JPH0356915B2

JPH0356915B2 -

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Publication number: JPH0356915B2
Application number: JP61258679A
Authority: JP
Priority date: 1985-12-09
Filing date: 1986-10-31
Publication date: 1991-08-29
Also published as: JPS62135392A; EP0225585A2; EP0225585A3; DE3686757D1; DE3686757T2; US4699533A; EP0225585B1

Description

【発明の詳細な説明】Ａ産業上の利用分野本発明は、抵抗リボン（resistive ribbon）熱
転写印刷用の改良された抵抗リボンに関し、特
に、接触抵抗を小さくして高品質の印刷を提供す
るように改良された表面層を有する抵抗リボンに
関する。

Ｂ従来の技術抵抗リボン熱転写印刷は、非衝撃式印刷のタイ
プとして当分野では良く知られている。その印刷
は、転写媒体から用紙のような記録媒体への溶け
た物質（インク）の流れによつて行なわれる。抵
抗層、金属（Al）の電流戻し層及びインク層を
有するリボンが用いられる。あるリボンでは、リ
ボンから用紙へのインクの転写を容易にするため
に、金属層とインク層との間にインク解放層が設
けてある。動作中に、電流が印刷電極から抵抗層
を通つて薄いAlの電流戻し層へ流れる。この電
流の流れによつて、インクを溶かす局所的な加熱
が生じ、インク層に接触している用紙へインクを
転写することができる。従つて、コンピユータ端
末への適用及びタイプライタに用いられるこのタ
イプの印刷において、高品質の印刷が可能であ
る。

高品質の印刷を達成するには、リボンの性能に
多くの要素が存在しなければならない。１つの要
素は、適切な加熱に必要な電流と、加熱及び電流
の流れの影響からリボン及び印刷ヘツドを回避さ
せたりそれらが劣化することとに関しての印加電
流に対する抵抗層の応答である。必要な印刷を達
成するために、抵抗層の抵抗率その他の特性が、
製造の間に注意深く制御される。

大抵、滑り印刷電極と抵抗リボンとの間の不完
全な接触のために、それらの間には接触抵抗が存
在する。リボンに加わる力の幾つかは、接触抵抗
に使われ、その結果、印刷ヘツドの加熱が生じ、
エネルギーの非能率的な使用であるばかりでなく
不所望の摩耗その他の結果を生じる。さらに、熱
くなつた電極がリボン表面を横切つて滑るときに
は、それらがすり減つて摩耗することが良く起き
る。それ故に、リボンとヘツドの表面の加熱が最
小となるように、接触抵抗を小さくすると良い。
これは、より大きな印刷電流が通常用いられる高
速印刷にとつて特に重要な要素である。

接触抵抗は、次の文献に示されているように、
リボンの一番上の表面を高導電性物質で被覆する
ことによつて、小さくできる。その文献とは、米
国特許第4309117号、第4453839号、第4477198号
及びIBM TDB（Technical Disclosure、
Bulletin）、Vol.25，No.7A，December 1982，
pp.3193−3194である。米国特許第4309117号で
は、２重の抵抗層が、低抵抗物質の上部と高抵抗
物質の底部から成つている。他の米国特許と
IBM TDBでは、接触抵抗を小さくするためにグ
ラフアイトを用いた種々の実施例を示している。
米国特許第4453839号では、抵抗層が少量のグラ
フアイトを含み、一方、米国特許第4477198号で
は、抵抗リボンが抵抗層の一方の側にグラフアイ
ト・パウダのより広い範囲にわたる被膜を有して
いる。グラフアイト・パウダによつて、なめらか
になり、また、電流の流れについてのパラメータ
が向上する。

