JPH02285600A - Semiconductor memory device - Google Patents
Semiconductor memory deviceInfo
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- JPH02285600A JPH02285600A JP1108311A JP10831189A JPH02285600A JP H02285600 A JPH02285600 A JP H02285600A JP 1108311 A JP1108311 A JP 1108311A JP 10831189 A JP10831189 A JP 10831189A JP H02285600 A JPH02285600 A JP H02285600A
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- terminal
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
[従来の技術]
一般に半導体メモリ装置の特性を測定する場合特に高速
のRAM回路のアドレスアクセスタイム(tAA)測定
においては試験装置(テスタ)からのテスト信号の時間
的ずれ(スキュー)を性格に設定値と合わせる必要があ
る。この際、テスタ自身でもある精度の範囲内で合わせ
ることができるが、実用上は非測定装置がテスタとイン
タフェースをとるところ(コンタクトビン)で実際に出
力されているテスタからのテスト信号をオシログラフ等
で観測し、スキュー合わせを行っていた。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] [Prior Art] In general, when measuring the characteristics of semiconductor memory devices, especially when measuring the address access time (tAA) of high-speed RAM circuits, it is common to use a tester. It is necessary to properly match the time skew of the test signal with the set value. At this time, the tester itself can match the accuracy within a certain range, but in practice, the test signal from the tester that is actually output is used as an oscilloscope at the point where the non-measuring device interfaces with the tester (contact bin). etc., and skew adjustment was performed.
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来の半導体メモリ装置においては、テスタの
スキュー合わせを行うときにオシログラフ等を必要とし
、オシログラフのプローブをテスタのコンタクトピンに
直接接触させて波形を観測する必要がある。近年装置の
多ビン化によってコンタクトビン間の間隔も狭くなって
おり、ブローフの先端を特定のコンタクトピンにのみ接
触させることは困難になっている。またコンタクトピン
の破損という問題もある。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional semiconductor memory device described above, an oscillograph or the like is required when performing skew adjustment of the tester, and the probe of the oscillograph is brought into direct contact with the contact pin of the tester to measure the waveform. It is necessary to observe. In recent years, with the increase in the number of bins in devices, the spacing between contact bins has become narrower, making it difficult to bring the tip of the broach into contact with only a specific contact pin. There is also the problem of damage to the contact pins.
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、オシロ
グラフ等を用いずに正確なアドレスアクセスタイムを測
定することができる半導体メモリ装置を提供することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor memory device that can accurately measure address access time without using an oscilloscope or the like.
[発明の従来技術に対する相違点コ
上述した従来の半導体メモリ装置に対し、本発明はメモ
リ装置内のクロック信号を観測するための出力端子を設
けているという相違点を有する。[Differences between the present invention and the prior art] The present invention differs from the conventional semiconductor memory device described above in that it is provided with an output terminal for observing a clock signal within the memory device.
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体メモリ装置は、第1及び第2のクロック
入力端子を備え、前記第1のクロックにより入力データ
がセットされるレジスタをアドレス入力とし、前記第2
のクロックによリセットされるレジスタから読み出しデ
ータを出力するRAM回路を備えた半導体メモリ装置に
おいて、前記第1及び第2のクロックの波形をモニタす
るためのモニタ出力端子を有し、かつ、前記第1のクロ
ック入力端子から前記モニタ出力端子までの信号経路の
遅延時間と、前記第2のクロック入力端子から前記モニ
タ出力端子までの信号経路の遅延時間とを等しく設定し
たことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A semiconductor memory device of the present invention includes first and second clock input terminals, a register to which input data is set by the first clock is used as an address input, and the second
a semiconductor memory device comprising a RAM circuit that outputs read data from a register reset by a clock, the semiconductor memory device having a monitor output terminal for monitoring waveforms of the first and second clocks; The delay time of the signal path from the first clock input terminal to the monitor output terminal and the delay time of the signal path from the second clock input terminal to the monitor output terminal are set to be equal.
[実施例コ
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。[Embodiment] Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。ク
ロック入力端子]から入力されたアドレスクロック信号
は、線101→ゲート回路8→線103→クロックトラ
イバ10→線108を経由して、アドレスレジスタ12
に接続されている。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. The address clock signal input from the clock input terminal is sent to the address register 12 via the line 101 → gate circuit 8 → line 103 → clock driver 10 → line 108.
It is connected to the.
またクロック入力端子2から入力されたデータクロック
信号も同様に、線102→ゲート回路9→線105→ク
ロックトライバ11→線109を経由して、データレジ
スタ13に接続されている。Similarly, the data clock signal input from the clock input terminal 2 is connected to the data register 13 via the line 102 → gate circuit 9 → line 105 → clock driver 11 → line 109.
