JPH0353203A - Production of flash type optical waveguide element made of organic crystal body - Google Patents

Production of flash type optical waveguide element made of organic crystal body

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JPH0353203A
JPH0353203A JP19007089A JP19007089A JPH0353203A JP H0353203 A JPH0353203 A JP H0353203A JP 19007089 A JP19007089 A JP 19007089A JP 19007089 A JP19007089 A JP 19007089A JP H0353203 A JPH0353203 A JP H0353203A
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JP
Japan
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resist
crystal body
org
organic crystal
refractive index
Prior art date
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JP19007089A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Kondo
敏行 近藤
Hiroyuki Matagi
宏至 股木
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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Publication of JPH0353203A publication Critical patent/JPH0353203A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide an element which hardly receives mechanical external forces by constituting the element by a stage for producing the ridge type optical waveguides made of an org. crystal body, a stage for forming a layer consisting of a material having the refractive index lower than the refractive index of the org. crystal body and a stage for removing a resist and the layer consisting of the material having the refractive index lower than the refractive index of the org. crystal body on the resist. CONSTITUTION:The ridge type optical waveguides made of the org. crystal body are produced by applying a resist 3 sensitive to light to electron beams on the thin-film org. crystal body 2 formed on a substrate 1, exposing and developing the resist to a desired fine pattern, then etching the thin-film org. crystal body 2. The layer 4 consisting of the material having the refractive index lower than the refractive index of the org. crystal body 2 is formed by vapor deposition or sputtering on the optical waveguides made of the org. crystal body and the substrate in such a manner that the this layer is formed to the same film thickness as the film thickness of the org. crystal body 2. The resist 3 on the optical waveguides made of the org. crystal body and the layer 4 consisting of the material having the refractive index lower than the refractive index of the org. crystal body on the resist are then removed. Consequently, the element is substantially kept free from the mechanical external forces. and the scattering loss of the light is decreased.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光電子技術分野を中心に注目されている機能
性有機結晶体の埋め込み型光導波路素子の製造方法に関
するものである。特に、光情報処理、光通信、光計測・
制御などの技術分野で好適に利用される有機非線形光学
結晶先導波路素子として有用に利用される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a buried optical waveguide element made of a functional organic crystal, which is attracting attention mainly in the optoelectronic technology field. In particular, optical information processing, optical communication, optical measurement and
It is usefully used as an organic nonlinear optical crystal guiding waveguide device suitably used in technical fields such as control.

[従来の技術] 近年、非線形光学材料、有機導電体、有機フォトクロミ
ック材料などの機能性有機材料の開発が目覚しく、将来
の光電子技術に於ける活躍が期待されるようになってき
た。このような機能性有機材料は、しばしば結晶体とし
て利用される。この様な結晶体を光電子技術分野で利用
するためには、電子の流れや光の伝搬方向を制御するた
めのパターニング、つまり先導波路の作製法が重要な技
術である。
[Prior Art] In recent years, the development of functional organic materials such as nonlinear optical materials, organic conductors, and organic photochromic materials has been remarkable, and they are expected to play an active role in future optoelectronic technology. Such functional organic materials are often used in the form of crystals. In order to utilize such crystals in the optoelectronic technology field, patterning to control the flow of electrons and the propagation direction of light, that is, the method of manufacturing a leading waveguide, is an important technique.

光導波路としては、従来、半導体などの無機結晶体から
なるものが従来知られており、その製造方法としては集
積回路加工などにおいて適用される加工方法が知られて
いる。
2. Description of the Related Art Optical waveguides made of inorganic crystals such as semiconductors are conventionally known, and processing methods used in integrated circuit processing and the like are known as methods for manufacturing them.

しかしながら、この方法を有機結晶体に適用することは
不可能であった。なぜならば、半導体微細加工工程に於
ける各種条件、中でもエッチング条件が有機結晶体の耐
熱性、耐薬品性を越える厳しいものであり、有機結晶体
の劣化および変質をきたすからである。
However, it has not been possible to apply this method to organic crystals. This is because the various conditions in the semiconductor microfabrication process, especially the etching conditions, are harsher than the heat resistance and chemical resistance of the organic crystal, resulting in deterioration and alteration of the organic crystal.

