JPH036017A - Optical cvd apparatus - Google Patents

Optical cvd apparatus

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Publication number
JPH036017A
JPH036017A JP14071289A JP14071289A JPH036017A JP H036017 A JPH036017 A JP H036017A JP 14071289 A JP14071289 A JP 14071289A JP 14071289 A JP14071289 A JP 14071289A JP H036017 A JPH036017 A JP H036017A
Authority
JP
Japan
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shutter
light source
light
reaction chamber
irradiation window
Prior art date
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Pending
Application number
JP14071289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Kitakami
北神 正一
Noriyuki Hirata
教行 平田
Shigeyuki Motokawa
元川 茂行
Kenji Inoue
井上 研二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Device Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH036017A publication Critical patent/JPH036017A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To elongate a life of a light source and to stabilize a quantity of light by a method wherein a shutter mechanism which advances and retreats a shutter is installed between an irradiation window of a reaction chamber and the light source. CONSTITUTION:A reaction chamber 12 and a light-source chamber 13 are installed, by using an irradiation window 11 as a boundary, so as to be adjacent to the upper side and the lower side; a heater table 14 as a heating means is installed in parallel with the irradiation window 11 at the inside of the reaction chamber 12. In addition, a plurality of light sources 15 composed of discharge lamps are installed at equal intervals in parallel with the irradiation window 11 at the inside of the light-source chamber 13; an evacuation means 16 and a gas supply means 17 are installed at the reaction chamber 12. A shutter mechanism 21 which advances and retreats a shutter is installed between the irradiation window 11 of the reaction chamber 12 and the light sources 15. When the light sources 15 are turned on and the shutter is opened in a state that a quantity of light of the light sources 15 has been stabilized, a film formation operation is started. When the shutter is closed, the film formation operation is finished. Thereby, a life of the light sources 15 can be elongated, and the quantity of light can be stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、光化学反応を利用してアモルファスシリコン
薄膜トランジスタ等を生産することのできる光CVD 
(化学的気相成長)装置に関するものである。
Detailed Description of the Invention [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention is directed to a photo-CVD method that can produce amorphous silicon thin film transistors and the like using photochemical reactions.
(Chemical Vapor Deposition) equipment.

(従来の技術) 従来の光CVD装置として、第7図に示すように、光を
通過させる水平な照射窓1を境界として反応室2と光源
室3を下側と上側に隣接して設け、反応室2の内部にヒ
ータテーブル4を照射窓1と平行に設けるとともに、光
源室3の内部に複数の光源5を照射窓1と平行に等間隔
に設け、反応室2に排気手段6及びガス供給手段7を設
けたものがある。
(Prior Art) As shown in FIG. 7, a conventional photo-CVD apparatus has a reaction chamber 2 and a light source chamber 3 adjacent to each other on the lower and upper sides with a horizontal irradiation window 1 through which light passes as a boundary. A heater table 4 is provided inside the reaction chamber 2 parallel to the irradiation window 1, and a plurality of light sources 5 are provided inside the light source chamber 3 parallel to the irradiation window 1 at equal intervals. Some are equipped with a supply means 7.

この装置は、ヒータテーブル4上に基板8を保持して加
熱し、排気手段6により反応室2の内部を真空状態にし
、代わりに、ガス供給手段7により反応室2の内部に成
膜材料となるガスを供給し、光源5により照射窓1を介
して基板8に光を照射し、光エネルギにより直接あるい
は間接にガスを分解し、これによって、基板8の表面に
膜を生成させており、光源5の点灯により、成膜を開始
し、光源5の消灯により、成膜を終了している。
In this apparatus, a substrate 8 is held and heated on a heater table 4, the inside of a reaction chamber 2 is brought into a vacuum state by an exhaust means 6, and a film-forming material is supplied to the inside of the reaction chamber 2 by a gas supply means 7 instead. The substrate 8 is irradiated with light from the light source 5 through the irradiation window 1, and the gas is decomposed directly or indirectly by the light energy, thereby producing a film on the surface of the substrate 8. When the light source 5 is turned on, film formation is started, and when the light source 5 is turned off, the film formation is completed.

