JPH0349929A - 結晶性ポリホスファーゼン延伸成形物 - Google Patents
結晶性ポリホスファーゼン延伸成形物Info
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- JPH0349929A JPH0349929A JP1184307A JP18430789A JPH0349929A JP H0349929 A JPH0349929 A JP H0349929A JP 1184307 A JP1184307 A JP 1184307A JP 18430789 A JP18430789 A JP 18430789A JP H0349929 A JPH0349929 A JP H0349929A
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、結晶性ポリホスファーゼンの延伸成形物に関
する0本発明品には、冷却することによって被延伸方向
に一定の膨張を示す特異な性状があり、種々の産業用若
しくは民生用機器用責材としての利用が考えられる。
する0本発明品には、冷却することによって被延伸方向
に一定の膨張を示す特異な性状があり、種々の産業用若
しくは民生用機器用責材としての利用が考えられる。
[従来の技術]
一般式[(OR) 2PNコ。
(ただし、代はアルキル若しくはアリールであり、nは
20〜20,000の整数である。)で示されるポリホ
スファーゼンは、固体状態で結晶性であることを前提と
してサーモトロピックな性質を示す。
20〜20,000の整数である。)で示されるポリホ
スファーゼンは、固体状態で結晶性であることを前提と
してサーモトロピックな性質を示す。
その挙動は、T (1)転穆点以下の温度で3次元結晶
格子を形成し、これを加熱していくとT (1)転穆点
以上の温度で該3次元結晶格子は2次元構造の格子に変
化する。この相はいわゆる中間相であって液晶状態に対
応する。
格子を形成し、これを加熱していくとT (1)転穆点
以上の温度で該3次元結晶格子は2次元構造の格子に変
化する。この相はいわゆる中間相であって液晶状態に対
応する。
さらに加熱を続けた場合、2次元結晶格子はある温度T
、で完全に無秩序状態になり、いわゆる融解相をつくる
。
、で完全に無秩序状態になり、いわゆる融解相をつくる
。
前述の中間相では、ポリホスファーゼンの分子鎮は2次
元の擬人方晶(δ型と規定)を作る。該分子鎮相互間の
距離a6は、ポリホスファーゼンの側liRの種類とそ
のポリマーが存在する雰囲気の温度によって異るが、通
常10〜20オングストロ一ム程度であり、該分子鎮に
垂直な単位格子胞の面積35は、S 6 = (10〜
20) 2SIn80&: ナル。
元の擬人方晶(δ型と規定)を作る。該分子鎮相互間の
距離a6は、ポリホスファーゼンの側liRの種類とそ
のポリマーが存在する雰囲気の温度によって異るが、通
常10〜20オングストロ一ム程度であり、該分子鎮に
垂直な単位格子胞の面積35は、S 6 = (10〜
20) 2SIn80&: ナル。
ポリホスファーゼンの温度を特定の[(oR)鵞pNl
n固有のT (r)煮貝上に昇温した後すなわち中間相
を経てT (1)点未満の温度、例えば室温まで低下さ
せるとδ型は3次元結晶に転穆する。この場合の結晶形
は多くは斜方晶形(注、γ型と規定する)となり、その
単位胞の面積Sアは、上述のSδに対応してSア*ab
(注、a、bについては後述の第1図参照)^2暑なる
。
n固有のT (r)煮貝上に昇温した後すなわち中間相
を経てT (1)点未満の温度、例えば室温まで低下さ
せるとδ型は3次元結晶に転穆する。この場合の結晶形
は多くは斜方晶形(注、γ型と規定する)となり、その
単位胞の面積Sアは、上述のSδに対応してSア*ab
(注、a、bについては後述の第1図参照)^2暑なる
。
