JPH0357111A - 金めっき銀接点 - Google Patents
金めっき銀接点Info
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- JPH0357111A JPH0357111A JP19128389A JP19128389A JPH0357111A JP H0357111 A JPH0357111 A JP H0357111A JP 19128389 A JP19128389 A JP 19128389A JP 19128389 A JP19128389 A JP 19128389A JP H0357111 A JPH0357111 A JP H0357111A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、銀の母材に金めっきされた金めつき銀接点に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来から、小形継電器やプリント基板に使われるスイッ
チなどの低電圧・微小電流を開閉する接点には、接触信
頼性，低抵抗，耐食性から、銀の接点母材に金の電気め
っきが施されたものがある。
チなどの低電圧・微小電流を開閉する接点には、接触信
頼性，低抵抗，耐食性から、銀の接点母材に金の電気め
っきが施されたものがある。
この接点は、金が酸化しないので、開閉による放電が伴
わない低電圧・微小電流回路の接点として接触信頼性が
優れている。
わない低電圧・微小電流回路の接点として接触信頼性が
優れている。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、もし、この接点が硫化水素の発生する環境下
で露出して使われると、第３図のように、めっきの被膜
に残存するピンホール３から硫化水素が侵入し母材の銀
２と反応して硫化銀を生成し、金めっき１の表面に部分
的に黒い半導体の被膜４を形成して接点間の接触抵抗が
増える。すると、もし、この接点が低電圧・小電流の電
子回路に使われると、接触信頼性が落ちる。
で露出して使われると、第３図のように、めっきの被膜
に残存するピンホール３から硫化水素が侵入し母材の銀
２と反応して硫化銀を生成し、金めっき１の表面に部分
的に黒い半導体の被膜４を形成して接点間の接触抵抗が
増える。すると、もし、この接点が低電圧・小電流の電
子回路に使われると、接触信頼性が落ちる。
そこで、本発明の目的は、腐食性ガスの環境下でも、高
接触信頼性を維持することのできる金めつき銀接点を得
ることである。
接触信頼性を維持することのできる金めつき銀接点を得
ることである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、銀の母材に金めつきが施された金めつき銀接
点において、銀の母材にＰＶＤ法で金の素地めっきを施
し、この素地めっきの上に電気めっきで金の表層めっき
を施すことで、ピンホールがなく、腐食性ガスの環境下
でも、高接触信頼性を維持することのできる金めつき銀
接点である。
点において、銀の母材にＰＶＤ法で金の素地めっきを施
し、この素地めっきの上に電気めっきで金の表層めっき
を施すことで、ピンホールがなく、腐食性ガスの環境下
でも、高接触信頼性を維持することのできる金めつき銀
接点である。
（実施例）
以下、本発明の金めつき銀接点の一実施例を説明する。
本発明の金めつき銀接点は、銀の母材の表面にスパッタ
リング法で１ｊｌＩ１の厚さの金の被膜を形成し、その
上に電気めっきでさらにｌｊｍの厚さの金の被膜を形成
させた。
リング法で１ｊｌＩ１の厚さの金の被膜を形成し、その
上に電気めっきでさらにｌｊｍの厚さの金の被膜を形成
させた。
このように構成された金めつき銀接点の耐食性を調べた
評価試験結果を第１図に示す。
評価試験結果を第１図に示す。
同図は、硫化水素３ｐｐＩＩ１，温度イａ℃．湿度７０
％の雰囲気において、上記本発明の金めつき銀接点と、
比較例として銀の母材に金の電気めっき１＃ｆｆｉのも
の（同図角印のもの）と、銀接点母材だけのものを供試
品数を各３個放置して、表面に形成した硫化物の膜厚を
測ったものである（図の値は平均値）。
％の雰囲気において、上記本発明の金めつき銀接点と、
比較例として銀の母材に金の電気めっき１＃ｆｆｉのも
の（同図角印のもの）と、銀接点母材だけのものを供試
品数を各３個放置して、表面に形成した硫化物の膜厚を
測ったものである（図の値は平均値）。
同図において、三角印で示した本発明の金めっき銀接点
は、２００時間経過してもなお表面に硫化物の被膜は認
められず、１０００時間後もその厚さは５Ａ’に達しな
かった。
は、２００時間経過してもなお表面に硫化物の被膜は認
められず、１０００時間後もその厚さは５Ａ’に達しな
かった。
これに対し、金めつきだけのものは、同図の四角印で示
すように、５０時間経過後から硫化物の被膜の形成が見
られ、Ｉ０００時間後には、約４０Ａ’に達した。すな
わち、本発明の金めつき銀接点の約１０倍である。
すように、５０時間経過後から硫化物の被膜の形成が見
られ、Ｉ０００時間後には、約４０Ａ’に達した。すな
わち、本発明の金めつき銀接点の約１０倍である。
なお、銀の素材の試料は、同図丸印のように、１０００
