JPH0361489B2 - - Google Patents

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JPH0361489B2
JPH0361489B2 JP59155539A JP15553984A JPH0361489B2 JP H0361489 B2 JPH0361489 B2 JP H0361489B2 JP 59155539 A JP59155539 A JP 59155539A JP 15553984 A JP15553984 A JP 15553984A JP H0361489 B2 JPH0361489 B2 JP H0361489B2
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JP
Japan
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treatment
exhaust gas
processing
dry etching
agent
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Hisayuki Mizuno
Masao Miura
Hiroyuki Fukushima
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Ube Corp
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Ube Industries Ltd
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  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造工程等におけるドライエ
ツチング装置から排出するドライエツチング排ガ
スの処理に用いられるドライエツチング排ガス処
理剤に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dry etching exhaust gas treatment agent used for treating dry etching exhaust gas discharged from dry etching equipment in semiconductor manufacturing processes and the like.

更に詳しくは、本発明は、ドライエツチング装
置から排出される塩素ガスおよび三塩化ホウ素よ
りなる群から選択された1種以上のドライエツチ
ングの反応性ガスを含有するドライエツチング排
ガスを無害化するために用いる処理剤の改良に関
するものである。
More specifically, the present invention provides a method for detoxifying dry etching exhaust gas containing one or more dry etching reactive gases selected from the group consisting of chlorine gas and boron trichloride discharged from a dry etching apparatus. This invention relates to improvements in processing agents used.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体工業においては、ICの高密度、高性能
化が急速に進み、加工線幅も年々微細化の方向を
たどつているが、微細パターン形成に不可欠なエ
ツチング技術も湿式の溶液エツチングから乾式の
プラズマエツチング、スパツタエツチング、イオ
ンビームエツチング等のドライエツチングに移行
している。
In the semiconductor industry, the density and performance of ICs are rapidly increasing, and the width of processed lines is becoming smaller year by year. However, the etching technology essential for forming fine patterns has changed from wet solution etching to dry etching. Dry etching methods such as plasma etching, sputter etching, and ion beam etching are being used.

ドライエツチングには、反応性ガスとして、テ
トラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オ
クタフルオロプロパン、モノブロモトリフルオロ
メタン、モノクロロトリフルオロメタン、トリク
ロロモノフルオロメタン、ジクロロジフルオロメ
タン、トリフルオロメタン等のフツ化炭素系ガ
ス、フツ素ガス、塩素ガス、四塩化炭素、三塩化
ホウ素、四塩化ケイ素等が使用されており、これ
らは目的に応じて、単独または組合せて、さらに
はこれらに塩素、水素、窒素、空気、アルゴン、
ヘリウム等を添加して使用されている。シリコ
ン、アルミニウム、アルミニウム−銅、アルミニ
ウム−ケイ素、ポリシリコン、窒化ケイ素、二酸
化ケイ素、モリブデン、タングステン、チタン、
チタン−タングステン、クロム、酸化クロム、ヒ
素−カリウム等のエツチングに使用された前記反
応性ガスを含有するドライエツチング排ガスの処
理方法としては、湿式処理法および乾式処理法が
知られている。
For dry etching, reactive gases include fluorinated carbon gases such as tetrafluoromethane, hexafluoroethane, octafluoropropane, monobromotrifluoromethane, monochlorotrifluoromethane, trichloromonofluoromethane, dichlorodifluoromethane, and trifluoromethane; Fluorine gas, chlorine gas, carbon tetrachloride, boron trichloride, silicon tetrachloride, etc. are used, depending on the purpose, either singly or in combination, and in addition to chlorine, hydrogen, nitrogen, air, and argon. ,
It is used with the addition of helium, etc. Silicon, aluminum, aluminum-copper, aluminum-silicon, polysilicon, silicon nitride, silicon dioxide, molybdenum, tungsten, titanium,
Wet processing methods and dry processing methods are known as methods for treating dry etching exhaust gas containing the above-mentioned reactive gas used for etching titanium-tungsten, chromium, chromium oxide, arsenic-potassium, and the like.