該面積は通常(lO〜30)(lO〜3o)′^2程度
である。上述のδ型からγ型への転移は、ポリホスファ
ーゼンの加熱及び/又は冷却条件に依存して特別な加熱
−冷却下では斜方晶形以外の結晶形に転穆する場合もあ
る。
である。上述のδ型からγ型への転移は、ポリホスファ
ーゼンの加熱及び/又は冷却条件に依存して特別な加熱
−冷却下では斜方晶形以外の結晶形に転穆する場合もあ
る。
ポリホスファーゼンには、また次の特徴すなわちこの物
質の合成直後、またはポリホスファーゼンをT (1)
温度未満の温度でフィルム状または繊維状に加工した場
合(注1本発明者等の先の出願に係る特開昭64−51
,440号公報参照)には、該製造された物の内部でポ
リホスファーゼンの分子鎮は、折りたたまれた状態で結
晶を構成しているという性質がある(注、この場合の比
重は小)。
質の合成直後、またはポリホスファーゼンをT (1)
温度未満の温度でフィルム状または繊維状に加工した場
合(注1本発明者等の先の出願に係る特開昭64−51
,440号公報参照)には、該製造された物の内部でポ
リホスファーゼンの分子鎮は、折りたたまれた状態で結
晶を構成しているという性質がある(注、この場合の比
重は小)。
しかし、このような物を一度丁(1)温度以上に加熱し
た場合には、中間相においてポリホスファ−ゼンの分子
鎮は、部分的に伸びた状態となり、その後肢製造された
物を冷却してその構成材料であるポリホスファーゼンを
結晶化させた場合にも、上述の伸びた状態の分子鎮はそ
のまま結晶構造内に残存する(注、この場合の比重は大
)という特徴を有する。
た場合には、中間相においてポリホスファ−ゼンの分子
鎮は、部分的に伸びた状態となり、その後肢製造された
物を冷却してその構成材料であるポリホスファーゼンを
結晶化させた場合にも、上述の伸びた状態の分子鎮はそ
のまま結晶構造内に残存する(注、この場合の比重は大
)という特徴を有する。
しかしながら、ポリホスファ−ゼンについての以下に述
べるT (I)温度以上での延伸と該延伸により得られ
た延伸成形物の熱的挙動については知られていない。
べるT (I)温度以上での延伸と該延伸により得られ
た延伸成形物の熱的挙動については知られていない。
[発明が解決しようとする問題点]
上述のようにポリホスファ−ゼンの単なる成形品は、T
(1)温度以上で比重が小(すなわち膨張し)で、T
(11温度以下で比重が大(すなわち収縮)するという
通常の熱可塑性合成高分子と同様の挙動を示す。
(1)温度以上で比重が小(すなわち膨張し)で、T
(11温度以下で比重が大(すなわち収縮)するという
通常の熱可塑性合成高分子と同様の挙動を示す。
今回、本発明者等は、ポリホスファーゼンの成形品(例
えばフィルム又は線維状成形物)のT(I)温度以下の
熱的挙動について、該成形品がT (I)温度以上で延
伸されたものである場合には、T(I)温度未満への、
冷却によって通常の挙動とは逆に一定方向に膨張し、再
びT (1)温度以上に昇温すると収縮してもとの形状
(比りに戻ることを見い出し、この知見に基づいて本発
明を完成した。
えばフィルム又は線維状成形物)のT(I)温度以下の
熱的挙動について、該成形品がT (I)温度以上で延
伸されたものである場合には、T(I)温度未満への、
冷却によって通常の挙動とは逆に一定方向に膨張し、再
びT (1)温度以上に昇温すると収縮してもとの形状
(比りに戻ることを見い出し、この知見に基づいて本発
明を完成した。
以上の説明から明らかなように本発明の目的は、新規な
物性的特徴を有する結晶性ポリホスファーゼン延伸成形
物を提供することである。他の目的は、該延伸成形物の
製造法を提供することである。
物性的特徴を有する結晶性ポリホスファーゼン延伸成形
物を提供することである。他の目的は、該延伸成形物の
