JPH0360157A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0360157A JPH0360157A JP1194332A JP19433289A JPH0360157A JP H0360157 A JPH0360157 A JP H0360157A JP 1194332 A JP1194332 A JP 1194332A JP 19433289 A JP19433289 A JP 19433289A JP H0360157 A JPH0360157 A JP H0360157A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発閑の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、電荷蓄積部と電荷転送部を有する半導体板上
に光電変換部として光導電体膜を積層した積層型の固体
搬像装置に係わり、特に光導電体膜の上に積層される遮
光層の構造の改良を図った固体撮像装置に関する。
に光電変換部として光導電体膜を積層した積層型の固体
搬像装置に係わり、特に光導電体膜の上に積層される遮
光層の構造の改良を図った固体撮像装置に関する。
（従来の技術）
固体撮像素子チップに光導電体膜を積層した２階建て構
造の固体搬像装置は、感光部の開口面積を広くすること
ができるため、高感度且つ低スミアと云う優れた特性を
有する。このため、この固体撮像装置は、各種監視用Ｔ
Ｖや高品位ＴＶ等のカメラとして有望視されている。こ
の種の固体撮像装置用の光導電体膜としては、現在のと
ころ、アモルファス材料膜が用いられている。例えば、
Ｓｏ −Ａｓ −Ｔｅ ｌ！ （サチコン膜＞、ｚｎｓ
ｅＺｎ Ｃｄ Ｔｅ にューピコン膜）、ａ−８ｉ
：Ｈ膜（水素化非晶質シリコン膜）等である。これら
の材料の中で特に、特性や加工性の良さ、低温形成の可
能性等から、ａ−８ｉ：口が最も有望である。
造の固体搬像装置は、感光部の開口面積を広くすること
ができるため、高感度且つ低スミアと云う優れた特性を
有する。このため、この固体撮像装置は、各種監視用Ｔ
Ｖや高品位ＴＶ等のカメラとして有望視されている。こ
の種の固体撮像装置用の光導電体膜としては、現在のと
ころ、アモルファス材料膜が用いられている。例えば、
Ｓｏ −Ａｓ −Ｔｅ ｌ！ （サチコン膜＞、ｚｎｓ
ｅＺｎ Ｃｄ Ｔｅ にューピコン膜）、ａ−８ｉ
：Ｈ膜（水素化非晶質シリコン膜）等である。これら
の材料の中で特に、特性や加工性の良さ、低温形成の可
能性等から、ａ−８ｉ：口が最も有望である。
この光導電体膜を積層した固体撮像装置においては、光
の入らない状態での信号レベルを検出するために、固体
撮像装置の一部の画素上に連光層を設けて、入射光をし
ゃ断して、その画素で暗時での信号レベルを検出する。
の入らない状態での信号レベルを検出するために、固体
撮像装置の一部の画素上に連光層を設けて、入射光をし
ゃ断して、その画素で暗時での信号レベルを検出する。
これらの遮光部における画素の部分はオプティカル・ブ
ラックと呼ばれている。第３図に従来構造の積層型固体
撮像装置のオプティカル・ブラックを含む部分の断面図
が示されている。
ラックと呼ばれている。第３図に従来構造の積層型固体
撮像装置のオプティカル・ブラックを含む部分の断面図
が示されている。
第３図において、１は電荷蓄積部及び電荷転送部を有す
るＣＣＤＦｉ像素子チップである。その上に光導電体膜
２が積層しである。光導電体１１２．は正孔注入層２１
、主として光電変換が行なわれる感光層２２、及び電子
の注入閉止層２３の３層構造からなっている。
るＣＣＤＦｉ像素子チップである。その上に光導電体膜
２が積層しである。光導電体１１２．は正孔注入層２１
、主として光電変換が行なわれる感光層２２、及び電子
の注入閉止層２３の３層構造からなっている。
光導電体膜に電圧を印加するため、この上に透明電極２
４が形成されている。またオプティカル・ブラック部に
関しては、透明電極上に遮光１１２６が形成されている
