JPH035375A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造方法

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JPH035375A
JPH035375A JP1139584A JP13958489A JPH035375A JP H035375 A JPH035375 A JP H035375A JP 1139584 A JP1139584 A JP 1139584A JP 13958489 A JP13958489 A JP 13958489A JP H035375 A JPH035375 A JP H035375A
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JP
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aluminum nitride
nitride sintered
sintered body
thermal conductivity
sintering
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JP1139584A
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English (en)
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Seiji Katsube
勝部 成二
Naohiro Takada
高田 直弘
Shigetaka Kajima
梶間 繁貴
Michiyasu Komatsu
通泰 小松
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、熱伝導性に優れた窒化アルミニウム焼結体の
製造方法に関する。
(従来の技術) 窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス焼結体は
、熱伝導率が酸化アルミニウム焼結体の5倍〜IO倍と
高く放熱性に優れ、高電気絶縁性、低誘電率を示し、ま
た耐食性や耐熱衝撃性に優れるなど、各種の優れた特性
を有していることから、各種電子・電気部品用材料や構
造材料として注目を集めている。
特に、放熱性に優れるとともに、熱膨張率がシリコン単
結晶に近似していることから、放熱性が不十分なアルミ
ナ焼結体や、毒性があるために取扱いが繁雑なベリリア
焼結体に代る半導体素子用絶縁基板として期待されてい
る。
ところで、このような窒化アルミニウム焼結体は、通常
アルカリ土類金属や希土類金属の化合物である焼結助剤
を適当量添加し、これに有機バインダをさらに加えて所
要形状の成形体を作製し、この成形体に脱脂処理を施し
た後に、常圧近傍の非酸化性雰囲気中で焼結させること
によって作製している。
(発明が解決しようとする課題) 上述したような窒化アルミニウム焼結体は、半導体基板
としての需要が年々増加しており、よリコストダウンを
図ることが望まれている。
このため、窒化アルミニウム原料、焼結助剤、処理方法
など、あらゆる点からコストダウンの可能性が検討され
ている。
まず考えられるのは、安価な窒化アルミニウム原料を用
いること、および比較的高価な焼結助剤の添加を省くこ
とである。
しかしながら、焼結助剤を添加せずに焼成を行うと、窒
化アルミニウム焼結体中に酸素が残存し、熱伝導率およ
び緻密性の低下を生じさせることになる。
また、コストダウンと同時に、窒化アルミニウムの有す
る高い熱伝導率を生かすことが必要であり、焼結助剤を
添加せずに高い熱伝導率を得るためには、窒化アルミニ
ウム原料として、酸素など不純物の含有量が少ない高純
度の原料を用いなければならない。
しかし、高純度の原料は当然のことながら高価であり、
コストダウンという目的を達成する妨げとなる。
したがって、コストダウンと熱伝導率の向上をいかに平
行して図るかということが課題となっている。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもの
で、焼結助剤の有無、ならびに、窒化アルミニウム原料
の純度にかかわらず、高熱伝導率を有する窒化アルミニ
ウム焼結体を得ることのできる、窒化アルミニウム焼結
体の製造方法を提供することを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の窒化アルミニウム焼結体の製造方法は、窒化ア
ルミニウム粉末に対して少なくとも非晶質炭素を(1,
1〜3.0重量%の範囲で添加した原料粉末を所要形状
に成形する工程と、得られる成形体に非酸化性雰囲気中
にて1500〜1700℃の温度で脱酸素処理を施した
後、1700〜2200℃の温度で焼結させる工程とを
有することを特徴としている。
本発明において、用いる窒化アルミニウム原料粉末に特
に限定はなく、また、焼結助剤を使用しなくでも高熱伝
導率の窒化アルミニウム焼結体を得ることができる。
なお、焼結助剤は、本発明の非晶質炭素と併用しても差
支えない。
窒化アルミニウム粉末に添加する非晶質炭素は窒化アル
ミニウム粉末に対して0.1〜3.0重量%であること
が好ましく、より好ましいのは0.5〜1.5重量%で
ある。