また、無機結晶体からなる3次元光導波路の基本的な構
成としては大きく分けて ■埋め込み型(第6図)、■リッジ型(第7図)の2通
りがある(第6図、第7図中、1は基板、2は光導波路
を示す。) リッジ型光導波路では、導波層が基板に対して突起して
いるので、機械的外力を受けやすい構造になっている。
In addition, there are two basic configurations of three-dimensional optical waveguides made of inorganic crystals: (1) buried type (Figure 6) and (2) ridge type (Figure 7). In the figure, 1 indicates the substrate and 2 indicates the optical waveguide.) In the ridge-type optical waveguide, the waveguide layer protrudes from the substrate, so it has a structure that is susceptible to external mechanical force.

そのため、有機結晶体の先導波路に適用しようとした場
合、有機結晶のような分子性結晶は一般的に無機材料に
比べて機械的強度が低く、使いにくいといった問題を生
じると考えられる。
Therefore, when trying to apply it to a leading waveguide of an organic crystal, molecular crystals such as organic crystals generally have lower mechanical strength than inorganic materials and are considered to be difficult to use.

一方埋め込み型光導波路では、機械的強度が低い有機結
晶体光導波路の保護が可能であり、さらに導波路表面が
平面となっているため、例えば2次の非線形光学材料を
用いた電気光学素子の制御電極などを容易に形成するこ
とが可能であると考えられる。
On the other hand, embedded optical waveguides can protect organic crystal optical waveguides with low mechanical strength, and because the waveguide surface is flat, it is possible to protect electro-optic devices using second-order nonlinear optical materials, for example. It is believed that control electrodes and the like can be easily formed.

また、通常無機材料を用いた埋め込み型導波路の作製は
、高い屈折率をもった金属イオンの熱拡散法が用いられ
ている。しかしながら、このような方法は有機結晶体に
は応用できない。
Furthermore, in order to fabricate a buried waveguide using an inorganic material, a thermal diffusion method using metal ions having a high refractive index is usually used. However, such methods cannot be applied to organic crystals.

[発明が解決しようとする課題] 本発明は、有機結晶体からなる光導波路素子、しかも、
リッジ型導波路より機械的外力を受けにくく、かつ、導
波路作製後の電極作製等も容易である埋め込み型有機結
晶体光導波路素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
[Problems to be Solved by the Invention] The present invention provides an optical waveguide element made of an organic crystal, and furthermore,
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a buried organic crystal optical waveguide element, which is less susceptible to mechanical external forces than a ridge-type waveguide, and which also facilitates the manufacture of electrodes after the waveguide has been manufactured.

[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、本発明は次の構威からな
る。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention has the following structure.

「下記のイ,口,ハの工程からなることを特徴とする埋
め込み型有機結晶体先導波路の製造方法。
``A method for manufacturing an embedded organic crystal guiding waveguide, which is characterized by comprising the steps A, C, and C below.

イ,基板の上に形成された薄膜有機結晶体上に、光また
は電子線に有感なレジス1・を塗布し、、そのレジスト
を所望の微細パターンに露光現像した後、該薄膜有機結
晶体のエッチングを行い、リッジ型の有機結晶体先導波
路を作製する工程。
B. Coat a resist 1 sensitive to light or electron beams on the thin film organic crystal formed on the substrate, expose and develop the resist into a desired fine pattern, and then apply the thin film organic crystal. This process involves etching to create a ridge-shaped organic crystal guiding waveguide.

ロ.該イの工程により得られた有機結晶体光導波路及び
基板上に、該有機結晶体より屈折率の低い物質からなる
層を、その膜厚が有機結晶体の膜厚と同じになるように
蒸着あるいはスパッタリングによって形成する工程。
B. On the organic crystal optical waveguide and substrate obtained in step (a), a layer made of a substance having a lower refractive index than the organic crystal is vapor-deposited so that the thickness of the layer is the same as that of the organic crystal. Or a process of forming by sputtering.

