, normal operation will occur.

本発明の実施にあたっては種々の変形形態が可能である
。例えば上述の実施例ではESメモリとして2ポーh 
RA Mを2個並列構成したものを用いたが9本発明は
これに限られるものではなく。
Various modifications are possible in implementing the invention. For example, in the above embodiment, 2 ports h are used as ES memory.
Although a parallel configuration of two RAMs is used, the present invention is not limited to this.

2ポ一トRAMを1個でESメモリを構成するようにし
たものであってもよい。
The ES memory may be configured with one 2-point RAM.

〔発明の効果] 本発明によれば、書込みタイミングとあε出しタイミン
グが衝突した場合には、読出しタイミングを適正な位置
へ確実に変化させることができ、それによりスリップに
よるデータ破壊の発生を確実に防止できるようになる。
[Effects of the Invention] According to the present invention, when the write timing and the epsilon output timing collide, the read timing can be reliably changed to an appropriate position, thereby ensuring that data destruction due to slips does not occur. can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る原理説明図。 第2図は本発明の一実施例としてのエラステ 5 6 イックストアのスリップ制御回路を示すブロック図。 第3図は実施例回路における通常動作時の各部信号のタ
イムチャート。 第4図は実施例回路における衝突発生時の各部信号のタ
イムチャート。 第5図はエラスティックストアのスリップ制御回路の従
来例を示すブロック図。 第6図は従来例回路における通常動作時の各部信号のタ
イムチャート、および。 第7図は従来例回路における衝突発生時の各部信号のタ
イムチャートである。 図において。 1.2・・・ESメモリ 3・・・書込みタイミング発生回路 4・・・読出しタイミング発生回路 5−・・禁止領域信号発生回路 6・・・位相比較器 7・・・インバータ 8.31.41−・・フリップフロップ9.32.33
,42.43・・・ゲート10.11・・・シフトレジ
スタ WR,WRl、WR2・・・書込みリセット信号WII
、WI2・・・書込み禁止信号 RR,RRI、RR2・・・読出しリセット信号RII
、RI2−・・読出し禁止信号 SC・・・セレクトクロック CM・・・クロックマスク0弓 CMC・・・クロックマスククリア信号 7 8 tr  ジに検ポイ言号 本怒明 326− 特開平3 66239 (8) 特開平3 66239 (9) 4足朱例回路のタイムチャート目軒交犯生時) 331−
FIG. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a slip control circuit of an Elaste 56 IC store as an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a time chart of signals of various parts during normal operation in the circuit of the embodiment. FIG. 4 is a time chart of signals of various parts when a collision occurs in the circuit of the embodiment. FIG. 5 is a block diagram showing a conventional example of a slip control circuit for an elastic store. FIG. 6 is a time chart of signals of various parts during normal operation in a conventional circuit; FIG. 7 is a time chart of signals of various parts when a collision occurs in a conventional circuit. In fig. 1.2 ES memory 3 Write timing generation circuit 4 Read timing generation circuit 5 Prohibited area signal generation circuit 6 Phase comparator 7 Inverter 8.31.41 ---Flip-flop9.32.33
, 42.43... Gate 10.11... Shift register WR, WRl, WR2... Write reset signal WII
, WI2...Write inhibit signal RR, RRI, RR2...Read reset signal RII
, RI2-... Read inhibit signal SC... Select clock CM... Clock mask 0 bow CMC... Clock mask clear signal 7 8 tr ) Unexamined Japanese Patent Publication No. 3 66239 (9) Time chart of the 4-leg example circuit (when the eaves were broken) 331-

Claims (1)

【特許請求の範囲】 エラスティックストアドメモリ(21)と、書込みタイ
ミング発生回路(22)と、読出しタイミング発生回路
(23)とを備え、第1のクロック周波数に同期した入
力データが書き込まれたエラスティックストアドメモリ
から、第2のクロック周波数に同期した読出し信号によ
り書き込まれたデータを読み出して出力するエラスティ
ックストアにおいて、該エラスティックストアドメモリ
における書込みタイミングと読出しタイミングの衝突を
検出する衝突検出回路(24)と、 該衝突検出回路(24)からの衝突検出信号に応じて所
定パルス幅のマスク信号を発生するマスク信号発生回路
(25)と、 衝突検出時に該読出しタイミング発生回路(23)への
動作クロックの供給を該マスク信号によってマスクする
ゲート回路(26)と を具備してなるエラスティックストアのスリップ制御回
路。
[Claims] An error storage system comprising an elastic stored memory (21), a write timing generation circuit (22), and a read timing generation circuit (23), in which input data synchronized with a first clock frequency is written. In an elastic store that reads and outputs written data from a stick stored memory using a read signal synchronized with a second clock frequency, a collision detection circuit detects a collision between write timing and read timing in the elastic stored memory ( 24), a mask signal generation circuit (25) that generates a mask signal of a predetermined pulse width in response to a collision detection signal from the collision detection circuit (24), and a mask signal generation circuit (25) that generates a mask signal of a predetermined pulse width in response to a collision detection signal from the collision detection circuit (24); A slip control circuit for an elastic store, comprising a gate circuit (26) that masks the supply of an operating clock using the mask signal.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01139395A (en) * 1987-10-13 1989-05-31 Abc Sebrn Tech Corp Inc Distributor for drink
JPH0681999U (en) * 1993-05-06 1994-11-25 二和商事株式会社 Concentrated beverage dispenser

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JPH01139395A (en) * 1987-10-13 1989-05-31 Abc Sebrn Tech Corp Inc Distributor for drink
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