JPH03626B2 - - Google Patents
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 45
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 43
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、基体の表面にアモルフアス・シリ
コンからなる感光層を形成するためのアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method and apparatus for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor for forming a photosensitive layer made of amorphous silicon on the surface of a substrate.
近年、電子複写機の技術領域において、アモル
フアス・シリコン光導電体を感光層として使用す
ることが提案されている。このアモルフアス・シ
リコン光導電体を感光層として備える感光体(以
下、単にα―Si感光体と呼ぶ)は、耐熱性、硬
さ、長寿命、並びに無公害性の諸点で、現在、電
子複写機の感光層として用いられているα―Se,
CdS,ZnO,O.P.C等に比べて、勝つている。
In recent years, the use of amorphous silicon photoconductors as photosensitive layers has been proposed in the field of electronic copier technology. Photoconductors comprising this amorphous silicon photoconductor as a photoconductor layer (hereinafter simply referred to as α-Si photoconductors) are currently used in electronic copying machines because of their heat resistance, hardness, long life, and non-polluting properties. α-Se, which is used as a photosensitive layer for
It is superior to CdS, ZnO, OPC, etc.
このようなα―Si感光体は、例えばグロー放電
法を用いることにより、以下のように製造され
る。第1図及び第2図に示すように、ケーシング
10内には、ドラム状の基体12が回転可能に収
納されている。このケーシング10の内部空間
は、拡散ポンプ14及びロータリーポンプ16に
よつて、予め真空状態に設定されている。尚、こ
の基体12は接地されていると共に、図示しない
駆動機構を介して中心軸回りに回転されている。
次いで、バルブ18を開放することにより、
SiH4ガスもしくは必要に応じてSiH4と、B2H6,
Ph3との混合ガスがケーシング10内に導入され
る。この導入されたガスは、ガス導入管20の多
数の吹出口22を介して、基体12表面上に吹き
付けられる。また、基体12はヒータ24によつ
て加熱されている。ここで、ガス導入管20は、
ラジオ・フレクエンシ電源26のカソード電極と
兼用させられている。次いで、この電源26を介
して、カソード電極20と基体12との間に、
R.F.パワーがかけられる。ここで、基体12は接
地されているため、この基体12はカソード電極
20に対してアノード電極として作用することに
なる。このためカソード電極としてのガス導入管
20とアノード電極としての基体12との間に、
グロー放電が発生し、SiH4ガスはラジカル化さ
れる。このようにして、基体12表面上に、所定
時間の経過と共に、α―Siが成長する。そして、
α―Siによる感光層が基体12表面上に所定の厚
さに均一に形成されて、α―Siの成膜が終了す
る。このようなα―Siの成膜が終了すると、成膜
に関与しなかつたSiH4ガスのラジカルは、拡散
ポンプ14及びロータリーポンプ16によつて、
ケーシング10内から吸引される。この後、吸引
されたSiH4のラジカルは、図示しない燃焼塔、
スクライバを順次経て、外気中に安全に排気され
る。次に、ケーシング10が開放されて、α―Si
感光体は、ケーシング10内から取り出される。
このようにして、1本のα―Si感光体の製造が完
了する。 Such an α-Si photoreceptor is manufactured as follows by using, for example, a glow discharge method. As shown in FIGS. 1 and 2, a drum-shaped base 12 is rotatably housed within the casing 10. As shown in FIGS. The interior space of this casing 10 is previously set to a vacuum state by a diffusion pump 14 and a rotary pump 16. The base body 12 is grounded and rotated around a central axis via a drive mechanism (not shown).
Then, by opening the valve 18,
SiH 4 gas or SiH 4 as required, B 2 H 6 ,
A mixed gas with Ph 3 is introduced into the casing 10 . This introduced gas is blown onto the surface of the base 12 through the numerous blow-off ports 22 of the gas introduction pipe 20. Further, the base body 12 is heated by a heater 24. Here, the gas introduction pipe 20 is
It is also used as the cathode electrode of the radio frequency power supply 26. Next, via this power supply 26, a connection is made between the cathode electrode 20 and the base 12.
RF power is applied. Here, since the base body 12 is grounded, this base body 12 acts as an anode electrode with respect to the cathode electrode 20. Therefore, between the gas introduction pipe 20 as a cathode electrode and the base body 12 as an anode electrode,
A glow discharge occurs and SiH 4 gas is radicalized. In this way, α-Si grows on the surface of the substrate 12 over a predetermined period of time. and,
A photosensitive layer of α-Si is uniformly formed on the surface of the substrate 12 to a predetermined thickness, and the α-Si film formation is completed. When the α-Si film formation is completed, the SiH 4 gas radicals that did not participate in the film formation are removed by the diffusion pump 14 and the rotary pump 16.
It is sucked from inside the casing 10. After this, the sucked SiH 4 radicals are transferred to a combustion tower (not shown).
It passes through the scriber and is safely exhausted to the outside air. Next, the casing 10 is opened and α-Si
The photoreceptor is taken out from inside the casing 10.
In this way, the production of one α-Si photoreceptor is completed.
しかし、このようにしてα―Si感光体を製造す
るのでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケーシ
ング10内を真空にするための前処理時間及びケ
ーシング10内から残留のSiH4のラジカルを排
出するための後処理時間に長時間を要し、生産性
が極めて悪いものである。従つて、α―Si感光体
の製造コストが非常に高くなるという不都合を生
じている。 However, manufacturing an α-Si photoreceptor in this way requires a very slow film-forming rate, and requires a pretreatment time to evacuate the inside of the casing 10 and remove residual SiH 4 radicals from inside the casing 10. It takes a long time for post-processing to discharge, and productivity is extremely poor. Therefore, the manufacturing cost of the α-Si photoreceptor becomes extremely high.
この様な不都合を解消するために、第3図に示
すように、ドラム状の基体12を軸方向に沿つて
多段に並べ、一度に多くの基体12にα―Siの成
膜を行う方法が、従来、提案されている。しか
し、このような方法では、ケーシング10の高さ
には、おのずから限界があり、設定される基体1
2の数が制限されると共に、基体12のケーシン
グ10の中への出し入れ時の作業性が問題として
残つている。更には、このような成膜方法では、
図示しない真空ポンプ類は、ケーシング10の下
方に取り付けなければならないという設計上の要
請がある。このため、ケーシング10内のガスの
密度が、上部と下部とで異なることになり、成膜
されたα―Siの感光層の膜厚が、それぞれの感光
体によつて異なつてしまうという致命的な欠点
を、この方法は有している。 In order to solve this problem, as shown in Fig. 3, there is a method in which drum-shaped substrates 12 are arranged in multiple stages along the axial direction and α-Si is deposited on many substrates 12 at once. , has been proposed in the past. However, in such a method, there is a natural limit to the height of the casing 10, and the height of the base 1 to be set is limited.
2 is limited, and workability when inserting and removing the base body 12 into and out of the casing 10 remains a problem. Furthermore, in such a film formation method,
There is a design requirement that vacuum pumps (not shown) must be installed below the casing 10. For this reason, the density of the gas in the casing 10 differs between the upper and lower parts, resulting in a fatal difference in the thickness of the α-Si photosensitive layer formed depending on each photoreceptor. This method has some drawbacks.
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたも
ので、この発明の目的は、α―Si感光体を単位時
間当り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有し
て製造することのできるアモルフアス・シリコン
感光体製造方法及びその製造装置を提供すること
にある。
This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the invention is to be able to produce α-Si photoreceptors in large quantities per unit time and with a uniform photosensitive layer thickness. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor and an apparatus for manufacturing the same.
この発明に係るアモルフアス・シリコン製造方
法は、複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つ
て載置する第1の工程と、無端の搬送路を包含す
る膜形成室を減圧し膜形成室に少なくともSiを含
むガスを導入する第2の工程と、膜形成室内で放
電を生じさせ、Siを含むガスをラジカル化させる
第3の工程と、搬入路から膜形成室内の搬送路の
所定位置に、控え室を介して基体を送り込む第4
の工程と、膜形成室内の基体を搬送路に沿つて無
端走行させ、再び搬送路の所定位置まで搬送する
第5の工程と、再び所定位置に戻つた、成膜され
た基体を控え室を介して搬出路に送り込む第6の
工程とを具備することを特徴としている。
The method for manufacturing amorphous silicon according to the present invention includes a first step of placing a plurality of substrates on a carry-in path along the transport direction, and a step of reducing the pressure in a film forming chamber including an endless transport path. a second step of introducing a gas containing at least Si; a third step of generating a discharge in the film forming chamber and converting the gas containing Si into radicals; , a fourth part that sends the substrate through the antechamber.
a fifth step in which the substrate in the film forming chamber is endlessly moved along the transport path and transported again to a predetermined position on the transport path; The invention is characterized in that it includes a sixth step of transporting the container into the unloading path.