(発明が解決しようとする課題) 上述した従来の光CVD装置では、光源5の点灯により
、成膜を開始し、光源5の消灯により、成膜を終了して
いる。
(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional optical CVD apparatus described above, film formation is started when the light source 5 is turned on, and film formation is completed when the light source 5 is turned off.

そのため、成膜の度に光源5を点滅することになるので
、光源5の放電灯の寿命が短くなり、しかも、光源5を
点灯してから、光量が安定するまでの所要時間が長いの
で、成層に時間がかかり、さらに、毎回の成膜時の光量
が安定しないので、できた薄膜の厚さにばらつきができ
てしまうという問題がある。
Therefore, the light source 5 must be blinked every time a film is formed, which shortens the life of the discharge lamp of the light source 5. Moreover, it takes a long time to stabilize the amount of light after the light source 5 is turned on. There is a problem in that it takes time to form layers, and furthermore, the amount of light during each film formation is not stable, resulting in variations in the thickness of the formed thin film.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、光源′
5の寿命の長期化及び光量の安定化を計ることを目的と
するものである。
The present invention was made in view of the above points, and the present invention has been made in view of the above points.
The purpose of this is to prolong the life of the light source and stabilize the amount of light.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、内部に成膜する対象物が配置されこの対象物
に対して光を通過させる照射窓を有する反応室と、この
反応室の内部の上記対象物を加熱する加熱手段と、上記
反応室の内部を真空状態にする排気手段と、上記反応室
の内部に成膜材料となるガスを供給するガス供給手段と
、上記照射窓を介して上記反応室内部の対象物に光を照
射する光源とを備えた光CVD装置において、反応室の
照射窓と光源との間にシャッターを進退させるシャッタ
ー機構を設けたものである。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a reaction chamber in which an object to be deposited is placed and an irradiation window through which light passes through the object, and the object inside the reaction chamber. a heating means for heating the inside of the reaction chamber; an evacuation means for bringing the inside of the reaction chamber into a vacuum state; a gas supply means for supplying a gas serving as a film forming material into the inside of the reaction chamber; This is an optical CVD apparatus equipped with a light source that irradiates light onto an object inside, and a shutter mechanism that moves the shutter forward and backward between the irradiation window of the reaction chamber and the light source.

そして、とくに、請求項2の発明は、シャッターが、反
応室の照射窓と光源との間を含む無端状の経路に沿って
移動するシートから成るものである。
In particular, in the invention according to claim 2, the shutter is made of a sheet that moves along an endless path including between the irradiation window of the reaction chamber and the light source.

また、とくに、請求項3の発明は、シャッターが、反応
室の照射窓と光源との間に進退する複数のシャッター板
から成るものである。
Further, particularly, in the invention according to claim 3, the shutter is composed of a plurality of shutter plates that move forward and backward between the irradiation window of the reaction chamber and the light source.

(作用) 本発明の光CVD装置は、光源を点灯しておき、光源の
光量が安定した状態で、シャッターを開けることにより
、成膜を開始し、シャッターを閉じることにより、成膜
を終了するものである。
(Function) The photoCVD apparatus of the present invention starts film formation by opening the shutter with the light source turned on and the light intensity of the light source stabilized, and finishes film formation by closing the shutter. It is something.

そして、とくに、請求項2の発明では、シャッターにシ
ートを用いることにより、シャッターの厘さを最小にす
ることができ、さらに、開動作時のシートの移動方向と
閉動作時のシートの移動方向を同方向とすることにより
、シャッターの開閉による元型分布の不均一化を防止す
るものである。
In particular, in the invention of claim 2, by using a sheet for the shutter, the stiffness of the shutter can be minimized. By arranging them in the same direction, it is possible to prevent the archetype distribution from becoming uneven due to opening and closing of the shutter.

また、とくに、請求項3の発明では、シャッターの設置
スペースが少なくてすむものである。
Moreover, especially in the invention of claim 3, the installation space for the shutter can be reduced.

(実施例) 本発明の光CVD装置の実施例を図面を参照して説明す
る。
(Example) An example of the optical CVD apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図及び第2図は第1の実施例を示すものである。1 and 2 show a first embodiment.