。
４が形成されている。またオプティカル・ブラック部に
関しては、透明電極上に遮光１１２６が形成されている
。
第４図（ａ）〜第４図（Ｃ）にはオプティカル・ブラッ
ク部形成の工程が簡単に示されている。
ク部形成の工程が簡単に示されている。
この第４図では感光層２２の上部のみを記し、第３図と
対応する部分は同一記号を付した。第４図（ａ ）では
遮光層２６を形成するために光反射膜２７が透明型１４
ｉ２４上全面に被着されている。
対応する部分は同一記号を付した。第４図（ａ ）では
遮光層２６を形成するために光反射膜２７が透明型１４
ｉ２４上全面に被着されている。
この上に、フォトレジストを塗布し、リソグラフィーに
より、オプティカル・ブラック部をおおう様にフォトレ
ジスト２８が形成される。その後第４図（ｂ）に示す様
に、反応性イオンエツチング等の方法でエツチングして
、オプティカル・ブラック以外の部分の光反射Ｗ４２７
を除去し、第４図（０）図に示す様に、遮光層２６が形
成される。
より、オプティカル・ブラック部をおおう様にフォトレ
ジスト２８が形成される。その後第４図（ｂ）に示す様
に、反応性イオンエツチング等の方法でエツチングして
、オプティカル・ブラック以外の部分の光反射Ｗ４２７
を除去し、第４図（０）図に示す様に、遮光層２６が形
成される。
（発明が解決しようとする課題）
この第４図から明らかなように、オプティカル・ブラッ
ク部形成時には光導ｔＪＪｆｆ！２７をエツチングする
時に透明電極２４の一部もエツチングされてしまい、透
明電極２４の膜厚は光反射１１１１２７のエツチング後
、若干薄くなる。透明電極２４は、例えばＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等からなり、光の
透過率を大きく保つために、３００Ａはどの小さな膜厚
でなければならない。透明電極２４の光の透過率に関し
ては下の電子の注入阻止層２３との多重反射によって、
透明電極２４の分光透過率が決まる。透明電極２４の膜
厚はこの分光透過率を最適にするべく決定される。従っ
て光導１１Ｂ！２７のエツチング時に非常に薄い透明電
極２４の膜厚が変化すると分光透過率が変動する。
ク部形成時には光導ｔＪＪｆｆ！２７をエツチングする
時に透明電極２４の一部もエツチングされてしまい、透
明電極２４の膜厚は光反射１１１１２７のエツチング後
、若干薄くなる。透明電極２４は、例えばＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等からなり、光の
透過率を大きく保つために、３００Ａはどの小さな膜厚
でなければならない。透明電極２４の光の透過率に関し
ては下の電子の注入阻止層２３との多重反射によって、
透明電極２４の分光透過率が決まる。透明電極２４の膜
厚はこの分光透過率を最適にするべく決定される。従っ
て光導１１Ｂ！２７のエツチング時に非常に薄い透明電
極２４の膜厚が変化すると分光透過率が変動する。
この変動は固体搬像装置でいえば、分光感度の変動とな
る。よって光導ｇＡ１１ｍ２７のエツチング時の透明電
極２４の膜厚の変動によって、固体搬像装置の分光感度
が変動し、各固体ｍ像装置の分光感度の再現性がなくな
る。また、反応性エツチングの様にイオンを用いたエツ
チングでは３００Ａはどの薄い透明電極では、透明電柵
２４を通してイオンダメージの影響が電子の注入阻止層
２３や感光層２２にあられれ、透明型Ｉｊｉ２４と画素
電極１９間のリーク電流が増したり、残像が増加したり
、青色光の感度が減少したりする。また、３００Ａはど
の薄い透明電極２４では、透明電極被着前の電子の注入
閉止層２３上のゴミ等の影響により、透明電極２４は局
所的に薄いあるいは膜のない部分、即ちピンホールが存
在する。ピンホールがあると、光反射膜２７のエツチン
グ時に電子の注入阻止層２３や感光層２２がエツチング
されて、透明電極２４と画素電極１９間のリーク電流が
増す。
る。よって光導ｇＡ１１ｍ２７のエツチング時の透明電
極２４の膜厚の変動によって、固体搬像装置の分光感度