ハ.該ロの工程により得られた有機結晶体先導波路上の
レジストおよびレジスト上の有機結晶体より屈折率の低
い物質からなる層を取り去る工程。
C. A step of removing the resist on the organic crystal guided waveguide obtained in step (b) and a layer made of a substance having a lower refractive index than the organic crystal on the resist.

本発明の埋め込み型先導波路の作製方法について、以下
に図面を用いて説明する。上記イの工程により第1図で
示した断面を有するリッジ型の有機結晶体光導波路が作
製できる。第1図中、1が基板2が有機結晶体、3がレ
ジストである。続いて上記ロの工程により第2図で示し
た断面を有する構成を形成する。最後に上記ハで示した
工程により、第3図の断面を有する所望の埋め込み型先
導波路素子が作製できる。
A method for manufacturing a buried guiding waveguide of the present invention will be described below with reference to the drawings. A ridge-type organic crystal optical waveguide having the cross section shown in FIG. 1 can be manufactured by the above step A. In FIG. 1, reference numeral 1 indicates a substrate 2 that is an organic crystal, and reference numeral 3 indicates a resist. Subsequently, the structure having the cross section shown in FIG. 2 is formed by the step (b) above. Finally, by the step shown in C above, a desired embedded type guiding waveguide element having the cross section shown in FIG. 3 can be manufactured.

本発明において有機結晶体としては、特に有機非線形光
学材料、有機導電体、及び有機フォトクロミック化合物
等が好ましく用いられる。有機非線形光学材料としては
、実用的には2次の非線形光学定数χ■がI X 1 
0” esu以上のもの、あるいは3次の非線形光学定
数χ0がIXIO−”esu以上のものが望ましく、具
体的な化合物としては、2−メチル4−ニトロアニリン
、メタニトロアニリン、N−(4−ニトロフエニル)−
(L)一プロリノール、2−(N,N−ジメチルアミノ
)−5−ニトロアセトアニリド、4゜−ニトロベンジリ
デン−3−アセトアミノー4−メトキシアニリン、2−
(N−プロリノール)−5−ニトロピリジン、(−) 
2−((1−メチルベンジルアミノ)−5−二トロピリ
ジンなどの2次非線形光学材料、及びボリジアセチレン
、電荷移動錯体などの3次非線形光学材料が良く知られ
ている。また有機導電体としては、テトラチアフルバレ
ンーテトラシアノキノジメタン錯体、ビスエチレンジチ
オテトラチアフルバレンーハロゲン錯体などの電荷移動
錯体、及びフタ口シアニン類などが良く知られている。
In the present invention, organic nonlinear optical materials, organic conductors, organic photochromic compounds, and the like are particularly preferably used as organic crystals. As an organic nonlinear optical material, practically, the second-order nonlinear optical constant χ■ is I
0"esu or more, or a third-order nonlinear optical constant χ0 of IXIO-"esu or more is desirable. Specific compounds include 2-methyl-4-nitroaniline, metanitroaniline, N-(4- nitrophenyl)-
(L) Monoprolinol, 2-(N,N-dimethylamino)-5-nitroacetanilide, 4°-nitrobenzylidene-3-acetamin-4-methoxyaniline, 2-
(N-prolinol)-5-nitropyridine, (-)
Second-order nonlinear optical materials such as 2-((1-methylbenzylamino)-5-nitropyridine, and third-order nonlinear optical materials such as boridiacetylene and charge transfer complexes are well known. Also, as organic conductors, , charge transfer complexes such as tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane complex, bisethylene dithiotetrathiafulvalene-halogen complex, and phthalocyanines, etc. are well known.

さらに有機フォトクロミック化合物としては、基本分子
構造別に見て、スピロピラン化合物、スピロオキサジン
化合物、アゾ化合物、フルギド化合物、インジゴ化合物
などが良く知られている。
Furthermore, as organic photochromic compounds, spiropyran compounds, spirooxazine compounds, azo compounds, fulgide compounds, indigo compounds, and the like are well known based on their basic molecular structures.