またこの発明に係るアモルフアス・シリコン感
光体製造装置は、基部と、この基部上に取り付け
られ、無端の搬送路を包含して、内部を複数の基
体を収納可能な膜形成室とするケーシングと、ケ
ーシング内に少なくともSiを有するガスを供給す
るガス供給手段と、ケーシング内のSiを含むガス
をラジカル化させる放電手段と、膜形成室の所定
位置と搬入路の終端と、搬出路の始端に接続され
る控え室と、搬送路上に設けられ、この上の基体
を搬送路に沿つて無端走行させる第1の移動機構
と、搬入路上に設けられ、この上の基体を控え室
に送り出す第2の移動機構と、搬出路上に設けら
れ、この上の成膜された基体を始端から末端に向
けて移動させる第3の移動機構と、控え室内に設
けられ、搬入路から送り出された基体を膜形成室
の所定位置に送り出し、搬送路を無端走行して成
膜され、所定位置に復帰した基体を控え室内に取
り入れ、成膜された基体を搬出路に送り出す第4
の移動機構と、膜形成室及び控え室を選択的に真
空にする真空手段とを具備することを特徴として
いる。 Further, the amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to the present invention includes a base, a casing that is attached to the base, includes an endless conveyance path, and has a film forming chamber inside which can accommodate a plurality of substrates; A gas supply means for supplying a gas containing at least Si into the casing, a discharge means for radicalizing the Si-containing gas within the casing, and connected to a predetermined position of the film forming chamber, the end of the carry-in path, and the start end of the carry-out path. a first moving mechanism that is provided on the conveyance path and causes the base body thereon to travel endlessly along the conveyance path; and a second movement mechanism that is provided on the carry-in path and sends out the base body thereon to the waiting room. A third moving mechanism is provided on the carry-out path to move the substrate on which a film has been formed from the starting end to the end, and a third moving mechanism is provided in the waiting room to move the substrate sent out from the carry-in path into the film forming chamber. A fourth section feeds the substrate to a predetermined position, travels endlessly along the conveyance path to form a film, takes the substrate returned to the predetermined position into the waiting room, and sends out the film-formed substrate to the carry-out path.
The present invention is characterized by comprising a moving mechanism, and a vacuum means for selectively evacuating the film forming chamber and the anteroom.
この発明に係るアモルフアス・シリコン感光体
製造方法及びその製造装置によれば、単位時間当
り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有して製
造することができるようになる。
According to the method and apparatus for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to the present invention, it is possible to manufacture a photoreceptor in large quantities per unit time and with a uniform thickness of the photosensitive layer.
以下に、この発明に係るアモルフアス・シリコ
ン感光体製造方法及びその製造装置の第1の実施
例を添付図面の第4図乃至第17図を参照して、
詳細に説明する。
A first embodiment of the amorphous silicon photoreceptor manufacturing method and its manufacturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 4 to 17 of the accompanying drawings.
Explain in detail.
第4図及び第5図に示すように、製造装置28
は円板状の基部30を備えている。この基部30
の上部には、これの上面を全面に渡つて覆うよう
に、ケーシング32が取り付けられている。この
ケーシング32は基部30に取り付けられた状態
で、ケーシング32の内部空間を気密に保持す
る。このケーシング32は基部30の上面の外周
部から直立して立ち上ると共に、基部30に対し
て同心円状になされた外周壁34と、この外周壁
34の上端縁を閉塞する天板36とを備えてい
る。この天板36の中心部には凹所38が形成さ
れている。この凹所38の側面を形成する壁40
は、ケーシング32の内周壁として規定される。
また、この基部30とケーシング32とによつて
取り囲まれる空間はドーナツ状の膜形成室42と
して規定される。 As shown in FIGS. 4 and 5, the manufacturing device 28
is equipped with a disc-shaped base 30. This base 30
A casing 32 is attached to the upper part of the casing 32 so as to cover the entire upper surface of the casing 32. This casing 32 keeps the internal space of the casing 32 airtight while being attached to the base 30. The casing 32 stands upright from the outer periphery of the upper surface of the base 30 and includes an outer circumferential wall 34 that is concentric with the base 30 and a top plate 36 that closes the upper edge of the outer circumferential wall 34. There is. A recess 38 is formed in the center of the top plate 36. Walls 40 forming the sides of this recess 38
is defined as the inner peripheral wall of the casing 32.
Further, the space surrounded by the base portion 30 and the casing 32 is defined as a donut-shaped film forming chamber 42 .
ケーシング32内であつて基部30の上面に
は、16個の感光体としての感光ドラム用のドラム
状の基体44が載置される載置台46が配設され
ている。各載置台46は、ケーシング32の中心
に対して同一円周上に等間隔配設されると共に、
中心軸を鉛直軸に一致させて直立されている。各
載置体46は、後述する第1の移動機構48を介
して、自身の中心軸回りに回転(以後自転と呼
ぶ)させられると共に基部30の中心回りに回転
(以後公転と呼ぶ)させられている。 Inside the casing 32 and on the upper surface of the base 30, a mounting table 46 is provided on which drum-shaped base bodies 44 for photosensitive drums serving as 16 photosensitive members are mounted. Each mounting table 46 is arranged at equal intervals on the same circumference with respect to the center of the casing 32, and
It stands upright with its central axis aligned with the vertical axis. Each mounting body 46 is rotated around its own central axis (hereinafter referred to as autorotation) and rotated around the center of the base 30 (hereinafter referred to as revolution) via a first moving mechanism 48 to be described later. ing.
ケーシング32の外周壁34の一部には、第5
図に示すように開口50が形成されている。この
開口50は基体44の出し入れ口として規定さ
れ、1個の基体44が通過するに充分な大きさに
設定されている。この開口50を含む一側面を有
して、ケーシング32の外周壁34の外側には、
平面四角形状の控え室52が接続されている。こ
の開口52にはこれを開閉可能に第1のシヤツタ
54が取り付けられている。この第1のシヤツタ
54が開いた状態で、膜形成室42と控え室52
とは連通状態にもたらされ、閉じた状態で、互い
に気密状態に保たれる。 A portion of the outer peripheral wall 34 of the casing 32 has a fifth
As shown in the figure, an opening 50 is formed. This opening 50 is defined as an inlet/outlet for the base body 44, and is set to be large enough for one base body 44 to pass through. On the outside of the outer peripheral wall 34 of the casing 32, which has one side including the opening 50,
A waiting room 52 having a rectangular planar shape is connected thereto. A first shutter 54 is attached to this opening 52 so that it can be opened and closed. With this first shutter 54 open, the film forming chamber 42 and the waiting chamber 52
and are brought into communication and kept closed and airtight with each other.
この控え室52の、開口50を含んだ一側面の
図中左側に隣接する側面には入口開口部56が、
また図中右側に隣接する側面には、入口開口部5
6と対向する部分に、出口開口部58がそれぞれ
設けられている。入口開口部56及び出口開口部
58にはこれらを開閉可能に、第2のシヤツタ6
0及び第3のシヤツタ62がそれぞれ設けられて
いる。第2及び第3のシヤツタ60,62がそれ
ぞれ開いた状態で、控え室52は外部と連通状態
にもたらされ、両方が閉じた状態で、外部から気
密状態に保たれる。また、入口開口部56には、
搬入路64の終端が、また出口開口部58には搬
出路66の始端がそれぞれ対向して設けられてい
る。搬入路64及び搬出路64上には、第2及び
第3の移動機構68,70が、それぞれ設けられ
ていると共に、控え室52内には、第4の移動機
構72が設けられている。第2の移動機構68は
基体44を矢印Xで示す方向に移動させると共に
第2のシヤツタ60が開いた状態で、基体44を
控え室52内の第4の移動機構72上に矢印Xで
示す方向に沿つて送り出すように構成されてい
る。第3の移動機構70は控え室52からもたら
された成膜された基体44、即ち感光ドラム74
を矢印Xで示す方向に送るように構成されてい
る。また第4の移動機構72は、入口開口部56
を介して控え室52に送り込まれてきた基体44
を第1のシヤツタ54が開いた状態で、膜形成室
42内の第1の移動機構48上に矢印Yで示す方
向に沿つて送り出し、且つ成膜動作が完了して第
1のシヤツタ54に対向する位置にもたらされた
感光ドラム74を、第1のシヤツタ54が開いた
状態で、控え室52内に矢印Yで示す方向とは反
対の方向に沿つて取り入れ、更には、第3のシヤ
ツタ62が開いた状態で、搬出路66上の第3の
移動機構70上に、矢印Xで示す方向に沿つて送
り出すように、構成されている。 An entrance opening 56 is provided on one side of the waiting room 52 that includes the opening 50 and is adjacent to the left side in the figure.