なぜ非晶質炭素を用いているかといえば、結晶質炭素は
融点が高く、脱脂、焼成工程中で揮散せず、焼結体中に
残留して除去することが困難であるためである。
このような非晶質炭素の添加量は、061重量%以下で
は高熱伝導率化が達成できず、3.0重量%を超えると
焼結体中に非晶質炭素が残存して特性値を低下させるた
め、上述した範囲内で添加することが好ましい。
そして、非晶質炭素の添加量は、用いる窒化アルミニウ
ム原料粉末の酸素含有量に応じて、適宜調整する。
非晶質炭素源としては、木炭、獣炭、コークスなどのほ
かフェノール樹脂のように加熱によって非晶質炭素とな
るものを用いることもできる。
この原料粉末に、必要に応じて有機系バインダを加え、
ドクターブレード法、プレス成形法、鋳込み成形法、射
出成形法、押出し成形法などの通常の成形法によって所
要形状の成形体を作製する。
そして、得られた成形体を脱脂した後、非酸化性雰囲気
中にて1500〜1700℃の温度で・脱酸素処理する
非酸化性雰囲気としては、V素、アルゴンなどが挙げら
れ、1500−1700℃の温度で0.5〜2時間程度
保持する。
脱酸素処理を施した後、上述したような非酸化性雰囲気
中で、さらに、1700〜2200℃の温度で1〜48
時間程焼結する。
これによって、熱伝導率がほぼ100ν/mk以上の窒
化アルミニウム焼結体を得ることができる。
(作 用) 窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は酸素の含有量によ
って左右される。窒化アルミニウム粒子の表面および内
部に酸素原子が多く存在すると、フォノンの散乱によっ
て熱伝導率が低下する。
したがって、熱伝導率を向上させるためには、窒化アル
ミニウム焼結体中の酸素をできるだけ除去することが有
効であり、このため、本発明においては、窒化アルミニ
ウム粉末に非晶質炭素を添加しているのである。
この非晶質炭素は、加熱によって窒化アルミニウム粒子
中の酸素原子と結合し、−酸化炭素または二酸化炭素と
なって揮散する。
これによって、窒化アルミニウム焼結体中の含有酸素量
を減少させることができ、焼結助剤を添加しない場合、
あるいは窒化アルミニウム原料粉末として純度の低いも
のを使用する場合においても、高い熱伝導率を有する窒
化アルミニウム焼結体を作製することができる。
(実施例) 次に、本発明の実施例について説明する。
実施例1 酸素を0.8重量%含有する窒化アルミニウム粉末に、
カーボンブラック(非晶質)を、窒化アルミニウム粉末
に対して0.5ffiffi%添加した。
さらに、この原料粉末に適量の有機バインダと分散媒と
を加えて混練した後、ドクターブレード法でシート状の
成形体を作製した。
この成形体に対して空気中、550℃、2時間の条件で
脱脂処理を施した。
次に、この脱脂体を窒素雰囲気中、1600℃で45分
間加熱し、脱酸素処理した。
続いて、窒素雰囲気中で、2000℃、6時間の焼成を
行い、窒化アルミニウム焼結体を作製した。
こうして作製した窒化アルミニウム焼結体について、レ
ーザプラッシュ法により熱伝導率を測定したところ、 
130〜150W/ raφにであり、3点曲げ強度試
験の結果は、常温において35.5kgf’/−であっ
た。
また、焼結助剤を添加していないため、液相のしみ出し
もなく、窒化アルミニウム焼結体の表面粗さはRa O
Jμ層と極めて良好であった。
実施例2 酸素を1.0重量%含有する窒化アルミニウム粉末に、
カーボンブラックを、窒化アルミニウム粉末に対して0
.55重量%添加した。
さらに、この原料粉末に適量の有機バインダと分散媒と
を加えて混練した後、ドクターブレード法でシート状の
成形体を作製した。
この成形体に対して空気中、550℃、2時間の条件で
脱脂処理を施した。
次に、この脱脂体を窒素雰囲気中、1600℃で45分
間加熱し、脱酸素処理した。
続いて、5気圧の窒素雰囲気中で、2000℃、6時間
の焼成を行い、窒化アルミニウム焼結体を作製した。
こうして作製した窒化アルミニウム焼結体について、実
施例1と同一条件で熱伝導率を測定したところ、 13
0〜145ν/1・kであり、3点曲げ強度試験の結果
は、常温において34.8kg1’/mjであった。
また、窒化アルミニウム焼結体の表面粗さはRa0.3
μ量であった。
実施例3 酸素を1.3重量%含有する窒化アルミニウム粉末に、
カーボンブラックを、窒化アルミニウム粉末に対して 
1.0重量%添加した。
さらに、この原料粉末に適量の焼結助剤と有機バインダ
と分散媒とを加えて混練した後、ドクターブレード法で
シート状の成形体を作製した。
この成形体に対して空気中、550℃、2時間の条件で
脱脂処理を施した。
次に、この脱脂体を窒素雰囲気中、1600℃で45分
間加熱し、脱酸素処理した。
続いて、5気圧の窒素雰囲気中で、2000℃、6時間
の焼成を行い、窒化アルミニウム焼結体を作製した。
こうして作製した窒化アルミニウム焼結体について、実
施例1と同一条件で熱伝導率を測定したところ、 12
0〜140′dlIl−にであり、3点曲げ強度試験の
結果は、常温において38kgr7.4であった。
なお、この実施例においては、焼結助剤を添加している
ため、窒化アルミニウム焼結体表面にしみだした液相成
分が認められ、窒化アルミニウム焼結体の表面粗さはR
a O,4と焼結体助剤を添加しない場合に比べて低下
していたが、緻密度に関しては優れていた。