第1図に示すように、この実施例の光CVD装置は、第
7図に示した従来の装置と同様に、光を通過させる水平
な照射窓11を境界として反応室12と光源室13を下
側と上側に隣接して設け、反応室12の内部に加熱手段
としてのヒータテーブル14を照射窓11と平行に設け
るとともに、光源室13の内部に放電灯から成る複数の
光源15を照射窓11と平行に等間隔に設け、反応室1
2に排気手段16及びガス供給手段17を設けたもので
ある。
As shown in FIG. 1, like the conventional device shown in FIG. 7, the photo-CVD apparatus of this embodiment has a reaction chamber 12 and a light source chamber 13 separated by a horizontal irradiation window 11 through which light passes. A heater table 14 as a heating means is provided adjacent to the lower and upper sides of the reaction chamber 12 and parallel to the irradiation window 11, and a plurality of light sources 15 made of discharge lamps are installed inside the light source chamber 13 and connected to the irradiation window. 11 and at equal intervals in parallel with reaction chamber 1.
2 is provided with an exhaust means 16 and a gas supply means 17.

そして、この実施例の装置は、従来の装置と同様に、ヒ
ータテーブル14上に成膜する対象物としての基板18
を保持して加熱し、排気手段16により反応室12の内
部を真空状態にし、代わりに、ガス供給手段17により
反応室12の内部に成膜材料となるSt、4、H2、N
Hs 、PL等の中から選択されたガスを供給し、光源
15により照射窓11を介して基板18に光を照射し、
光エネルギによって直接あるいは間接にガスを分解し、
これによって、基板18の表面に膜を生成させるように
なっている。
The apparatus of this embodiment, like the conventional apparatus, has a substrate 18 as an object to be deposited on the heater table 14.
is held and heated, the inside of the reaction chamber 12 is brought into a vacuum state by the exhaust means 16, and instead, the gas supply means 17 supplies St, 4, H2, N, which are the film forming materials, to the inside of the reaction chamber 12.
A gas selected from Hs, PL, etc. is supplied, and the light source 15 irradiates the substrate 18 with light through the irradiation window 11.
Decomposes gas directly or indirectly using light energy,
This causes a film to be formed on the surface of the substrate 18.

そうして、この光CVD装置には、光源15から基板1
8に照射される光を制御するシャッター機構21が設け
られている。
In this optical CVD apparatus, from the light source 15 to the substrate 1.
A shutter mechanism 21 is provided to control the light irradiated onto 8 .

このシャッター機構21は、第2図にも示すように、光
源室13内の光源15を4本のローラ22で囲み、この
4本のローラ22に柔軟性及び遮光性を有する0、3−
程度の厚さのステンレス鋼から成る無端状のシート23
を掛回し、1本のローラ22をモータ24で一方向に駆
動するようにしたもので、シート23には照射窓11に
対応した開口部25が形成されている。
As shown in FIG. 2, this shutter mechanism 21 surrounds the light source 15 in the light source chamber 13 with four rollers 22, and these four rollers 22 have flexibility and light shielding properties.
An endless sheet 23 made of stainless steel with a thickness of
The sheet 23 is provided with an opening 25 corresponding to the irradiation window 11. One roller 22 is driven in one direction by a motor 24.

そして、このシャッター機構21は、モータ24でロー
ラ22を一方向に回動することにより、シート23の開
口部25が、光源15の上側部から一側部を経て下側部
に移動し、さらに、光源15の下側部から他側部を経て
上側部に移動して、循環するので、シート23をシャッ
ターとして、シート23の開口部25により、光源15
とその下側の照射窓11の間を開閉することができ、し
かも、開動作時と閉動作時のシート23の移動方向が同
じとなる。
In this shutter mechanism 21, by rotating the roller 22 in one direction with the motor 24, the opening 25 of the sheet 23 moves from the upper side of the light source 15 to the lower side via one side, and then , moves from the lower side of the light source 15 to the upper side via the other side and circulates, so the light source 15 is circulated through the opening 25 of the sheet 23 using the sheet 23 as a shutter.
and the irradiation window 11 on the lower side thereof can be opened and closed, and the movement direction of the sheet 23 during the opening operation and the closing operation is the same.

