JPH0366130A - Formation of bump - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体チップまたはリードフレームへのバン
プ形成方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a method for forming bumps on a semiconductor chip or lead frame.
〈従来の技術〉
フリソプチソプボンディングやＴＡＢ （テープキャリ
ア方式のボンディング）等においては、バンプの形成が
不可欠である。<Prior Art> Formation of bumps is essential in frisoptic bonding, TAB (tape carrier type bonding), and the like.
バンプの構造は、パッド金属、密着金属、拡散防止金属
、バンプ金属からなる複雑なものである。The structure of the bump is complex, consisting of pad metal, adhesion metal, diffusion prevention metal, and bump metal.
例えば、メツキ法によるバンプの形成方法は、次のよう
な工程で行う。For example, a bump formation method using a plating method is performed through the following steps.
■ 予めパッド金属（／ｌ）が形成されている半導体チ
ップの表面を保護用のガラス膜（または３ ｉ、 ０２
膜）で被覆する。■ A protective glass film (or 3i, 02
coated with a membrane).
■ 前記の保護用ガラス膜の表面にホトレジストを塗布
する。(2) Apply photoresist to the surface of the protective glass film.
■ エソチップにより、パッド金属に対応する箇所にお
いて保護用ガラス膜を除去し、電極用窓をあける。この
電極用窓においてパッド金属が露出する。■ Using the Esochip, remove the protective glass film at the location corresponding to the pad metal and open a window for the electrode. The pad metal is exposed in this electrode window.
■ 露出しているパッド金属（Ａβ）上に密着金属（Ｃ
ｒ）を蒸着する。■ Place the adhesive metal (C) on the exposed pad metal (Aβ).
r) is deposited.
■ 密着金属（Ｃｒ）上に拡散防止金属（Ｃｕ）を蒸着
する。■ Vapor-depositing a diffusion prevention metal (Cu) on the adhesion metal (Cr).
■ 拡散防止金属（Ｃｕ）上にハンプ金属（ＡＵ）を蒸
着する。■ Deposit hump metal (AU) on diffusion prevention metal (Cu).
■ 全面にホトレジストを塗布し、エッチングによって
、前記の三層（Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ）からなる電極下地に
対応する箇所においてホトレジストを除去する。これに
よって、電極下地が露出する。(2) Apply photoresist to the entire surface, and remove the photoresist at locations corresponding to the electrode base made of the three layers (Cr, Cu, and Au) by etching. This exposes the electrode base.
■ 電極下地の最上層（バンプ金属（Ａｕ））に、Ａｕ
メツキしたＣｕボールをおき、ハンダ（Ｐｂ−３ｎ）を
ブレーティング（メツキ）する。■ Add Au to the top layer (bump metal (Au)) of the electrode base.
Place the plated Cu ball and plate it with solder (Pb-3n).
このハンダがバンプとなる。This solder becomes a bump.
■ 残っているホトレジストを剥離する。■ Peel off the remaining photoresist.
〈発明が解決しようとする課題〉
以上のような従来のバンプ形成方法には、次のような問
題がある。<Problems to be Solved by the Invention> The conventional bump forming method as described above has the following problems.
（ａ） 非常に繁雑な工程を要するので迅速なバンプ
形成が行えない。(a) It requires a very complicated process, so bumps cannot be formed quickly.
（ｂ） バンブ形成のための設備が大掛かりなものに
なり、バンブ形成を容易には行えない。(b) The equipment for forming bumps becomes large-scale, making it difficult to form bumps.
（Ｃ） 前記（ａ）、 （ｂ）の相乗により、高コス
ト化は免れない。(C) Due to the synergistic effects of (a) and (b) above, higher costs are inevitable.
（ｄｌ 蒸着、ホト−ジス１−塗布、メツキ等による
悪影響があり、バンプ接合の信頼性に劣る。(Dl Vapor deposition, photoresist coating, plating, etc. have an adverse effect, and the reliability of bump bonding is poor.
（１４） バンプ付きチソプを人手するにしても、入
手先が限られていて簡単には入手できない。(14) Even if you want to make chiseop with bumps by hand, it is not easy to obtain because the sources are limited.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、信頼性の高いバンプを迅速、容易かつ低コストに形
成することができるバンプ形成方法を提供することを０
的とする。The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a bump forming method that can form highly reliable bumps quickly, easily, and at low cost.
target
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
すなわち、本発明のバンブ形成方法は、ワイヤの先端部
を溶融してボール部を形成する第１工程と、
前記ボール部を電極バンドに対して接合一体化する第２
工程と、
前記ボール部をワイヤから切り放すことにより、前記電
極パソドと一体化したボール部をバンプとする第３工程
とを含むものである。That is, the bump forming method of the present invention includes a first step of melting the tip of a wire to form a ball portion, and a second step of bonding and integrating the ball portion with an electrode band.
and a third step of cutting the ball portion from the wire to form a bump from the ball portion integrated with the electrode path.