In addition, there is an inlet opening 5 on the side adjacent to the right side in the figure.
6, an outlet opening 58 is provided in each case. A second shutter 6 is provided at the inlet opening 56 and the outlet opening 58 so as to be able to open and close them.
0 and 3rd shutters 62 are provided, respectively. When the second and third shutters 60 and 62 are open, the anteroom 52 is brought into communication with the outside, and when both are closed, it is kept airtight from the outside. In addition, the inlet opening 56 includes
The terminal end of the carry-in passage 64 and the starting end of the carry-out passage 66 are provided opposite to the outlet opening 58, respectively. Second and third moving mechanisms 68 and 70 are provided on the carry-in path 64 and the carry-out path 64, respectively, and a fourth moving mechanism 72 is provided in the waiting room 52. The second moving mechanism 68 moves the base 44 in the direction shown by the arrow X, and also moves the base 44 onto the fourth moving mechanism 72 in the waiting room 52 in the direction shown by the arrow It is configured to be sent out along the The third moving mechanism 70 is a substrate 44 on which a film has been deposited brought from the waiting room 52, that is, a photosensitive drum 74.
is configured to send in the direction indicated by arrow X. Further, the fourth moving mechanism 72 includes the inlet opening 56
The base body 44 is sent into the waiting room 52 via the
With the first shutter 54 open, the film is sent out onto the first moving mechanism 48 in the film forming chamber 42 along the direction shown by the arrow Y, and when the film forming operation is completed, the film is sent out to the first shutter 54. With the first shutter 54 open, the photosensitive drum 74 brought to the opposing position is taken into the waiting room 52 along the direction opposite to the direction indicated by the arrow Y, and then taken into the third shutter. 62 is opened, it is configured to be delivered onto the third moving mechanism 70 on the delivery path 66 along the direction indicated by the arrow X.
ケーシング32内には、第1のシヤツタ54を
備えた開口50以外の外周壁34及び内周壁40
にそれぞれ沿つて、第1及び第2のガス導入部7
6,78が配設されている。各ガス導入部76,
78は中空の円筒状に導電性物質から形成され、
それぞれケーシング32と同軸になされている。
第1のガス導入部76の内周面及び第2のガス導
入部78の外周面には、多数のガス吹出孔80が
均一に形成されている。また第1のガス導入部7
6及び第2のガス導入部78の各上面には、それ
ぞれに複数のガス導入枝管82が、円周方向に沿
つて等間隔に接続されている。これらガス導入枝
管82は、共通のガス導入本管84に結合されて
おり、このガス導入本管84は第1のバルブ86
を介して第1のガス供給機構88に接続されてい
る。この第1のガス供給機構88はSiH4ガスを
供給するためのものである。ここで、前述した複
数のガス導入枝管82はケーシング32の天板3
6を気密に貫通してケーシング32内に取り入れ
られている。また、控え室52には、第2のバル
ブ90を介して第2のガス供給機構92が接続さ
れている。この第2のガス供給機構92はN2ガ
スを供給するためのものである。 Inside the casing 32, there are an outer circumferential wall 34 and an inner circumferential wall 40 other than the opening 50 provided with the first shutter 54.
along the first and second gas introduction portions 7, respectively.
6,78 are arranged. Each gas introduction part 76,
78 is formed from a conductive material in a hollow cylindrical shape;
Each of them is coaxial with the casing 32.
A large number of gas blowing holes 80 are uniformly formed on the inner circumferential surface of the first gas introducing section 76 and the outer circumferential surface of the second gas introducing section 78. Also, the first gas introduction section 7
A plurality of gas introduction branch pipes 82 are connected to the upper surfaces of each of the gas introduction portions 6 and 78 at equal intervals along the circumferential direction. These gas introduction branch pipes 82 are connected to a common gas introduction main pipe 84, which is connected to a first valve 86.
It is connected to the first gas supply mechanism 88 via. This first gas supply mechanism 88 is for supplying SiH 4 gas. Here, the plurality of gas introduction branch pipes 82 described above are connected to the top plate 3 of the casing 32.
6 in an airtight manner and is incorporated into the casing 32. Further, a second gas supply mechanism 92 is connected to the anteroom 52 via a second valve 90. This second gas supply mechanism 92 is for supplying N 2 gas.
一方、基部30の上面及び控え室52には、こ
れら貫通する多数のガス導出枝管94の一端が第
3及び第4のバルブ96,98を介して開口して
いる。これらガス導出枝管94は、ケーシング3
2の中心に対して同心円状に等間隔に配設されて
いる。これらガス導出枝管94は共通のガス導出
管100に結合されている。このガス導出本管1
00は拡散ポンプ102及びロータリーポンプ1
04を介して空気清浄機構106に接続されてい
る。この空気清浄機構106は、詳細は図示して
いないが、燃焼塔、スクライバ等を有しており、
ケーシング32内から取り出されたガスをここで
清浄化するものである。 On the other hand, one end of a large number of gas outlet branch pipes 94 penetrating through the upper surface of the base 30 and the antechamber 52 are opened through third and fourth valves 96 and 98. These gas outlet branch pipes 94 are connected to the casing 3
They are arranged concentrically at equal intervals with respect to the center of 2. These gas outlet branch pipes 94 are connected to a common gas outlet pipe 100. This gas outlet main 1
00 is the diffusion pump 102 and rotary pump 1
04 to the air cleaning mechanism 106. This air purifying mechanism 106 has a combustion tower, a scriber, etc., although details are not shown.
The gas taken out from inside the casing 32 is cleaned here.
ケーシング32内には収納された各基体44を
加熱するためのヒータ108が、各載置台46上
に設けられている。また、各載置台46に載置さ
れた基体44は、載置台46を介してアースされ
る。一方、第1及び第2のガス導入部76,78
は、それぞれ共通のラジオ・フレクエンシ電源1
10に接続されている。換言すれば、第1及び第
2のガス導入部76,78は電源110によつて
カソード電極として機能し、基体44はカソード
電極に対してアノード電極として機能している。
電源110は出力500Wで周波数13.56MHzの交流
電流を供給できる。 A heater 108 for heating each base 44 housed in the casing 32 is provided on each mounting table 46 . Further, the base body 44 placed on each mounting table 46 is grounded via the mounting table 46 . On the other hand, the first and second gas introduction parts 76 and 78
are the common radio frequency power supply 1
10. In other words, the first and second gas introduction parts 76 and 78 function as cathode electrodes by the power source 110, and the base body 44 functions as an anode electrode with respect to the cathode electrode.
The power supply 110 has an output of 500W and can supply alternating current with a frequency of 13.56MHz.
前述した基体44は、外径130mmの導電性を有
する薄肉円筒体から形成されている。この基体4
4の外周面に渡つて、後述する動作に基づいて、
α―Siが所定厚さに成膜される。尚、この大きさ
の基体44を16本一度に収納するためのケーシン
グ32の外径は、1m30cmで良い。 The base body 44 described above is formed from a thin conductive cylindrical body with an outer diameter of 130 mm. This base 4
Based on the operation described later, over the outer peripheral surface of No. 4,
α-Si is deposited to a predetermined thickness. Incidentally, the outer diameter of the casing 32 for housing 16 base bodies 44 of this size at one time may be 1 m30 cm.