時間で約５ｍｌＩｌにふくれた（注・測定はピンホール
３箇所、数値はその平均値）。
時間で約５ｍｌＩｌにふくれた（注・測定はピンホール
３箇所、数値はその平均値）。
次に、第２図は第１図の試料の接触抵抗を示す測定結果
である。
である。
測定条件は、直径５ｍｍの試料の上から、直径｛ｍｍ，
先端形状０．５Ｒ球面の白金探針を当て、３ｇｌの圧力
をかけて直流２Ｖの電圧を印加し、電圧降下法で測定し
た（試料はいづれも各３個で、図の値はその平均値）。
先端形状０．５Ｒ球面の白金探針を当て、３ｇｌの圧力
をかけて直流２Ｖの電圧を印加し、電圧降下法で測定し
た（試料はいづれも各３個で、図の値はその平均値）。
同図の三角印で示すように、本発明の金めつき銀接点は
、１１１０１１時間経過後もほとんど接触抵抗が変らな
かった。
、１１１０１１時間経過後もほとんど接触抵抗が変らな
かった。
これ対し、金めつきだけのものは、同図四角印で示すよ
うに、５０時間を超えると接触抵抗に変化が生じ、１０
００時間後では約６０Ωと本発明の金めつき銀接点の約
１０倍となった。
うに、５０時間を超えると接触抵抗に変化が生じ、１０
００時間後では約６０Ωと本発明の金めつき銀接点の約
１０倍となった。
なお、銀の母材だけのものは、同じく丸印で示すように
、試験開始と同時に増えて、１０００時間後には約５ｆ
ｌＯΩとなっている。
、試験開始と同時に増えて、１０００時間後には約５ｆ
ｌＯΩとなっている。
この結果から、本発明の金めつき銀接点は、硫化水素の
ガス雰囲気では、接触信頼性の低下はないといえる。
ガス雰囲気では、接触信頼性の低下はないといえる。
［発明の効果コ
以上、本発明によれば、銀接点母材に金めつきが施され
た金めつき銀接点において、銀接点の母材にＰＶＤ法で
金めつきを施した上に、さらに電気めっきで金めつきを
施すことで、金めつき層のピンホールを塞いで耐食性を
上げたので、腐食性ガスの環境下でも接触信頼性を維持
することのできる金めつき銀接点を得ることができる。
た金めつき銀接点において、銀接点の母材にＰＶＤ法で
金めつきを施した上に、さらに電気めっきで金めつきを
施すことで、金めつき層のピンホールを塞いで耐食性を
上げたので、腐食性ガスの環境下でも接触信頼性を維持
することのできる金めつき銀接点を得ることができる。
第１図と第２図は本発明の金めつき銀接点の一実施例の
作用を示す図、第３図は従来の金めつき銀接点の作用を
示す図である。 １・・・金めつき層 ２・・・銀接点母材 ３・・・ピンホール ４・・・半導体の被膜
作用を示す図、第３図は従来の金めつき銀接点の作用を
示す図である。 １・・・金めつき層 ２・・・銀接点母材 ３・・・ピンホール ４・・・半導体の被膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 銀の母材に金めっきが施された金めっき銀接点において
、 前記銀の母材にＰＶＤ法で形成された金の素地めっき被
膜と、この金の素地めっき被膜に電気めっきで形成され
た金の表層めっきとでなる金めっき銀接点。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19128389A JPH0357111A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 金めっき銀接点 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19128389A JPH0357111A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 金めっき銀接点 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357111A true JPH0357111A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16271987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19128389A Pending JPH0357111A (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 金めっき銀接点 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030907A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Fcm Co., Ltd. | 安定化層を積層した銀安定化積層体 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP19128389A patent/JPH0357111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030907A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Fcm Co., Ltd. | 安定化層を積層した銀安定化積層体 |
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