IBM TDBは、リボンの電流の流れ特性を向上
させるために、グラフアイト樹脂の層又は埋め込
まれたグラフアイト層を用いた、熱転写印刷用の
抵抗リボンを示している。特に、印刷電流の必要
条件が減らされ、グラフアイトはインク層へ移動
するのであるが、印刷ヘツドにおける自由なグラ
フアイトについての必要条件の確立が、避けられ
る。グラフアイトはまた、印刷ヘツドにおける摩
耗を減らすように思われる。

Ｃ発明が解決しようとする問題点リボンの一番上の表面を高導電性物質で被覆す
ることにより、接触抵抗を小さくし得ることは、
技術的に認識されたが、そのような解決方法は、
印刷電極から電流が広がるために十分満足のゆく
ものではない。従つて、接触抵抗を減らすために
より導電性のある層が必要であるが、この層の抵
抗率は非常に小さいので、印刷電流が層の中で広
がり、それによつて、印刷分解能が低下する。接
触抵抗を小さくしてまた電流の広がりを減らすた
めに、その被覆層は、リボンの抵抗層よりも小さ
な抵抗率を有していなければならない。さらに、
被覆層のシート抵抗率は、リボンの抵抗層のシー
ト抵抗率よりもずつと大きくなければならない。
即ち、被覆物質の厚さは、ある限度よりも小さく
なければならない。この限度は、被覆層に使用さ
れる物質及びリボンの抵抗層に使用される物質の
両方に従つて決められる。

抵抗率及びシート抵抗率に関してこれまで述べ
てきたことを考慮すると、接触抵抗を減らすのに
適した層を提供することは臨界的なことであるこ
とが、認識された。これらの特性を満足させ、し
かも、リボン支持リールに巻きつけられるのに十
分な可撓性を有する薄い層として容易に製造され
るような物質を選択することは、容易なことでは
ない。さらに、接触層は、印刷に必要な電力を下
げて印刷ヘツドの加熱を押さえるべきであるが、
それは、長寿命の非常に安定した物質でなければ
ならないし、それに、実際の印刷動作の間も安定
していなければならない。即ち、それは、容易に
腐食するものであつてはならないし、また、印刷
の間浸食によつて損傷されるものであつてはなら
ない。その上、接触抵抗低減層は、抵抗層に良く
付着しなければならないし、十分に薄くなければ
ならない。しかも、これによつて、リボンの全体
的な印刷能力が、実質的に低下されてはならな
い。

印刷動作を損なうことなく実効的な接触抵抗層
を提供するために、シート抵抗率とバルク抵抗率
とは、ある範囲になくてはならない。グラフアイ
トのような物質は、被膜の厚さ及び均一性を制御
するのが非常に困難である。その上、Cuのよう
な金属物質は、電気伝導度が非常に大きいので、
そのような物質は、非常に薄い被膜として形成さ
れなければならない。このために、導電性の薄膜
は、印刷の間容易に浸食され、腐食することにな
る。従つて、先行技術において接触抵抗被膜とし
て用いられている物質は、抵抗率及び厚さの再現
性を制御することが適切に行なわれない。このこ
とは、製造プロセスがしばしば難しいことや被膜
を含むリボン全体の電気特性が適切でないことと
結びついて、先行技術におけるこれらの被膜の使
用を制限してきた。

Ｄ問題点を解決するための手段本発明の目的は、熱転写印刷に用いられる接触
抵抗を小さくした抵抗リボンを提供することであ
る。

本発明を実施することにより、接触抵抗を低減
させて改良された印刷品質を提供する被膜を備え
た改良された抵抗印刷リボンが、提供される。こ
の被膜は、印刷電極と接触する抵抗層の表面に設
けられる。本発明による抵抗リボンは、最小限、
接触抵抗低減被膜、局所加熱のために電流が流れ
る抵抗層及びインクのようなマーキング物質を含
むマーキング層を含んでいる。マーキング層の物
質は、それが転写され得るように、抵抗層を流れ
る電流によつて発生された熱で溶けることができ
るものである。もちろん、リボンは、電流戻し層
として用いられる薄い導電層やリボンから印刷が
生ずべきキヤリヤへのインクの解放を容易にする
インク解放層のような、別の層を含むことができ
る。