が変動し、各固体ｍ像装置の分光感度の再現性がなくな
る。また、反応性エツチングの様にイオンを用いたエツ
チングでは３００Ａはどの薄い透明電極では、透明電柵
２４を通してイオンダメージの影響が電子の注入阻止層
２３や感光層２２にあられれ、透明型Ｉｊｉ２４と画素
電極１９間のリーク電流が増したり、残像が増加したり
、青色光の感度が減少したりする。また、３００Ａはど
の薄い透明電極２４では、透明電極被着前の電子の注入
閉止層２３上のゴミ等の影響により、透明電極２４は局
所的に薄いあるいは膜のない部分、即ちピンホールが存
在する。ピンホールがあると、光反射膜２７のエツチン
グ時に電子の注入阻止層２３や感光層２２がエツチング
されて、透明電極２４と画素電極１９間のリーク電流が
増す。
これは固体１像装置の再生画像上で画像欠陥となって、
固体撮像装置の歩留りを低下させる。
固体撮像装置の歩留りを低下させる。
このように従来の光導電体膜を光電変換部として積層し
た積層型固体ｍ像装置では、光導体膜上のオプティカル
・ブラックを形成する時の光導銅層のエツチング時に透
明電極や光導電体膜がエツチングされるため、分光感度
の再現性がなくなったり、画像欠陥が生じる等の問題が
あった。
た積層型固体ｍ像装置では、光導体膜上のオプティカル
・ブラックを形成する時の光導銅層のエツチング時に透
明電極や光導電体膜がエツチングされるため、分光感度
の再現性がなくなったり、画像欠陥が生じる等の問題が
あった。
本発明は上記問題点を考慮してなされたものであり、そ
の目的とする所は、オプティカル・ブラックのための光
反射Ｉｎのエツチング時の透明電極や光導電体膜への影
響を防ぎ分光感度およびその再現性がすぐれ、画像欠陥
のない固体搬像装置を提供する事にある。
の目的とする所は、オプティカル・ブラックのための光
反射Ｉｎのエツチング時の透明電極や光導電体膜への影
響を防ぎ分光感度およびその再現性がすぐれ、画像欠陥
のない固体搬像装置を提供する事にある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の特徴は、光導電体膜積層型の固体撮像装置にお
いて、光導電体験上の光反射膜のエツチングによる透明
電極及び光導電体膜への影響を防ぐために、透明電極と
遮光層の間に保：ｉ層を配設した事にある。
いて、光導電体験上の光反射膜のエツチングによる透明
電極及び光導電体膜への影響を防ぐために、透明電極と
遮光層の間に保：ｉ層を配設した事にある。
即ち、本発明は半導体基板に信号電荷蓄積部と信ｇ電荷
転送部が配列され、最上部に信号電荷蓄積部に電気的に
接続された画素電極が形成された固体暗像素子チップと
、このチップ上に光電変換部として積層された光導電体
膜と、光導電体膜に電圧を印加するための透明電極と、
オプティカル・ブラックのための遮光層とを具備した積
層型固体！１ｉｌａ＋装置において、透明電極と遮光層
との間に透明電極、光導電体膜を保護する保護層を挿入
したことを特徴とする。
転送部が配列され、最上部に信号電荷蓄積部に電気的に
接続された画素電極が形成された固体暗像素子チップと
、このチップ上に光電変換部として積層された光導電体
膜と、光導電体膜に電圧を印加するための透明電極と、
オプティカル・ブラックのための遮光層とを具備した積
層型固体！１ｉｌａ＋装置において、透明電極と遮光層
との間に透明電極、光導電体膜を保護する保護層を挿入
したことを特徴とする。
（作用〉
本発明によれば、透明電極と遮光層との間に透明電極及
び光導電体膜を保護する保護層を配設しているため、遮
光層のエツチング時における透明電極及び光導電体膜へ
のダメージがこの保護層により防止することができる。
び光導電体膜を保護する保護層を配設しているため、遮
光層のエツチング時における透明電極及び光導電体膜へ
のダメージがこの保護層により防止することができる。
（実施例〉
以下本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる積層型ＣＣＤＩ像装
置の概略構成を示す断面図である。ｐ＋型Ｓｉ基板１１