これらの他にも、アントラセン、ピレン、ペリレン、フ
ェロセン等の様なシンチレーターや蛍光体などとして用
いられるものも挙げられるが、微細加工することによっ
てその機能を利用し得る有機結晶体であれば、これらの
材料に限定されるものではない。
In addition to these, there are also substances used as scintillators and phosphors such as anthracene, pyrene, perylene, ferrocene, etc., but if they are organic crystals whose functions can be utilized by microfabrication, these It is not limited to the materials.

本発明に関わる光または電子線に有感なレジストとして
は、半導体微細加工工程で一般的に利用されている各種
ボジ型及びネガ型レジストをはじめとして、光重合反応
、光架橋反応、光可溶化反応、光崩壊反応などに基づい
た各種感光性高分子材料、あるいは感電子高分子材料を
用いることができる。これらについては、「記録用材料
と感光樹脂』 (学会出版センター 1979年)、『
感光性高分子』 (講談社、1977年)、などに詳し
く公知例が記されており、本発明においても適用するこ
とができる。
Resists sensitive to light or electron beams related to the present invention include various positive and negative resists commonly used in semiconductor microfabrication processes, as well as photopolymerization reaction, photocrosslinking reaction, and photosolubilization. Various photosensitive polymer materials or electrosensitive polymer materials based on reactions, photodegradation reactions, etc. can be used. Regarding these, see "Recording Materials and Photosensitive Resins" (Gakkai Publishing Center, 1979), "
Known examples are described in detail in "Photosensitive Polymer" (Kodansha, 1977), and can be applied to the present invention.

本発明に於いて、有機結晶体をエッチングする方法につ
いては、通常の半導体微細加工工程におけるエッチング
方法をそのまま用いると、そのエッチング条件が有機結
晶体の耐熱性、耐薬品性を越える厳しいものであり、有
機結晶体の劣化および変質をきたす恐れがあるため、例
えば以下のような方法で行うことが好ましい。
In the present invention, as for the method of etching the organic crystal, if the etching method used in normal semiconductor microfabrication processes is used as is, the etching conditions will be harsher than the heat resistance and chemical resistance of the organic crystal. Since this may cause deterioration and alteration of the organic crystal, it is preferable to carry out, for example, the following method.

■ウエットエッチング法;有機結晶体上、あるいは、有
機結晶体上に保護層を設け、その上にフォトレジストを
塗布し、レジストを露光、現像後、レジストを溶解せず
に、有機結晶体のみを溶解する溶媒を用いて、有機結晶
体をエッチングする方法。
■Wet etching method: A protective layer is provided on the organic crystal or on the organic crystal, a photoresist is applied on top of it, the resist is exposed to light, and after development, only the organic crystal is removed without dissolving the resist. A method of etching organic crystals using a solvent that dissolves them.

■ドライエッチング法;有機結晶体上、あるいは有機結
晶体上に保護層を設け、その上にフォトレジストを塗布
し、露光現像後、リアクティブイオンエッチング装置(
R I E装置)を用いて、有機結晶体をエッチングす
る方法。RIE装置を用いたエッチングの際、プラズマ
発生ガスとしては、ハロゲン化炭化水素、またはハロゲ
ン化炭素と酸素との混合ガスを用い、電圧はI W /
 ct以下とし、さらに有機結晶体を置く側の電極を冷
却することによって、エッチング中の有機結晶体の劣化
および変質を防ぐことができ、好ましい。
■Dry etching method: A protective layer is provided on the organic crystal or on the organic crystal, a photoresist is applied on top of it, and after exposure and development, a reactive ion etching device (
A method of etching an organic crystal using an RIE device. During etching using an RIE device, halogenated hydrocarbon or a mixed gas of halogenated carbon and oxygen is used as the plasma generating gas, and the voltage is I W /
ct or less and further cooling the electrode on the side on which the organic crystal is placed is preferable because deterioration and alteration of the organic crystal during etching can be prevented.