本発明による改良された被膜の物質は、通常、
マーキング層（インク）から遠い方の抵抗層の表
面に設けられるが、これらの物質は、抵抗層の電
気特性に関して特別な電気特性を有している。接
触抵抗を減らすために、被膜の抵抗率ρcは、抵抗
層の抵抗率ρ_Rよりも小さい。これらの抵抗率は、
例えば、Ω−cmで測定することができる。さら
に、被膜が存在することによる電流の広がりを最
小にするために、被膜のシート抵抗率ρ_SCは、抵
抗層のシート抵抗率ρ_SRよりも大きい。これらの
シート抵抗率は、例えば、Ω／□で測定すること
ができる。後者の条件を表わす他の方法は、次の
表現によるものである。即ち、 ρ_c／t_c＞ρ_R／t_R ここで、ρ_c＜ρ_Rである。そして、t_cは、被膜の
厚さであり、t_Rは、抵抗層の厚さである。

本発明による改良された被膜の物質は、Cr−
Ｎ，S_o−S_oＯ，ITO（indium tinoxide）即ちイン
ジウム・スズ酸化物，Al−Ｎ、及びAl−Al₂O₃で
ある。これらの物質は、RF若しくはDCスパツタ
リング又は蒸着のような公知技術によつて、通常
の抵抗層に容易に付着させることができる。N₂
又はO₂の圧力のようなパラメータを変えること
によつて、所望の厚さの被膜を所望の抵抗率の範
囲で得ることができる。

リボンその他の層は、これらの目的のために通
常知られている物質で構成することができる。例
えば、抵抗層は、当分野で周知のタイプの炭素充
填ポリカーボネート層等であり得る。一方、導電
性の電流戻し層は、薄いAl層であるのが好まし
い。インク解放層及びインク層については、例え
ば、米国特許第4453839号を参照することによつ
てわかるように、当分野では多くのタイプのもの
が知られている。これらの種々の層の組成及びそ
れらの相対的な厚さは、当分野で知られているよ
うに、必要に応じて選ばれる。

Ｅ実施例本発明の実施に際して、Cr−Ｎ，S_o−S_oO_x，
ITO，Al−Ｎ又はAl−Al₂O₃から成る被膜が、不
要な電流の広がりなしに接触抵抗を減らすのに非
常に適した被膜を提供することが、発見された。
これらの物質の被膜は、これらの目的を達成する
ために、適切な値の抵抗率及び厚さで形成するこ
とができる。さらに、これらの物質は、付着の間
に制御するのが容易な抵抗率を有しており、それ
らの被膜は安定していて、印刷の間に浸食されな
い。被膜物質の平滑性は、優れており、それ故
に、抵抗リボンとの滑り接触による印刷ヘツドの
摩耗を減らす。

これらの改良された被膜を有する抵抗リボンと
有しない抵抗リボンの印刷品質が、比較された。
被膜を有するリボンと有しないリボンの印刷品質
は、高印刷電流ではほぼ等しいが、低電流では、
被膜を有するリボンの印刷品質が改良された。印
刷品質のこの改良は、全く一目見てわかるもので
あり、被膜を用いると全印刷電力が低減されたの
で、この改良は驚くべき結果であつた。

これらの物質を用いた改良された被膜が、製造
の容易さや貯蔵及び印刷動作の間における使用可
能性（operability）に何ら矛盾することなく、
種々の抵抗率及び厚さで得られることが、発見さ
れた。即ち、種々の設計のリボンを広範囲の抵抗
及び厚さで形成することができる。従つて、その
ような被膜を用いた例が以後述べられるが、これ
らの例に示されるデータが周知の厚さ及び抵抗率
を有するリボンについてのものであることは、当
業者には明らかであろう。そのようなリボンは、
約17ミクロンの厚さで約0.5乃至１Ω−cmの抵抗
率を有する炭素充填ポリカーポネート層で構成す
ることができる。約1000Åの厚さを有するアルミ
ニウムの電流戻し層が用いられ、一方、インク層
は、約４乃至６ミクロンの厚さを有する。これら
のリボンに対して、接触抵抗を減らす被膜は、典
型的には、１ミクロンよりも小さな厚さを有し、
好ましくは、約500乃至1000Åの厚さを有すると
良い。このような被膜のシート抵抗率は、通常、
約1000乃至4000Ω／□の範囲にあり、好ましく
は、約2000乃至3000Ω／□の範囲にあると良い。
一方、その抵抗率は、約10^-2Ω−cm程度である。

第１図に、本発明による抵抗印刷リボンを示
す。この印刷リボンは、インク層１０、アルミニ
ウムの電流戻し層１２、抵抗層１４及び接触抵抗
低減用被膜１６を含んでいる。抵抗層の抵抗率及
び厚さは、夫々、ρ_R及びt_Rと示されている。一
方、被膜の抵抗率及び厚さは、夫々、ρ_c及びt_cと
示されている。印刷電極１８は、接地されたボー
ドの領域の一部分のように示されている。また、
電流戻り電極２０も示されている。

印刷している間、電極１８からの電流は、被膜
１６及び抵抗層１４を通り、そして、アルミニウ
ム層１２を経て接地された電極２０へ戻る。抵抗
層を通つて流れる電流による局所化された加熱
で、用紙のようなキヤリヤへの転写のためにイン
ク層が局所的に溶ける。

本発明による被膜の物質には、Cr−Ｎ，S_o−
S_oＯ，ITO，Al−Ｎ及びAl−Al₂O₃が含まれる。
これらの物質は、合理的な値の厚さで、次の２つ
の基準を満足する。即ち、 ρ_c＜ρ_R (1) P_SC＞ρ_SR 即ち ρ_c／t_c＞ρ_R／t_R (2) 最初の条件によつて、低接触抵抗が確実に実現
される。一方、２番目の条件によつて、不利な電
流の広がりが確実に起きない。こられの条件は共
に、１ミクロンよりも実質的に小さな厚さを有す
る被膜、好ましくは、約500乃至2000Åの範囲の
厚さであると良い被膜において、満たされる。

第２図は、スパツタリング・ガス混合物中の室
素の含有量と窒素の分圧の関数としてプロツトし
た、スパツタ形成されたCr−Ｎ薄膜の抵抗率ρ
と成長速度のグラフである。これらの薄膜は、反
応性スパツタリング・システムにおいて、熱転写
リボンの抵抗層の上に付着された。このスパツタ
リング・システムでは、ターゲツトはCrであり、
スパツタリングは窒素とアルゴンのガス混合物を
含むチエンバ中に行なわれた。このスパツタリン
グ装置において、CrとN₂が抵抗層のところで結
合して、Cr−Ｎの薄膜が生成される。反応性ス
パツタリングの他に、反応性蒸着もまた用いるこ
とができる。

第２図から明らかなように、Cr−Ｎ薄膜の成
長速度は、窒素含有量に関しては、ほとんど一定
である。このために、所望の厚さの薄膜を容易に
形成でき、しかも再現性良く成長できる。さら
に、これらの薄膜の抵抗率は、制御するのが容易
であり、同じ室素含有量を用いて数回形成して
も、非常に良く再現できる。

第３図は、３つの値の窒素含有量について、
Cr−Ｎ被膜の厚さの関数としてプロツトした通
し電圧（through voltage）V_THグラフである。
これらの被膜は、それらの抵抗率を制御するため
に、種々の窒素含有量を用いて正規のポリカーボ
ネート・リボンの表面に付着された。窒素含有量
28％、30％及び32％を用いて、夫々、約0.000、
６、0.016及び0.032Ω−cmの抵抗率を有する薄膜
を形成した。薄膜の厚さは、約250Åから約4000
Åまで変えられた。

それから、印刷実験が種々の電流で行なわれ
た。印刷実験の間、種々の電流におけるリボンを
横切つての電圧降下（通し電圧）が測定された。
なぜなら、この通し電圧の差の測定はまた、接触
抵抗の変化の良い測定でもあるからである。参考
のために、Cr−Ｎ被膜のないリボンが用いられ
た。

第３図に示された種々の窒素含有量についての
厚さに対する通し電圧は、24mAの印刷電流で測
定された。印刷実験の間、Cr−Ｎで被覆された
全ての試料において通し電圧の低減が観測され
た。このグラフに示されているように、Cr−Ｎ
の厚さが増すに連れて通し電圧は減少する。そし
て、電圧降下の傾きは、当然のことだが、低抵抗
率の薄膜（即ち、低Ｎ含有量）でより急勾配にな
つている。厚い（2000乃至4000Å）膜について
は、通し電圧が9.5Vまで約6.5Vまで低下し、印
刷の光学的密度もまた減少した。

同様の実験が、約1850Ω／□のシート抵抗率を
有する高抵抗率のリボンに対して行なわれ、その
結果が、第４図に示されている。第４図に示され
た結果、第３図に示された結果に似ている。第４
図でも、Cr−Ｎ層の厚さが増加するに連れて、
通し電圧が降下している。当然のことだが、第３
図のものと比べて、第４図ではより大きな値の通
し電圧が示されているように、高抵抗率の抵抗層
が用いられると、通し電圧の絶対値は大きくな
る。しかしながら、両方のリボンとも、Cr−Ｎ
層の厚さが増すに連れて、通し電圧は同じ降下を
示している。

第５図及び第６図は、夫々、第３図及び第４図
に関して述べた抵抗率のリボンについて、Cr−
Ｎ薄膜のシート抵抗率の関数としてプロツトした
通し電圧を示している。従つて、第６図のリボン
における抵抗層は、第５図のリボンにおける抵抗
層よりも大きな抵抗率を有している。約5000Ω／
□よりも大きな抵抗率を有するCr−Ｎ薄膜につ
いては、シート抵抗率が増すに連れて、通し電圧
におけるわずかに小さな利得が得られた。他方、
被膜のシート抵抗率が約1000Ω／□よりも小さい
と、接触抵抗低減用被膜を有しないリボンに比べ
て、同じ印刷電流では印刷の光学的密度が減少し
た。シート抵抗率が約2000乃至3000Ω／□の範囲
にあり、Cr−Ｎ薄膜の厚さが約500乃至1000Åで
あるときに、最も良い結果が得られた。約1.5乃
至2.5Vの通し電圧の減少が観測された。

例として、500Åの厚さのCr−Ｎ層（スパツタ
リングの間の窒素含有量30％）を有する第５図
（低抵抗率の抵抗層）のリボンを用いた印刷試料
が、接触抵抗低減用被膜を有しない同じリボンの
印刷試料と比較された。種々のレベルでの印刷に
ついては、両方のリボンの印刷品質が大電流でほ
ぼ等しいことがわかつた。しかしながら、被膜さ
れたリボンは、小電流でより優れている。この被
覆されたリボンの通し電圧は、被覆されなかつた
リボンの通し電圧よりも約1.5V低い（被覆され
なかつたリボンの通し電圧は、約9.5Vであつ
た）。これは、全印刷電力の約15％の低減に対応
しており、多分、リボンと電極との接触における
電力の50％の低減に対応している。

さて、特定の接触抵抗低減被膜、特にCr−Ｎ
についてさらに詳細な説明を行なう。これらの薄
膜（及びその他の示した組成物）は、Sikkenset
al，Thin Salid Films，108，p.229（1983）及び
S.Komiya et al，J.Vac.Sci.Technol.， 13，
p.520（1976）を参照することによつてわかるよう
に、反応性d.c.スパツタリングによつても、また
ホロー陰極電子ビーム蒸着プロセスによつても、
準備することができる。

Cr−Ｎの薄膜は、r.f.マグネトロン源を用いて
付着された。このシステムは、ガス混合物を導入
する前に、ターボ分子ポンプによつて10^-7Torr
よりも低い圧力に排気された。それから非常に高
純度のアルゴン及び窒素のガスが、流量計を通つ
て導入され、それらの比率が測定された。スパツ
タリング・プロセスの間、全電力は1500Wに設定
され、また全圧力は20μHgに設定された。基板
は、バイアスされず、また、意図的に加熱や冷却
もされなかつた。

付着後に、薄膜の厚さが表面プロフアイロメー
タ（surface profilometer）によつて測定され、
また、シート抵抗率が４点プローブ方法によつて
測定された。薄膜の組成が電子マイクロ・プロー
ブで決定され、そして、薄膜の構成がＸ線回折方
法によつて決定された。

これらのCr−Ｎ薄膜の組成が、スパツタリン
グ・ガス混合物中の窒素含有量の関数として第７
図に示されている。Cr−Ｎ薄膜中の窒素の量的
割合χは、スパツタリリング混合物中の窒素含有
量の値が30％よりも少ないときには、窒素含有量
にほぼ直線的に比例する。窒素含有量がそれより
も多くなると、スパツタリング・ガス混合物中の
窒素含有量にかかわりなく、Cr−Ｎ薄膜中の窒
素の量的割合χは、ほぼ１：１の比（わずかに
Crの含有量が多い）に保たれる。

Ｘ線回折の測定は、スパツタリングの間20％の
窒素含有量で付着された薄膜については、かなり
広い多結晶のラインが観測されたことを示してい
た。薄膜が、スパツタリング・ガス混合物中30％
の窒素含有量で付着されたときには、回折のピー
クがより鋭くなり、薄膜は、自然にCr−Ｎの111
繊維組織を有する多結晶となつた。同様の結果
が、さらに多くの窒素含有量を有する試料につい
て観測された。これらのCr−Ｎ薄膜の表面組織
は、走査電子顕微鏡で検査された。高窒素含有量
で付着された薄膜と低窒素含有量で付着された薄
膜との間には、顕著な差異が見られた。20％の窒
素含有量で付着された薄膜については、Cr−Ｎ
薄膜の表面は非常に滑かであつた。一方、スパツ
タリングの間30％の窒素含有量を越えて付着され
た薄膜については、それらの薄膜は、わずかに樹
枝状の組織を示した。

第２図に関して先に説明したように、これらの
薄膜の抵抗率は、スパツタリング・ガス混合物の
窒素含有量が増すに連れて、初めは増大する。そ
の窒素含有量が30％（窒素の分圧で６×
10^-3Torrに相当する。）を越えると、抵抗率はそ
のピーク値に近づき、それ故に、抵抗率は、高窒
素含有量ではほとんど変化しない。これらの結果
は、薄い（1000Å）Cr−Ｎ膜でも厚い（１ミク
ロン）Cr−Ｎ膜でも再現性良く得られた。

これらの図から明らかなとおり、r.f.スパツタ
リング付着を用いてCr−Ｎ薄膜を再現性良く作
ることができる。抵抗率の値は、スパツタリング
の間窒素の分圧を変えることによつて、３桁程度
まで変えることができる。薄膜は、その構造及び
組織の測定に基づいて、２つのカテゴリーに分け
ることができる。一方のカテゴリーは、付着プロ
セスの間30％よりも少ない窒素濃度で作られた薄
膜である。このカテゴリーでは、薄膜は、Cr相
とCr−Ｎ相の両方を示し、それで、薄膜の特性
は、両相の相対的な濃度に依存する。他方のカテ
ゴリーは、付着プロセスの間30％を越える窒素濃
度で作られた薄膜である。このカテゴリーの薄膜
は、全てがただ１つのCr−Ｎ相のみを有してい
るので、ほとんど同じ特性を有する。薄膜中に過
剰のCrが免れるという変形は、第２図及び第７
図において見られる鋭く変化している領域のため
である。薄膜の抵抗特性は、Cr−Ｎ相のみを形
成する十分な窒素含有量での付着に対しては全く
一定である。