このため、成膜の開始に先立って、シート23により光
源15と照射窓11の間を閉じた状態で、光源15を点
灯しておき、光源15の光量が十分に安定した状態で、
シート23の開口部25を光源15と照射窓11の間に
移動して、光源15と照射窓11の間を開くことにより
、成膜を開始し、所定の時間が経過した後、シート23
の開口部25を光源15と照射窓11の間から他の位置
に移動して、光源15と照射窓11の間を閉じることに
より、成膜を終了することができるので、成膜の開始か
ら終了まで、光源15の光量が常に安定した状態となり
、成膜の開始から終了までの時間を短縮することができ
る。
Therefore, before starting film formation, the light source 15 is turned on with the space between the light source 15 and the irradiation window 11 closed by the sheet 23, and the light amount of the light source 15 is sufficiently stabilized.
Film formation is started by moving the opening 25 of the sheet 23 between the light source 15 and the irradiation window 11 to open the space between the light source 15 and the irradiation window 11, and after a predetermined time has elapsed, the sheet 23
By moving the opening 25 from between the light source 15 and the irradiation window 11 to another position and closing the space between the light source 15 and the irradiation window 11, the film formation can be completed. The amount of light from the light source 15 remains stable until the end, and the time from the start to the end of film formation can be shortened.

そして、引続いて、光源15を点灯したままの状態で、
基板18を交換し、準備ができたら、再び、シート23
の開口部25を光源15と照射窓11の間に移動するこ
とによって、次の基板18に対する成膜を開始すること
ができるので、複数の基板18に対する成膜を繰返す場
合、成膜の開始終了の度に光源15を点滅する必要がな
くなり、放電灯から成る光源15の寿命を長期化するこ
とができる。
Then, with the light source 15 still lit,
After replacing the board 18 and completing preparations, replace the sheet 23 again.
By moving the opening 25 between the light source 15 and the irradiation window 11, it is possible to start film formation on the next substrate 18, so when repeating film formation on multiple substrates 18, it is possible to start and finish film formation. There is no need to turn on and off the light source 15 each time, and the life of the light source 15 made of a discharge lamp can be extended.

また、複数の基板18に対する成膜を繰返す場合、毎回
の光源15の光量が安定しているので、膜厚が基板18
ごとに変化することがない。
Furthermore, when film formation is repeated on a plurality of substrates 18, the amount of light from the light source 15 is stable each time, so that the film thickness is
It does not change from time to time.

そうして、開動作時と閉動作時のシート23の移動方向
が同じであるため、基板18のどの部分も、時間的なず
れはあっても、合計の受光時間は等しくなり、基板18
のどの部分も光量が等しくなるため、膜厚分布が均一に
なる。
Since the movement direction of the sheet 23 is the same during the opening operation and the closing operation, the total light reception time is the same for any part of the substrate 18, even if there is a time difference, and the substrate 18
Since the amount of light is equal in all parts, the film thickness distribution becomes uniform.

さらに、シャッターにシート23を用いているので、光
源15と基板18の距離が長くならず、光量損失が生じ
ることがない。
Furthermore, since the sheet 23 is used for the shutter, the distance between the light source 15 and the substrate 18 does not become long, and no loss of light quantity occurs.

第3図ないし第6図は第2の実施例を示すものである。3 to 6 show a second embodiment.

この実施例は、先に説明した第1の実施例とシャッター
機構が異なるだけで、他の部分の構造は共通するため、
第1の実施例と同様の部分には同一の符号を付して説明
を省略し、異なる部分を中心に説明する。
This embodiment differs from the first embodiment described above only in the shutter mechanism, but the structure of other parts is the same.
The same parts as those in the first embodiment are given the same reference numerals, and the explanation will be omitted, and the explanation will focus on the different parts.

