JPH0359900A - Semiconductor memory element - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 235000008529 Ziziphus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000126002 Ziziphus vulgaris Species 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は半導体集積回路に関し、特に複数のクロック入
力を有するRAM回路の性能測定に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and more particularly to performance measurement of RAM circuits having multiple clock inputs.
[従来の技術]
一般に、半導体メモリ素子の特性を測定する場合、特に
高速のRAM回路のAC特性を測定する場合には、試験
装置(テスタ)からのテスト信号の時間的ずれ(スキュ
ー)を正確に設定値と合わせる必要がある。この際、テ
スタ自身でもある精度の範囲内で合わせることができる
が、実用上は被測定素子がテスタとインタフェースをと
る所(コンタクトピン)で実際に出力されているテスタ
からのテスト信号をオシログラフ等で観測し、スキュー
合わせを行っていた。[Prior Art] In general, when measuring the characteristics of semiconductor memory elements, especially when measuring the AC characteristics of high-speed RAM circuits, it is necessary to accurately measure the time skew of test signals from a tester (tester). It is necessary to match the setting value. At this time, the tester itself can match within a certain accuracy range, but in practice, the test signal from the tester that is actually output at the point where the device under test interfaces with the tester (contact pin) is used as an oscilloscope. etc., and skew adjustment was performed.
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の半導体メモリ素子においては、テスタの
スキュー合わせを行うときにオシログラフ等を必要とし
、オシログラフプローブぶをコンタクトピンに直接接触
させて波形を観測する必要がある。しかしながら、近年
、素子の多ビン化によってコンタクトとピン間の間隔も
狭くなっており、プローブの先端を特定のコンタクトと
ビンにのみ接触させることは困難になりつつある。また
コンタクトビンの破損やオシログラフの準備という問題
もある。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional semiconductor memory device described above, an oscillograph or the like is required when skewing the tester, and the waveform is observed by directly contacting the oscillograph probe with the contact pin. There is a need. However, in recent years, with the increase in the number of bins in devices, the spacing between contacts and pins has become narrower, and it has become difficult to bring the tip of the probe into contact with only specific contacts and bins. There are also problems with contact bottle breakage and oscillograph preparation.
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたものでオシログ
ラフ等を用いずにタイミング測定を行うことができる半
導体メモリ素子を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor memory element that can perform timing measurement without using an oscilloscope or the like.
[発明の従来技術に対する相違点]
上述した従来の半導体メモリ素子に対し、本発明はメモ
リ素子内のクロック信号を観測するための出力回路を設
けているという相違点を有する。[Differences between the Invention and the Prior Art] The present invention differs from the conventional semiconductor memory device described above in that it is provided with an output circuit for observing a clock signal within the memory device.
〔課題を解決するための手段]
本発明の半導体メモリ素子は、第1および第2のクロッ
ク入力端子と、前記第1のクロック入力端子からの入力
によりデータがセットされるレジスタをアドレスにリー
クとすると共に前記第2のクロック入力端子からの入力
により書き込みパルスが生成されるRAM回路を備えた
半導体メモリ素子において、前期第1および第2のクロ
ック入力端子からの入力波形をモニタするためのモニタ
出力端−子を有し、前期第1のクロック入力端子から前
期モニタ出力端子までの信号の伝播時間と前期第2のク
ロック入力端子から前期モニタ出力端子までの信号の伝
播時間を等しく構成したことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A semiconductor memory device of the present invention has first and second clock input terminals, and a register in which data is set by input from the first clock input terminal, so as to prevent address leakage. and a monitor output for monitoring input waveforms from the first and second clock input terminals in a semiconductor memory device including a RAM circuit in which a write pulse is generated by input from the second clock input terminal. terminal, and the propagation time of the signal from the first clock input terminal to the monitor output terminal of the first half is equal to the propagation time of the signal from the second clock input terminal of the first half to the monitor output terminal of the first half. Features.