製造法を提供することである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は下記(1)〜(3)の構成を有する。
(11結晶性ポリホスフアーゼンの延伸成形物。
(2)結晶性ポリホスファーゼンのシート又はストラン
ドをT(1)温度以上で延伸してなる延伸成形物。
ドをT(1)温度以上で延伸してなる延伸成形物。
(3)結晶性ポリホスファーゼンとしてポリ[ビス(国
−クロロフェノキシ)ホスファーゼン]若しくはポリ[
ビス(p−クロロフェノキシ)ボスファーゼン]を使用
してなる前記第(1)項若しくは第(2)項に記載の延
伸成形物。
−クロロフェノキシ)ホスファーゼン]若しくはポリ[
ビス(p−クロロフェノキシ)ボスファーゼン]を使用
してなる前記第(1)項若しくは第(2)項に記載の延
伸成形物。
本発明の構成と効果につき以下に詳述する。
本発明に使用する結晶性ポリホスファーゼン(既初物質
)は、 一般式[(OR12PN ] n (ここで、Rはアルキル若しくはアリールであり、nは
20〜20,000の整数である。)で示される熱可塑
性ポリマーである。
)は、 一般式[(OR12PN ] n (ここで、Rはアルキル若しくはアリールであり、nは
20〜20,000の整数である。)で示される熱可塑
性ポリマーである。
その最も普通の製造法は、[C1,PM ] I1のC
I2部分を(OR)*で置換することによって得られる
ポリビスフェノキシホスファーゼンで例示される。
I2部分を(OR)*で置換することによって得られる
ポリビスフェノキシホスファーゼンで例示される。
結晶性ポリホスファーゼン(精製品)は、白色繊維状あ
るいはフレーク状の固体で、結晶構造は、多くの場合単
斜晶形若しくは斜方晶形でそれぞれα型若しくはγ型と
定義されている。
るいはフレーク状の固体で、結晶構造は、多くの場合単
斜晶形若しくは斜方晶形でそれぞれα型若しくはγ型と
定義されている。
本発明の延伸成形物を製造するためには、結晶性ポリホ
スファーゼンを先づ、例えばシート又は繊維状物のよう
な一次成形品に加工する。該加工は、可能な場合は、熱
可塑性加工(注、溶融成形)を行うが、好ましくは、該
重合体を適当な有機溶剤に溶解し、例えばキャスト法に
よってフィルム又はシート状物若しくは繊維状物とする
。
スファーゼンを先づ、例えばシート又は繊維状物のよう
な一次成形品に加工する。該加工は、可能な場合は、熱
可塑性加工(注、溶融成形)を行うが、好ましくは、該
重合体を適当な有機溶剤に溶解し、例えばキャスト法に
よってフィルム又はシート状物若しくは繊維状物とする
。
該有機溶剤としては例えばテトラヒドロフラン(THF
)若しくはキシレンを挙げることができる。上述のよう
にして得られた一次成形物を該結晶性ポリホスファーゼ
ンのT(り1点以上例えばポリビスフェノキシホスファ
ーゼン 160℃程度でδ型(前述)に転移させる。
)若しくはキシレンを挙げることができる。上述のよう
にして得られた一次成形物を該結晶性ポリホスファーゼ
ンのT(り1点以上例えばポリビスフェノキシホスファ
ーゼン 160℃程度でδ型(前述)に転移させる。
かく処理された中間製品は、つづいて延伸処理に付され
る。キャストフィルムを例にとれば、該フィルムは、公
知の延伸法により一軸又は二軸延伸される。延伸条件は
、限定されないが例えば50〜300℃、好ましくは1
00〜200℃で延伸倍率(一方向)2〜20倍、好ま
しくは3〜lO倍である。延伸後は、その形状を維持し
たまま多くは室温まで冷却してその形状を固定(セット
)する。
る。キャストフィルムを例にとれば、該フィルムは、公
知の延伸法により一軸又は二軸延伸される。延伸条件は
、限定されないが例えば50〜300℃、好ましくは1
00〜200℃で延伸倍率(一方向)2〜20倍、好ま
しくは3〜lO倍である。延伸後は、その形状を維持し
たまま多くは室温まで冷却してその形状を固定(セット
)する。