この実施例のシャッター機構31は、光源室13側にお
いて、照射窓11の側部にレール32を設け、このレー
ル32にシャッターを構成する複数の遮光性を有する0
、5胴の厚さのシャッター板33をそれぞれのガイド3
4を介して移動自在に支持するとともに、この複数のシ
ャッター板33をその一部ないし全部を積層可能に形成
し、一対のプーリ35を介してレール32に沿って架設
した無端状のワイヤ36に最上位のシャッター板33を
固定し、一方のプーリ35をパルスモータ37で正逆両
方向に駆動するようにしたものである。
The shutter mechanism 31 of this embodiment is provided with a rail 32 on the side of the irradiation window 11 on the light source chamber 13 side, and this rail 32 has a plurality of light-shielding blocks that form a shutter.
, a shutter plate 33 with a thickness of 5 cylinders is attached to each guide 3.
4, the plurality of shutter plates 33 are formed so as to be partially or entirely stackable, and are connected to an endless wire 36 extending along the rail 32 via a pair of pulleys 35. The uppermost shutter plate 33 is fixed, and one pulley 35 is driven by a pulse motor 37 in both forward and reverse directions.

そして、このシャッター機構31は、パルスモータ37
でブーIJ35を正方向あるいは逆方向に回動すること
により、最上位のシャッター板33が、照射窓11の一
端側から他端部にあるいは他端部から一端側に移動し、
この際に、最上位のシャッター板33に下位のシャッタ
ー板33が従動し、光源15とその下側の照射窓11の
間を開閉することができる。
This shutter mechanism 31 is operated by a pulse motor 37.
By rotating the boot IJ35 in the forward or reverse direction, the uppermost shutter plate 33 moves from one end of the irradiation window 11 to the other end, or from the other end to the one end,
At this time, the lower shutter plate 33 follows the uppermost shutter plate 33, and can open and close between the light source 15 and the irradiation window 11 below it.

このため、成膜の開始に先立って、第3図及び第4図に
示すように、複数のシャッター板33を光源15と照射
窓11の間に展開して、光源15と照射窓11の間を閉
じた状態で、光源15を点灯しておき、光源15の光量
が十分に安定した状態で、第5図及び第6図に示すよう
に、複数のシャッター板33を照射窓11の一端側に積
層して、光源15と照射窓11の間を開くことにより、
成膜を開始し、所定の時間が経過した後、第3図及び第
4図に示すように、複数のシャッター板33を光源15
と照射窓11の間に展開して、光源15と照射窓11の
間を閉じることにより、成膜を終了することができるの
で、成膜の開始から終了まで、光源15の光量が常に安
定した状態となり、成膜の開始から終了までの時間を短
縮することができる。
Therefore, prior to the start of film formation, as shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of shutter plates 33 are deployed between the light source 15 and the irradiation window 11. is closed, the light source 15 is turned on, and when the light intensity of the light source 15 is sufficiently stable, as shown in FIGS. By laminating the light source 15 and opening the space between the light source 15 and the irradiation window 11,
After starting film formation and elapse of a predetermined time, as shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of shutter plates 33 are connected to a light source 15
Since the film formation can be completed by expanding the film between the light source 15 and the irradiation window 11 and closing the space between the light source 15 and the irradiation window 11, the amount of light from the light source 15 is always stable from the start to the end of the film formation. state, and the time from the start to the end of film formation can be shortened.

そして、引続いて、光源15を点灯したままの状態で、
基板18を交換し、準備ができたら、再び、複数のシャ
ッター板33を照射窓11の一端側に積層することによ
って、次の基板18に対する成膜を開始することができ
るので、複数の基板18に対する成膜を繰返す場合、成
膜の開始終了の度に光源15を点滅する必要がなくなり
、放電灯から成る光源15の寿命を長期化することがで
きる。
Then, with the light source 15 still lit,
When the substrate 18 is replaced and preparations are made, film formation on the next substrate 18 can be started by stacking the plurality of shutter plates 33 on one end side of the irradiation window 11 again. When film formation is repeated, it becomes unnecessary to turn on and off the light source 15 each time film formation starts and ends, and the life of the light source 15 made of a discharge lamp can be extended.

また、複数の基板18に対する成膜を繰返す場合、毎回
の光源15の光量が安定しているので、膜厚が基板18
ごとに変化することがない。
Furthermore, when film formation is repeated on a plurality of substrates 18, the amount of light from the light source 15 is stable each time, so that the film thickness is
It does not change from time to time.