[実施例コ
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。ク
ロック入力端子1から入力されたクロック信号(クロッ
クAとする)は線】01、ゲート回路9、線105、ク
ロックトライバ11、線109を経由してアドレスレジ
スタ13およびリードデータレジスタ16に送出される
。また、クロック入力端子2から入力されたクロック信
号(クロックBとする)は線102、ゲート回路10、
線107を通って書き込みパルス生成回路12に送出さ
れる。ライトイネーブル入力端子3からはライトイネー
ブル信号が入力され、線103を通って書き込みパルス
生成回路12に送出される。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. A clock signal (referred to as clock A) input from clock input terminal 1 is sent to address register 13 and read data register 16 via line 01, gate circuit 9, line 105, clock driver 11, and line 109. Ru. Further, a clock signal (referred to as clock B) inputted from the clock input terminal 2 is connected to a line 102, a gate circuit 10,
It is sent to the write pulse generation circuit 12 through line 107. A write enable signal is input from the write enable input terminal 3 and sent to the write pulse generation circuit 12 through a line 103.
書き込みパルス生成回路12は前期クロック入力Bおよ
びライトイネーブル信号により書き込みパルスを生成す
る。The write pulse generation circuit 12 generates a write pulse based on the first clock input B and the write enable signal.
この時の動作は、第2図に示すように、ライトイネーブ
ル信号が値「1」の時に、クロック入力端子2からのク
ロックBの立ち下がりエツジによって所定のタイミング
の書き込みパルスを発生する。書き込みパルスは線11
0を通ってRAM回路14に送出する。RAM回路14
のアドレスはアドレス入力端子5から入力され、線11
1を通ってアドレスレジスタ13に送出される。アドレ
スレジスタ13は線109により入力されるクロックA
によってアドレスをセットし、線112からRAM回路
14に送出する。RAM回路14は読み出し時にζよ線
112からの7ドレス信号を受けてアドレスに対応する
読み出しデータを線114から送出する。読み出しデー
タレジスタ16は、線109からのクロックAによって
、線114から送出された読み出しデータをセットし、
線115を通って読み出しデータ出力8に送出する。ま
た、書き込み時には書き込みパルス生成回路12で生成
された書き込みパルスが線110からRAM回路14に
入力されて、線112より入力されているアドレスに対
してデータの書き込みを行う。In this operation, as shown in FIG. 2, when the write enable signal has a value of "1", a write pulse is generated at a predetermined timing in response to the falling edge of the clock B from the clock input terminal 2. The write pulse is line 11
0 to the RAM circuit 14. RAM circuit 14
The address of is input from the address input terminal 5, and the address of
1 and is sent to the address register 13. Address register 13 receives clock A input via line 109.
sets the address by and sends it to the RAM circuit 14 on line 112. At the time of reading, the RAM circuit 14 receives the 7 address signal from the ζ line 112 and sends read data corresponding to the address from the line 114. Read data register 16 sets read data sent out on line 114 by clock A from line 109;
It is sent to read data output 8 through line 115. Further, during writing, a write pulse generated by the write pulse generation circuit 12 is inputted to the RAM circuit 14 from the line 110, and data is written to the address inputted from the line 112.
この時の書き込みデータは書き込みデータ入力6から線
113を通ってRAM回路14に入力される。The write data at this time is input to the RAM circuit 14 from the write data input 6 through the line 113.
ゲート回路9の出力(クロックA)およびゲート回路1
0の出力(クロックB)はそれぞれ線106および線1
08によってセレクタ16に接続されている。セレクタ
15には切換信号入力端子4からの切換信号が線104
によって入力されており、切換信号の値「0」または値
「1」によって線106または線10Bのどちらか一方
が選択され、線116からモニタ出力端子7に送出され
る。ここで、クロック入力端子1からモニタ出力端子7
に至る径路と、クロック入力端子2からモニタ出力端子
7に至る径路の信号の伝播時間が等しくなるように線1
01と線102および線106と線108はそれぞれ等
長に配線されている。Output of gate circuit 9 (clock A) and gate circuit 1
The output of 0 (clock B) is connected to line 106 and line 1, respectively.