本発明品の新規かつ独自の物性であるポリホスファーゼ
ン延伸成形物の冷却によって一定の膨張と昇温による形
状回復について説明する。上述の膨張現象は、延伸され
た結晶性ポリホスファ−ゼン成形品の中間相から冷却に
よってその温度を下げることにより、結晶化がおこった
際に見られる。
ン延伸成形物の冷却によって一定の膨張と昇温による形
状回復について説明する。上述の膨張現象は、延伸され
た結晶性ポリホスファ−ゼン成形品の中間相から冷却に
よってその温度を下げることにより、結晶化がおこった
際に見られる。
例えば、ポリ[ビス(m−クロロフェノキシ)ホスファ
ーゼン] (以下Pa (3−C1) PPと略記する
)は、その分子量にも依存するがT(1)が室温(25
℃)より低く、室温でX線回折法によって測定を行うと
その結晶構造は、明かに中間相の状態を示す、このポリ
マーのテトラヒドロフラン(THF)溶液からキャスト
法によってフィルムを製造し、該フィルムを室温で延伸
し、該延伸フィルムにつきX線回折を行うとその回折像
は、配向中間相からの反射を示す。
ーゼン] (以下Pa (3−C1) PPと略記する
)は、その分子量にも依存するがT(1)が室温(25
℃)より低く、室温でX線回折法によって測定を行うと
その結晶構造は、明かに中間相の状態を示す、このポリ
マーのテトラヒドロフラン(THF)溶液からキャスト
法によってフィルムを製造し、該フィルムを室温で延伸
し、該延伸フィルムにつきX線回折を行うとその回折像
は、配向中間相からの反射を示す。
この延伸(1軸でも2軸でも可)された状態で、例えば
−10℃の温度に保存するとその長さ被延伸方向に約1
0%膨張し、再び温度を上げて室温にすると該膨張物は
徐々に収縮して元の長さに戻る。この現象は、非延伸物
についても幾分かは認められるが、延伸成形物について
特に顕著に見られる。
−10℃の温度に保存するとその長さ被延伸方向に約1
0%膨張し、再び温度を上げて室温にすると該膨張物は
徐々に収縮して元の長さに戻る。この現象は、非延伸物
についても幾分かは認められるが、延伸成形物について
特に顕著に見られる。
上述の膨張の程度は、成形に用いられるポリホスファー
ゼンの種類(化学構造、nの数値)、成形およびび延伸
条件によって異るが1〜100%通常5〜50%、最も
普通には、10〜30%程度である。
ゼンの種類(化学構造、nの数値)、成形およびび延伸
条件によって異るが1〜100%通常5〜50%、最も
普通には、10〜30%程度である。
該膨張の機構は、不明であるが、本発明者は次のように
推察している。それは、相転移の際の(ab)面内の収
縮に関係する。すなわち、ポリ[ビス(p−クロロフェ
ノキシ)フォスファーゼン] (以下PR(4−CI)
Pと略す)を例にとると、この物質はT(I)以上の
温度例えば150 t (この温度は試料の熱履歴によ
って変化)に加熱された後室温(25℃)に冷却すると
斜方晶形になる。この温度における該物質の結晶単位胞
の大きさは下記のとおりである。
推察している。それは、相転移の際の(ab)面内の収
縮に関係する。すなわち、ポリ[ビス(p−クロロフェ
ノキシ)フォスファーゼン] (以下PR(4−CI)
Pと略す)を例にとると、この物質はT(I)以上の
温度例えば150 t (この温度は試料の熱履歴によ
って変化)に加熱された後室温(25℃)に冷却すると
斜方晶形になる。この温度における該物質の結晶単位胞
の大きさは下記のとおりである。
の きさλ)
中間相 aδ謬14.2 (平均値)(δ形)
S 6−175 X 2−350 *斜方晶相
a = 13.1. b = 20.2. C= 4.
90(γ形) S −284 注*単位膓内の分子鎖の数をγ形のそれに合わせる必要
があるためにSδは2倍 にとる。
S 6−175 X 2−350 *斜方晶相
a = 13.1. b = 20.2. C= 4.
90(γ形) S −284 注*単位膓内の分子鎖の数をγ形のそれに合わせる必要
があるためにSδは2倍 にとる。
すなわち、中間相から斜方晶相への転移の際に結晶内分
子鎮(注、C軸方向)に垂直な面(注、ab面)内で約
25%の収縮がおこる。
子鎮(注、C軸方向)に垂直な面(注、ab面)内で約
25%の収縮がおこる。
因に、この種の転移に際して、約6%程度の体積変化の
あることも例えばポリ[ビス(トリフルオロエトキシ)
フォスファーゼン](略称:PBFP)の熱膨張測定(
デイラドメトリー)によって確認されている( T、M
asuko、R,L、Slmoeone、J、H。
あることも例えばポリ[ビス(トリフルオロエトキシ)
フォスファーゼン](略称:PBFP)の熱膨張測定(
デイラドメトリー)によって確認されている( T、M
asuko、R,L、Slmoeone、J、H。
Magill and D、J、plazek、Mac
roIIlolecules 17゜2857.198
4 ) 。
roIIlolecules 17゜2857.198
4 ) 。
従って、PI3 (4−CI)の場合にも、約6%の変
化があったと考えると(注、−膜内にポリホスファーゼ
ンについてのT (1)転移において上記の程度の体積
変化があることは容認されている)、中間相(δ形)か
ら斜方晶相(γ形)への転移の際の25%以上の収縮(
注、ab面)は、上述の体積変化と併わせで(ab)面
に垂直な方向すなわち、分子鎖の方向に20%以上の膨
張があると考えなければ説明できない。
化があったと考えると(注、−膜内にポリホスファーゼ
ンについてのT (1)転移において上記の程度の体積
変化があることは容認されている)、中間相(δ形)か
ら斜方晶相(γ形)への転移の際の25%以上の収縮(
注、ab面)は、上述の体積変化と併わせで(ab)面
に垂直な方向すなわち、分子鎖の方向に20%以上の膨
張があると考えなければ説明できない。
以上の本発明に係る結晶性ポリファーゼンの膨張機構に
ついての実験(Pa (4−CI)PP)と公知事実(
T、Masuko at al)は、しかしながら、非
延伸物のついての実験と考察であって、本発明(延伸物
)における膨張を予測させるものではない0本発明(延
伸物)品においては、上述のように考察した延伸方向(
C軸)への膨張と収縮が前述のように顕著に発現すると
いう特徴がある。
ついての実験(Pa (4−CI)PP)と公知事実(
T、Masuko at al)は、しかしながら、非
延伸物のついての実験と考察であって、本発明(延伸物
)における膨張を予測させるものではない0本発明(延
伸物)品においては、上述のように考察した延伸方向(
C軸)への膨張と収縮が前述のように顕著に発現すると
いう特徴がある。
なお、中間相から結晶相への変化に伴う分子鎖の変化に
ついて補足説明すると次のとおりである。
ついて補足説明すると次のとおりである。
すなわち、中間相では2次元格子が作られ、分子鎖方向
には特定の結晶を規定する。結晶固化した場合は(六方
晶−斜方晶)、該2次元格子に分子鎖方向での繰返し単
位が加わって3次元的な分子配列が行なわれる(注、中
間相では分子鎖は部分的に引きのばされ、この状態で結
晶化された場合は、そのまま維持されて3次元結晶とな
る)。
には特定の結晶を規定する。結晶固化した場合は(六方
晶−斜方晶)、該2次元格子に分子鎖方向での繰返し単
位が加わって3次元的な分子配列が行なわれる(注、中
間相では分子鎖は部分的に引きのばされ、この状態で結
晶化された場合は、そのまま維持されて3次元結晶とな
る)。
この加熱冷却の繰返しにより、初め部分的に引きのばさ
れた分子のみならず、次第にさらに引きのばされた分子
の数を増し、折たたまれた部分が少くなって試料の結晶
性は増大する。すなわち、T(1)温度の上昇、密度の
計算値への接近がみられる。なお、本発明に係るいくつ
かのポリスファーゼンのDSC測定値を次に表に示した
。
れた分子のみならず、次第にさらに引きのばされた分子
の数を増し、折たたまれた部分が少くなって試料の結晶
性は増大する。すなわち、T(1)温度の上昇、密度の
計算値への接近がみられる。なお、本発明に係るいくつ
かのポリスファーゼンのDSC測定値を次に表に示した
。
表
5C
測定結果
注水 スベシメンの熱fi蓼に依存する。
會◆ 丁、:融解温度、Ta:分解温度Td<T、のも
のもある。
のもある。