湿式処理法は、処理剤としてアルカリ水溶液を
用い、排ガスを処理剤で洗浄、吸収させる方法で
あるが、この方法は設備コストが高い、設備の複
雑化、処理剤のエツチング装置への逆流、処理剤
と排ガスとの反応によつて生じる固形分による装
置の閉塞等の問題点がある。
The wet processing method uses an alkaline aqueous solution as a processing agent and cleans and absorbs the exhaust gas with the processing agent, but this method requires high equipment costs, complexity of the equipment, backflow of the processing agent into the etching equipment, and processing problems. There are problems such as blockage of the device due to solids generated by the reaction between the agent and the exhaust gas.

乾式処理法は、湿式処理法の難点を改良する方
法として提案(特開昭58−122025号公報)された
ものがあるが、この方法で使用されるアルカリ金
属のハロゲン化物を活性炭に担持させた処理剤
は、排ガス中の有害成分の吸着能力が小さく、ま
た処理塔中で処理剤同志が付着しやすく、短時間
で破過するため、処理塔に充填した処理剤をひん
ぱんにとりかえる必要があり、処理剤の使用量も
多くなるという難点がある。また本発明者らの研
究によると単に活性炭を処理剤として使用した場
合と比較して吸着能力はむしろ低下する。さらに
は、処理剤中に半導体への悪影響が最も著しいの
で好ましくないとされているアルカリ金属を含ん
でいる。
A dry processing method has been proposed (Japanese Patent Application Laid-open No. 122025/1983) as a method to improve the drawbacks of the wet processing method. Processing agents have a low adsorption capacity for harmful components in exhaust gas, and the processing agents tend to adhere to each other in the treatment tower and break through in a short period of time, so it is necessary to frequently replace the treatment agent filled in the treatment tower. However, the problem is that the amount of processing agent used is also large. Furthermore, according to research conducted by the present inventors, the adsorption capacity is rather lower than when activated carbon is simply used as a treatment agent. Furthermore, the processing agent contains an alkali metal, which is considered undesirable because it has the most significant adverse effect on semiconductors.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は、ドライエツチング装置から排出する
ドライエツチング排ガスを乾式処理法で無害化す
るために使用される改良された処理剤を提供せん
とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention aims to provide an improved processing agent that can be used to render harmless dry etching exhaust gas discharged from a dry etching apparatus by a dry processing method.

本発明は、ドライエツチング排ガス中に含まれ
ている反応性ガスのような有害成分の吸着能力が
高く、排ガス処理塔に充填して排ガスを処理した
場合に破過点(破過時間)に達するまでの時間が
長い、換言すると長時間の使用に耐える処理能力
のすぐれた処理剤を提供せんとするものである。
The present invention has a high ability to adsorb harmful components such as reactive gases contained in dry etching exhaust gas, and reaches a breakthrough point (breakthrough time) when the exhaust gas is treated by filling the exhaust gas treatment tower. It is an object of the present invention to provide a processing agent with excellent processing ability that can last for a long time, in other words, can be used for a long time.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、活性炭にアルカリ土類金属のハロゲ
ン化物が担持されていることを特徴とする、塩素
ガスおよび三塩化ホウ素からなる群から選択され
たガスを含有するドライエツチング排ガス処理剤
に関するものである。
The present invention relates to a dry etching exhaust gas treatment agent containing a gas selected from the group consisting of chlorine gas and boron trichloride, characterized in that an alkaline earth metal halide is supported on activated carbon. .

本発明の処理剤は、アルカリ土類金属のハロゲ
ン化物の水溶液に活性炭を浸漬または活性炭に該
水溶液を噴霧した後、活性炭に担持したアルカリ
土類金属のハロゲン化物が分解しない温度の高
温、一般には150〜250℃の温度で不活性ガス、例
えば窒素、アルゴン、ヘリウム等の雰囲気下に乾
燥させ、付着水、結合水等を除去する方法によつ
て製造することができる。処理剤に水分が含まれ
ていると、ドライエツチング排ガスに含有されて
いる反応性ガスと反応して処理塔のトラブルの原
因になるので、アルカリ土類金属のハロゲン化物
を担持させてなる処理剤には、実質的に水分を含
まないようにするために前記のように不活性ガス
雰囲気下に乾燥するのが好ましい。例えば処理剤
に水分が含まれていると、ドライエツチングに反
応性ガスとして三塩化ホウ素、四塩化ケイ素等を
使用した場合、水分と排ガス中の三塩化ホウ素、
四塩化ケイ素等とが反応してホウ酸、ケイ酸等が
生成するため処理剤の目詰りや処理能力の低下等
の原因になる。
The treatment agent of the present invention is obtained by immersing activated carbon in an aqueous solution of an alkaline earth metal halide or by spraying the aqueous solution onto the activated carbon, followed by treatment at a high temperature at which the alkaline earth metal halide supported on the activated carbon does not decompose. It can be produced by drying in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen, argon, helium, etc. at a temperature of 150 to 250°C to remove adhered water, bound water, and the like. If the processing agent contains water, it will react with the reactive gas contained in the dry etching exhaust gas and cause trouble in the processing tower, so we recommend using a processing agent that supports an alkaline earth metal halide. It is preferable to dry the film under an inert gas atmosphere as described above in order to make it substantially free of moisture. For example, if the processing agent contains moisture, if boron trichloride, silicon tetrachloride, etc. are used as a reactive gas in dry etching, the moisture and boron trichloride in the exhaust gas,
The reaction with silicon tetrachloride produces boric acid, silicic acid, etc., which causes clogging of the processing agent and reduction in processing capacity.