レジストの乗った光導波路上に形成される、有機結晶体
より屈折率の低い物質からなる層は、その膜厚が有機結
晶体の膜厚と同じになるように蒸着あるいはスパッタリ
ングによって形成される。
A layer made of a substance having a lower refractive index than the organic crystal, which is formed on the optical waveguide on which the resist is mounted, is formed by vapor deposition or sputtering so that the film thickness is the same as that of the organic crystal.

その成分としては、有機結晶体より屈折率の低い物質な
ら何でも用いることができる。例えばSiO2、¥20
3などの無機酸化物、あるいはMgFなどの無機ハロゲ
ン化物、及びボリエチレン、ポリプロピレンなどの高分
子などが挙げられる。特に無機酸化物は、蒸着あるいは
スパッタリングによって容易に膜厚の制御が可能である
という点で、好適に用いられる。また、蒸着法としては
、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱法などが、また、スパッ
タリング法としては、直流スパッタ法、交流スパッタ法
などが挙げられる。
As the component, any substance can be used as long as it has a lower refractive index than the organic crystal. For example, SiO2, ¥20
Examples include inorganic oxides such as No. 3, inorganic halides such as MgF, and polymers such as polyethylene and polypropylene. In particular, inorganic oxides are preferably used because the film thickness can be easily controlled by vapor deposition or sputtering. Further, examples of the vapor deposition method include electron beam evaporation, resistance heating, etc., and examples of the sputtering method include DC sputtering, AC sputtering, etc.

上記低屈折率層をレジスト上に形成した後に、レジスト
およびその上に形成されている低屈折率層を取り去る方
法としては、ネガレジストではプラズマアッシングなど
が、ボジレジストではレジストの溶解液でそれぞれ取り
去ることが可能である。従って有機結晶体の中でも特に
プラズマ下での熱劣化が予想される物質については、ポ
ジレジストを用いて加工を行う方が好ましい。
After forming the above-mentioned low refractive index layer on the resist, the resist and the low refractive index layer formed thereon can be removed by plasma ashing for negative resists, and by using a resist solution for positive resists. is possible. Therefore, among organic crystals, it is preferable to process materials that are expected to undergo thermal deterioration under plasma using a positive resist.

また、本発明の埋め込み型有機結晶体先導波路は、第5
図に示したように制御電極を設けて電気光学素子として
用いることもてきる。第5図中、5は電極を示す。
Further, the embedded organic crystal guided waveguide of the present invention has a fifth
It is also possible to provide a control electrode as shown in the figure and use it as an electro-optical element. In FIG. 5, 5 indicates an electrode.

[実施例] 以下本発明を具体的な実施例を用いて説明するが、本発
明の内容は以下の実施例で限定されるものではない。
[Examples] The present invention will be described below using specific examples, but the content of the present invention is not limited to the following examples.

実施例1 2−メチル−4−ニトロアニリンの粉末を2枚のガラス
板間に挟んで140℃の高温下で溶融した後、ガラス板
の一端から徐々に冷却して結晶化させた。
Example 1 A powder of 2-methyl-4-nitroaniline was sandwiched between two glass plates and melted at a high temperature of 140°C, and then gradually cooled from one end of the glass plate to crystallize it.