相転移点T (1)は、上記性のように試料の熱履歴に
よって決まるので本発明においては、上記表中の温度を
そのまま規定することはできない、しかしまた、該熱履
歴によって、表中のT (1)温度より箸しく異る温度
になることはない。
よって決まるので本発明においては、上記表中の温度を
そのまま規定することはできない、しかしまた、該熱履
歴によって、表中のT (1)温度より箸しく異る温度
になることはない。
以下、図面により更に本発明を説明する。
第1図は、本発明に係るポリホスファーゼンの擬六万晶
(δ型)における単位格子胞の説明図である。
(δ型)における単位格子胞の説明図である。
図においてaδ=bδである。γ型(斜方晶形)ではa
ア≠bアであるが、aア、bアそれぞれの範囲は10〜
30λ程度で結局、γ型における単位格子胞の面積はS
ア=(10〜30) (lo〜30)λ2程度になる。
ア≠bアであるが、aア、bアそれぞれの範囲は10〜
30λ程度で結局、γ型における単位格子胞の面積はS
ア=(10〜30) (lo〜30)λ2程度になる。
第2図は、本発明の実施各側(後述)に係るポリホスフ
ァーゼンの延伸成形物の延伸後の冷却に伴う延伸方向へ
の膨張に係る結晶格子のab面の収縮を説明するための
説明図である。
ァーゼンの延伸成形物の延伸後の冷却に伴う延伸方向へ
の膨張に係る結晶格子のab面の収縮を説明するための
説明図である。
図において、Oは中間相における分子の位置を・は結晶
相における分子の位置を示し、(4CI )はpB(4
−CI) PPを(4F)はPa (4−F) pp
fet、味する。
相における分子の位置を示し、(4CI )はpB(4
−CI) PPを(4F)はPa (4−F) pp
fet、味する。
また、ABDOは収縮前(中間相)の結晶格子のab面
の面積を示し、A、B、DOOは収縮後(結晶相)の該
面積を示す。
の面積を示し、A、B、DOOは収縮後(結晶相)の該
面積を示す。
更に、CDOは収縮前の面を示し、c、D、0は収縮後
の面を示す。
の面を示す。
上述の収縮に係るa、b及びCにおける格子間距離の変
化をPB(4−F)PP、PB(4−(:1)PPおよ
びPB(4−Br)PPについて例示すると次表のとお
りである。
化をPB(4−F)PP、PB(4−(:1)PPおよ
びPB(4−Br)PPについて例示すると次表のとお
りである。
表
ポリマー
a δ
aγ
bγ
0
PB (4−F) PP
13.2
26.4
19.5
1.45
PB (4−171) PP
14.1
13.1
20.2
1.48
FB(4−Br)pp
14.5
〉l 75
[実施例]
以下実施例によって本発明を説明する。
実施例1
ポリ[ビス(Ill−クロロフェノキシ)ホスファーゼ
ン] (以下FB (3−C1) PPと略記する)の
キャストフィルムを室温で2倍にテンターで延伸して、
室温で約2時間セットし10cm X5 cmのフィル
ムを得た。この延伸フィルムを一10℃の冷温室にいれ
約24時間保存した。その結果、該フィルムにはタテ・
横に各約10%の膨張(長さの増大)が見られた。該膨
張後のフィルムを室温(25℃)で72時間保存後、そ
の寸法を測定した。該寸法(タテ・横の長さ)は、10
.1 X 4.9cmでほぼ元の寸法に戻っていた。
ン] (以下FB (3−C1) PPと略記する)の
キャストフィルムを室温で2倍にテンターで延伸して、
室温で約2時間セットし10cm X5 cmのフィル
ムを得た。この延伸フィルムを一10℃の冷温室にいれ
約24時間保存した。その結果、該フィルムにはタテ・
横に各約10%の膨張(長さの増大)が見られた。該膨
張後のフィルムを室温(25℃)で72時間保存後、そ
の寸法を測定した。該寸法(タテ・横の長さ)は、10
.1 X 4.9cmでほぼ元の寸法に戻っていた。
実施例2
ポリ〔ビス(p−クロロフェノキシ)ホスファ−ゼンコ
(以下PB (4−C1) PPと略記する)のキャ
ストフィルムを実施例1と同様にして製造した。このフ
ィルムを180℃で2倍にテンターで延伸して、150
℃で約2時間セットし10cm X 10cmのフィル
ムを得た。このフィルムを25℃に冷却して約24時間
保存した。結果、該フィルムは、タテに12%の膨張が
見られた。該膨張後のフィルムを180℃で72時間保
存後その寸法を測定した。該寸法(タテ・横の長さ)は
10.1 X 5.05cmでほぼ元の寸法に戻ってい
た。
(以下PB (4−C1) PPと略記する)のキャ