上にｐウェル１２が形成されたウェーハを用いて、イン
ターライン転送型ＣＣＤ１ｌｉｌ像素子チツプ１が構成
されている。即ち、信号電荷を蓄積する蓄積ダイオード
１３がマトリックス状に形成され、蓄積ダイオード１３
の列に隣接してｎ＋型の埋込みチャネルＣＯＤからなる
垂直ＣＣＤ１４が形成されている。１５はチ↑？ネル・
ストッパとしてのｐ＋型層であり、これにより分離され
て同様の構成の蓄積ダイオード列と垂直ｃｃＤの組が繰
返し配列形成される。
置の概略構成を示す断面図である。ｐ＋型Ｓｉ基板１１
上にｐウェル１２が形成されたウェーハを用いて、イン
ターライン転送型ＣＣＤ１ｌｉｌ像素子チツプ１が構成
されている。即ち、信号電荷を蓄積する蓄積ダイオード
１３がマトリックス状に形成され、蓄積ダイオード１３
の列に隣接してｎ＋型の埋込みチャネルＣＯＤからなる
垂直ＣＣＤ１４が形成されている。１５はチ↑？ネル・
ストッパとしてのｐ＋型層であり、これにより分離され
て同様の構成の蓄積ダイオード列と垂直ｃｃＤの組が繰
返し配列形成される。
１６＋ 、 １６２４ｔｌｊｉＣＣＤ １４（７）転送
ケー 膜電極であり、その一部は蓄積ダイオード１３か
らＣＯＤチャネルへの電荷転送ゲート電極を兼ねている
。転送ゲート電極１６１，１６２が形成された基板上は
層間絶縁膜１８＋ 、１８２に覆われ、且つ蓄積ダイオ
ード１３に接続される多結晶シリコン電極１７が形成さ
れて、平坦化されている。
ケー 膜電極であり、その一部は蓄積ダイオード１３か
らＣＯＤチャネルへの電荷転送ゲート電極を兼ねている
。転送ゲート電極１６１，１６２が形成された基板上は
層間絶縁膜１８＋ 、１８２に覆われ、且つ蓄積ダイオ
ード１３に接続される多結晶シリコン電極１７が形成さ
れて、平坦化されている。
第１の層間絶縁膜１８１は例えばｃｖＤにょる５ｉＱ２
膜であり、第２の層間絶縁膜１８２はプラズマＣＶＤに
よるＢＰＳＧｉｌである。この構造は、多結晶シリコン
膜電極１７を各蓄積ダイオード１３上に立てた後、ＢＰ
ＳＧ膜を被着してこれを溶融し、反応性イオンエツチン
グ法で８ＰＳＧ膜をエツチングして多結晶シリコン電極
１７の表面を露出させることで得られる。
膜であり、第２の層間絶縁膜１８２はプラズマＣＶＤに
よるＢＰＳＧｉｌである。この構造は、多結晶シリコン
膜電極１７を各蓄積ダイオード１３上に立てた後、ＢＰ
ＳＧ膜を被着してこれを溶融し、反応性イオンエツチン
グ法で８ＰＳＧ膜をエツチングして多結晶シリコン電極
１７の表面を露出させることで得られる。
このように表面が平坦化されたＣＣＤ撮像索子チップ１
上に、各多結晶シリコン電ｔｉ１７に接続される画素電
極１９が形成されている。
上に、各多結晶シリコン電ｔｉ１７に接続される画素電
極１９が形成されている。
画素電極１９が形成されたチップ基板上には、光導電体
膜２が積層形成される。
膜２が積層形成される。
光導電体膜２は、正孔注入阻止層２１としての＋ 型（
７）ａ −８ｉ Ｃ： ＨＪＩＩ （水素化アモルファ
スシリコン・カーバイド）膜、主として光電変換が行わ
れる感光層２２としての高抵抗のａ−８ｉ：日躾及び電
子注入阻止層２３となるｐ型のａ −８ｉＣ：■膜の３
層構造からなる。これらの膜は、Ｓｉ Ｈ４ガスを主或
かとするガスのグロー放電分解法により形成される。ｉ
型のａ−３ｉｃ：口膜は、暗導電率σＤ〜１０−１４／
ΩｃＩＩｌテ厚さ１００Ａ程度とする。高抵抗ａ−８ｉ
：口膜は、暗導電率σ〜１０−１２／Ωｃｎ＋で光電変
換に必要十分な厚さとする。ρ型ａ−８ｉＣ：Ｈ膜は約
２００Ａ程度とする。このように形成された光導電体膜
２上に透明電極２４として、例えばＩＴＯ電極が形成さ
れている。
７）ａ −８ｉ Ｃ： ＨＪＩＩ （水素化アモルファ
スシリコン・カーバイド）膜、主として光電変換が行わ
れる感光層２２としての高抵抗のａ−８ｉ：日躾及び電
子注入阻止層２３となるｐ型のａ −８ｉＣ：■膜の３
層構造からなる。これらの膜は、Ｓｉ Ｈ４ガスを主或
かとするガスのグロー放電分解法により形成される。ｉ
型のａ−３ｉｃ：口膜は、暗導電率σＤ〜１０−１４／