次に、膜形成室42内の第1の移動機構48に
つき詳述する。第6図に示すように、第1の移動
機構48は、基部30の上面にこれと同軸に駆動
台112を備えている。この駆動台112は平板
状のテーブル114とこのテーブル114の下面
に同軸に固定された主軸116を有している。こ
の主軸116は基部30にベアリング118を介
して、これの中心軸回りに回転可能に取り付けら
れている。テーブル114の外周面には、全周に
渡つて第1の歯車120が取り付けられている。
このテーブル114の外周には、駆動歯車122
が回転自在に設けられており、駆動歯車112と
第1の歯車120とは互いに噛合している。この
駆動歯車112は、駆動軸124を介して基部3
0の下方に設けられたモータ126に接続されて
いる。この駆動軸124は基部30を上下方向に
貫通している。 Next, the first moving mechanism 48 within the film forming chamber 42 will be described in detail. As shown in FIG. 6, the first moving mechanism 48 includes a drive base 112 on the upper surface of the base 30 and coaxially therewith. This drive stand 112 has a flat table 114 and a main shaft 116 coaxially fixed to the lower surface of this table 114. The main shaft 116 is rotatably attached to the base 30 via a bearing 118 about its central axis. A first gear 120 is attached to the outer peripheral surface of the table 114 over the entire circumference.
A driving gear 122 is provided on the outer periphery of this table 114.
is rotatably provided, and the drive gear 112 and the first gear 120 mesh with each other. This drive gear 112 is connected to the base 3 via a drive shaft 124.
0 is connected to a motor 126 provided below. This drive shaft 124 passes through the base 30 in the vertical direction.
前述した各載置台46は、基体44が載置され
る円板状のレスト128と、このレスト128の
下面に同軸に固定された回転軸130とを有して
いる。この回転軸130は、テーブル114にベ
アリング132(第4図に示す)を介して回転自
在に取り付けられている。各レスト128の外周
面には、全周に渡つて第2の歯車134が取り付
けられている。同心円状に配設された16個の載置
台46の外周には、固定歯車部136が基部30
に固定して設けられている。この固定歯車部13
6は基部30に起立して取り付けられた円筒状の
起立片138と、起立片138の上端から半径方
向内方に突出したフランジ部140とを備えてい
る。このフランジ部140の内周縁の中心は、基
部30の中心と一致して設定されている。フラン
ジ部140の内周面には全周に渡つて固定歯車1
42が内歯車状に設けられている。この固定歯車
142と各載置台46の第2の歯車134とは互
いに噛合している。 Each of the mounting tables 46 described above has a disk-shaped rest 128 on which the base 44 is placed, and a rotating shaft 130 coaxially fixed to the lower surface of the rest 128. This rotating shaft 130 is rotatably attached to the table 114 via a bearing 132 (shown in FIG. 4). A second gear 134 is attached to the outer peripheral surface of each rest 128 over the entire circumference. A fixed gear part 136 is attached to the base 30 on the outer periphery of the 16 mounting tables 46 arranged concentrically.
It is fixedly installed. This fixed gear part 13
6 includes a cylindrical upright piece 138 that is attached to the base 30 in an upright manner, and a flange portion 140 that protrudes radially inward from the upper end of the upright piece 138. The center of the inner peripheral edge of this flange portion 140 is set to coincide with the center of the base portion 30. A fixed gear 1 is provided on the inner peripheral surface of the flange portion 140 over the entire circumference.
42 is provided in the shape of an internal gear. This fixed gear 142 and the second gear 134 of each mounting table 46 mesh with each other.
ここで、モータ126が起動することにより、
駆動歯車122が回転駆動され、これに噛合する
駆動台112は基部30の中心軸回りに矢印Zで
示す方向、即ち時計方向に沿つて回転駆動され
る。従つて、各載置台46、即ち各基体44は、
基部30の中心軸回りに円状の軌跡を描く公転運
動をする。 Here, by starting the motor 126,
The drive gear 122 is rotationally driven, and the drive base 112 that meshes with the drive gear 122 is rotationally driven around the central axis of the base 30 in the direction indicated by arrow Z, that is, clockwise. Therefore, each mounting table 46, that is, each base 44,
It revolves around the central axis of the base 30 in a circular trajectory.
一方、各載置台46は、基部30に固定された
固定歯車142に噛合しているので、公転運動に
伴つて、これの回転軸130回りに回転駆動され
る。従つて、各載置台46、即ち各基体44は、
自身の中心軸回りに自動運転をする。 On the other hand, since each mounting table 46 is meshed with a fixed gear 142 fixed to the base 30, it is driven to rotate around its rotation axis 130 as it revolves. Therefore, each mounting table 46, that is, each base 44,
Automatically operates around its own central axis.
以上のように構成される第1の実施例につき、
以下にその動作を説明する。 Regarding the first embodiment configured as above,
The operation will be explained below.
まず第7図に示すように搬入路64上の第2の
移動機構68上に移動方向に沿つて複数の基体4
4を載置する。次に、第1及び第2のシヤツタ5
4,60を開き、第3のシヤツタ62を閉じる。
この状態で、第8図に示すように第2の移動機構
68は移動方向、即ち矢印Xで示す方向に沿つて
の一番先頭の基体44Aを控え室52内に送り込
む。控え室52内の第4の移動機構72はこの一
番先頭の基体44Aを第9図に示すように、矢印
Yで示す方向に沿つて、膜形成室42内の第1の
移動機構48の載置台46上に送る。 First, as shown in FIG.
Place 4. Next, the first and second shutters 5
4, 60 and close the third shutter 62.
In this state, as shown in FIG. 8, the second moving mechanism 68 sends the foremost base body 44A along the moving direction, that is, the direction indicated by the arrow X, into the waiting chamber 52. As shown in FIG. 9, the fourth moving mechanism 72 in the waiting chamber 52 moves the first substrate 44A along the direction indicated by the arrow Y to the first moving mechanism 48 in the film forming chamber 42. It is sent onto the mounting table 46.
尚、先頭の基体44Aが膜形成室42内に送ら
れた状態で次の基体44Bは図示するように、控
え室52中に位置している。 Note that while the first substrate 44A has been sent into the film forming chamber 42, the next substrate 44B is located in the waiting chamber 52 as shown.
この第9図に示す状態で、第2のシヤツタ60
を閉じ、第3及び第4のバルブ96,98を開
き、拡散ポンプ102及びロータリーポンプ10
4を介して膜形成室42及び控え室52内を真空
状態にする。これら室42,52内の圧力が
10-5torrに達した時点で、両ポンプ102,10
4の駆動を停止すると共に第3及び第4のバルブ
96,98を閉じ、第1のシヤツタ54を閉じ
る。また、ヒータ108を介して基体44を200
℃乃至300℃に加熱する。そして、第1のバルブ
86を開き、第1のガス供給機構88から、ガス
導入本管84、ガス導入枝管82を通つて、
SiH4ガスを第1及び第2のガス導入部76,7
8に導き、それぞれの吹出孔80を介して膜形成
室42内に充満させる。このガス導入状態におい
て、膜形成室42内の圧力は、0.1乃至40torrの
範囲に設定される。 In this state shown in FIG. 9, the second shutter 60
, close the third and fourth valves 96 and 98, and open the diffusion pump 102 and rotary pump 10.
4, the inside of the film forming chamber 42 and the waiting chamber 52 are brought into a vacuum state. The pressure inside these chambers 42, 52
When 10 -5 torr is reached, both pumps 102,10
4 is stopped, the third and fourth valves 96 and 98 are closed, and the first shutter 54 is closed. In addition, the base 44 is heated at 200°C via the heater 108.
Heat to 300°C. Then, the first valve 86 is opened, and the gas is passed from the first gas supply mechanism 88 through the gas introduction main pipe 84 and the gas introduction branch pipe 82.
SiH 4 gas is introduced into the first and second gas introduction parts 76, 7.
8 to fill the film forming chamber 42 through the respective blow-off holes 80. In this gas introduction state, the pressure within the film forming chamber 42 is set in the range of 0.1 to 40 torr.
この後、電源110を介して、第1及び第2の
ガス導入部76,78と基体44との間に所定電
圧を印加し、グロー放電ゆ生ぜしめ、SiH4ガス
をラジカル化させる。ラジカル化したSiは、基体
44の外周面上に吸引され、この上にα―Siの薄
膜を形成せしめる。即ち、感光層としてのα―Si
膜が基体の外周面上に成膜される。 Thereafter, a predetermined voltage is applied between the first and second gas introducing portions 76, 78 and the base 44 via the power source 110 to generate a glow discharge and radicalize the SiH 4 gas. The radicalized Si is attracted onto the outer peripheral surface of the base 44, and a thin film of α-Si is formed thereon. That is, α-Si as a photosensitive layer
A film is deposited on the outer peripheral surface of the substrate.