これらの結果から明らかなように、窒化アルミニウム粉
末に非晶質炭素を添加することによって窒化アルミニウ
ム焼結体中の酸素を除去することができ、焼結助剤の有
無、窒化アルミニウム原料粉末の純度にかかわりなく、
高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体を作製することが
できた。
さらに、焼結助剤を使用せず、非晶質炭素のみを添加し
て焼成した場合、液相のしみ出しのない均一な表面精度
を有する窒化アルミニウム焼結体を得ることができ、作
業性の向上にも寄与した。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の窒化アルミニウム焼結体
の製造方法によれば、高価な焼結助剤や高純度の原料粉
末を使用しなくても、熱伝導率の高い窒化アルミニウム
焼結体を得ることができる。
したがって、優れた品質を維持したままコストダウンを
図ることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 窒化アルミニウム粉末に対して少なくとも非晶
    質炭素を0.1〜3.0重量%の範囲で添加した原料粉
    末を所要形状に成形する工程と、 得られる成形体に非酸化性雰囲気中にて1500〜17
    00℃の温度で脱酸素処理を施した後、1700〜22
    00℃の温度で焼結させる工程と を有することを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製
    造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0757023A3 (en) * 1995-08-03 1997-08-13 Ngk Insulators Ltd Sintered aluminum nitride bodies and their use for the production of semiconductors
WO2001017927A1 (fr) * 1999-09-06 2001-03-15 Ibiden Co., Ltd. Briquette et substrat ceramique en nitrure d'aluminium carbone fritte destine a des equipements de fabrication ou de verification de semi-conducteurs
JP2001146475A (ja) * 1999-09-06 2001-05-29 Ibiden Co Ltd カーボン含有窒化アルミニウム焼結体

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0757023A3 (en) * 1995-08-03 1997-08-13 Ngk Insulators Ltd Sintered aluminum nitride bodies and their use for the production of semiconductors
US5908799A (en) * 1995-08-03 1999-06-01 Ngk Insulators, Ltd. Apparatus for producing semiconductor using aluminum nitride bodies as substrates
EP0992470A3 (en) * 1995-08-03 2002-07-17 Ngk Insulators, Ltd. Aluminium nitride sintered bodies and their use as substrate in an apparatus for producing semiconductors
WO2001017927A1 (fr) * 1999-09-06 2001-03-15 Ibiden Co., Ltd. Briquette et substrat ceramique en nitrure d'aluminium carbone fritte destine a des equipements de fabrication ou de verification de semi-conducteurs
JP2001146475A (ja) * 1999-09-06 2001-05-29 Ibiden Co Ltd カーボン含有窒化アルミニウム焼結体
US6900149B1 (en) 1999-09-06 2005-05-31 Ibiden Co., Ltd. Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor
US6964812B2 (en) 1999-09-06 2005-11-15 Ibiden Co., Ltd. Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor
US7015166B2 (en) 1999-09-06 2006-03-21 Ibiden Co., Ltd. Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor

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