RAM回路14のアドレスはアドレス入力端子4から入
力され、線110によりアドレスレジスタ12に接続さ
れている。線108よりアドレスクロック信号がアドレ
スレジスタ12にセットされ、端子4から取り込まれた
アドレスは線112によってRAM回路14に送出され
る。The address of the RAM circuit 14 is input from the address input terminal 4 and is connected to the address register 12 by a line 110. An address clock signal is set in the address register 12 via line 108, and the address fetched from terminal 4 is sent to RAM circuit 14 via line 112.
一方、書き込みデータ、書き込みパルス、書き込み禁止
信号等のアドレス以外の入力は入力端子5から線111
を経由してRAM回路14に直接送出される。RAM回
路14から送出される出力データは、線113→データ
レジスタ13→線115と経由して、データ出力端子7
に接続されている。データレジスタ13に送出された読
み出しデータは、線109からのデータクロック信号に
より取り込まれ、データ出力端子7より送出される。ま
た、ゲート回路8及び9に入力されているクロック信号
は線104及び線106を経由してセレクタ15に接続
されている。セレクタ15には切換信号3が線107を
経由して入力されており、切換信号3の値「0」または
「1」により線104または線106のどちらか一方が
選択され、線114を経由してモニタ出力端子6から出
力される。On the other hand, inputs other than addresses such as write data, write pulses, write inhibit signals, etc. are sent from input terminal 5 to line 111.
The data is sent directly to the RAM circuit 14 via. The output data sent from the RAM circuit 14 is sent to the data output terminal 7 via a line 113 → data register 13 → line 115.
It is connected to the. The read data sent to the data register 13 is taken in by the data clock signal from the line 109 and sent out from the data output terminal 7. Further, the clock signals input to the gate circuits 8 and 9 are connected to the selector 15 via a line 104 and a line 106. The switching signal 3 is input to the selector 15 via the line 107, and either the line 104 or the line 106 is selected depending on the value "0" or "1" of the switching signal 3, and the signal is input via the line 114. and is output from the monitor output terminal 6.
またクロック入力端子1からモニタ出力端子6に至る経
路と、クロック入力端子2からモニタ出力端子6に至る
経路は遅延時間が等しくなるように、線101と線10
2及び線104と線106はそれぞれ等長になっている
。In addition, the line 101 and the line 10 are connected so that the delay time of the path from the clock input terminal 1 to the monitor output terminal 6 and the path from the clock input terminal 2 to the monitor output terminal 6 are equal.
2, and the lines 104 and 106 are each of equal length.
以上のような構成で、本発明の一実施例の動作を更に詳
細に説明する。通常は、例えば第2図に示すようなタイ
ミングでアドレスアクセスタイム(tAA)を専用の試
験装置(テスタ)を用いて測定する。ここでは、クロッ
ク入力端子1にアドレスクロックが入力されてから、ク
ロック入力端子2にデータクロックが入力されるまでの
最小時間をアドレスアクセスタイムtAAとする。この
tAAを精度良く測定するにはアドレスクロックとデー
タクロックのタイミングを精度良く知る必要がある(た
だし、2つのクロック間の差分のみてよい)。このため
にモニタ端子6を利用する。With the above configuration, the operation of an embodiment of the present invention will be described in more detail. Usually, the address access time (tAA) is measured using a dedicated test device (tester) at the timing shown in FIG. 2, for example. Here, the minimum time from when the address clock is input to clock input terminal 1 to when the data clock is input to clock input terminal 2 is defined as address access time tAA. To accurately measure tAA, it is necessary to accurately know the timing of the address clock and data clock (however, only the difference between the two clocks may be used). For this purpose, monitor terminal 6 is used.
すなわちあるタイミンク(例えはアドレスクロックを5
NS、データクロックを8NS)を設定し、クロック入
力端子1からモニタ出力端子6に至る遅延時間(T1)
をテスタで測定する。次に同様にクロック入力端子2か
らモニタ出力端子6に至る遅延時間(T2)を測定する
。ここで、さきに説明したように、クロック入力端子1
→モニタ出力端子6の経路と、クロック入力端子2→モ
ニタ出力端子6の経路の遅延時間は等しいので、T2T
1は設定タイミングの差分(この例では8NS−5NS
=3NS)と等しい。すなわち、テスタを含む測定系の
タイミングが正確にあっていれはT2−T1=3NSと
なるはずである。この場合は測定したtAAが真のtA
Aと等しい。尚、もしタイミングがずれていて例えばT
2−’r 1 =2.8NSであるとすれば、実際は設
定値より0゜2NS速いことになる。よって(真のtA
A)=(測定したtAA)−(0,2NS)で求められ
尚、第1図においてセレクタ15の切換信号3を入力端
子とせず、シフトパスて値が設定可能なフリップフロッ
プを用いることもできる。この場合には、信号端子が1
ピン少なくてすむという利点がある。In other words, at a certain timing (for example, if the address clock is
NS, data clock is set to 8NS), and the delay time (T1) from clock input terminal 1 to monitor output terminal 6 is set.