ここで、第1の移動機構48は基体44を載置
台46を矢印Zで示す方向に沿つて膜形成室42
を移動させる。この第1の移動機構48による載
置台46の移動速度は、載置台46が第5図中符
号Aで示す位置から膜形成室42を一周して再び
符号Aで示す位置まで移動された状態で所定の厚
さを有して成膜動作が完了するように、設定され
ている。 Here, the first moving mechanism 48 moves the base 44 from the mounting table 46 to the film forming chamber 42 along the direction indicated by arrow Z.
move. The moving speed of the mounting table 46 by the first moving mechanism 48 is determined when the mounting table 46 is moved from the position indicated by the symbol A in FIG. 5 to the position indicated by the symbol A after going around the film forming chamber 42. It is set so that the film forming operation is completed with a predetermined thickness.
一方、先頭の基体44AAが載置台46と共
に、第5図中符号Bで示す位置に移動され、第1
のシヤツタ54と対向する膜形成室42に次の載
置台46がもたらされる時点で、第10図に示す
ように第1のシヤツタ54を開き、第4の移動機
構72を介して控え室52内の基体44Bを、第
1の移動機構46上の符号Aで示す位置にある載
置台46上に移動させる。この後、控え室46内
のSiH4ガスを除去するため、第1のシヤツタ5
4を閉じ、第4のバルブ98を開き、ロータリポ
ンプ104及び拡散ポンプ102を介して控え室
52内を真空に引く。控え室52内が所定の真空
状態になされた時点で、両ポンプ102,104
の駆動を止め第4のバルブ98を閉じ、第2のバ
ルブ90を開き、第2のガス供給機構92から控
え室52中にN2ガスを噴出させて、真空状態を
リークする。 On the other hand, the first base body 44AA is moved together with the mounting table 46 to the position indicated by the symbol B in FIG.
When the next mounting table 46 is brought into the film forming chamber 42 facing the shutter 54, the first shutter 54 is opened as shown in FIG. The base body 44B is moved onto the mounting table 46 located at the position indicated by the symbol A on the first moving mechanism 46. After this, in order to remove the SiH 4 gas in the anteroom 46, the first shutter 5
4 is closed, the fourth valve 98 is opened, and the inside of the antechamber 52 is evacuated via the rotary pump 104 and the diffusion pump 102. When the interior of the anteroom 52 is brought to a predetermined vacuum state, both pumps 102 and 104
, the fourth valve 98 is closed, the second valve 90 is opened, and N 2 gas is jetted from the second gas supply mechanism 92 into the anteroom 52 to leak the vacuum state.
この後第2のシヤツタ60を開き、搬入路64
上で、控え室52に隣接して待機していた基体4
4cを、第2の移動機構68を介して控え室52
内に移動する。次に、第2のシヤツタ60を閉
じ、第4のバルブ98を開き、控え室52内を拡
散ポンプ102及びロータリポンプ104を介し
て所定の真空状態にする。そして、膜形成室42
内であつて、符号Aで示す位置の基体44Bが、
符号Bで示す位置に移動された時点で、第1のシ
ヤツタ54を開き、第4の移動機構72を介して
控え室52中の基体44cを膜形成室42上の符
号Aで示す位置にある載置台46上に移動する。
以後、この動作は、第11図に示すように先頭の
基体44Aが膜形成室42を一周して再び符号A
で示す位置に移動されてくるまで続けられる。
尚、控え室52から膜形成室42内に基体44の
移動動作が行なわれている際中も、膜形成室42
内での膜形成動作は連続的に成し遂げられてい
る。ここで、膜形成室42内を第1の移動機構4
8によつて、移動される載置台46上の基体44
は、載置台46のレスト128の第2の歯車13
4と固定歯車142との噛合によつて、基体44
の中心軸回りに回転運動を行なつている。即ち、
膜形成室42内を移動する基体44は自転運動を
行なつている。 After this, the second shutter 60 is opened and the loading path 64 is opened.
Above, the base 4 was waiting adjacent to the waiting room 52.
4c to the waiting room 52 via the second moving mechanism 68.
move inside. Next, the second shutter 60 is closed, the fourth valve 98 is opened, and the interior of the waiting chamber 52 is brought into a predetermined vacuum state via the diffusion pump 102 and the rotary pump 104. And the film forming chamber 42
The base body 44B at the position indicated by the symbol A within the
When the substrate 44c is moved to the position indicated by the symbol B, the first shutter 54 is opened and the substrate 44c in the waiting chamber 52 is moved to the position indicated by the symbol A on the film forming chamber 42 via the fourth moving mechanism 72. Move onto the stand 46.
Thereafter, this operation continues as the first base 44A goes around the film forming chamber 42 and returns to the point A again as shown in FIG.
This continues until it is moved to the position shown.
Note that while the substrate 44 is being moved from the waiting room 52 into the film forming chamber 42, the film forming chamber 42
The film forming operation within is accomplished continuously. Here, the first moving mechanism 4 moves inside the film forming chamber 42.
8, the base 44 on the mounting table 46 is moved by
is the second gear 13 of the rest 128 of the mounting table 46
4 and the fixed gear 142, the base body 44
It performs rotational motion around the central axis. That is,
The substrate 44 moving within the film forming chamber 42 is rotating on its axis.
先頭の載置台46上の基体44Aが成膜動作を
受けつつ膜形成室42を一周して再び符号Aで示
す位置まで移動されると、この時点で、基体44
Aの外周面上には所定厚さにα―Siの感光層が形
成されることになる。この感光層が形成された基
体44A、即ち感光ドラム74が再び符号Aで示
す位置に移動されると、まず、新たな基体44は
控え室52内で待機せずに、搬入路64上で待機
するようになる。そして、控え室52内を真空に
した後第12図に示すように第1のシヤツタ54
を開き、第4の移動機構72を介して感光ドラム
74を控え室52に移動する。そして、第1のシ
ヤツタ54を閉じて、控え室52内に充満した
SiH4ガスを除去するため第4のバルブ98を開
き、拡散ポンプ102、及びロータリーポンプ1
06を介して控え室52内を真空に引く。控え室
52が所定の真空度になされた時点で、第4のバ
ルブ98を閉じ、両ポンプ102,104を止
め、第2のバルブ90を開き、第2のガス供給機
構92から控え室52中にN2ガスを噴出させて、
真空状態をリークする。 When the substrate 44A on the first mounting table 46 is moved around the film forming chamber 42 while being subjected to the film forming operation and again to the position indicated by the symbol A, at this point, the substrate 44A is
A photosensitive layer of α-Si is formed on the outer peripheral surface of A to a predetermined thickness. When the substrate 44A on which this photosensitive layer is formed, that is, the photosensitive drum 74, is moved again to the position indicated by the symbol A, the new substrate 44 does not wait in the waiting room 52, but waits on the carry-in path 64. It becomes like this. After evacuating the interior of the waiting room 52, the first shutter 54 is opened as shown in FIG.
is opened, and the photosensitive drum 74 is moved to the waiting room 52 via the fourth moving mechanism 72. Then, the first shutter 54 is closed and the waiting room 52 is filled with water.
The fourth valve 98 is opened to remove the SiH 4 gas, and the diffusion pump 102 and rotary pump 1 are removed.
The inside of the waiting room 52 is evacuated via the 06. When the anteroom 52 reaches a predetermined degree of vacuum, the fourth valve 98 is closed, both pumps 102 and 104 are stopped, the second valve 90 is opened, and N is supplied from the second gas supply mechanism 92 into the anteroom 52. 2Blow out the gas,
Leak vacuum.
尚控え室52から排出されたSiH4ガスは、空
気清浄機構106にて、清浄化されて、外部環境
に放出される。 The SiH 4 gas discharged from the anteroom 52 is purified by the air purification mechanism 106 and released into the external environment.