ΩｃＩＩｌテ厚さ１００Ａ程度とする。高抵抗ａ−８ｉ
：口膜は、暗導電率σ〜１０−１２／Ωｃｎ＋で光電変
換に必要十分な厚さとする。ρ型ａ−８ｉＣ：Ｈ膜は約
２００Ａ程度とする。このように形成された光導電体膜
２上に透明電極２４として、例えばＩＴＯ電極が形成さ
れている。
この透明電極２４上に透明電極２４と光導電体膜２の保
護のために保護１１２５としてａ −８ｉ Ｎ ：口（
水素化アモルファスシリコン・ナイトライド〉膜が形成
される。この上にオプティカル・ブラックの上を覆うよ
うに、遮光層２６が形成される。
護のために保護１１２５としてａ −８ｉ Ｎ ：口（
水素化アモルファスシリコン・ナイトライド〉膜が形成
される。この上にオプティカル・ブラックの上を覆うよ
うに、遮光層２６が形成される。
このように透明電極２４と遮光Ｊｉ２６の間に保護層２
５を挿入する利点について第２図を用いて説明する。
５を挿入する利点について第２図を用いて説明する。
第２図は遮光層の形成の工程を示しており感光１ｉＷ２
２の上部のみを記している。第１図と対応する部分には
同一記号を付して詳細な説明は省略する。第２図（ａ
）は透明電極２４上に保護層２５と遮光！２６のための
光反射膜２７が被着された上にフォトレジストを塗布し
、リソグラフィーにより、オプティカル・ブラック上を
覆う様にフォトレジスト２８が形成される。光反射１１
１２７はたとえばＭＯ，Ｃｒ、Ｔｉ 、Ｔａ、ＡｔＬ、
Ｗ等の金ｍＷｌｎあるいはこれらの金属のシリサイド薄
膜である。光導ｒＪＪＩＩ１２７は十分に遮光するため
５０００Åはどの厚みが必要である。この光反射ｌ！２
７の一部はｗ４２図（社）に示した様に反応性イオンエ
ツチング等により除去され遮光層２６が形成される。
２の上部のみを記している。第１図と対応する部分には
同一記号を付して詳細な説明は省略する。第２図（ａ
）は透明電極２４上に保護層２５と遮光！２６のための
光反射膜２７が被着された上にフォトレジストを塗布し
、リソグラフィーにより、オプティカル・ブラック上を
覆う様にフォトレジスト２８が形成される。光反射１１
１２７はたとえばＭＯ，Ｃｒ、Ｔｉ 、Ｔａ、ＡｔＬ、
Ｗ等の金ｍＷｌｎあるいはこれらの金属のシリサイド薄
膜である。光導ｒＪＪＩＩ１２７は十分に遮光するため
５０００Åはどの厚みが必要である。この光反射ｌ！２
７の一部はｗ４２図（社）に示した様に反応性イオンエ
ツチング等により除去され遮光層２６が形成される。
この場合保護Ｗ！Ｊ２５の一部もエツチングされ除去さ
れるが、保護層２５の厚みを光反射膜２７と同程度とし
ておけば保護層２５のエツチング速度が光反射膜２７よ
りも小さければ、保護層２５は光反射１１２７のエツチ
ング時に消失する事がないため、光導１Ｎ１１２７のエ
ツチング時により透明電極２４と光導電体膜２は露出さ
れる事なく、保護層２５によって保護される。従って従
来構造の積層型固体撮像装置において生じた、光反射膜
２７のエツチング時における透明電極２４のエツチング
による分光感度の再現性の無さや光導電体膜のエツチン
グによる画像欠陥の発生はない。保護層２５の材料とし
ては透明でかつ、光反射ｌｌ１２７のエツチング速度よ
りも小さいエツチング速度を有するものであれば良い。
れるが、保護層２５の厚みを光反射膜２７と同程度とし
ておけば保護層２５のエツチング速度が光反射膜２７よ
りも小さければ、保護層２５は光反射１１２７のエツチ
ング時に消失する事がないため、光導１Ｎ１１２７のエ
ツチング時により透明電極２４と光導電体膜２は露出さ
れる事なく、保護層２５によって保護される。従って従
来構造の積層型固体撮像装置において生じた、光反射膜
２７のエツチング時における透明電極２４のエツチング
による分光感度の再現性の無さや光導電体膜のエツチン
グによる画像欠陥の発生はない。保護層２５の材料とし
ては透明でかつ、光反射ｌｌ１２７のエツチング速度よ
りも小さいエツチング速度を有するものであれば良い。
当然、このエツチング速度は小さければ小さいほど良い
。保護層２５の材料としてはａ−ＳｉＮ：口の他にたと