以上述べた一般的な原理は、Sn−SnO，ITO，
Al−Ｎ及びAl−Al₂O₃の各被膜についても適用で
きる。ただし、被膜の抵抗率を変えるように、蒸
着又はスパツタリング・プロセスの間の酸素の相
対的な量を用いることができる。これらの物質に
ついての厚さ及び抵抗率の範囲は、先に詳細に述
べたCr−Ｎ被膜についてのそれらと似ている。
例えば、これらの被膜のシート抵抗率は、約1000
乃至4000Ω／□の範囲になるであろう。そして、
それらの抵抗率は、約10^-2Ω−cm程度になるであ
ろう。

例えば、これらの被膜の厚さ及び抵抗率は、抵
抗リボンを構成する残りの層の設計に依存して、
変化し得る。従つて、より大きな印刷電流乃至は
多数の層、例えば抵抗層、電流戻し層、インク解
放層及びインク層を用いて、種々の抵抗率を有す
るより厚い被膜を抵抗リボンに適合させることが
できる。抵抗率とシート抵抗率が等しくない限
り、これらの物質から成る適切な被膜を付着する
ことができる。

Ｆ発明の効果本発明により、適切な抵抗率及び厚さで容易に
製造することができる接触抵抗低減用被膜を有す
る改良された抵抗印刷リボンが、提供される。

そして、本発明により、リボンの貯蔵の間及び
実際の印刷動作の間も安定しておりリボンの抵抗
層に良く付着する接触抵抗低減用被膜を有する改
良された抵抗印刷リボンが、提供される。

また、本発明により、抵抗印刷リボンの全体的
な印刷能力が実質的に低下されることのないよう
な十分に薄い改良された接触抵抗低減用被膜が、
提供される。

さらに、本発明により、非常に滑らかな表面を
有するように形成され得る接触抵抗低減用被膜を
有する熱転写印刷用の改良された抵抗リボンが、
提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による抵抗印刷リボンを示す
説明図、第２図は、窒素含有量及び窒素の分圧の
関数として接触抵抗低減用Cr−Ｎ被膜の抵抗率
及び成長速度を示したグラフ、第３図は、Cr−
Ｎ被膜中の窒素含有量の３つの値についてCr−
Ｎ被膜の厚さの関数として通し電圧を示したグラ
フ、第４図は、窒素含有量の３つの値について
Cr−Ｎ被膜の厚さの関数として通し電圧を示し
たグラフ、第５図及び第６図は、夫々窒素含有量
の３つの値についてCr−Ｎ被膜のシート抵抗率
の関数として通し電圧を示したグラフ、及び第７
図は、スパツタ・ガス混合物中の窒素含有量の関
数としてCr−Ｎ被膜の組成を示したグラフであ
る。

Claims

【特許請求の範囲】１印刷電極からの電流が流れて局所化された加
熱を生じる抵抗層と、前記局所化された加熱が起きると溶けるマーキ
ング物質を含み、前記抵抗層の一方の側に設けら
れたマーキング層と、 Cr−Ｎ、Sn−SnO、インジウム・スズ酸化物、
AI−Ｎ又はAI−AI₂O₃から成り、前記抵抗層の
他方の側に設けられ、前記抵抗層の抵抗率より小
さな抵抗率を有し、前記抵抗層のシート抵抗率よ
りも大きなシート抵抗率を有する、前記印刷電極
に対する接触抵抗を低減させる被膜と、を含む熱転写印刷抵抗リボン。