ストフィルムを実施例1と同様にして製造した。このフ
ィルムを180℃で2倍にテンターで延伸して、150
℃で約2時間セットし10cm X 10cmのフィル
ムを得た。このフィルムを25℃に冷却して約24時間
保存した。結果、該フィルムは、タテに12%の膨張が
見られた。該膨張後のフィルムを180℃で72時間保
存後その寸法を測定した。該寸法(タテ・横の長さ)は
10.1 X 5.05cmでほぼ元の寸法に戻ってい
た。
実施例3
ポリ[ビス(トリフルオロエトキシ)ホスファーゼン]
(以下PBFB)をテトラハイドロフラン(THF)
の0.5重量%溶液からキャストおよび乾燥してフィル
ムを得た。このフィルムを一軸延伸(150℃、7倍)
した後T(1)温度(66℃)以上の定長熱処理したの
ち、再びT(I)ia度以下まで冷却し、結晶構造を中
間相(γ型)から斜方晶形に変化せしめた。このフィル
ムの両端を固定してT (1)温度以上の温度で1時間
熱処理し、室温まで冷却した。該フィルムはT(I)温
度以下で延伸方向に膨張を開始し、最大膨張率は30%
を示した。
(以下PBFB)をテトラハイドロフラン(THF)
の0.5重量%溶液からキャストおよび乾燥してフィル
ムを得た。このフィルムを一軸延伸(150℃、7倍)
した後T(1)温度(66℃)以上の定長熱処理したの
ち、再びT(I)ia度以下まで冷却し、結晶構造を中
間相(γ型)から斜方晶形に変化せしめた。このフィル
ムの両端を固定してT (1)温度以上の温度で1時間
熱処理し、室温まで冷却した。該フィルムはT(I)温
度以下で延伸方向に膨張を開始し、最大膨張率は30%
を示した。
第1図は、結晶性ポリホスファーゼンの中間相(δ型)
における結晶単位胞の面積を説明するための説明図であ
る。 第2図は、本発明の実施例における結晶性ポリホスファ
ーゼンの中間相からの収縮と膨張を説明するための説明
図である。 以 上
における結晶単位胞の面積を説明するための説明図であ
る。 第2図は、本発明の実施例における結晶性ポリホスファ
ーゼンの中間相からの収縮と膨張を説明するための説明
図である。 以 上
Claims (3)
- (1)結晶性ポリホスファーゼンの延伸成形物。
- (2)結晶性ポリホスファーゼンのシート又はストラン
ドをT(I)温度以上で延伸してなる延伸成形物。 - (3)結晶性ポリホスファーゼンとしてポリ[ビス(m
−クロロフェノキシ)ホスファーゼン]若しくはポリ[
ビス(p−クロロフェノキシ)ホスファーゼン]を使用
してなる特許請求の範囲第(1)項若しくは第(2)項
に記載の延伸成形物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1184307A JPH0349929A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 結晶性ポリホスファーゼン延伸成形物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1184307A JPH0349929A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 結晶性ポリホスファーゼン延伸成形物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0349929A true JPH0349929A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16151046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1184307A Pending JPH0349929A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 結晶性ポリホスファーゼン延伸成形物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0349929A (ja) |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1184307A patent/JPH0349929A/ja active Pending
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