そうして、一般に、光の照射時間と生成する薄膜の膜厚
は比例するので、この実施例のような往復動作するシャ
ッターを用いた場合、つまり、シャッターの開動作時と
閉動作時の移動方向が逆方向の場合、シャッターの移動
速度が遅いと、基板18上の位置による光の照射時間の
違いが大きくなるため、膜厚分布が不均一になり、さら
に、形成する薄膜の厚さが薄いほど、その影響が大きく
なる。
Generally, the light irradiation time and the thickness of the thin film produced are proportional to each other, so when using a shutter that moves back and forth like this example, the movement of the shutter when it opens and closes. When the direction is reversed, if the shutter movement speed is slow, the difference in light irradiation time depending on the position on the substrate 18 becomes large, resulting in uneven film thickness distribution, and furthermore, the thickness of the thin film to be formed becomes uneven. The thinner the layer, the greater the effect.

ここで、アモルファスシリコン薄膜の成膜について考え
てみると、シャッターを使用しない場合の膜厚分布のば
らつきが±20人であったことを考慮すると、シャッタ
ーを用いた場合の影響は±10Å以下としなければなら
ず、そのためには、シャッターの開動作に要する時間と
閉動作に要する時間の合計が5秒以下でなければならな
い。
Now, considering the deposition of amorphous silicon thin film, considering that the variation in film thickness distribution without using a shutter was ±20 people, the influence when using a shutter is estimated to be less than ±10 Å. For this purpose, the total time required for opening and closing the shutter must be 5 seconds or less.

このため、この装置では、複数のシャッター板33によ
ってシャッターを構成するブラインド方式を採用し、パ
ルスモータ37で高速駆動することにより、往復動作す
るシャッターによる悪影響を排除し、これに付随して、
シャッターの設置スペースを狭くすることができた。
For this reason, this device adopts a blind system in which the shutter is configured by a plurality of shutter plates 33, and is driven at high speed by a pulse motor 37 to eliminate the adverse effects of the reciprocating shutter.
The installation space for the shutter could be reduced.

さらに、シャッターによって、光源15と基板18の距
離が遠くなって、光量損失が生じるのを防止するために
、この装置では、0.5薗の厚さのシャッター板33を
用いることによって、シャッター全体の厚さを5關とし
、光量損失を防止した。
Furthermore, in order to prevent the shutter from increasing the distance between the light source 15 and the substrate 18 and causing loss of light quantity, this device uses a shutter plate 33 with a thickness of 0.5 mm, so that the entire shutter is The thickness of the lens was set to 5 mm to prevent loss of light quantity.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように、本発明の光CVD装置によれば、光源
を点灯しておき、光源の光量が安定した状態で、シャッ
ターを開けることにより、成膜を開始し、シャッターを
閉じることにより、成膜を終了するので、成膜の開始か
ら終了まで、光源の光量が常に安定した状態となり、成
膜の開始から終了までの時間を短縮することができ、そ
して、引続いて、光源を点灯したままの状態で、基板を
交換し、準備ができたら、再び、シャッターを開いて、
次の基板に対する成膜を開始することができるので、成
膜の開始終了の度に光源を点滅する必要がなくなり、光
源の寿命を長期化することがき、また、複数の基板に対
する成膜を繰返す場合、毎回の光源の光量が安定してい
るので、膜厚が基板ごとに変化することがない。
As described above, according to the photoCVD apparatus of the present invention, film formation is started by turning on the light source and opening the shutter while the light intensity of the light source is stable, and film formation is started by closing the shutter. Since the film is finished, the light intensity of the light source is always stable from the start to the end of film formation, which shortens the time from the start to the end of film formation. Replace the board in the same state, and when you are ready, open the shutter again.
Since deposition can be started on the next substrate, there is no need to turn on and off the light source each time the deposition starts and ends, extending the life of the light source, and repeating deposition on multiple substrates. In this case, the amount of light from the light source is stable each time, so the film thickness does not change from substrate to substrate.

そして、とくに、請求項2の発明では、シャッターにシ
ートを用いることにより、シャッターの厚さを最小にし
て、光源と基板の距離が遠くなることによる光量損失を
防止することができ、さらに、開動作時のシートの移動
方向と閉動作時のシートの移動方向を同方向とすること
により、基板のどの部分も、時間的なずれはあっても、
合計の受光時間は等しくなり、基板のどの部分も光量が
等しくなるため、膜厚分布が均一になる。
In particular, in the invention of claim 2, by using a sheet for the shutter, the thickness of the shutter can be minimized to prevent loss of light amount due to an increase in the distance between the light source and the substrate. By making the direction in which the sheet moves in the same direction during operation and the direction in which the sheet moves during closing operation, any part of the board can be moved in the same direction, even if there is a time lag.
The total light reception time is equal, and the amount of light is equal on all parts of the substrate, so the film thickness distribution becomes uniform.

また、とくに、請求項3の発明では、シャッターの設置
スペースが狭くすることができる。
Moreover, especially in the invention of claim 3, the installation space for the shutter can be narrowed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は本発明の請求項1及び2に対応した
光CVD装置の第1の実施例で、第1図はその構造図、
第2図はその要部の斜視図であり、そして、第3図ない
し第6図は本発明の請求項1及び3に対応した光CVD
装置の第2の実施例で、第3図はそのシャッター閉状態
における構造図、第4図はその要部の斜視図、第5図は
そのシャッター開状態における構造図、第6図はその要
部の斜視図であり、また、第7図は従来の光CVD装置
の構造図である。 11・・照射窓、12・・反応室、14・・加熱手段と
してのヒータテーブル、15・・光源、16・排気手段
、17・・ガス供給手段、18・・対象物としての基板
、21・・シャッター機構、23・・シャッターとして
のシート、31・・シャッター機構、33・・シャッタ
ーを構成するシャ・ツタ−板。
1 and 2 show a first embodiment of a photo-CVD apparatus corresponding to claims 1 and 2 of the present invention, and FIG. 1 is a structural diagram thereof;
FIG. 2 is a perspective view of the main part thereof, and FIGS. 3 to 6 are optical CVDs corresponding to claims 1 and 3 of the present invention.
This is the second embodiment of the device, and FIG. 3 is a structural diagram of the device in its shutter closed state, FIG. 4 is a perspective view of its main parts, FIG. 5 is a structural diagram of its shutter open state, and FIG. 6 is its main components. FIG. 7 is a structural diagram of a conventional optical CVD apparatus. 11. Irradiation window, 12. Reaction chamber, 14. Heater table as heating means, 15. Light source, 16. Exhaust means, 17. Gas supply means, 18. Substrate as target object, 21. - Shutter mechanism, 23... Sheet as a shutter, 31... Shutter mechanism, 33... Shutter board that constitutes the shutter.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)内部に成膜する対象物が配置されこの対象物に対
して光を通過させる照射窓を有する反応室と、この反応
室の内部の上記対象物を加熱する加熱手段と、上記反応
室の内部を真空状態にする排気手段と、上記反応室の内
部に成膜材料となるガスを供給するガス供給手段と、上
記照射窓を介して上記反応室内部の対象物に光を照射す
る光源とを備えた光CVD装置において、 上記反応室の照射窓と上記光源との間にシャッターを進
退させるシャッター機構を設けたことを特徴とする光C
VD装置。
(1) A reaction chamber in which an object to be formed into a film is arranged and having an irradiation window through which light passes through the object, a heating means for heating the object inside the reaction chamber, and the reaction chamber. an evacuation means for bringing the inside of the reaction chamber into a vacuum state; a gas supply means for supplying a gas serving as a film forming material into the inside of the reaction chamber; and a light source that irradiates light onto an object inside the reaction chamber through the irradiation window. A photo-CVD apparatus comprising: a photo-CVD apparatus comprising: a shutter mechanism for moving a shutter forward and backward between the irradiation window of the reaction chamber and the light source;
VD device.
(2)シャッターは、反応室の照射窓と光源との間を含
む無端状の経路に沿って移動するシートから成ることを
特徴とする請求項1に記載の光CVD装置。
(2) The photo-CVD apparatus according to claim 1, wherein the shutter is comprised of a sheet that moves along an endless path including between the irradiation window of the reaction chamber and the light source.
(3)シャッターは、反応室の照射窓と光源との間に進
退する複数のシャッター板から成ることを特徴とする請
求項1に記載の光CVD装置。
(3) The photoCVD apparatus according to claim 1, wherein the shutter comprises a plurality of shutter plates that move forward and backward between the irradiation window of the reaction chamber and the light source.
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