Measure with a tester. Next, the delay time (T2) from the clock input terminal 2 to the monitor output terminal 6 is similarly measured. Here, as explained earlier, clock input terminal 1
→ Since the delay time of the path of monitor output terminal 6 and the path of clock input terminal 2 → monitor output terminal 6 is equal, T2T
1 is the difference in setting timing (8NS-5NS in this example)
=3NS). That is, if the timing of the measurement system including the tester is accurate, T2-T1 should be 3NS. In this case, the measured tAA is the true tA
Equal to A. In addition, if the timing is off, for example, T
If 2-'r 1 =2.8NS, then the actual speed is 0°2NS faster than the set value. Therefore (true tA
A)=(measured tAA)-(0,2NS) Note that instead of using the switching signal 3 of the selector 15 as an input terminal in FIG. 1, a flip-flop whose value can be set using a shift path can also be used. In this case, the signal terminal is 1
It has the advantage of requiring fewer pins.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明はアドレスクロックとデー
タクロックの2つのクロック入力を有するRAM回路に
おいて、2つのクロックのタイミングの差分を観測でき
るモニタ端子を設けることによってオシログラフ等を用
いずに、テスタのみて正確なアドレスアクセスタイムt
AAを測定することができる。そして更に、オシログラ
フを併用してモニタ出力を観測することにより(コンタ
クトピン上でなくてよい)、クロック間のタイミングス
キューを正確に合わせることもてきる。[Effects of the Invention] As explained above, the present invention provides a RAM circuit that has two clock inputs, an address clock and a data clock, by providing a monitor terminal that can observe the difference in timing between the two clocks, thereby making it possible to use an oscilloscope, etc. Accurate address access time t using a tester without using
AA can be measured. Furthermore, by observing the monitor output using an oscilloscope (not necessarily on the contact pin), it is possible to accurately match the timing skew between clocks.
第1図は本発明の一実施例に係る半導体メモリ装置を示
すブロック図、第2図は第1図におけるRAM回路のt
AA測定時のタイミングを表す図である。
1・・
2φ・
6・・
8.9
10゜
12・
13・
14弗
15φ
アドレスクロック入力端子、
データクロック入力端子、
モニタ出力端子、
ゲート回路、
クロックトライバ、
アドレスレジスタ、
データレジスタ、
RAM回路、
セレクタ。
特許出願人 日本電気株式会社FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram of a RAM circuit in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing timing during AA measurement. 1...2φ・6...8.9 10゜12・13・1415φ Address clock input terminal, data clock input terminal, monitor output terminal, gate circuit, clock driver, address register, data register, RAM circuit, selector. Patent applicant: NEC Corporation
Claims (1)
ロックにより入力データがセットされるレジスタをアド
レス入力とし、前記第2のクロックによリセットされる
レジスタから読み出しデータを出力するRAM回路を備
えた半導体メモリ装置において、前記第1及び第2のク
ロックの波形をモニタするためのモニタ出力端子を有し
、かつ、前記第1のクロック入力端子から前記モニタ出
力端子までの信号経路の遅延時間と、前記第2のクロッ
ク入力端子から前記モニタ出力端子までの信号経路の遅
延時間とを等しく設定したことを特徴とする半導体メモ
リ装置。A RAM circuit is provided with first and second clock input terminals, uses a register to which input data is set by the first clock as an address input, and outputs read data from the register which is reset by the second clock. A semiconductor memory device comprising a monitor output terminal for monitoring waveforms of the first and second clocks, and a delay time of a signal path from the first clock input terminal to the monitor output terminal. and a delay time of a signal path from the second clock input terminal to the monitor output terminal are set to be equal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1108311A JPH02285600A (en) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1108311A JPH02285600A (en) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | Semiconductor memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02285600A true JPH02285600A (en) | 1990-11-22 |
Family
ID=14481496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1108311A Pending JPH02285600A (en) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | Semiconductor memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02285600A (en) |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP1108311A patent/JPH02285600A/en active Pending
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