本発明において、活性炭としては比較面積が、
400〜6000m2/g、好ましくは800〜4000m2/gの
ものが好適に使用される。比表面積が小さすぎる
と排ガス中の反応性ガスの如き有害成分の吸着能
力が低く、また比表面積があまり大きすぎると機
械的強度が低下し、取扱い中や使用中に粉化する
ので好ましくない。活性炭の形状は、球状、柱
状、破砕粒状などの粒状であればよく、その形状
は特に制限されない。活性炭の粒径は、使用条
件、例えば処理塔の大きさや固定床、移動床、流
動床等の処理様式の相違等によつても異なるが、
一般には1〜20mm、好ましくは2〜10mmが適当で
ある。
In the present invention, the comparative area of activated carbon is
400 to 6000 m 2 /g, preferably 800 to 4000 m 2 /g is suitably used. If the specific surface area is too small, the adsorption capacity for harmful components such as reactive gases in exhaust gas will be low, and if the specific surface area is too large, the mechanical strength will decrease and the material will turn into powder during handling or use, which is undesirable. The shape of activated carbon is not particularly limited as long as it is granular, such as spherical, columnar, or crushed granular. The particle size of activated carbon varies depending on the usage conditions, such as the size of the treatment tower and the treatment method such as fixed bed, moving bed, fluidized bed, etc.
Generally, 1 to 20 mm, preferably 2 to 10 mm is appropriate.

アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、塩
化カルシウム、塩化バリウム、塩化マグネシウ
ム、塩化ストロンチウム、臭化カルシウム、臭化
バリウム、フツ化カルシウム、フツ化バリウム、
ヨウ化カルシウム等を挙げることができる。ハロ
ゲン化物のなかでも塩化物が好適に使用される。
Examples of alkaline earth metal halides include calcium chloride, barium chloride, magnesium chloride, strontium chloride, calcium bromide, barium bromide, calcium fluoride, barium fluoride,
Examples include calcium iodide. Among the halides, chlorides are preferably used.

アルカリ土類金属のハロゲン化物の担持量は、
これがあまり少なすぎるとその担持効果がなく、
またあまり多すぎるとかえつて排ガス中の有害成
分の吸着能力が低くなり、破過時間も短くなるの
で、活性炭への担持量は0.5〜30重量%、好まし
くは1〜25重量%にするのが適当である。
The supported amount of alkaline earth metal halide is
If this is too small, there will be no supporting effect,
Furthermore, if the amount is too large, the adsorption capacity for harmful components in the exhaust gas will be reduced and the breakthrough time will be shortened, so the amount supported on activated carbon should be 0.5 to 30% by weight, preferably 1 to 25% by weight. Appropriate.

本発明の処理剤は、流動床や移動床で使用して
もよいが、一般には固定床を使用し、処理塔に処
理剤を充填してドライエツチング装置からの排ガ
スを処理剤層に流通、接触させる方法で使用する
のが適当である。
The processing agent of the present invention may be used in a fluidized bed or a moving bed, but generally a fixed bed is used, a processing tower is filled with the processing agent, and the exhaust gas from the dry etching device is passed through and brought into contact with the processing agent layer. It is appropriate to use it in a manner that allows

〔作用〕[Effect]