さらに一方のガラス板を剥離して、ガラス板上に膜厚0
.7μmの2−メチル−4−ニトロアニリン結晶薄膜を
得た。2−メチル−4−ニトロアニリン結晶薄膜上に、
ポジレジスト溶液による薄膜の劣化を防ぐための保護層
として、厚さ0.2μmのアルミニウム薄膜を形成した
後、キノンジアジド系ポジ型レジストを塗布し、これに
目的とするパターンを描いたフォトマスクを通して紫外
線を照射した。さらにボジ型レジスト専用現像液を用い
て紫外線が当たった部分を溶解除去した。この際アルミ
ニウム薄膜も同時に除去できていた。次いでシクロヘキ
サン/ジクロロエタン=1/1 (体積比)の溶液を用
いてエッチングを行い、所望のパターンが描かれた2−
メチル−4−ニトロアニリンの結晶薄膜を得ることがで
きた。さらにこの試料に喝子ビーム蒸着法によりSi0
2を0.7μm蒸着した後、全面を紫外線で露光し、ポ
ジ型レジスト専用現像液を用いて残留レジスト、レジス
ト上の8 1 0 2 、及び保護層のアルミニウムを
除去することによって、2−メチル−4−ニトロアニリ
ンの埋め込み型光導波路を作製することができた。
Furthermore, one glass plate was peeled off and a film with a thickness of 0 was applied on the glass plate.
.. A 7 μm 2-methyl-4-nitroaniline crystal thin film was obtained. On the 2-methyl-4-nitroaniline crystal thin film,
After forming a 0.2 μm thick aluminum thin film as a protective layer to prevent the thin film from deteriorating due to the positive resist solution, a quinone diazide positive resist was applied, and then ultraviolet light was passed through a photomask with a desired pattern drawn on it. was irradiated. Furthermore, the areas exposed to ultraviolet rays were dissolved and removed using a developer exclusively used for positive type resists. At this time, the aluminum thin film was also removed at the same time. Next, etching was performed using a solution of cyclohexane/dichloroethane = 1/1 (volume ratio), and the desired pattern was drawn on the 2-
A crystal thin film of methyl-4-nitroaniline could be obtained. Furthermore, this sample was coated with SiO
After depositing 2-methyl to a thickness of 0.7 μm, the entire surface was exposed to ultraviolet rays, and the remaining resist, 8 1 0 2 on the resist, and aluminum of the protective layer were removed using a developer exclusively for positive resists. A buried optical waveguide of -4-nitroaniline could be fabricated.

実施例2 4゛−ニトロペンジリデン−3−アセトアミノー4ーメ
トキシアニリンをジメチルホルムアミドに溶解した後、
溶液を2枚のガラス板間に挟み、ガラス板の隙間から徐
々に溶媒を蒸発させることによって、厚さ約0.5μm
の4゛−ニトロペンジリデン−3−アセトアミノー4−
メトキシアニリン薄膜単結晶を得た。1枚のガラス板を
剥離した後、薄膜結晶の上面にスピンナーを用いて、キ
ノンジアジド系ポジ型レジストを塗布した。実施例1と
同様の方法で所望のレジストパターンを得た後、リアク
ティブイオンエッチング装置を用いてエッチングを行っ
た。エッチング条件は、CF4/02(体積比)=90
/10,チャンバー内真空度0.07 5 forr,
電極間電圧0.63W/cd,一方の電極の冷却温度を
25℃で行ったところ、レジストは僅かにエッチングさ
れるのみであり、4“一二トロベンジリデン−3−アセ
トアミノー4−メトキシアニリンの薄膜結晶の微細パタ
ーンを形戊することが可能であった。さらにこの試料に
スパッタリング法により、Si02層を06 5μm形
威した後、全面を紫外線で露光し、ポジ型レジスト専用
現像液を用いて残留レジスト及びレジスト上のSi02
層を除去し、4゜−ニトロペンジリデン−3−アセトア
ミノー4−メトキシアニリンの埋め込み型光導波路を得
ることができた。次いで、アルミニウムを第4図の様に
パターニングして電極を形成し、分岐干渉型光変調器を
作製することができた。第4図は、得られた光導波路を
有機結晶体の形威されている面から見た図面である。
Example 2 After dissolving 4′-nitropenzylidene-3-acetamin-4-methoxyaniline in dimethylformamide,
The solution is sandwiched between two glass plates, and the solvent is gradually evaporated from the gap between the glass plates to a thickness of approximately 0.5 μm.
4'-Nitropenzylidene-3-acetamino-4-
A thin film single crystal of methoxyaniline was obtained. After peeling off one glass plate, a quinonediazide-based positive resist was applied to the upper surface of the thin film crystal using a spinner. After obtaining a desired resist pattern in the same manner as in Example 1, etching was performed using a reactive ion etching apparatus. Etching conditions are CF4/02 (volume ratio) = 90
/10, chamber vacuum level 0.07 5 forr,
When the interelectrode voltage was 0.63 W/cd and the cooling temperature of one electrode was 25°C, the resist was only slightly etched, and the thin film of 4"-2-2trobenzylidene-3-acetamin-4-methoxyaniline It was possible to form a fine pattern of crystals.Furthermore, after applying a Si02 layer of 065 μm to this sample by sputtering, the entire surface was exposed to ultraviolet rays, and the remaining portion was removed using a developer exclusively used for positive resists. Resist and Si02 on resist
By removing the layer, a buried optical waveguide of 4°-nitropenzylidene-3-acetamin-4-methoxyaniline could be obtained. Next, aluminum was patterned as shown in FIG. 4 to form electrodes, and a branching interference type optical modulator could be manufactured. FIG. 4 is a drawing of the obtained optical waveguide viewed from the surface where the organic crystal is formed.

実施例3 微細加工される有機結晶体として、銅フタロシアニンを
塩化カリウム基板上に真空蒸着法によって堆積させて、
厚さ0.  3μmの薄膜結晶を用いた。この銅フタ口
シアニン結晶薄膜上に、環化ゴム系ネガ型フォトレジス
トを塗布し、これに目的とするパターンを描いたフォト
マスクを通して紫外線を照射した。さらに、ネガ型フォ
トレジスト専用現像液を用いて紫外線が当たらなかった
部分を溶解除去した。このものをエッチングチャンバー
内に入れ、リアクティブイオンエッチングを行った(エ
ッチング条件:CF4/02(体積比)=50/5G 
、チャンバー内真空度0,  1 1orr,電極間電
圧0.  95W/car,電極冷却(25℃))とこ
ろ、銅フタロシアニンの微細なパターンを形成すること
が可能であった。さらにこの試料に電子ビーム蒸着法に
よりy2 o3層を0.3μm形成した後、レジスト及
びレジスト上のY203層をネガ型レジスト専用リムー
バーにより除去して、銅フタ口シアニン結晶の埋め込み
型先導波路を作製できた。
Example 3 As an organic crystal to be microfabricated, copper phthalocyanine was deposited on a potassium chloride substrate by vacuum evaporation,
Thickness 0. A 3 μm thin film crystal was used. A cyclized rubber-based negative photoresist was coated on this copper capped cyanine crystal thin film, and ultraviolet rays were irradiated onto it through a photomask with a desired pattern drawn thereon. Furthermore, the areas that were not exposed to ultraviolet rays were dissolved and removed using a developer exclusively used for negative photoresists. This material was placed in an etching chamber and reactive ion etching was performed (etching conditions: CF4/02 (volume ratio) = 50/5G
, chamber vacuum level 0.11orr, interelectrode voltage 0. (95 W/car, electrode cooling (25° C.)) As a result, it was possible to form a fine pattern of copper phthalocyanine. Furthermore, after forming a Y2O3 layer of 0.3 μm on this sample by electron beam evaporation, the resist and the Y203 layer on the resist were removed using a negative resist remover to create a copper cap cyanine crystal embedded guide waveguide. did it.

[発明の効果] 本発明の製造方法により、光の散乱損失の低減が可能で
あるといった特徴を有する埋め込み型導波路素子を提供
することができる。さらに、制御電極の作製が容易であ
るなど種々の用途に利用できる。
[Effects of the Invention] According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to provide a buried waveguide element having a feature that light scattering loss can be reduced. Furthermore, it can be used for various purposes such as easy production of control electrodes.

4.図面の簡単な説明 第1図は、本発明の製造方法において、リッジ型の有機
結晶体先導波路およびレジストを形成した段階における
光導波路素子の断面図を示す。
4. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 shows a cross-sectional view of an optical waveguide element at a stage where a ridge-type organic crystal guiding waveguide and a resist are formed in the manufacturing method of the present invention.

第2図は、本発明の製造方法において、リッジ型の有機
結晶体光導波路およびフォトレジスト上に、屈折率の低
い物質からなる層を設けた段階における先導波路素子の
断面図を示す。
FIG. 2 shows a cross-sectional view of the guiding waveguide element at a stage in which a layer made of a substance with a low refractive index is provided on the ridge-type organic crystal optical waveguide and the photoresist in the manufacturing method of the present invention.

第3図は、本発明埋め込み型有機結晶体先導波路素子の
断面図を示す。
FIG. 3 shows a cross-sectional view of the embedded organic crystal guided waveguide device of the present invention.

第4図は、実施例2で得られた有機結晶体光導波路素子
の、導波路を有する面側から見た図面である。
FIG. 4 is a drawing of the organic crystal optical waveguide device obtained in Example 2, viewed from the side having the waveguide.

第5図は、実施例2で得られた分岐干渉型光変調器の、
導波路を有する面側から見た図面である。
FIG. 5 shows the branching interference type optical modulator obtained in Example 2.
It is a drawing seen from the surface side having a waveguide.

第6図は、従来の埋め込み型光導波路素子を示す図面で
ある。
FIG. 6 is a drawing showing a conventional buried optical waveguide element.

第7図は、従来のリッジ型光導波路素子を示す図面であ
る。
FIG. 7 is a drawing showing a conventional ridge type optical waveguide element.

1は基板、2は有機結晶体、3はレジスト、4は有機結
晶体より屈折率の低い物質、5は電極、6は先導波路を
示す。
1 is a substrate, 2 is an organic crystal, 3 is a resist, 4 is a substance having a lower refractive index than the organic crystal, 5 is an electrode, and 6 is a leading waveguide.

特許出願人  東 レ 株 式 会 社第 1 図 第 2 図 第3 図 第 ≠ 図 第5 図Patent applicant: Toray Co., Ltd. 1 figure No. 2 figure Third figure No. ≠ figure Fifth figure

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記のイ、ロ、ハの工程からなることを特徴とす
る埋め込み型有機結晶体光導波路素子の製造方法。 イ、基板の上に形成された薄膜有機結晶体上に、光また
は電子線に有感なレジストを塗布し、そのレジストを所
望の微細パターンに露光現像した後、該薄膜有機結晶体
のエッチングを行い、リッジ型の有機結晶体光導波路を
作製する工程。 ロ、該イの工程により得られた有機結晶体光導波路及び
基板上に、該有機結晶体より屈折率の低い物質からなる
層を、その膜厚が有機結晶体の膜厚と同じになるように
蒸着あるいはスパッタリングによって形成する工程。 ハ、該ロの工程により得られた有機結晶体光導波路上の
レジストおよびレジスト上の有機結晶体より屈折率の低
い物質からなる層を取り去る工程。
(1) A method for manufacturing a buried organic crystal optical waveguide device, which is characterized by comprising the following steps (a), (b), and (c). B. A resist sensitive to light or electron beams is applied onto the thin organic crystalline film formed on the substrate, the resist is exposed and developed into a desired fine pattern, and then the thin organic crystalline film is etched. process to fabricate a ridge-type organic crystal optical waveguide. B. On the organic crystal optical waveguide and substrate obtained in step A, a layer made of a substance having a lower refractive index than the organic crystal is formed so that its thickness is the same as that of the organic crystal. A process of forming by vapor deposition or sputtering. C. A step of removing the resist on the organic crystal optical waveguide obtained in step B and the layer made of a substance having a lower refractive index than the organic crystal on the resist.
(2)有機結晶体が光学的非線形性を有する結晶体であ
ることを特徴とする請求項(1)記載の埋め込み型有機
結晶体光導波路素子の製造方法。
(2) The method for manufacturing a buried organic crystal optical waveguide element according to claim (1), wherein the organic crystal is a crystal having optical nonlinearity.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5353342A (en) * 1976-10-26 1978-05-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical waveguide formation method
JPS59133530A (en) * 1983-01-20 1984-07-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Waveguide type nonlinear optical element and its manufacture
JPS61240207A (en) * 1985-04-17 1986-10-25 Nec Corp Optical waveguide

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