えばａ −３ｉＯＮ二口（水素化アモルファスオキンナ
イトライド）、ａ−３ｉＣ：口（アモル）７スシリコン
カーバイト）、有機レジストでも良い。
。保護層２５の材料としてはａ−ＳｉＮ：口の他にたと
えばａ −３ｉＯＮ二口（水素化アモルファスオキンナ
イトライド）、ａ−３ｉＣ：口（アモル）７スシリコン
カーバイト）、有機レジストでも良い。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。実施例ではｃｃｏｍ像素子を用いたが、ＭＯＳ型や
ＢＢＤ型纏像素子チップを用いてこれにａ−８ｉ：Ｈ光
導電体膜を積ｗ！Ｊする場合にも、本発明を同様に適用
することができる。さらに、ａ−８ｉ：Ｈ光導電体膜の
製法も、実施例のものに限らず、例えば光励起膜形成法
により形成してもよい。また、光導電体膜はａ−８ｉ：
Ｈ膜が主体であればよく、ａ −８ｉ Ｃ：Ｈ，ａ −
８ｉＧｅ ：Ｈ，ａ −８ｉ Ｎ ：口、 ａ −８ｉ
Ｓｎ ：Ｈ。
い。実施例ではｃｃｏｍ像素子を用いたが、ＭＯＳ型や
ＢＢＤ型纏像素子チップを用いてこれにａ−８ｉ：Ｈ光
導電体膜を積ｗ！Ｊする場合にも、本発明を同様に適用
することができる。さらに、ａ−８ｉ：Ｈ光導電体膜の
製法も、実施例のものに限らず、例えば光励起膜形成法
により形成してもよい。また、光導電体膜はａ−８ｉ：
Ｈ膜が主体であればよく、ａ −８ｉ Ｃ：Ｈ，ａ −
８ｉＧｅ ：Ｈ，ａ −８ｉ Ｎ ：口、 ａ −８ｉ
Ｓｎ ：Ｈ。
更にこれらのＦを含有するものを用いた場合にも本発明
は有効である。また、光電体膜は、３ｉを主体としたも
のでなくともよく、例えば、３ｅ −ＡＳ−Ｔｅ膜（サ
チコン１ｍ） 、 Ｚｎ Ｓｅ −Ｚｎ ＣｄＴｅにュ
ービコン膜）等でもよい。
は有効である。また、光電体膜は、３ｉを主体としたも
のでなくともよく、例えば、３ｅ −ＡＳ−Ｔｅ膜（サ
チコン１ｍ） 、 Ｚｎ Ｓｅ −Ｚｎ ＣｄＴｅにュ
ービコン膜）等でもよい。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、透明電極とオプテ
ィカル・ブラックを形成する遮光層の間に保ｍ層を設け
る事により、遮光層のエツチングの透明電極や光導電体
膜への影響を防ぐ事ができ、゛再現性の良い分光感度を
実現でき、画像欠陥のない、固体撮像装置を提供する事
が出来る。
ィカル・ブラックを形成する遮光層の間に保ｍ層を設け
る事により、遮光層のエツチングの透明電極や光導電体
膜への影響を防ぐ事ができ、゛再現性の良い分光感度を
実現でき、画像欠陥のない、固体撮像装置を提供する事
が出来る。
第１図は本発明の一実施例に係わるｖ４層型ＣＣＤ戯像
装置の概略構造を示す断面図である。 第２図は本発明実施例において、遮光層を形成する場合
の工程を示す断面図である。 第３図は従来の積層型ｃｃｏｍ像装置の概略構造を示す
断面図である。 第４図は第３図に示した従来装置において、遮光層を形
成する場合の工程を示す断面図である。 １・・・ｃｃｏｍ像素子チップ ２・・・光導電体膜 １１・・・ｐ＋型Ｓｉ基板 １２・・・ｐウェル１３・
・・蓄積ダイオード １４・・・垂直Ｃ０Ｄ１５・・・
ｐ＋型店 １６１．１６２・・・転送ゲート電極 １７・・・ｎ＋型多結晶シリコン電極 １８＋ 、１８２・・・層間絶縁膜 １９・・・画素電極 ２１・・・正孔の注入阻止
層２２・・・感光層 ２４・・・透明電極 ２６・・・遮光層 ２８・・・フォトレジスト ２３・・・電子の注入阻止層 ２５・・・保護層 ２７・・・光導！８膜
装置の概略構造を示す断面図である。 第２図は本発明実施例において、遮光層を形成する場合
の工程を示す断面図である。 第３図は従来の積層型ｃｃｏｍ像装置の概略構造を示す
断面図である。 第４図は第３図に示した従来装置において、遮光層を形
成する場合の工程を示す断面図である。 １・・・ｃｃｏｍ像素子チップ ２・・・光導電体膜 １１・・・ｐ＋型Ｓｉ基板 １２・・・ｐウェル１３・
・・蓄積ダイオード １４・・・垂直Ｃ０Ｄ１５・・・