く作用〉
本発明の上記ｌＩＢ戒による作用は、次のとおりである
。Effects> The effects of the present invention according to the above IIB precept are as follows.
すなわち、ポールボンディングの要領でバンプを形成す
るものであり、ワイヤ先端部の溶融（ボール部形成）、
ボール部の接合、切断という簡単な工程ですむとともに
、設備としては、フリップチップボンディングやＴＡＢ
の場合のバンブ形成のための設備に比べて簡単なもので
よい。したがって、迅速、容易かつ低コストにバンプを
形成できる。In other words, bumps are formed in the same way as pole bonding, which involves melting the tip of the wire (forming a ball),
It is a simple process of joining and cutting the ball part, and the equipment includes flip chip bonding and TAB.
The equipment for forming bumps may be simpler than the equipment used for forming bumps. Therefore, bumps can be formed quickly, easily and at low cost.
そして、蒸着、レジスト塗布、メツキを使用しないので
、それらによる悪影響がなく、また、電極パッドに対す
るボール部の直接接合であるので、接合の面で信頼性の
高いバンプが形成できる。Further, since vapor deposition, resist coating, and plating are not used, there is no adverse effect caused by them, and since the ball portion is directly bonded to the electrode pad, a bump with high reliability in terms of bonding can be formed.
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。<Example> Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第１図ないし第３図は本発明の実施例に係るバンプ形成
方法の各工程を順に示したものである。1 to 3 sequentially show each step of a bump forming method according to an embodiment of the present invention.
（ｉ）第１図に示すように、Ａｊ＋の複数の電極パッド
１が形成された半導体チップ２をマウントし４−
ている基板３をボンディングステージ４上に位置決め状
態で載置する１、。(i) As shown in FIG. 1, a substrate 3 on which a semiconductor chip 2 having a plurality of Aj+ electrode pads 1 is mounted is placed on a bonding stage 4 in a positioned manner.
（ｉｉ ）同じく第１図に示すように、キャピラリ５に
通線保持されたＡｊ！、Ａｕ等のワイヤ６の先端部に放
電用電極７を近づけ、両者間で放電させることにより、
ワイヤ６の先端部を溶融してボール部６ａを形成する。(ii) As shown in FIG. 1, Aj! is connected and held in the capillary 5! , by bringing the discharge electrode 7 close to the tip of the wire 6 made of Au, etc., and causing a discharge between the two,
The tip of the wire 6 is melted to form a ball portion 6a.
（ｉｉｉ ）第２図に示すように、放電用電極７を退避
させた後、キャピラリ５の下降によってボール部６ａを
半導体チップ２における１つの電極パッド１に強く押圧
し、熱または超音波振動を与えることによりボール部６
ａを電極パッド１に接合一体化する。(iii) As shown in FIG. 2, after retracting the discharge electrode 7, the ball part 6a is strongly pressed against one electrode pad 1 on the semiconductor chip 2 by lowering the capillary 5, and heat or ultrasonic vibration is applied. By giving ball part 6
A is integrally bonded to the electrode pad 1.
にＶ）次いで、キャピラリ５を横方向に動かすか、ある
いは、ボンディングステージ４を横方向に動かすことに
よって、第３図に示すように、ボール部６ａをワイヤ６
の付は根から切り離す。これによって、ボール部６ａが
電極パッド１と一体化したバンプ８となる。V) Next, by moving the capillary 5 laterally or by moving the bonding stage 4 laterally, the ball portion 6a is attached to the wire 6 as shown in FIG.
Separate the nosuke from the roots. As a result, the ball portion 6a becomes a bump 8 that is integrated with the electrode pad 1.
（ｖ）同じく第３図に示すように、キャピラリ５を原点
位置まで上昇させる。(v) Similarly, as shown in FIG. 3, the capillary 5 is raised to the origin position.
（ｖｉ ）以上の工程（１１）〜（ｖ）を繰り返すこと
により、すべての電極パッド１に対して、ボール部６ａ
を利用したバンプ８を順次接合していく。(vi) By repeating the above steps (11) to (v), the ball portion 6a is
The bumps 8 using this are sequentially bonded.
バンプ形成が完成した半導体チップ２を第４図に示す。FIG. 4 shows the semiconductor chip 2 on which bump formation has been completed.
なお、図示は省略するが、ハンプ形成が完了した半導体
チップ２は、従来から一般的に行われているように、フ
ェイスアンプの状態でテープキャリアのフィンガリード
に対してハンプ８を介してワイヤレスボンディングした
り （ＴＡＢ方式）、あるいは、フェイスダウンの状態
でプリント基板の電極パッドに対してハンプ８を介して
ワイヤレスボンディングする（フリソプチソプ方式）。Although not shown, the semiconductor chip 2 on which the hump formation has been completed is subjected to wireless bonding via the hump 8 to the finger leads of the tape carrier in the face amplifier state, as has been commonly done in the past. (TAB method), or wireless bonding is performed via the hump 8 to the electrode pad of the printed circuit board in a face-down state (Flisoptysop method).
上記実施例におけるバンプ形成方法は、半導体チップに
適用したものであるが、これに限る必要はなく、テープ
キャリアのフィンガリードや、リードフレームのインナ
ーリードの方にバンプを形成する場合にも本発明を適用
することができる。Although the bump forming method in the above embodiment is applied to a semiconductor chip, it is not limited to this, and the present invention can also be applied when forming bumps on the finger leads of a tape carrier or the inner leads of a lead frame. can be applied.
〈発明の効果〉 本発明によれば、次の効果が発揮される。<Effect of the invention> According to the present invention, the following effects are achieved.
すなわち、溶融によってワイヤ先端部に作ったボール部
をポールボンディングの要領で電極パッドに接合した後
、ポール部をワイヤから切り離すことによってバンプを
形成するから、
■ 全体の工程数が少なく、かつ、各工程が比較的簡単
であるので、迅速、容易にハンプ形成を行うことができ
る。In other words, the bump is formed by bonding the ball formed at the tip of the wire by melting to the electrode pad using pole bonding, and then separating the pole from the wire. ■ The overall number of steps is small, and each Since the process is relatively simple, hump formation can be performed quickly and easily.
＠ 設備としてはポールボンディングと同様のものでよ
く、フリソブチソプボンディングやＴＡＢの場合のよう
な大掛かりな設備に比べてはるかに簡単なものでよい。@ The equipment may be the same as for pole bonding, and it may be much simpler than the large-scale equipment used for Frisobutisop bonding or TAB.
したがって、低コスト化を図ることができる。Therefore, cost reduction can be achieved.
■ 従来例のように華着、レジスト塗布、メツキを行う
ことに起因した接合部への悪影響がなく、電極パッドに
対するボール部の直接接合であるので、バンプ接合の信
頼性を向上することができる。■ There is no negative impact on the bonding area caused by the traditional methods of arranging, resist coating, and plating, and the ball is directly bonded to the electrode pad, improving the reliability of bump bonding. .
■ 半導体チップの入手先が限定されない。■ There are no restrictions on where semiconductor chips can be obtained.
第１図ないし第３図は本発明の一実施例に係るバンプ形
成方法の各工程を順に示す説明図、第４図はバンプ形成
が完成した半導体チップを示す斜視図である。
１・・・電極パッド
２・・・半導体チップ
３・・・基板
４・・・ボンデインダステージ
５・・・キャピラリ
６・・・ワイヤ
６ａ・・・ボール部
７・・・放電用電極
８・・・バンプ1 to 3 are explanatory diagrams sequentially showing each step of a bump forming method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a perspective view showing a semiconductor chip on which bump formation has been completed. 1... Electrode pad 2... Semiconductor chip 3... Substrate 4... Bonder stage 5... Capillary 6... Wire 6a... Ball portion 7... Electrode for discharge 8... ·bump
Claims (1)
１工程と、 前記ボール部を電極パッドに対して接合一体化する第２
工程と、 前記ボール部をワイヤから切り放すことにより、前記電
極パッドと一体化したボール部をバンプとする第３工程 とを含むバンプ形成方法。(1) A first step of melting the tip of the wire to form a ball portion, and a second step of bonding and integrating the ball portion with the electrode pad.
and a third step of forming a bump from the ball portion integrated with the electrode pad by cutting the ball portion from the wire.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203521A JPH0366130A (en) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | Formation of bump |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1203521A JPH0366130A (en) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | Formation of bump |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0366130A true JPH0366130A (en) | 1991-03-20 |
Family
ID=16475528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1203521A Pending JPH0366130A (en) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | Formation of bump |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0366130A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359440A (en) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Drive electrode connection method of liquid crystal display |
| US6079610A (en) * | 1996-10-07 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Wire bonding method |
| US6601752B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Electronic part mounting method |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP1203521A patent/JPH0366130A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04359440A (en) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Drive electrode connection method of liquid crystal display |
| US6079610A (en) * | 1996-10-07 | 2000-06-27 | Denso Corporation | Wire bonding method |
| US6601752B2 (en) | 2000-03-13 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Electronic part mounting method |
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