JPH0349327A - 光中継器 - Google Patents
光中継器Info
- Publication number
- JPH0349327A JPH0349327A JP1185437A JP18543789A JPH0349327A JP H0349327 A JPH0349327 A JP H0349327A JP 1185437 A JP1185437 A JP 1185437A JP 18543789 A JP18543789 A JP 18543789A JP H0349327 A JPH0349327 A JP H0349327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias current
- control signal
- optical
- circuit
- deterioration
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 21
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光中継器に関し、特に単一縦モード発振する半
導体レーザを有する光中継器に関する。
導体レーザを有する光中継器に関する。
従来、この種の単一縦モード半導体レーザは、単面反射
率が低く、反射雑音が発生し易い傾向があり、この反射
雑音によってＢ Ｅ Ｒにフロア−が生じるので、これ
を防ぐために光アイソレータを用いていた。
率が低く、反射雑音が発生し易い傾向があり、この反射
雑音によってＢ Ｅ Ｒにフロア−が生じるので、これ
を防ぐために光アイソレータを用いていた。
単一縦モード半導体レーザダイオード、デイストリビュ
ーテッド フィードバック レーザダイオード（１″Ｉ
ＦＢ−ＬＤ）は通常のファブリペロＬＤ （ＥＰ−ＬＤ
）に較べ端面反射を低くして低反射化を図る必要がある
ため、反射戻り光の影響を受は易く、特に高速の光通信
システムではこの反射戻り光によって受信感度の劣化を
惹起する。これを防ぐために、従来は光アイソレータが
用いてＬＤに入る反射戻り光減らずことにより受信感度
の劣化が防止していた。
ーテッド フィードバック レーザダイオード（１″Ｉ
ＦＢ−ＬＤ）は通常のファブリペロＬＤ （ＥＰ−ＬＤ
）に較べ端面反射を低くして低反射化を図る必要がある
ため、反射戻り光の影響を受は易く、特に高速の光通信
システムではこの反射戻り光によって受信感度の劣化を
惹起する。これを防ぐために、従来は光アイソレータが
用いてＬＤに入る反射戻り光減らずことにより受信感度
の劣化が防止していた。
一方、光中継システムが高速になってビットレートが上
がる程この影響を受は易いため、アイソレータのアイソ
レーションも大きい値が要求される。従ってアイソレー
タの挿入損失および大きさも大きくなり、また光アイソ
レータのみのアイソレーションでは十分でない揚台が生
ずるという欠点を有する。
がる程この影響を受は易いため、アイソレータのアイソ
レーションも大きい値が要求される。従ってアイソレー
タの挿入損失および大きさも大きくなり、また光アイソ
レータのみのアイソレーションでは十分でない揚台が生
ずるという欠点を有する。
本発明の光中継器は、単一縦モード発振するレーザダイ
オードを有する光送信回路と、光受信識別回路に接続さ
れ端局からの制御信号を受信する制御信号受信回路と、
この制御信号受信回路に接続され前記レーザダイオード
のバイアス電流を制御するバイアス電流制御回路とを備
えることを特徴とする。
オードを有する光送信回路と、光受信識別回路に接続さ
れ端局からの制御信号を受信する制御信号受信回路と、
この制御信号受信回路に接続され前記レーザダイオード
のバイアス電流を制御するバイアス電流制御回路とを備
えることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のブロック図である。
１は光受信識別回路、２は光送信回路、３はＬＤの後方
向を受光するフォトダイオードおよび制御抵抗、４は単
一縦モード半導体レーザダイオード（ＤＦＢ−ＬＤ）、
５は制御信号受信回路、６はバイアス電流制御回路、７
は光フアイバ伝送路である。
向を受光するフォトダイオードおよび制御抵抗、４は単
一縦モード半導体レーザダイオード（ＤＦＢ−ＬＤ）、
５は制御信号受信回路、６はバイアス電流制御回路、７
は光フアイバ伝送路である。
反射戻り光雑音の評価には、一般に相対強度雑音（ＲＩ
Ｎ）で評価される。第２図はＲＩＮと反射戻り光量の関
係の一例を示す図である。また第３図は、ＲＩＮと受光
感度の劣化の関係の一例を示す図である。この関係はシ
ステムのビットレートが上昇するとＲＩＮの値は小さく
する必要がある。第４図はＲＩＮとバイアス電流の関係
の一例を示す図でる。従って反射戻り光雑音によってＢ
ＥＲが劣化した時、端局から劣化情報によるバイアス電
流制御信号を送出する。本実施例の光中継器では、この
バイアス電流制御信号を制御信号受信回路５で受信し、
バイアス電流制御回路６によってＤＦＢ−ＬＤ４のバイ
アス電流を制御することにより、ＲＩＮが良好となりエ
ラーレートの劣化がなくなる。
Ｎ）で評価される。第２図はＲＩＮと反射戻り光量の関
係の一例を示す図である。また第３図は、ＲＩＮと受光
感度の劣化の関係の一例を示す図である。この関係はシ
ステムのビットレートが上昇するとＲＩＮの値は小さく
する必要がある。第４図はＲＩＮとバイアス電流の関係
の一例を示す図でる。従って反射戻り光雑音によってＢ
ＥＲが劣化した時、端局から劣化情報によるバイアス電
流制御信号を送出する。本実施例の光中継器では、この
バイアス電流制御信号を制御信号受信回路５で受信し、
バイアス電流制御回路６によってＤＦＢ−ＬＤ４のバイ
アス電流を制御することにより、ＲＩＮが良好となりエ
ラーレートの劣化がなくなる。
以上説明したように本発明は、反射戻り光雑音によるＢ
ＥＲの劣化をバイアス電流制御することにより補償でき
る効果がある。
ＥＲの劣化をバイアス電流制御することにより補償でき
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図はＲＩ
Ｎと反射戻の光量の関係の一例を示す図、第３図はＲＩ
Ｎと受光感度の劣化の関係の一例を示す図、第４図はＲ
ＩＮとバイアス電流の関係の一例を示す図である。 １・・・光受信識別回路、２・・・光送信回路、３・・
・フォトダイオード、４・・・ＤＦＢＬＤ、５・・・制
御信号受信回路、６・・・バイアス電流制御回路、７・
・・光フアイバ伝送路。 第１図
Ｎと反射戻の光量の関係の一例を示す図、第３図はＲＩ
Ｎと受光感度の劣化の関係の一例を示す図、第４図はＲ
ＩＮとバイアス電流の関係の一例を示す図である。 １・・・光受信識別回路、２・・・光送信回路、３・・
・フォトダイオード、４・・・ＤＦＢＬＤ、５・・・制
御信号受信回路、６・・・バイアス電流制御回路、７・
・・光フアイバ伝送路。 第１図
Claims (1)
- 単一縦モード発振するレーザダイオードを有する光送信
回路と、光受信識別回路に接続され端局からの制御信号
を受信する制御信号受信回路と、この制御信号受信回路
に接続され前記レーザダイオードのバイアス電流を制御
するバイアス電流制御回路とを備えることを特徴とする
光中継器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185437A JPH0349327A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 光中継器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1185437A JPH0349327A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 光中継器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349327A true JPH0349327A (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=16170777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1185437A Pending JPH0349327A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 光中継器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188978A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-08-20 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | 光ファイバリンク、光ファイバリンクで用いられるトランシーバ、および光ファイバリンクとトランシーバを設計し構築する方法 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1185437A patent/JPH0349327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009188978A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-08-20 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd | 光ファイバリンク、光ファイバリンクで用いられるトランシーバ、および光ファイバリンクとトランシーバを設計し構築する方法 |
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