ｐ＋型店 １６１．１６２・・・転送ゲート電極 １７・・・ｎ＋型多結晶シリコン電極 １８＋ 、１８２・・・層間絶縁膜 １９・・・画素電極 ２１・・・正孔の注入阻止
層２２・・・感光層 ２４・・・透明電極 ２６・・・遮光層 ２８・・・フォトレジスト ２３・・・電子の注入阻止層 ２５・・・保護層 ２７・・・光導！８膜
Claims (4)
- （１）半導体基板に信号電荷蓄積部と信号電荷転送部が
配列され、最上部に信号電荷蓄積部に電気的に接続され
た画素電極が形成された固体撮像素子チップと、このチ
ップ上に光電変換部として積層された光導電体膜と、光
導電体膜に電圧を印加するための透明電極と、オプティ
カル・ブラックのための遮光層とを具備した積層型固体
撮像装置において、透明電極と遮光層との間に透明電極
、光導電体膜を保護する保護層を配設したことを特徴と
する固体撮像装置。 - （２）前記光導電体膜が水素化アモルファスシリコンを
主体とした非晶質半導体であることを特徴とする請求項
１記載の固体撮像装置。 - （３）前記遮光層が金属あるいは金属シリサイド膜から
なること特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。 - （４）前記保護層がａ−ＳｉＮ：Ｈあるいはａ−ＳｉＮ
：Ｏ：Ｈあるいは有機レジストからなることを特徴とす
る請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194332A JP2856774B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194332A JP2856774B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360157A true JPH0360157A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2856774B2 JP2856774B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=16322829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1194332A Expired - Fee Related JP2856774B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856774B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990059141A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-26 | 오상수 | 차량용 스티어링 칼럼의 충격 흡수구조 |
| KR20080002251A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | 한국델파이주식회사 | 자동차용 스티어링 칼럼의 충격 흡수 구조 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1194332A patent/JP2856774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990059141A (ko) * | 1997-12-30 | 1999-07-26 | 오상수 | 차량용 스티어링 칼럼의 충격 흡수구조 |
| KR20080002251A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | 한국델파이주식회사 | 자동차용 스티어링 칼럼의 충격 흡수 구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2856774B2 (ja) | 1999-02-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |