JPH0351626A - Drive circuit for solenoid valve for combustion device - Google Patents

Drive circuit for solenoid valve for combustion device

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JPH0351626A
JPH0351626A JP18457889A JP18457889A JPH0351626A JP H0351626 A JPH0351626 A JP H0351626A JP 18457889 A JP18457889 A JP 18457889A JP 18457889 A JP18457889 A JP 18457889A JP H0351626 A JPH0351626 A JP H0351626A
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Abstract

PURPOSE:To take a measure to meet the occurrence of a short circuit trouble to an element current passage by a method wherein when a fuel feed flow passage is to be closed, a cutoff command signal is outputted to all semiconductor power switching elements from a control circuit. CONSTITUTION:When a solenoid valve 12 is kept in a closed state, a significant signal of a level L is outputted from a solenoid valve control circuit 11, a pair of photo couplers PC1 and PC2 are both in an ON-state, and a pair of power transistors Q1 and Q2 are both in an OFF-state. In this case, even when a short circuit trouble occurs to the first pnp transistor Q1, the collector terminal voltage of the other transistor Q2 holding a normal OFF-state is brought into a state to be approximately equal to a source voltage V<+> and therefore, the potential is inputted to the base of a pnp transistor Q4. As a result, the transistor Q4 is energized and a base potential enough for ensurance of an OFF-state is inputted to the transistor Q2 without depending upon the state of a parallel photo coupler PC2.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、各種の燃焼機器において燃料供給流路を開閉
する1M1弁の駆動回路に関し、特に、電磁弁駆動電流
の開閉に半導体スイッチング素子を用いた場合にあって
、当該素子が短絡故障を起こしたときにも、安全のため
、これを自己診断できるようにし、電磁弁に誤って駆動
1t疏を流すことのないようにする改良に関する. 〔従来の技術〕 ガス給湯器その他、種々の燃焼機器には、当然、それを
使用すべきときにのみ、燃焼部に燃料を供給し、不使用
時には確実に燃料の供給を断つため,駆動電流の有無に
より選択的に燃料供給流路を開閉する電磁弁が必要とさ
れる. しかるに従来、燃料を供給すべきときにこの電磁弁に駆
動電流を供給し、燃料を断つべきときに駆動電流を断つ
ためには、当該電611弁と直列に電磁リレーのリレー
接点を挿入し、そのオン・オフによってなしていた. すなわち、第2図に示すように、電611弁12に対す
る従来の駆動回路は、簡単には電磁リレーRvとバイボ
ーラ・ドライバ・トランジスタq。とから構成されてお
り、電磁弁制御回路11から例えば相対的な高レベル“
H”で有意の燃料供給指令信号が出力されると、ドライ
バ・トランジスタq。がターン・オンし、電源電位VC
Cの制御回路系用電源からリレーロ,中の励磁コイルに
通電してそのリレー接点を閉じさせ、これにより電源電
位v4の電磁弁駆動用電源から電磁弁l2に駆iIII
電流が供給される. もちろん、このような機器では、安全のため、電磁弁1
2は駆動電流を受けたときに燃料供給流路を開放するよ
うになっており、駆動電流が止められると、自身に内蔵
されている機械的なバネ力により、閉塞状態に戻るよう
に作られている.なお、図中、電磁弁制御回路11には
”c p u”という表記を施しているが、例えば昨今
の給湯機器等では、燃焼制御にマイクロ・コンピュータ
を用いることが多く、電磁弁制御回路l1としての機能
はこのマイクロ・コンピュータが営むことが多いため、
そうしたマイクロ・コンピュータを一般表記で表したも
のである. 換言すれば、電磁弁制御回路11とは、当該マイクロ・
コンピュータ(cpu)が電磁弁l2の制御に関して行
なう機能をハード・ウエアに起こして模式的に示したも
のと考えて良い.あらかじめ述べて置くと、この点につ
いては、本発明要旨構成中や、後に挙げる本発明の実施
例においても全く同様である. [発明が解決しようとする課題] 以上のような従来の電磁弁駆動回路に関し、本発明にお
いて問題としたいのは、当該電磁弁12を直接にオン・
オフ制御しているリレーRvの存在である. すなわち、この種のリレーロ、は、電気機械的な要素で
あるため、故障要因が多く、形状も大きくなりがちで、
装置全体の小型化を阻む要因となる.したがって、でき
るならばその使用を避け、このようなリレーに比せば極
めて小型に済み、かつ故障率も一桁以上少ない半導体パ
ワー・スイッチング素子を用いることができれば、それ
に越したことはない.そしてまた、既存の技術でも、回
路的にはそれが不可能というわけではない.例えば、バ
イポーラ・パワー・トランジスタとか絶縁ゲート型バイ
ポーラ・パワー・トランジスタ、あるいはまたMISな
いしMOS系の電界効果パワー・トランジスタ等、すで
に撞供されている半導体パワー・スイッチング素子を用
い、その素子?lE流通路(エミッターコレクタ間また
はソースードレイン間電流通路)を電磁弁じ直列に挿入
した上で、適当r7るドライバ回路でこれを駆動すれば
、従来の技術でも回路的には全く問題のない電磁弁駆勅
回路を得ることができる. にもかかわらず、これまでの所、こうした半導体パワー
・スイッチング素子を実際の製品に搭載するのはためら
われていた.その理由は次のような点にある. この種の半導体パワー・スイッチング素子は,上記のよ
うに、電気ta械的要素であって可動部分を含むリレー
に比せば、確かC故障率自体は格段に低い.しかし問題
なのは、万が一にも故障すると、それが一般に短絡故障
になるということである.短絡故障を起こすと、燃焼制
御回路からは燃料流路を閉ざすべき指令が出ているのに
、電磁弁は開放状態となって、この種の燃焼機器におい
て最も避けねばならない生燃料の漏出を生む.その点、
電磁リレーならば、故障するにも接点間が開放になった
ままという故障が多いため、少なくともitin弁に意
図しない駆動電流を供給してしまう確率は小さく、燃焼
装置全体として見た場合の安全性、いわゆフェイル・セ
イフを重要視すると、どうしても、半導体素子よりはこ
うしたリレーを選ぶことになる. 本発明はこのような事情に鑑み、本来的には従来からも
採用が望まれてきた半導体パワー・スイッチング素子を
IEiii弁駆動手段として現実的C利用可能な状態に
するため、問題とされていた素子電流通路の短絡故障に
対する対策を十分に立てるへく威されたものである, [課題を解決するための手段] 本発明においては、上記目的を達成するため、電磁弁へ
の駆勅電疏の供給線路中に、まずは複数個の半導体パワ
ー・スイッチング素子の各々の素子電流通路を直列に介
在させ、その上で、燃料供給流路を開くべきときには、
これら複数個の半導体パワー・スイッチング素子の全て
に対し、制御回路から導通指令fX号を与えて、それら
全ての半導体パワー・スイッチング素子の素子電流通路
を導通させ、逆に燃料供給疏路を閉じるべきとき(は、
全ての半導体パワー・スイッチング素子に対し、制御回
路から遮断指令信号を与える.しかるに、半導体パワー
・スイッチング素子を用いるにしても、従来の考え方に
よる場合には、通常、電6fl弁に対して直列に挿入す
る半導体パワー・スイッチング素子は一個で足りるとさ
れるが、本発明では上記のように、これを少なくとも二
つ以上とする。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a drive circuit for a 1M1 valve that opens and closes a fuel supply flow path in various combustion equipment, and in particular, a semiconductor switching element is used to open and close a solenoid valve drive current. This invention relates to an improvement that enables self-diagnosis of a short-circuit failure in the element when the element is used, and prevents a solenoid valve from being erroneously turned on by one ton of drive. [Prior Art] Gas water heaters and other types of combustion equipment naturally require a drive current to supply fuel to the combustion section only when it is to be used, and to ensure that the fuel supply is cut off when not in use. A solenoid valve is required to selectively open and close the fuel supply channel depending on the presence or absence of fuel. However, conventionally, in order to supply a driving current to this electromagnetic valve when fuel should be supplied and to cut off the driving current when fuel should be cut off, a relay contact of an electromagnetic relay was inserted in series with the electromagnetic valve. It was done by turning it on and off. That is, as shown in FIG. 2, the conventional drive circuit for the electric 611 valve 12 is simply an electromagnetic relay Rv and a bibolar driver transistor q. For example, from the solenoid valve control circuit 11, a relatively high level
When a significant fuel supply command signal is output at "H", driver transistor q turns on and the power supply potential VC
The power supply for the control circuit system of C supplies power to the excitation coil in Relay Ro to close the relay contact, thereby causing the solenoid valve drive power supply of power supply potential v4 to drive the solenoid valve l2.
Current is supplied. Of course, in such equipment, for safety, solenoid valve 1
2 is designed to open the fuel supply flow path when it receives a driving current, and when the driving current is stopped, it returns to the closed state due to its built-in mechanical spring force. ing. In the figure, the solenoid valve control circuit 11 is designated as "c p u", but for example, in modern water heaters, microcomputers are often used for combustion control, so the solenoid valve control circuit l1 This function is often performed by this microcomputer, so
This is a general notation for such a microcomputer. In other words, the solenoid valve control circuit 11 is
It can be thought of as a schematic representation of the functions that a computer (CPU) performs regarding the control of the solenoid valve l2 in hardware. As stated in advance, this point is exactly the same in the summary of the present invention and in the embodiments of the present invention that will be described later. [Problems to be Solved by the Invention] Regarding the conventional solenoid valve drive circuit as described above, the problem to be addressed in the present invention is that the solenoid valve 12 is directly turned on/off.
This is due to the presence of relay Rv which is controlling off. In other words, since this type of relay rotor is an electromechanical element, there are many causes of failure and the shape tends to be large.
This becomes a factor that prevents miniaturization of the entire device. Therefore, if possible, it would be better to avoid their use and use semiconductor power switching elements, which are much smaller than such relays and have an order of magnitude lower failure rate. Furthermore, even with existing technology, it is not impossible in terms of circuits. For example, by using semiconductor power switching devices that are already available, such as bipolar power transistors, insulated gate bipolar power transistors, or MIS or MOS field effect power transistors, If the IE flow path (emitter-collector current path or source-drain current path) is inserted in series with a solenoid valve and driven by a suitable driver circuit, the electromagnetic valve can be used without any circuit problems using conventional technology. A valve drive circuit can be obtained. Despite this, until now there has been hesitation in incorporating these semiconductor power switching devices into actual products. The reason for this is as follows. As mentioned above, this type of semiconductor power switching element has a much lower failure rate than a relay, which is an electromechanical element and includes a moving part. However, the problem is that if a failure were to occur, it would generally result in a short-circuit failure. When a short-circuit failure occurs, the solenoid valve remains open even though the combustion control circuit issues a command to close the fuel flow path, resulting in raw fuel leakage, which is the most important thing to avoid in this type of combustion equipment. .. That point,
With electromagnetic relays, there are many failures where the contacts remain open, so at least the probability of supplying unintended drive current to the itin valve is small, which improves the safety of the combustion equipment as a whole. If so-called fail-safe is important, such relays will inevitably be chosen over semiconductor devices. In view of these circumstances, the present invention aims to make the semiconductor power switching element, which has been desired to be adopted in the past, to a state where it can be practically used as an IEiii valve driving means. [Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, the present invention provides an electric wire for driving a solenoid valve. First, the element current paths of a plurality of semiconductor power switching elements are interposed in series in the supply line of the fuel supply line, and then, when the fuel supply passage is to be opened,
A conduction command fX should be given from the control circuit to all of these multiple semiconductor power switching elements to make the element current paths of all of these semiconductor power switching elements conductive and conversely close the fuel supply channel. when,
A cut-off command signal is given to all semiconductor power switching elements from the control circuit. However, even if a semiconductor power switching element is used, according to the conventional concept, one semiconductor power switching element inserted in series with the electric 6fl valve is usually sufficient, but in the present invention, As mentioned above, there are at least two or more.

さらに、本発明では、そのようにして互いにも直列関係
に設けられた複数の半導体パワー・スィッチング素子の
各々の素子電流通路を個々に短絡検出回路によって監視
し、それが非道通状態にあるべきとき、つまりは制御回
路から遮断指令信号が与えられているときに短絡状態と
なっている素子があると、当該短絡検出回路にてこれを
検出して、短絡故障を起こしていない他の半導体パワー
・スイッチング素子を強制的に遮断状態に維持する. なお、上記において短絡検出回路により遮断状態に維持
される他の半導体パワー・スイッチング素子とは、半導
体パワー・スイッチング素子を全部で三つ以上、直列に
用いた場合には、短絡故障を起こしている半導体パワー
・スイッチング素子を除いた残り二つ以上の半導体パワ
ー・スイッチング素子の中、少なくとも一つであれば良
いが、逆に残り全てであっても良い. また、上記のように、一般的には複数個(すなわち二つ
以上)の半導体パワー・スイッチング素子ということで
本発明は構成されるが、現実的には二つ用いるだけでも
十分である。
Further, in the present invention, the current path of each of the plurality of semiconductor power switching devices arranged in series with each other is individually monitored by a short-circuit detection circuit, and when the device current path should be in a non-conducting state, In other words, if there is an element that is short-circuited when a cut-off command signal is given from the control circuit, the short-circuit detection circuit detects this and switches on other semiconductor power devices that have not caused the short-circuit failure. Forcibly maintains the switching element in a cut-off state. In addition, in the above, other semiconductor power switching elements that are maintained in a cut-off state by the short circuit detection circuit are those that have caused a short circuit failure when a total of three or more semiconductor power switching elements are used in series. Of the two or more semiconductor power switching elements remaining after excluding the semiconductor power switching element, it is sufficient that it is at least one, but conversely, it may be all of the remaining semiconductor power switching elements. Further, as described above, although the present invention is generally configured with a plurality of (ie, two or more) semiconductor power switching elements, it is actually sufficient to use only two.

[作  用] 本発明においては、電磁弁の駆動電疏供給線路中には、
それらが共に制御回路からのオン・オフ指令を受ける複
数個の半導体パワー・スイッチング素子を有しているの
で、まず、そのことだけでも安全性は高められる. つまり、電磁弁に駆動電疏を与えず、電磁弁をして燃料
供給疏路を閉塞させるべきときには、当然、全ての半導
体パワー・スイッチング素子に対し、制御回路から遮断
指令f3号が与えられる.したがって、それら複数個の
半導体パワー・スイッチング素子の中、どれか一つでも
故障を起こしていない正常な半導体パワー・スイッチン
グ素子があれば、その素子電流通路は正常に非導通状態
となるので、他の全ての半導体パワー・スイッチング素
子が短絡故障を起こしても、それら複数個の素子電流通
路は電磁弁に対して全て直列に挿入されているため、駆
動電流供給線路は閉成せず、駆動電流が成れることはな
い。
[Function] In the present invention, in the drive electric cable supply line of the solenoid valve,
Since they both have multiple semiconductor power switching elements that receive on/off commands from the control circuit, this alone increases safety. In other words, when the solenoid valve is to be operated to close the fuel supply channel without applying a driving electric channel to the solenoid valve, a cutoff command f3 is naturally given to all semiconductor power switching elements from the control circuit. Therefore, if there is a normal semiconductor power switching element among these multiple semiconductor power switching elements that has not caused a failure, the current path of that element will normally be in a non-conducting state. Even if a short-circuit failure occurs in all of the semiconductor power switching devices in the device, the drive current supply line will not be closed and the drive current will not close because the current paths of these multiple devices are all inserted in series with the solenoid valve. It will never become possible.

このようなことからすれば、当然、直列に挿入する半導
体パワー・スイッチング素子の数を増やせば増やす程、
故障率は低下するが、一般には本発明に従っての複数個
という限定内においても最低個数である二つで十分であ
る.二つ共、半導体パワー・スイッチング素子が同時に
短絡故障を起こす確率は、ほとんど無視して良い程に低
い。
Considering this, it goes without saying that the more semiconductor power switching elements inserted in series, the more
Although the failure rate decreases, in general, the minimum number of two is sufficient even within the limit of multiple according to the present invention. The probability that both of the semiconductor power switching devices will suffer a short-circuit failure at the same time is so low that it can be almost ignored.

にもかかわらず、本発明においては、そうした単に数の
理論、すなわち半導体パワー・スイッチング素子の個数
によってのみ、この種の燃焼機器における安全性を確保
しているわけではなく、さらに積極的に、各半導体パワ
ー・スイッチング素子の短絡故障をも検出している. つまり、短絡検出回路は、複数個直列に備えられている
半導体パワー・スイッチング素子の個々の素子電流通路
を監視し、制御回路から全ての半導体パワー・スイッチ
ング素子に対し、遮断指令信号が与えられているときに
、正常に素子電疏通路を遮断することなく、短絡状態と
なっている素子があった場合には、他の素子に対し、こ
れを強制的に遮断状態に置くように機能する.したがっ
て当然、これら半導体パワー・スイッチング素子の素子
電流通路を直列に含む電磁弁駆動電流の供給線路を確実
に開放状態にすることができ、万が一にも電磁弁が燃料
供給流路を誤開放するおそれはほぼ完全に抑止される. [実 施 例] 第1図には、本発明に従って構成された電磁弁駆動回路
の望ましい一実施例が示されている.電磁弁制御回路1
!と電磁弁l2は、第2図に即してすでに説明したよう
に、従来からこの種の燃焼機器に備えられているもので
あって良く、既述の通り、電磁弁制御回路I1は、略号
”CPU”で示す通り、マイクロ・コンピュータがその
働きを兼ねることもできる. しかるに、これもすでに述べた安全性の硯点から、従来
では他に種々の長所を有しながらも、半導体パワー・ス
イッチング素子ではなく、あえてt6TiリレーRvを
用いていたのとは異なり、本発明においては、電磁弁l
2の選択的な駆動手段として、そうした半導体パワー・
スイッチング素子を積極的に、ただし複数個用いており
、図示実施例の場合には、共にバイボーラ・パワー・ト
ランジスタではあるが極性の異なるPnPトランジスタ
q1とnpnトランジスタq.を使用している.すなわ
ち、電源電位v0の電源から電磁弁l2に対して選択的
に駆動N流を供給する線路中に、これらPnP}ランジ
スタQ+とnpnトランジスタq2のそれぞれの素子電
疏通路(エミッターコレクタ間主電流線路)を直列に入
るように設け、特に図示実施例の場合には、第一のトラ
ンジスタq,は電磁弁l2のホット測に、第二のトラン
ジスタq7はコールド側ないし接地(GND)側に挿入
しでいる。
Nevertheless, in the present invention, the safety of this type of combustion equipment is not ensured solely by the theory of numbers, that is, by the number of semiconductor power switching elements; It also detects short-circuit failures in semiconductor power switching devices. In other words, the short-circuit detection circuit monitors the individual element current paths of multiple semiconductor power switching elements provided in series, and when a cut-off command signal is given to all semiconductor power switching elements from the control circuit. If there is an element that is in a short-circuit state without properly blocking the element canal passage, it will force the other elements to be in a cut-off state. Therefore, it is possible to reliably open the supply line of the solenoid valve drive current that includes the element current paths of these semiconductor power switching elements in series, and prevent the solenoid valve from accidentally opening the fuel supply flow path. It is almost completely suppressed. [Embodiment] FIG. 1 shows a preferred embodiment of a solenoid valve drive circuit constructed according to the present invention. Solenoid valve control circuit 1
! As already explained with reference to FIG. 2, the solenoid valve control circuit I1 and the solenoid valve l2 may be ones that have been conventionally provided in this type of combustion equipment. As indicated by "CPU", a microcomputer can also perform this function. However, from the point of view of safety as already mentioned, unlike the conventional method which purposely used a t6Ti relay Rv instead of a semiconductor power switching element, although it has various other advantages, the present invention In the case, the solenoid valve l
As a selective drive means of 2, such semiconductor power
A plurality of switching elements are actively used, and in the illustrated embodiment, a PnP transistor q1 and an npn transistor q. is used. That is, in the line that selectively supplies N driving current to the solenoid valve l2 from the power supply potential v0, there is an element canal path (emitter-collector main current line) of each of these PnP} transistor Q+ and npn transistor q2. ) are installed in series, and in particular, in the illustrated embodiment, the first transistor q, is inserted into the hot side of the solenoid valve l2, and the second transistor q7 is inserted into the cold side or the ground (GND) side. I'm here.

以下、この第1図示実施例装置の動作を追いながら、併
せて各構成要素につき、説明を施して行くが、まずは正
常な動作から述べる. t磁弁制御回路1lは、電磁弁12に電力を与え、図示
しない燃料供給疏路を開かせるべきときには、相対的に
高レベル“H“で定義される(W,号を出力し、燃料供
給流路を閉ざすべきときにはその信号レベルを相対的に
低レベル“L”にする。後の説明からも理解されるよう
に、この制御回路l1の発する信号は、それが“H”レ
ベルにあるときに、第−5第二の半導体パワー・スイッ
チング素子であるトランジスタQ+ . (hに対して
共通に与える導通指令信号となり、“し”レベルである
ときには遮断指令信号となる. 今、制御回路1lから発せられる信号が、第1図中にも
併示のように、それまでの”L”レベルから“H”レベ
ルに変わったとすると、この信号はインバータG,によ
り反転されて”し”レベルとなり、一対のnpn}ラン
ジスタQs , Qsのベースに印加される. すると、これら一対のnpnl−ランジスタQs,q.
は、後に説明するように、それまでのオン状態からター
ン・オフし、そのエミッターコレクタ間素子電流通路が
非導通となる。
In the following, each component will be explained while following the operation of the device according to the first illustrated embodiment, but the normal operation will be explained first. When the solenoid valve control circuit 1l should apply electric power to the solenoid valve 12 to open a fuel supply channel (not shown), it is defined at a relatively high level "H" (outputs a signal W, and stops the fuel supply. When the flow path should be closed, the signal level is set to a relatively low level "L".As will be understood from the later explanation, the signal emitted by this control circuit l1, when it is at the "H" level, Then, the transistor Q+, which is the -5th second semiconductor power switching element. Assuming that the emitted signal changes from the previous "L" level to the "H" level as shown in FIG. 1, this signal is inverted by the inverter G and becomes the "HI" level. is applied to the bases of a pair of npn} transistors Qs, Qs.Then, these pair of npnl-transistors Qs, q.
As will be explained later, the element is turned off from its previously on state, and its emitter-collector element current path becomes non-conductive.

すると、電源電位VCCの電源に対し、これら一対のト
ランジスタQs . Qsの素子電流通路を直列にして
挿入されている一対のフォト・カブラpc, ,PC2
の人力側発光ダイオードに電カが供給されなくなり、出
力側のトランジスタがターン・オフする. これにより、第一のpnpパヮー・トランジスタQ1に
おいては、そのベースが抵抗R,を介して実質的に接地
に引き落とされた回路が生ずる結果、電位V′″の電源
ホット側端子から当該第一トランジスタq1のエミッタ
、ベースを介し、抵抗R,から接地(GND)に向かう
ベース電流が流れて、これがターン・オンする。
Then, with respect to the power supply potential VCC, these pair of transistors Qs . A pair of photocoupler pc, , PC2 inserted in series with the element current path of Qs
Power is no longer supplied to the human-powered side light emitting diode, and the output side transistor turns off. This results in a circuit in the first pnp power transistor Q1 whose base is substantially pulled down to ground via the resistor R, so that the first transistor A base current flows from the resistor R toward ground (GND) through the emitter and base of q1, and this turns on.

方、第二のフォト・カブラPc2の出カ側トランジスタ
が同様にターン・オフすることにより、第二のパワー・
トランジスタであるnpnトランジスタQ,にも、電位
v0の電源ホット側端子から抵抗R4、当該トランジス
タq,のベース、エミッタを介して接地に向かうベース
電流が流れ、これがターン・オンする. そのため、電磁弁l2に直列に挿入されたこれら対のパ
ワー・トランジスタQ+ , (12の素子電流通路が
共に導通することから、当該74磁弁l2には電位V゛
のN源から駆動電琉が供給され、図示していない燃料供
給流路を開くべ<fit勤する。
On the other hand, by similarly turning off the output side transistor of the second photocoupler Pc2, the second power
Also in the npn transistor Q, which is a transistor, a base current flows from the power supply hot side terminal at the potential v0 to the ground via the resistor R4, the base and emitter of the transistor q, and this turns on. Therefore, since the element current paths of these pairs of power transistors Q+, (12) inserted in series in the solenoid valve l2 are conductive together, the 74 solenoid valve l2 receives a drive power from an N source of potential V'. A fuel supply channel (not shown) must be opened.

そして、この正常な動作状態に従い、一対のパワー・ト
ランジスタQ+ , Q2が共にオンとなって、電磁弁
l2に駆動電流が供給された状態では、後の故障状態に
対する説明に見られるように、本発明に従って設けられ
た短絡検出回路の一部をそれぞれ構成する一対のトラン
ジスタQ3 , Q4は、共にそうした正常な動作を何
等、損うことがない.すなわち、pnpトランジスタと
して構成されているトランジスタQ3は、回路構成的C
はそのエミッターコレクタ間線路が第一パワー・トラン
ジスタQ1のベースーエミッタ間で短絡された格好にな
っているので、当初、第一パワー・トランジスタQlが
ターン・オンすると、その後に電磁弁l2がオンとなり
、当該電&ii # I 2のホット側電位V。がほぼ
接地電位に近い低い値となって、抵抗R,を介し、この
トランジスタQ3のベースに印加されても、その前にオ
ンとなっているパワー・トランジスタQ+の低いベース
ーエミッタ間電圧でコレクターエミッタ間電圧がクラン
ブされているため、導通することができない. 同様に、第二のパワー・トランジスタq2のベースーエ
ミッタ間に自身のコレクターエミッタ間を接続したnp
nl−ランジスタQ4も、そのベースは抵抗R,を介し
て第二パワー・トランジスタQ,のコレクタffll+
に接続されているので、第二パワー・トランジスタQ2
がターン・オンし、そのコレクタ電位が十分に低くなる
と、やはり導通することはできない. 次に、電磁弁制御回路目が、電磁弁l2への駆動電流を
断って燃料供給疏路を閉塞せんと計った場合につき説明
すると、当該電磁弁filJ御回路11は、このとき、
第一、第二のパワー・トランジスタQ+ , Qzに対
しての遮断指令信号として、その出力(g号を相対的に
“L“レベルにする.こうなると、インバータG1の出
力は反転して相対的な“H”レベルとなり、一対のnp
nl−ランジスタQs . Qaに共に有意のベース電
位を与えてこれらをターン・オンさせる. これに伴い、電位VCCの電源から第一、第二のフォト
・カブラpc, , pc,の人力側発光ダイオードに
対し、共にそれらに発光を生じさせる電力が供給され、
したがって、内蔵の出力トランジスタもオン状態となる
. すると、このオンとなった第一フォト・カブラPC.の
出力トランジスタを介し、それまで第一バワー・トラン
ジスタq1のベースをほぼ接地電位に引き下げていた抵
抗R,の両端に電位v0が生じ、したがって第一パワー
・トランジスタであるpnpトランジスタQ1のベース
電位もその値に上昇するので当該トランジスタQ,がタ
ーン・オフする。
According to this normal operating state, when the pair of power transistors Q+ and Q2 are both turned on and driving current is supplied to the solenoid valve l2, as will be seen in the explanation for the failure state later, the main The pair of transistors Q3 and Q4, each forming part of a short circuit detection circuit provided in accordance with the invention, together do not impair such normal operation in any way. That is, the transistor Q3 configured as a pnp transistor has a circuit configuration of C
The emitter-collector line is short-circuited between the base and emitter of the first power transistor Q1, so when the first power transistor Ql is initially turned on, the solenoid valve l2 is turned on. Then, the hot side potential V of the voltage &ii #I 2. Even if the voltage becomes a low value close to ground potential and is applied to the base of this transistor Q3 through the resistor R, the collector is Since the emitter voltage is clamped, conduction cannot occur. Similarly, the np whose collector emitter is connected between the base and emitter of the second power transistor q2
nl- transistor Q4 also has its base connected to the collector ffll+ of the second power transistor Q, via a resistor R,
, so the second power transistor Q2
When it turns on and its collector potential becomes low enough, it still cannot conduct. Next, to explain the case where the solenoid valve control circuit 1 cuts off the drive current to the solenoid valve l2 to block the fuel supply channel, the solenoid valve filJ control circuit 11 at this time:
As a cutoff command signal for the first and second power transistors Q+ and Qz, their output (g) is set to a relatively "L" level. When this happens, the output of the inverter G1 is inverted and becomes relatively "L" level. becomes “H” level, and a pair of np
nl-transistor Qs. Apply a significant base potential to both Qa to turn them on. Along with this, power is supplied from the power source of the potential VCC to the human-powered light emitting diodes of the first and second photocoupler PC, , PC to cause them to emit light,
Therefore, the built-in output transistor is also turned on. Then, this first Photo Cabra PC turned on. A potential v0 is generated across the resistor R, which had previously pulled down the base of the first power transistor q1 to approximately ground potential, through the output transistor of the first power transistor Q1. Since the voltage rises to that value, the corresponding transistor Q is turned off.

同時に、第二のフォト・カプラPC2に内蔵の出力トラ
ンジスタもオンとなることにより、それまでは抵抗R4
を介して第二バヮー・トランジスタであるnpnトラン
ジスタq2のベースに与えられていたベース電流は、当
該オンとなったフォト・カブラ内蔵のトランジスタによ
りバイパスされ、したがってこの第二パワー・トランジ
スタq,もターン・オフする。
At the same time, the built-in output transistor of the second photocoupler PC2 is also turned on, so that until then the resistor R4
The base current that was being applied to the base of the second power transistor q2 through the transistor q2, which is the second power transistor, is bypassed by the transistor with a built-in photocoupler that is turned on, and therefore the second power transistor q is also turned on.・Turn off.

その結果、電磁弁l2は電位V゜の電源からの駆勅電鷹
の供給を断たれ、図示していない内蔵のバネ手段の働き
により、図示していない燃料供給流路を閉塞する. そして、この正常な動作状態下での第一、第二バワー・
トランジスタQ+ , (hのターン・オフに関しても
、既述したターン・オン時と同様に、本発明により新た
に設けられた短絡検出回路の一部を構成する一対のトラ
ンジスタQs , Qaは、何の災いも及ぼさない.そ
もそも、第一、第二フォト・カブラpc, , pc,
の出力トランジスタが共にオンとなることにより、結局
は第一、第二パヮー・トランジスタQ+ , Chのベ
ースーエミッタ間を短絡することでこれらトランジスタ
Q+ , (hをターン・オフ状態に付けるので、この
状態では当該フォト・カブラ出力トランジスタによる短
絡経路に並列に入ることになるトランジスタQs , 
Q−のオン・オフ状態は、それが例え如何様であっても
、上記動作に全く影響しないのである. しかし、これらトランジスタQ3 , Q4は、電I+
n弁l2を閉塞させているときにはこれに対する駆Ii
ll電流を断った状態を維持しなければ11らない一対
のパワー・トランジスタQ+ . (hの中、いずれか
一方にでも短絡故障が生じた場合、次のように有効に機
能する。
As a result, the solenoid valve 12 is cut off from the supply of driving electric power from the power source at the potential V°, and the not-shown fuel supply flow path is closed by the action of the built-in spring means (not shown). Under this normal operating condition, the first and second power
Regarding the turn-off of the transistors Q+, No misfortune will come.In the first place, the first and second Photo Cabra pc, , pc,
By turning on both output transistors, the base-emitter of the first and second power transistors Q+, Ch is short-circuited, and these transistors Q+, (h are turned off. In this state, the transistor Qs, which will be connected in parallel to the short circuit path caused by the photocoupler output transistor,
No matter what the on/off state of Q- is, it has no effect on the above operation. However, these transistors Q3 and Q4
When the n-valve l2 is closed, the drive Ii for this
A pair of power transistors Q+ . (If a short-circuit failure occurs in any one of h, it will function effectively as follows.

t磁弁l2を閉塞状態(維持するときには、既述した通
り、電磁弁制御回路l1からは“L”レベルで有意の信
号が出力され、その結果として、一対のフォト・カプラ
PC+ , PC2は共にオン状態、つまりはそれらの
出力トランジスタが導通した状態になっていて、それに
より、一対のパワー・トランジスタQ+ . (hが共
にオフ状態にあるべく計られている。
t When maintaining the solenoid valve l2 in the closed state, as described above, a significant signal at the "L" level is output from the solenoid valve control circuit l1, and as a result, both the pair of photocouplers PC+ and PC2 are closed. The on state, ie, their output transistors are in the conducting state, so that the pair of power transistors Q+.(h) are both designed to be in the off state.

しかるに、このときもし、第一のpnρトランジスタq
1の方に短絡故障が生じ、当該パワー・トランジスタq
1のコレクターエミッタ間が導通したとしても、図示回
路構戊によれば、正常にオフ状態を保っているもう一方
のパワー・トランジスタQ2のコレクタ端子電圧は、ほ
ぼ電源電位v0に等しくなるので、抵抗R2を介し、こ
の電位がnpnトランジスタQ4のヘースに与えられる
結果、電源電位v0から抵抗R4を介して素子電疏の供
給を受けることにより、このトランジスタq4が導通し
、したがって、これに並列に入っているフォト・カブラ
PC,の状態の如何によらず(すなわち何か故障があっ
ても)、第二バワー・トランジスタQ2にはそのオフ状
態を保証するための低電位のベース電位が与えられる. つまり、フォト・カブラPC2のバック・アップ機能と
して、第二パワー・トランジスタq2のオフ状態の確保
が計られ、したがって、例え第一パワー・トランジスタ
q1が短絡故障しても、第二パワー・トランジスタQ2
に言わばトランジスタQ4b)ら強制遮断指令信号を与
え続けることができ、誤って電磁弁l2に駆lIJ電疏
が供給され、不測にも開放した燃料供給流路から生ガス
等、生の燃籾が漏出してしまうようなおそれを十分低く
卯えることができる. 全く同様に、第二バワー・トランジスタq,の方に短絡
故障が生じた場合にも、そのような生燃料の漏出という
危険は極めて高い確度で防止することができる, すなわち、第一パワー・トランジスタq1のコレクター
エミッタ間に設けられている抵抗R1の値を電磁弁l2
に見込まれる抵抗分R1よりも十分高めに採って置けば
(R.>>Rl) .第二パワー・トランジスタQ,の
方に短絡故障が生ずると、電磁弁l2のホットfIll
Iの電位v0、つまりはトランジスタq,のベース電位
はほぼ接地電位に近い十分低い値にすることができるの
で、このトランジスタq3をオン状態に付けることがで
き、第一バワー・トランジスタQ+に対し、このトラン
ジスタQ3からの強制遮断指令信号として、高電位のヘ
ース電位を与え続けることができ、つまりはこのときの
フォト・カブラPCIのさらなるバック・アップとして
機能する. 以上、図示の実施例につき、詳記したが、用いる半導体
パワー・スイッチング素子の数は任意であり、三つ以上
の多数個の直列接続に展開することができる.もちろん
、図示実施例の場合、iiii弁12を挟んでそのホッ
ト側とコールド側に半導体パワー・スイッチング素子を
割り振ったが、ホット側のみ、あるいはコールド測にの
み、それら複数個の半導体パワー・スイッチング素子が
備えられていても良い. また、半i体パワー・スイッチング素子自体としても、
図示の場合には電流駆!JJ型の素子であるバイボーラ
・パワー・トランジスタを用いているが、他の電圧駆動
型のデバイス、例えば最近の開発になる絶縁ゲート型バ
イボーラ・トランジスタ(IGBT)や、MISないし
MOS系の電界効果パワー・トランジスタ等を採用し、
それらの短絡故障を検出した場合にゲート電位としてオ
フ指令となる電位を与えるようにすることもできる。
However, in this case, if the first pnρ transistor q
A short-circuit failure occurs in 1, and the power transistor q
Even if conduction occurs between the collector and emitter of one power transistor Q2, according to the illustrated circuit structure, the collector terminal voltage of the other power transistor Q2, which normally maintains an off state, is approximately equal to the power supply potential v0, so the resistor This potential is applied to the base of the npn transistor Q4 via R2, and as a result, this transistor q4 becomes conductive by receiving supply of the element wire from the power supply potential v0 via the resistor R4, and therefore, the transistor q4 is connected in parallel to it. Regardless of the state of the photocoupler PC (that is, even if there is some failure), a low base potential is applied to the second power transistor Q2 to ensure its off state. In other words, as a backup function of the photocoupler PC2, it is ensured that the second power transistor q2 is in the OFF state. Therefore, even if the first power transistor q1 has a short-circuit failure, the second power transistor Q2
In other words, the forced shutoff command signal can be continuously given from the transistor Q4b), and the electric current is accidentally supplied to the solenoid valve l2, and raw fuel such as raw rice is discharged from the unexpectedly opened fuel supply channel. The risk of leakage can be kept to a sufficiently low level. In exactly the same way, in the event of a short-circuit fault in the direction of the second power transistor q, such a risk of raw fuel leakage can be prevented with a very high degree of certainty, i.e. The value of the resistor R1 provided between the collector emitter of q1 is determined by the solenoid valve l2.
If the resistance is set sufficiently higher than the expected resistance R1 (R.>>Rl). If a short-circuit fault occurs in the second power transistor Q, the hot fIll of the solenoid valve l2
Since the potential v0 of I, that is, the base potential of transistor q, can be set to a sufficiently low value close to ground potential, this transistor q3 can be turned on, and with respect to the first power transistor Q+, As a forced cut-off command signal from this transistor Q3, a high Haes potential can be continuously applied, and in other words, it functions as further backup for the photocoupler PCI at this time. Although the illustrated embodiment has been described in detail above, the number of semiconductor power switching elements used is arbitrary, and it is possible to expand the number of semiconductor power switching elements to three or more connected in series. Of course, in the case of the illustrated embodiment, semiconductor power switching elements are allocated to the hot side and cold side of valve iii 12, but these multiple semiconductor power switching elements are allocated only to the hot side or only for cold measurement. may be provided. Also, as a semi-i-body power switching element itself,
In the case shown, it is a current drive! Although a bibolar power transistor, which is a JJ-type element, is used, other voltage-driven devices such as the recently developed insulated gate bibolar transistor (IGBT), or MIS or MOS field effect power transistors are used.・Uses transistors, etc.
It is also possible to apply a potential as the gate potential to issue an OFF command when such a short-circuit failure is detected.

さらに、半導体パワー・スイッチング素子を全部で三つ
以上、直列に用いた場合には、短絡故障を起こしている
半導体パワー・スイッチング素子を除いた残り二つ以上
の半導体パワー・スイッチング素子の中、少なくとも一
つに対し、強制遮断指令信号を送出するように構成して
あれば良いが、逆に残り全てに対してであっても良い。
Furthermore, if a total of three or more semiconductor power switching elements are used in series, at least one of the remaining two or more semiconductor power switching elements excluding the semiconductor power switching element that has caused a short-circuit failure, It is sufficient if the configuration is such that a forced cut-off command signal is sent to one, but it may be configured to send a forced cut-off command signal to all the remaining ones.

もっとも、上記のように、半導体パワー・スイッチング
素子は、実際には図示実施例のように、二つ用いるだけ
でも十分である.二つの半導体パワー・スイッチング素
子が同時に短絡故障を起こす確率はほとんど無視可能と
言っても良い程に極めて低く、したがって、その意味で
も、本発明は有効である. 逆に言えば、それでなくとも、半導体パワー・スイッチ
ング素子の数が二つ以上となって、短絡故障に伴う電磁
弁誤開放のおそれが極めて低くなっている上に、さらに
短絡検出回路により、より一層の安全性確保が計られて
いるのである。
However, as mentioned above, it is actually sufficient to use two semiconductor power switching elements as in the illustrated embodiment. The probability that two semiconductor power switching elements will cause a short-circuit failure at the same time is so low as to be almost negligible, and therefore, in this sense as well, the present invention is effective. Conversely, even if this is not the case, the number of semiconductor power switching elements is now two or more, and the risk of erroneous opening of the solenoid valve due to a short circuit failure is extremely low. Efforts are being made to ensure even greater safety.

[効  果] 本発明によれば、小型で故障率の小さい点で望ましいと
されていたが、いざ故障した場合には短絡故障となるこ
とが多いため、これまでの所は敬遠されていた半導体パ
ワー・スイッチング素子を、この種燃焼機器の電磁弁制
御手段として現に利用する道を開くことができ、換言す
れば、半導体パワー・スイッチング素子を電6f1弁の
駆動素子として用いた場合にも、燃焼機器全体としての
安全性を全く損うことなく、むしろ著しく高めることが
できる.
[Effects] According to the present invention, the present invention is considered desirable due to its small size and low failure rate, but when it does fail, it often results in a short-circuit failure. This opens the door to the actual use of power switching elements as solenoid valve control means for this type of combustion equipment.In other words, even when semiconductor power switching elements are used as driving elements for electric 6F1 valves, combustion The safety of the device as a whole is not compromised at all, but rather can be significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に従って構威された燃焼機器用電磁弁駆
動回路の望ましい一実施例の概略構成図. 第2図は従来において代表的に採用されていたリレー利
用型の電磁弁駆動回路の概略構成図.である. 図中、11はt磁弁制御回路、12は電61弁、q.Q
,は半導体パワー・スイッチング素子としてのバイポー
ラ・パワー・トランジスタ、Q3 , Qaは短絡検出
回路の一部を構威するトランジスタ、Qs , Qaは
フォト・カブラ用のドライバ・トランジスタ、PC, 
, PC.はフォト・カブラ、Rl + R2 + R
3 + R4 +R,は抵抗、voは電磁弁ホット側端
子のそのときどきにおける電位、v0は電磁弁駆動電疏
供給用の電源の電位、である.
FIG. 1 is a schematic diagram of a preferred embodiment of a solenoid valve drive circuit for combustion equipment constructed according to the present invention. Figure 2 is a schematic diagram of a relay-based solenoid valve drive circuit that has been typically used in the past. It is. In the figure, 11 is a t magnetic valve control circuit, 12 is an electric 61 valve, and q. Q
, are bipolar power transistors as semiconductor power switching elements, Q3 and Qa are transistors forming part of a short circuit detection circuit, Qs and Qa are driver transistors for photocoupler, PC,
, P.C. is photocabra, Rl + R2 + R
3 + R4 +R, is the resistance, vo is the potential of the hot side terminal of the solenoid valve at any given time, and v0 is the potential of the power source for supplying the solenoid valve driving electric wire.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  駆動電流を受けると燃焼機器の燃料供給流路を開く燃
焼機器用電磁弁の駆動回路であって;上記電磁弁への上
記駆動電流の供給線路中に各々の素子電流通路を直列に
介在させた複数個の半導体パワー・スイッチング素子と
; 上記燃料供給流路を開くべきときには該複数個の半導体
パワー・スイッチング素子の全てに対し導通指令信号を
、閉じるべきときには遮断指令信号を出力する制御回路
と; 該複数の半導体パワー・スイッチング素子の上記素子電
流通路を個々に監視し、上記制御回路から遮断指令信号
を受けているときに短絡している素子があるとこれを検
出し、短絡故障を起こしていない他の半導体パワー・ス
イッチング素子を遮断状態に維持する短絡検出回路と; を有して成る燃焼機器用電磁弁の駆動回路。
[Scope of Claims] A drive circuit for a solenoid valve for a combustion device that opens a fuel supply flow path of the combustion device when receiving a drive current; wherein each element current path is provided in a supply line for the drive current to the solenoid valve. a plurality of semiconductor power switching elements interposed in series; a conduction command signal is sent to all of the plurality of semiconductor power switching elements when the fuel supply flow path should be opened, and a cutoff command signal is sent to all of the plurality of semiconductor power switching elements when the fuel supply flow path should be closed; a control circuit for outputting; individually monitoring the element current paths of the plurality of semiconductor power switching elements, and detecting any short-circuited element when receiving a cutoff command signal from the control circuit; , a short-circuit detection circuit that maintains other semiconductor power switching elements that have not caused a short-circuit failure in a cut-off state; and a drive circuit for a solenoid valve for combustion equipment.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH112356A (en) * 1997-04-16 1999-01-06 Saginomiya Seisakusho Inc Solenoid valve and solenoid valve driving gear
JP2012163289A (en) * 2011-02-08 2012-08-30 Rinnai Corp Combustion device
JP2012180991A (en) * 2011-03-02 2012-09-20 Rinnai Corp Gas combustion device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61105378A (en) * 1984-10-29 1986-05-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Drive unit for electromagnetic valve

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