08 to the selector 16. The selector 15 receives the switching signal from the switching signal input terminal 4 via the line 104.
Either the line 106 or the line 10B is selected depending on the value "0" or "1" of the switching signal, and the signal is sent from the line 116 to the monitor output terminal 7. Here, from clock input terminal 1 to monitor output terminal 7
The line 1 is arranged so that the signal propagation time of the path from the clock input terminal 2 to the monitor output terminal 7 is equal to that of the path from the clock input terminal 2 to the monitor output terminal 7.
01 and the line 102 and the line 106 and the line 108 are wired to have the same length, respectively.
以上のような構成の本発明の一実施例の動作をさらに詳
細に説明する。通常は、例えば第2図に示すようなタイ
ミングでアドレスセットアツプタイム(t 5A)を専
用の試験装置(テスタ)を用いて測定する。本実施例で
は、クロック入力端子にクロックAが入力されてからり
aツク入力端子2にクロックBが入力されるまでの時間
をtSAとする。tSAを精度よく測定するにはクロッ
クAとクロックBのタイミングを精度良く知る必要があ
る(ただし、2つのクロック間の差分のみでよい)。The operation of one embodiment of the present invention having the above configuration will be described in further detail. Usually, the address set-up time (t5A) is measured using a dedicated tester (tester) at the timing shown in FIG. 2, for example. In this embodiment, the time from when clock A is input to the clock input terminal to when clock B is input to clock input terminal 2 is defined as tSA. To accurately measure tSA, it is necessary to accurately know the timing of clock A and clock B (however, only the difference between the two clocks is sufficient).
このために、モニタ端子7を利用する。すなわち、ある
タイミング(例えば、クロックAを5 N S。For this purpose, monitor terminal 7 is used. That is, at a certain timing (for example, clock A is set to 5 NS).
クロックBを7NS)を設定し、クロック入力端子1か
らモニタ出力端子7に至る信号の伝播時間(T1)をテ
スタを用いて測定する。同様にクロック入力端子2から
モニタ出力端子7に至る信号の伝播時間(T2)を測定
する。先に説明したように、クロック入力端子1からモ
ニタ出力端子7への径路とクロック入力端子2からモニ
タ出力端子7への径路の信号の伝播時間は等しいので、
T2−TIは設定タイミングの差分(この例では7NS
−5NS=2NS)と等しい。従って、テスタを含む測
定系のタイミングが正確にあっていれば、測定値はT2
−T 1=2NSとなるはずであり、測定したtsAO
値が真のtSAと等しい。もし、ここで、テスタを含む
測定系のタイミングがずれていて、例えば、T2−TI
=1.8NSであるとすれば、真のtsA値は2NS−
1,8NS=0゜2NSだけ測定値からずれていること
になる。よって、真のtsAの値は測定したtSA値+
0.2NSで求められる。尚、アドレスホールドタイム
(t )IA)に間しても同様にして求めることができ
る。The clock B is set to 7NS), and the propagation time (T1) of the signal from the clock input terminal 1 to the monitor output terminal 7 is measured using a tester. Similarly, the propagation time (T2) of the signal from the clock input terminal 2 to the monitor output terminal 7 is measured. As explained earlier, the signal propagation time of the path from clock input terminal 1 to monitor output terminal 7 and the path from clock input terminal 2 to monitor output terminal 7 are equal, so
T2-TI is the difference in setting timing (7NS in this example)
-5NS=2NS). Therefore, if the timing of the measurement system including the tester is accurate, the measured value will be T2.