ドライエツチング装置からの排ガスは、処理剤
との接触により、その中に含まれているドライエ
ツチングの反応性ガスの如き有害成分が処理剤に
吸着され、無害化されて処理塔から排出される。
処理塔は、複数設けて切替えながら使用してもよ
い。本発明の処理剤を使用した場合、アルカリ土
類金属のハロゲン化物がどのような作用をしてい
るのか明確ではないが、活性炭やアルカリ金属の
ハロゲン化物を活性炭に担持させたものを処理剤
として使用した場合と比較して破過時間が著しく
長くなることからみて、アルカリ土類金属のハロ
ゲン化物がある種の触媒的な作用をし、活性炭の
吸着能力を増大させているのではないかと推定さ
れる。
When the exhaust gas from the dry etching apparatus comes into contact with the processing agent, harmful components such as dry etching reactive gases contained therein are adsorbed by the processing agent, and the exhaust gas is rendered harmless and discharged from the processing tower.
A plurality of treatment towers may be provided and used while being switched. When the treatment agent of the present invention is used, it is not clear what effect the alkaline earth metal halide has, but activated carbon or activated carbon supported with an alkali metal halide may be used as a treatment agent. Considering that the breakthrough time is significantly longer than when activated carbon is used, it is assumed that alkaline earth metal halides act as a kind of catalyst and increase the adsorption capacity of activated carbon. be done.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の処理剤をドライエツチング排ガスの乾
式処理法に使用すると、湿式処理法による場合の
難点を解決できるだけでなく、破過時間が著しく
長いので排ガスの処理能力が高く長時間の使用に
耐え、また処理剤中にアルカリ金属が含まれてい
ないので、半導体製造プロセスにおける安全性を
高めることができる。また処理塔中で処理剤同志
が付着することがない。
When the treatment agent of the present invention is used in a dry treatment method for dry etching exhaust gas, it not only solves the problems of the wet treatment method, but also has a significantly long breakthrough time, so it has a high exhaust gas treatment ability and can withstand long-term use. Furthermore, since the processing agent does not contain an alkali metal, safety in the semiconductor manufacturing process can be improved. Furthermore, the processing agents do not adhere to each other in the processing tower.

〔実施例〕〔Example〕

実施例 1 塩化カルシウム6水塩113.1gを水450gに溶解
させ、これに粒状の活性炭(比表面積1150m2
g、粒径3mm)300gを浸漬、撹拌し蒸発乾固さ
せた。次いで乾燥窒素ガス流通下に220℃で2時
間乾燥させ、水分を含まない塩化カルシウム担持
活性炭(CaCl2担持量16重量%)=処理剤を製造
した。
Example 1 113.1 g of calcium chloride hexahydrate was dissolved in 450 g of water, and granular activated carbon (specific surface area 1150 m 2 /
300 g (particle size: 3 mm) was immersed, stirred, and evaporated to dryness. Next, it was dried at 220° C. for 2 hours under a flow of dry nitrogen gas to produce a moisture-free calcium chloride-supported activated carbon (carrying amount of CaCl 2 16% by weight) = processing agent.

処理剤500mlを、孔径1mmφの分散板を有する
石英製の処理塔に充填(充填層高255mm)し、下
部よりドライエツチング排ガスのモデルガスとし
て、N20.5/min、BCl30.26/minおよび
Cl20.07/minを流通させて処理した。処理塔上
部の出口側にて排ガス中のBCl3およびCl2を測定
(検出感度0.1ppm以下)した。
500 ml of the processing agent was packed into a quartz processing tower (packed bed height 255 mm) with a dispersion plate with a hole diameter of 1 mmφ, and N 2 0.5/min, BCl 3 0.26/min and
The treatment was carried out by flowing Cl 2 at 0.07/min. BCl 3 and Cl 2 in the exhaust gas were measured at the outlet side of the upper part of the treatment tower (detection sensitivity 0.1 ppm or less).

その結果、BCl3の破過時間は102分で、Cl2
114分であつた。なお破過時間に達するまでの間
処理排ガス中には全くBCl3およびCl2は検出され
なかつた。また処理後、処理塔から処理剤をとり
だしたが、処理剤同志の付着は認められなかつ
た。
As a result, the breakthrough time for BCl 3 is 102 minutes and for Cl 2
It took 114 minutes. Note that no BCl 3 or Cl 2 was detected in the treated exhaust gas until the breakthrough time was reached. Further, after the treatment, the treatment agent was taken out from the treatment tower, but no adhesion of the treatment agents to each other was observed.

実施例 2 実施例1の塩化カルシウム6水塩にかえて塩化
バリウム2水塩40gを使用したほかは、実施例1
と同様にして処理剤(BaCl2担持量10.2重量%)
を製造し、実施例1と同様に処理してBCl3およ
びCl2の破過時間を測定した。
Example 2 Example 1 except that 40 g of barium chloride dihydrate was used instead of calcium chloride hexahydrate in Example 1.
Treating agent (BaCl 2 loading amount 10.2% by weight) in the same manner as
was prepared and treated in the same manner as in Example 1, and the breakthrough times of BCl 3 and Cl 2 were measured.

その結果、BCl3の破過時間は98分で、Cl2
110分であつた。なお、破過時間に達するまでの
間処理排ガス中には全くBCl3およびCl2は検出さ
れなかつた。また処理後、処理塔から処理剤をと
りだしたが、処理剤同志の付着は認められなかつ
た。
As a result, the breakthrough time for BCl 3 is 98 minutes, and for Cl 2
It was hot in 110 minutes. Note that no BCl 3 or Cl 2 was detected in the treated exhaust gas until the breakthrough time was reached. Further, after the treatment, the treatment agent was taken out from the treatment tower, but no adhesion of the treatment agents to each other was observed.

比較例 1 実施例1と同様の粒状の活性炭を乾燥窒素ガス
流通下に220℃で2時間乾燥し、これを処理剤と
して使用したほかは実施例1と同様にしてBCl3
およびCl2の破過時間を測定した。
Comparative Example 1 BCl 3 was treated in the same manner as in Example 1, except that the same granular activated carbon as in Example 1 was dried at 220°C for 2 hours under dry nitrogen gas flow, and this was used as the treatment agent.
and the breakthrough time of Cl2 was measured.

その結果、BCl3の破過時間は70分で、Cl2は76
分であつた。なお、破過時間に達するまでの間処
理排ガス中には全くBCl3およびCl2は検出されな
かつた。また処理後、処理塔から処理剤をとりだ
したが、処理剤同志の付着は認められなかつた。
As a result, the breakthrough time for BCl 3 is 70 minutes and for Cl 2 it is 76
It was hot in minutes. Note that no BCl 3 or Cl 2 was detected in the treated exhaust gas until the breakthrough time was reached. Further, after the treatment, the treatment agent was taken out from the treatment tower, but no adhesion of the treatment agents to each other was observed.

比較例 2 実施例1の塩化カルシウム6水塩にかえて塩化
ナトリウム30gを使用し、実施例1と同様の操作
で処理剤(NaCl担持量9重量%)を製造し、実
施例1と同様にしてBCl3およびCl2の破過時間を
測定した。
Comparative Example 2 A treatment agent (NaCl supported amount: 9% by weight) was produced in the same manner as in Example 1, except that 30 g of sodium chloride was used in place of the calcium chloride hexahydrate in Example 1. The breakthrough times of BCl 3 and Cl 2 were measured.

その結果、BCl3の破過時間は61分で、Cl2は58
分であつた。なお、破過時間に達するまでの間処
理排ガス中には全くBCl3およびCl2は検出されな
かつた。しかし処理後、処理塔から処理剤をとり
だそうとしたが、処理剤同志の付着、壁面への付
着等により、処理剤がとりだしにくかつた。この
原因は処理中にホウ酸が生成し、これが接着剤の
役目をはたしているためではないかと推察され
る。
As a result, the breakthrough time for BCl 3 is 61 minutes and for Cl 2 it is 58 minutes.
It was hot in minutes. Note that no BCl 3 or Cl 2 was detected in the treated exhaust gas until the breakthrough time was reached. However, after the treatment, when attempting to take out the processing agent from the treatment tower, it was difficult to take out the processing agent due to adhesion of the processing agents to each other, adhesion to the walls, etc. It is speculated that the cause of this is that boric acid is produced during processing, and this plays the role of an adhesive.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 活性炭にアルカリ土類金属のハロゲン化物が
担持されていることを特徴とする、塩素ガスおよ
び三塩化ホウ素からなる群から選択されたガスを
含有するドライエツチング排ガス処理剤。
1. A dry etching exhaust gas treatment agent containing a gas selected from the group consisting of chlorine gas and boron trichloride, characterized in that an alkaline earth metal halide is supported on activated carbon.
JP59155539A 1984-07-27 1984-07-27 Treatment agent of dry etching exhaust gas Granted JPS6135849A (en)

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