JPH0358506A - 周波数変換器 - Google Patents

周波数変換器

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Publication number
JPH0358506A
JPH0358506A JP19495789A JP19495789A JPH0358506A JP H0358506 A JPH0358506 A JP H0358506A JP 19495789 A JP19495789 A JP 19495789A JP 19495789 A JP19495789 A JP 19495789A JP H0358506 A JPH0358506 A JP H0358506A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
voltage
signal
local
frequency
Prior art date
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Pending
Application number
JP19495789A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Kushiyama
櫛山 寿夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0358506A publication Critical patent/JPH0358506A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は周波数変換器に関する。
〔従来の技術〕
周波数変換器(以下ミキサと云う)は高周波信号の周波
数を局発信号の周波数と混合して中間周波数(IF)に
変換するが、回路は従来デュアルゲートの電界効果トラ
ンジスタ(FET)により構或されていた。
第3図は従来のミキサの一例の回路図である。
第4図においてQ.,Q2はデュアルゲー}FETにな
っており% QlのソースとQ2のドレインは共通にな
っている。Q3は定電流源でQ1のソースよりQ2と並
列に接続している。
ここでQ2は線形領域にバイアスされており、ゲート電
圧■。の変化に対して第4図に示す様にインピーダンス
が変化する様になっている。
またQ,はQ1のgmを上げるための定電流源となって
いる。
この様に構或された回路において高周波入力端子T1に
高周波信号S,を入力し、局発信号入力端子TLから大
振幅の局発信号SLを入力すると、Q1で増幅された高
周波信号は% Qlのインピーダンスが局発信号SLの
周波数に合わせて変化するため、局発周波数でSwit
chingされる事になる。
その結果出力端子T0からIF信号を出力する事ができ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の周波数変換器は、電界効果トランジスタ
がデュアルゲートFETの構或となっている。
この場合混合が可能な状態にすべくトランジスタQ1と
Q2のバイアス電圧■。S+VGSをそれぞれ設定しな
くてはならないが、デュアルゲート構造のため一意的に
決められず、バイアスの設定が非常に微妙である。
また全体の回路電流(負荷抵抗に流れる電流)が変化し
た場合、それぞれのFETに必要な電圧あるいはゲート
電位を設定できなくなり、IF信号が出力しなくなると
いう欠点があった。
また、それぞれのFETにゲート電圧を供給しなくては
ならず、準備すべき電源が多くなるという欠点があった
〔課題を解決するための手段〕
本発明の周波数変換器は、ゲートに高周波信号を入力し
ドレインが負荷抵抗を介して高圧電源に接続する電界効
果トランジスタと、アノ一ドが前記電界効果のトランジ
スタのソースとまたカソードが局発信号を入力する順方
向にバイアスされたダイオードとを有し、前記電界効果
トランジスタばシ の前記ドレイン中間周波数信号を出力して構成されてい
る。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
ミキサは電界効果トランジスタQ1のソースと局発信号
入力端子TLの間のダイオードDが第3図のトランジス
タQ2に置換えられソース電源端Tsを除去したことが
異る点以外は従来のミキサと同様である。
すなわち、トランジスタQ+のソースからはダイオード
DがトランジスタQ,と並列に接続されている。
ダイオードDのアノード・カソード間の電圧VDは、ダ
イオードDの立ち上り電圧■。付近になる様に抵抗R2
を介してバイアスされている。
局発信号入力端子TLより局発信号S,を入力すると、
アノードとカソード間の電圧■。が局発周波数で変化す
るが、もともと立ち上り電圧付近にバイアスされている
ため、第2図に示すように局発周波数に合わせてダイオ
ードDはオン・オフをする。
従ってトランジスタQ1のソース抵抗は局発周波数で変
化することになり、出力端子T0から工F信号を出力す
ることができる。
ここで本発明は非線形性を得るためにダイオードを用い
ており、2端子素子であるのでFETの様に■。Sr 
VC+3の両方のバイアス電圧を考える必要がなく、さ
らにデュアルゲー}FET構或になっていないためバイ
アス設計を簡単にできる。
本実施例は一人力のブロックについて説明したが、電源
端子TDと負荷抵抗RLとIF信号出力端子T0を共用
としてもう一組のミキサを接続してミキサ対を構或する
こともできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ダイオードを用いる事に
より、簡単にミキサを構成することができる効果がある
また本発明によりFETo時必要であったゲート電圧を
決めるための電源が不用となるためMMIC化の時に有
利である。
さらに本発明の非直線性はダイオードの立ち上りを利用
しておりFETの場合に比べて小さい電圧変動で大きな
インピーダンス変化を得る事ができる。
つまり局発信号レベルが低くても動作するという特徴が
あり、この事はコンバータ構或を考える上で局部発振器
の規格を下げる事ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第l図は本発明の一実施例の回路図、第2図は第1図の
回路の動作を説明するための特性図、第3図は従来の周
波数変換器の一例の回路図、第4図は第3図の回路動作
を説明するための特性図である。 Q1〜Q,・・・・・・電界効果トランジスタ、D・・
・・・・ダイオード、Rr.・・・・・・負荷抵抗、R
1〜R2・・・・・・バイアス抵抗、TB+・・・・・
・高周波入力端子,T,・・・・・・局発信号入力端子
、To・・・・・・出力端子、T,・・・・・・電源端
子、S!・・・・・・高周波信号、St.・・・・・・
局発信号。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ゲートに高周波信号を入力しドレインが負荷抵抗を介し
    て高圧電源に接続する電界効果トランジスタと、アノー
    ドが前記電界効果のトランジスタのソースとまたカソー
    ドが局発信号を入力する順方向にバイアスされたダイオ
    ードとを有し、前記電界効果トランジスタの前記ドレイ
    ンが中間周波数信号を出力することを特徴とする周波数
    変換器。
JP19495789A 1989-07-26 1989-07-26 周波数変換器 Pending JPH0358506A (ja)

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JP19495789A JPH0358506A (ja) 1989-07-26 1989-07-26 周波数変換器

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JPH0358506A true JPH0358506A (ja) 1991-03-13

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ID=16333144

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JP (1) JPH0358506A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254821A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Nec Corp 周波数変換器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254821A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Nec Corp 周波数変換器

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