-T 1 = 2NS, and the measured tsAO
The value is equal to the true tSA. If the timing of the measurement system including the tester is off, for example, T2-TI
= 1.8NS, the true tsA value is 2NS-
This means that the value deviates from the measured value by 1,8NS=0°2NS. Therefore, the true tsA value is the measured tSA value +
It is determined by 0.2NS. Note that the address hold time (t) (IA) can also be determined in the same manner.
尚、セレクタ15の切換信号入力端子4を入力端子とせ
ず、シフトパスて値が設定可能なフリップフロップを用
いることができる。この場合は信号端子が1ビン少なく
てすむという利点がある。Note that instead of using the switching signal input terminal 4 of the selector 15 as an input terminal, a flip-flop whose value can be set using a shift path can be used. In this case, there is an advantage that the number of signal terminals is reduced by one bin.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明はクロックAとクロックB
の2つのクロック入力を有するRAM回路において、タ
イミングの差分を観測できるモニタ端子を有することに
より、オシログラフ等を用いずにテスタのみで正確な書
き込み時のタイミング(tSA、 tHA等)を測定
することができる。尚、オシログラフを併用すればモニ
タ出力を観測することにより(コンタクトビン上でなく
てよい)、クロック間のタイミングスキューを正確に合
わせることもてきる。[Effect of the invention] As explained above, the present invention provides clock A and clock B.
In a RAM circuit that has two clock inputs, by having a monitor terminal that can observe the difference in timing, it is possible to accurately measure write timing (tSA, tHA, etc.) using only a tester without using an oscilloscope. I can do it. Additionally, if an oscilloscope is used in combination, the timing skew between clocks can be accurately adjusted by observing the monitor output (not necessarily on the contact bin).
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図におけるRAM回路の書き込みタイミング測定時
のタイミングを示す図である。
1.2・・・・・・・クロック入力端子、7・・・・・
・・・・モニタ出力端子、9、】O・・・・・・ゲート
回路、
11・・・・・・・・クロックトライバ、12・・・・
・・・・書き込みパルス生成回路、13・・・・・・・
・アドレスレジスタ、14・・◆・・・・・RAM回路
、
15・・・・・・・・セレクタ、
16・・・・・・・・リードデータレジスタ。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the timing when measuring the write timing of the RAM circuit in FIG. 1. 1.2... Clock input terminal, 7...
...Monitor output terminal, 9,]O...Gate circuit, 11...Clock driver, 12...
...Write pulse generation circuit, 13...
・Address register, 14...◆...RAM circuit, 15...Selector, 16...Read data register.
Claims (1)
ロック入力端子からの入力によりデータがセットされる
レジスタをアドレス入力とすると共に前記第2のクロッ
ク入力端子からの入力により書き込みパルスが生成され
るRAM回路を備えた半導体メモリ素子において、前期
第1および第2のクロック入力端子からの入力波形をモ
ニタするためのモニタ出力端子を有し、前期第1のクロ
ック入力端子から前期モニタ出力端子までの信号の伝播
時間と前期第2のクロック入力端子から前期モニタ出力
端子までの信号の伝播時間を等しく構成したことを特徴
とする半導体メモリ素子。First and second clock input terminals and a register in which data is set by the input from the first clock input terminal are used as address inputs, and a write pulse is generated by the input from the second clock input terminal. A semiconductor memory device equipped with a RAM circuit that has a monitor output terminal for monitoring input waveforms from the first and second clock input terminals, and has a monitor output terminal for monitoring input waveforms from the first and second clock input terminals. A semiconductor memory device characterized in that the propagation time of a signal from the second clock input terminal to the monitor output terminal is equal to the propagation time of the signal from the second clock input terminal to the monitor output terminal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1194785A JPH0359900A (en) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | Semiconductor memory element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1194785A JPH0359900A (en) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | Semiconductor memory element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0359900A true JPH0359900A (en) | 1991-03-14 |
Family
ID=16330223
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1194785A Pending JPH0359900A (en) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | Semiconductor memory element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0359900A (en) |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP1194785A patent/JPH0359900A/en active Pending
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