この後第13図に示すように第3のシヤツタ6
2を開き、控え室52中の感光ドラム74を、第
4の移動機構72を介して搬出路66上の第3の
移動機構70上に移動する。そして、第3のシヤ
ツタ62を閉じると共に第2のシヤツタ60を開
いて、第14図に示すように搬入路64上の基体
44Xを第2の移動機構68を介して、控え室5
2内に移動する。そして、第2のシヤツタ60を
閉じ、控え室52内を真空にする。この後、第5
図に示すように、第1のシヤツタ54を開き、第
4の移動機構72を介して、控え室52内の基体
44Xを膜形成室42内の第1の移動機構48の
符号Aで示す位置にある載置台46上に移動す
る。 After this, as shown in FIG.
2 is opened, and the photosensitive drum 74 in the waiting room 52 is moved via the fourth moving mechanism 72 onto the third moving mechanism 70 on the unloading path 66. Then, the third shutter 62 is closed and the second shutter 60 is opened, and as shown in FIG.
Move within 2. Then, the second shutter 60 is closed and the interior of the waiting room 52 is evacuated. After this, the fifth
As shown in the figure, the first shutter 54 is opened and the substrate 44X in the waiting chamber 52 is moved to the position indicated by the symbol A of the first moving mechanism 48 in the film forming chamber 42 via the fourth moving mechanism 72. Move onto a certain mounting table 46.
そして、新たな基体44Xを載置した載置台4
6が符号Aで示す位置から符号Bで示す位置に移
動するにつれて、成膜動作の完了した感光ドラム
74を載置した載置台46が、第16図に示すよ
うに符号Aで示す位置にもたらされる。この状態
で、第4の移動機構72を介して、感光ドラム7
4を膜形成室42から控え室52に第17図に示
すように取り入れる。その後、第1のシヤツタ5
4を閉じ、控え室52内のSiH4ガスを除去する
ために上述した動作に基づき控え室52内を真空
にする。以後感光ドラム74が符号Aで示す位置
にもたらされて以降の動作が、全体の成膜動作が
完了するまで自動的に繰り返される。 Then, the mounting table 4 on which the new base body 44X is mounted
6 moves from the position indicated by the symbol A to the position indicated by the symbol B, the mounting table 46 on which the photosensitive drum 74 on which the film forming operation has been completed is brought to the position indicated by the symbol A as shown in FIG. It will be done. In this state, the photosensitive drum 7
4 is introduced from the film forming chamber 42 into the anteroom 52 as shown in FIG. After that, the first shutter 5
4 is closed, and the interior of the anteroom 52 is evacuated based on the operation described above in order to remove the SiH 4 gas in the anteroom 52. Thereafter, the photosensitive drum 74 is brought to the position indicated by symbol A, and the subsequent operations are automatically repeated until the entire film forming operation is completed.
以上詳述したように、この第1の実施例によれ
ば、ドラム状の基体44の外周面にα―Siを成膜
して感光ドラムを形成するに際し、膜形成室52
は常に成膜可能状態に設定維持されている。そし
て、新たなドラムを膜形成室42に導入すること
は、小さな控え室52を介して行なわれている。
従つて、成膜動作と同時にこの動作を妨げること
なく、新たなドラム状基体44の導入動作が完遂
される。且つ成膜されたドラム状基体44、即ち
感光ドラム74の膜形成室42からの取り出し
は、導入動作と兼用の控え室52を介して行なわ
れている。従つて、成膜動作と同時に、この動作
を妨げることなく、感光ドラム74の膜形成室4
2からの取り出し動作が完遂される。 As described in detail above, according to the first embodiment, when forming a photosensitive drum by forming a film of α-Si on the outer peripheral surface of the drum-shaped base 44, the film forming chamber 52
is always set and maintained in a state where film formation is possible. A new drum is introduced into the film forming chamber 42 through a small anteroom 52.
Therefore, the operation of introducing a new drum-shaped substrate 44 is completed simultaneously with the film forming operation without interfering with this operation. Further, the drum-shaped substrate 44 on which the film has been formed, that is, the photosensitive drum 74, is taken out from the film forming chamber 42 through a waiting chamber 52 which also serves as an introduction operation. Therefore, at the same time as the film forming operation, the film forming chamber 4 of the photosensitive drum 74 is opened without interfering with this operation.
2 is completed.
ここで、控え室52は、1個の基体44が入る
に充分なだけの小さな大きさに設定してある。従
つて、この控え室52を所定の真空状態になすた
めに必要な時間は極めて短いものであり、且つこ
の間に、成膜動作は継続して行なわれているの
で、全体としての成膜効率が妨げられることはな
い。即ちこの一実施例で長時間感光ドラムの製造
動作を実施することにより、一時間当り、従来よ
り多数のα―Si感光ドラムを製作することができ
るようになる。 Here, the waiting chamber 52 is set to be small enough to accommodate one base 44. Therefore, the time required to bring the anteroom 52 into a predetermined vacuum state is extremely short, and during this time, the film forming operation continues, so the overall film forming efficiency is not hindered. You won't be disappointed. That is, by carrying out the photosensitive drum manufacturing operation for a long time in this embodiment, it becomes possible to manufacture a larger number of α-Si photosensitive drums per hour than in the past.
また膜形成室42内を移動する基体44は自転
運動を行なつているので、形成された感光ドラム
の感光層の厚さは、一定に形成されることにな
る。また各感光ドラム毎の感光体層の厚さも、一
様に形成されることになる。 Further, since the substrate 44 moving within the film forming chamber 42 is rotating, the thickness of the photosensitive layer of the formed photosensitive drum is constant. Further, the thickness of the photoreceptor layer for each photoreceptor drum is also uniform.
かつ、控え室52は、基体44の導入用と、感
光ドラム74の取り出し用とで共通のものを用い
ているので、控え室52を真空に引くための動力
が少なくて済む。 In addition, since a common anteroom 52 is used for introducing the substrate 44 and for taking out the photosensitive drum 74, less power is required to evacuate the anteroom 52.
この発明は、上述した第1の一実施例の構成及
び動作に限定されることなく、この発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形可能である。 This invention is not limited to the configuration and operation of the first embodiment described above, and can be modified in various ways without departing from the gist of the invention.
例えば上述した第1の実施例では各基体44の
公転軌跡は円状であるように説明したが、この公
転軌跡は、円でなくとも惰円や長円であつても良
く、また第18図に第2の実施例として示すよう
に各角部に丸みが付けられた長方形状であつても
良い。即ち、ケーシング144は平面略長方形状
に形成され、膜形成室146も平面略長方形状に
形成するようにしても良い。 For example, in the first embodiment described above, the revolving locus of each base body 44 is described as being circular, but this revolving locus may not be a circle but may be an inertial circle or an ellipse. It may also have a rectangular shape with rounded corners as shown in the second embodiment. That is, the casing 144 may be formed in a substantially rectangular shape in plan, and the film forming chamber 146 may also be formed in a substantially rectangular shape in plan.
また、上述した第1の実施例ではガス供給機構
から供給されるガスがSiH4からなるガスである
と説明したが、これに限られることなく、必要に
応じてB2H6,PH3,O2を含有する混合ガスであ
つても良い。 Further, in the first embodiment described above, it has been explained that the gas supplied from the gas supply mechanism is a gas consisting of SiH 4 , but the gas is not limited to this, and B 2 H 6 , PH 3 , A mixed gas containing O 2 may also be used.
更に上述した第1の実施例では、控え室52の
大きさを、基体44を1個収納するのに充分な大
きさになるように説明した。しかし、このような
構成に限定されることなく、控え室48を第19
図に第3の実施例として示すように、膜形成室4
2に収納される基体44の個数の2倍の数の基体
44を収納できるに充分な大きさに設定しても良
い。この場合、控え室148に待機している多数
の基体44は一度に膜形成室42内に導入され、
膜形成室42内で成膜された多数の感光ドラム7
4は、一度に、再び控え室148に取り出され
る。このように、構成し、動作させることによつ
ても、所期の目的を達成することができる。尚、
上述した第1及び第2の実施例の説明において、
第1の実施例と同様の部分では、同一符号を付し
て、その説明を省略した。 Furthermore, in the first embodiment described above, the size of the waiting chamber 52 was described as being large enough to accommodate one base body 44. However, without being limited to this configuration, the waiting room 48 can be
As shown in the figure as a third embodiment, a film forming chamber 4
The size may be set to be large enough to accommodate twice as many base bodies 44 as the number of base bodies 44 housed in the second storage unit. In this case, a large number of substrates 44 waiting in the waiting chamber 148 are introduced into the film forming chamber 42 at once,
A large number of photosensitive drums 7 on which films are formed in the film forming chamber 42
4 are taken out again to the waiting room 148 all at once. By configuring and operating in this way, the intended purpose can also be achieved. still,
In the description of the first and second embodiments mentioned above,
Components similar to those in the first embodiment are given the same reference numerals, and their explanations are omitted.
第1図は従来の感光体製造装置を示す縦断面
図、第2図は第1図に示す装置の横断面図、第3
図は、他の従来の感光体製造装置を概略的に示す
縦断面図、第4図はこの発明に係る感光体製造装
置の第1の実施例を示す縦断面図、第5図は第4
図に示す装置の横断面図、第6図は第4図に示す
装置に用いられる第1の移動機構を一部切り欠い
て示す斜視図、第7図乃至第17図はそれぞれこ
の発明の動作を示すための横断面図、第18図は
この発明に係る感光体製造装置の第2の実施例を
概略的に示す横断面図、そして第19図はこの発
明に係る感光体製造装置の第3の実施例を概略的
に示す横断面図である。
30…基部、32…ケーシング、42…膜形成
室、44…基体、48…第1の移動機構、52…
控え室、64…搬入路、66…搬出路、68…第
2の移動機構、70…第3の移動機構、72…第
4の移動機構、102…拡散ポンプ、104…ロ
ータリーポンプ、110…電源。
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing a conventional photoreceptor manufacturing apparatus, FIG. 2 is a cross-sectional view of the apparatus shown in FIG. 1, and FIG.
4 is a longitudinal sectional view schematically showing another conventional photoreceptor manufacturing apparatus, FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a first embodiment of the photoreceptor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG.
6 is a partially cutaway perspective view of the first moving mechanism used in the device shown in FIG. 4, and FIGS. 7 to 17 are respective views of the operation of the invention 18 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the photoreceptor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIG. 19 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the photoreceptor manufacturing apparatus according to the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the third embodiment. 30... Base, 32... Casing, 42... Film forming chamber, 44... Base, 48... First moving mechanism, 52...
Waiting room, 64... Carrying in path, 66... Carrying out path, 68... Second moving mechanism, 70... Third moving mechanism, 72... Fourth moving mechanism, 102... Diffusion pump, 104... Rotary pump, 110... Power source.
Claims (1)
形成してアモルフアス・シリコン感光体を製造す
るアモルフアス・シリコン感光体製造方法におい
て、 複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つて載
置する第1の工程と、 無端の搬送路を包含する膜形成室を減圧し膜形
成室に少なくともSiを含むガスを導入する第2の
工程と、 膜形成室内で放電を生じさせ、Siを含むガスを
ラジカル化させる第3の工程と、 搬入路から膜形成室内の搬送路の所定位置に、
控え室を介して基体を送り込む第4の工程と、 膜形成室内の基体を搬送路に沿つて無端走行さ
せ、再び搬送路の所定位置まで搬送する第5の工
程と、 再び所定位置に戻つた、成膜された基体を控え
室を介して搬出路に送り込む第6の工程とを具備
することを特徴とするアモルフアス・シリコン感
光体製造方法。 2 前記第4の工程は、 控え室と搬送路との間にある第1のシヤツタを
閉じ、控え室と搬入路との間にある第2のシヤツ
タを開き、搬入路上の基体を控え室内に入れる第
1のステツプと、 第2のシヤツタを閉じ、控え室を真空に引く第
2のステツプと、 第1のシヤツタを開き、控え室内の基体を搬送
路に送り出す第3のステツプと、 第1のシヤツタを閉じ、控え室を減圧する第4
のステツプとを備え、 前記第5の工程は基体を自転運動させることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のアモルフ
アス・シリコン感光体製造方法。 3 前記第4の工程は、第2のステツプと第3の
ステツプとの間に前部控え室内に不活性ガスを導
入して減圧を緩和する第5のステツプを備えてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
アモルフアス・シリコン感光体製造方法。 4 前記第6の工程は、 控え室と搬送路との間にある前記第1のシヤツ
タを開き、控え室と搬出路との間にある第3のシ
ヤツタを閉じ、搬送路上の成膜された基体を控え
室内に入れる第6のステツプと、 第3のシヤツタを閉じ、控え室を減圧する第7
のステツプと、 第3のシヤツタを開き、控え室内の基体を搬出
路に送り出す第8のステツプとを備えていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のアモル
フアス・シリコン感光体製造方法。 5 前記第6の工程は、 第7のステツプと第8のステツプの間に、控え
室内に不活性ガスを導入して、減圧を緩和する第
9のステツプを備えていることを特徴とする特許
請求の範囲第4項記載のアモルフアス・シリコン
感光体製造方法。 6 前記第8のステツプの後に、第1のステツプ
が引き続いて行なわれることを特徴とする特許請
求の範囲第5項記載のアモルフアス・シリコン感
光体製造方法。 7 前記第4の工程は、1個づつ基体を送り込む
工程であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項ないし第6項のいずれかに記載のアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法。 8 前記第6の工程は1個づつ基体を送り込む工
程であることを特徴とする特許請求の範囲第7項
記載のアモルフアス・シリコン感光体製造方法。 9 前記第4の工程は膜形成室に収納可能な数を
1度に送り込む工程であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載
のアモルフアス・シリコン感光体製造方法。 10 前記第6の工程は膜形成室に収納可能な数
を一度に送り込む工程であることを特徴とする特
許請求の範囲第9項記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造方法。 11 基体表面にアモルフアス・シリコン感光層
を形成して、アモルフアス・シリコン感光体を製
造するアモルフアス・シリコン感光体製造装置に
おいて、 基部と、 この基部上に取り付けられ、無端の搬送路を包
含して、内部を複数の基体を収納可能な膜形成室
とするケーシングと、 ケーシング内に少なくともSiを含むガスを供給
するガス供給手段と、 ケーシング内のSiを含むガスをラジカル化させ
る放電手段と、 膜形成室の所定位置と、搬入路の終端と、搬出
路の始端とに接続される控え室と、 搬送路上に設けられ、この上の基体を搬送路に
沿つて無端走行させる第1の移動機構と、 搬入路上に設けられ、この上の基体を控え室に
送り出す第2の移動機構と、 搬出路上に設けられ、この上の成膜された基体
を始端から末端に向けて移動させる第3の移動機
構と、 控え室内に設けられ、搬入路から送り出された
基体を膜形成室の所定位置に送り出し、搬送路を
無端走行して成膜され、所定位置に復帰した基体
を、控え室内に取り入れ、成膜された基体を搬出
路に送り出す第4の移動機構と、 膜形成室及び控え室を選択的に減圧する減圧手
段とを具備することを特徴とするアモルフアス・
シリコン感光体製造装置。 12 前記控え室は、膜形成室の所定位置との間
に開閉可能な第1のシヤツタと、搬入路との間に
開閉可能な第2のシヤツタと、搬出路との間に開
閉可能な第3のシヤツタとを備えていることを特
徴とする特許請求の範囲第11項記載のアモルフ
アス・シリコン感光体製造装置。 13 前記第1の移動機構は、基体を自転運動さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第12項記
載のアモルフアス・シリコン感光体製造装置。 14 前記ガス供給手段は、基体の無端走行方向
に沿つて、基体を間において、互いに対向して延
在する一対のガス導入部を備えていることを特徴
とする特許請求の範囲第11項ないし13項のい
ずれかに記載のアモルフアス・シリコン感光体製
造装置。 15 前記放電手段は電源を備え、この電源は一
対のガス導入部にそれぞれ接続され、前記各基体
はアースされていることを特徴とする特許請求の
範囲第14項記載のアモルフアス・シリコン感光
体製造装置。 16 前記搬送路は円状に形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第11項ないし第15
項のいずれかに記載のアモルフアス・シリコン感
光体製造装置。 17 前記ケーシングは円筒状に形成され、この
ケーシングの中心は、駆動機構による円状の移動
軌跡の中心に一致していることを特徴とする特許
請求の範囲第16項記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造装置。 18 前記第1の移動機構は、ケーシングの中心
と一致した回転中心を有する円板状の駆動台と、
前記各、基体が載置され、この駆動台上に、これ
の同心円上に位置して回転可能に配設される載置
台とを備えることを特徴とする特許請求の範囲第
17項記載のアモルフアス・シリコン感光体製造
装置。 19 前記載置台は、基体が載置される円板状の
部材と、この部材の外周に渡つて形成された第1
の歯車とを備え、 前記第1の移動機構は前記基部に固定され、ケ
ーシングの中心と一致した中心を有する円状の第
2の歯車を、前記第2の噛合可能に備えているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第18項記載のア
モルフアス・シリコン感光体製造装置。 20 前記搬送路は長円形に形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第11項ないし第1
5項のいずれかに記載のアモルフアス・シリコン
感光体製造装置。 21 前記搬送路は略長方形に形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第11項ないし第
15項のいずれかに記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造装置。 22 前記控え室は、1個の基体を収納するに充
分な大きさに形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第11項ないし第21項のいずれか
に記載のアモルフアス・シリコン感光体製造装
置。 23 前記控え室は膜形成室に収納可能な基体の
数と同数の基体を収納するに充分な大きさに形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
1項ないし第21項のいずれかに記載のアモルフ
アス・シリコン感光体製造装置。[Claims] 1. In a method for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor in which an amorphous silicon photoreceptor is manufactured by forming an amorphous silicon photoreceptor layer on the surface of a substrate, a plurality of substrates are placed on a carry-in path along the conveyance direction. A second step of reducing the pressure in the film forming chamber including the endless transport path and introducing a gas containing at least Si into the film forming chamber, and generating an electric discharge in the film forming chamber to remove Si. A third step of converting the gas contained in the film into radicals;
a fourth step of feeding the substrate through the waiting chamber; a fifth step of causing the substrate in the film forming chamber to travel endlessly along the conveyance path to a predetermined position on the conveyance path again; and returning to the predetermined position again. A method for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor, comprising a sixth step of sending the substrate on which the film has been formed to a discharge path via a waiting room. 2 The fourth step is to close the first shutter located between the waiting room and the conveyance path, open the second shutter located between the waiting room and the carry-in path, and place the substrate on the carry-in path into the waiting room. a second step of closing the second shutter and evacuating the waiting room; a third step of opening the first shutter and sending out the substrate in the waiting room to the transport path; and a third step of opening the first shutter. 4th to close and depressurize the waiting room.
2. The method of manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to claim 1, further comprising the step of: rotating the substrate in the fifth step. 3. The fourth step is characterized by comprising a fifth step of introducing an inert gas into the front antechamber between the second step and the third step to relieve the reduced pressure. A method for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to claim 2. 4 In the sixth step, the first shutter located between the waiting room and the transport path is opened, the third shutter located between the waiting room and the transport path is closed, and the film-formed substrate on the transport path is opened. The sixth step is to enter the waiting room, and the seventh step is to close the third shutter and depressurize the waiting room.
The method for manufacturing an amorphous silicon photoconductor according to claim 1, further comprising: a step of opening a third shutter to send out the substrate in the waiting room to a carrying out path. . 5. A patent characterized in that the sixth step includes a ninth step of introducing an inert gas into the antechamber between the seventh step and the eighth step to relieve the reduced pressure. A method for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to claim 4. 6. The method of manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to claim 5, wherein the first step is performed successively after the eighth step. 7. Claim 1, wherein the fourth step is a step of feeding the substrates one by one.
7. The method for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to any one of items 6 to 6. 8. The method for manufacturing an amorphous silicon photoconductor according to claim 7, wherein the sixth step is a step of feeding the substrates one by one. 9. The amorphous silicon photoconductor according to any one of claims 1 to 6, wherein the fourth step is a step of feeding as many as can be stored into the film forming chamber at one time. Production method. 10. The method of manufacturing an amorphous silicon photoconductor according to claim 9, wherein the sixth step is a step of feeding as many as can be accommodated into the film forming chamber at one time. 11. An amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus for manufacturing an amorphous silicon photoreceptor by forming an amorphous silicon photoreceptor layer on the surface of a substrate, including a base, an endless conveyance path attached to the base, A casing whose interior is a film forming chamber capable of accommodating a plurality of substrates, a gas supply means for supplying a gas containing at least Si into the casing, a discharge means for radicalizing the Si containing gas within the casing, and a film forming chamber. a waiting chamber connected to a predetermined position of the chamber, the end of the carry-in path, and the start end of the carry-out path; a first moving mechanism provided on the conveyance path and causing the base body thereon to travel endlessly along the conveyance path; A second moving mechanism is provided on the carry-in path and sends out the substrate on this to the waiting room, and a third moving mechanism is provided on the carry-out path and moves the substrate on which the film has been formed from the start end to the end. , is provided in the waiting room, and sends the substrate sent out from the carry-in path to a predetermined position in the film forming chamber, travels endlessly along the conveyance path to form a film, returns to the specified position, takes the substrate into the waiting room, and carries out the film formation. An amorphous amorphous material, characterized in that it is equipped with a fourth moving mechanism that sends out the processed substrate to an unloading path, and a decompression means that selectively depressurizes the film forming chamber and the anteroom.
Silicon photoconductor manufacturing equipment. 12 The anteroom has a first shutter that can be opened and closed between a predetermined position of the film forming chamber, a second shutter that can be opened and closed between a loading path, and a third shutter that can be opened and closed between a loading path and a predetermined position of the film forming chamber. 12. The amorphous silicon photoconductor manufacturing apparatus according to claim 11, further comprising a shutter. 13. The amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to claim 12, wherein the first moving mechanism rotates the base. 14. Claims 11 to 14 are characterized in that the gas supply means includes a pair of gas introduction portions that extend opposite to each other along the endless running direction of the base body with the base body in between. 14. The amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to any one of Item 13. 15. The amorphous silicon photoreceptor manufacturing method according to claim 14, wherein the discharge means includes a power source, each of the power sources is connected to a pair of gas introduction portions, and each of the bases is grounded. Device. 16. Claims 11 to 15, characterized in that the conveyance path is formed in a circular shape.
2. The amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to any one of the items. 17. The amorphous silicon photoreceptor according to claim 16, wherein the casing is formed in a cylindrical shape, and the center of the casing coincides with the center of a circular movement trajectory by the drive mechanism. Manufacturing equipment. 18 The first moving mechanism includes a disk-shaped drive base having a rotation center that coincides with the center of the casing;
The amorphous amorphous material according to claim 17, further comprising a mounting table on which each of the bases is placed, and a mounting table which is rotatably arranged on a concentric circle on the driving table.・Silicon photoreceptor manufacturing equipment. 19 The above-mentioned mounting table includes a disc-shaped member on which the base is placed, and a first plate formed over the outer periphery of this member.
The first moving mechanism is fixed to the base and has a circular second gear whose center coincides with the center of the casing, the first moving mechanism being capable of meshing with the second gear. An apparatus for producing an amorphous silicon photoreceptor according to claim 18. 20. Claims 11 to 1, characterized in that the conveyance path is formed in an oval shape.
The amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to any one of Item 5. 21. The amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to any one of claims 11 to 15, wherein the conveyance path is formed in a substantially rectangular shape. 22. Manufacturing an amorphous silicon photoreceptor according to any one of claims 11 to 21, wherein the waiting chamber is formed in a size sufficient to accommodate one substrate. Device. 23. Claim 1, wherein the waiting chamber is formed in a size sufficient to accommodate the same number of substrates as can be accommodated in the film forming chamber.
The amorphous silicon photoreceptor manufacturing apparatus according to any one of items 1 to 21.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57015877A JPS58132756A (en) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | Method and device for production of amorphous silicon photoreceptor |
US06/457,231 US4501766A (en) | 1982-02-03 | 1983-01-11 | Film depositing apparatus and a film depositing method |
GB08300948A GB2114160B (en) | 1982-02-03 | 1983-01-14 | Film depositing apparatus and method |
DE3303435A DE3303435C2 (en) | 1982-02-03 | 1983-02-02 | Device for depositing a layer of amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57015877A JPS58132756A (en) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | Method and device for production of amorphous silicon photoreceptor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58132756A JPS58132756A (en) | 1983-08-08 |
JPH03626B2 true JPH03626B2 (en) | 1991-01-08 |
Family
ID=11901016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57015877A Granted JPS58132756A (en) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | Method and device for production of amorphous silicon photoreceptor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58132756A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6010618A (en) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Canon Inc | Plasma cvd apparatus |
EP0154160B2 (en) * | 1984-02-14 | 1992-10-21 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method and apparatus for making electrophotographic devices |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP57015877A patent/JPS58132756A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58132756A (en) | 1983-08-08 |
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