JPH0346510Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0346510Y2 JPH0346510Y2 JP1983004919U JP491983U JPH0346510Y2 JP H0346510 Y2 JPH0346510 Y2 JP H0346510Y2 JP 1983004919 U JP1983004919 U JP 1983004919U JP 491983 U JP491983 U JP 491983U JP H0346510 Y2 JPH0346510 Y2 JP H0346510Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cryostat
- superconducting quantum
- inner tank
- plate
- interferometer according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
〔技術分野〕
本考案は、超電導量子干渉計(以下SQUIDと
略す)用クライオスタツトの改良に関する。 〔従来技術と問題点〕 SQIDは微少磁場を測定出来、地磁気観測や、
生体の磁気測定に用いられるもので、第1図に示
すようにセンサー1と液体ヘリウム2を収納する
クライオスタツトは、内槽3と外槽4およびその
間の断熱層9が主要構成部である。内槽3と外槽
4の材質は完全非磁性という要求によりFRP製
である。断熱層9は真空部6中に積層断熱材5を
配してなる。予冷時の液体チツソの冷熱や蒸発ヘ
リウムガスの冷熱を積層断熱材5中に伝える伝熱
板7が断熱性向上のために用いられる。なお、8
は内槽首部である。 しかし、伝熱板7が銅、アルミ等の良導体の板
であるため、交流磁場によるしやへい電流が流
れ、磁場もしやへいされるので、交流磁場の感度
が低下する。 〔考案の構成と実施例〕 本考案のSQUID用クライオスタツトは上記の
点に鑑みなされたもので、断熱性能が良好なまゝ
交流磁場に対する感度の向上を目的としており、
その構成について第2図に示す実施例に基づいて
説明する。
略す)用クライオスタツトの改良に関する。 〔従来技術と問題点〕 SQIDは微少磁場を測定出来、地磁気観測や、
生体の磁気測定に用いられるもので、第1図に示
すようにセンサー1と液体ヘリウム2を収納する
クライオスタツトは、内槽3と外槽4およびその
間の断熱層9が主要構成部である。内槽3と外槽
4の材質は完全非磁性という要求によりFRP製
である。断熱層9は真空部6中に積層断熱材5を
配してなる。予冷時の液体チツソの冷熱や蒸発ヘ
リウムガスの冷熱を積層断熱材5中に伝える伝熱
板7が断熱性向上のために用いられる。なお、8
は内槽首部である。 しかし、伝熱板7が銅、アルミ等の良導体の板
であるため、交流磁場によるしやへい電流が流
れ、磁場もしやへいされるので、交流磁場の感度
が低下する。 〔考案の構成と実施例〕 本考案のSQUID用クライオスタツトは上記の
点に鑑みなされたもので、断熱性能が良好なまゝ
交流磁場に対する感度の向上を目的としており、
その構成について第2図に示す実施例に基づいて
説明する。
本考案の効果は、
(1) 伝熱円板が半円形で、かつスリツトが入り、
伝熱円筒も短冊状金属に分割されているため、
しやへい電流の流れることが防止できて、断熱
性能が良好なまゝ、交流磁場に対する感度を向
上させることができる。 (2) 伝熱板が首部と接する半円板がリジツトであ
り、かつ円筒部もエポキシ樹脂含浸ガラス繊維
で補強されているので、形状の保持が可能であ
り、内に巻かれている積層断熱材との間に隙間
を保持できる。 (3) 円筒部がエポキシ樹脂含浸ガラス繊維で一体
化されるため、短冊間のすき間も小さく、熱的
には一体金属で作られたものと同時の伝熱性能
をもつ。 (4) 第1表に示した実験結果でも他のしやへい電
流防止策(金網、短冊のみ)より断熱性能がよ
い。
伝熱円筒も短冊状金属に分割されているため、
しやへい電流の流れることが防止できて、断熱
性能が良好なまゝ、交流磁場に対する感度を向
上させることができる。 (2) 伝熱板が首部と接する半円板がリジツトであ
り、かつ円筒部もエポキシ樹脂含浸ガラス繊維
で補強されているので、形状の保持が可能であ
り、内に巻かれている積層断熱材との間に隙間
を保持できる。 (3) 円筒部がエポキシ樹脂含浸ガラス繊維で一体
化されるため、短冊間のすき間も小さく、熱的
には一体金属で作られたものと同時の伝熱性能
をもつ。 (4) 第1表に示した実験結果でも他のしやへい電
流防止策(金網、短冊のみ)より断熱性能がよ
い。
第1図は従来の、第2図は本考案のそれぞれ
SQUID用クライオスタツトの説明図で、第2図
イは伝熱半円板の斜視図、ロの伝熱円筒側面図、
ハは伝熱円筒平面図、ニは断熱構造説明図、第3
図は伝熱板構造のうち積層断熱材と短冊状金属と
の位置関係説明図である。 1……センサー、2……液体ヘリウム、3……
内槽、4……外槽、5……積層断熱材、6……真
空部、7……伝熱板、8……細い筒状の内槽首
部、9……断熱層、10……伝熱半円板、11…
…スリツト、12……伝熱円筒、13……短冊状
金属、14……エポキシ樹脂含浸ガラステープ、
15……エポキシ樹脂含浸ガラス布、16……ガ
ス吸着剤、17……内槽首部との取付部、18…
…伝熱円筒との取付部、19……伝熱円筒と積層
断熱材との隙間、20……内側の積層断熱材に添
わせた短冊状金属。
SQUID用クライオスタツトの説明図で、第2図
イは伝熱半円板の斜視図、ロの伝熱円筒側面図、
ハは伝熱円筒平面図、ニは断熱構造説明図、第3
図は伝熱板構造のうち積層断熱材と短冊状金属と
の位置関係説明図である。 1……センサー、2……液体ヘリウム、3……
内槽、4……外槽、5……積層断熱材、6……真
空部、7……伝熱板、8……細い筒状の内槽首
部、9……断熱層、10……伝熱半円板、11…
…スリツト、12……伝熱円筒、13……短冊状
金属、14……エポキシ樹脂含浸ガラステープ、
15……エポキシ樹脂含浸ガラス布、16……ガ
ス吸着剤、17……内槽首部との取付部、18…
…伝熱円筒との取付部、19……伝熱円筒と積層
断熱材との隙間、20……内側の積層断熱材に添
わせた短冊状金属。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 内槽、外槽およびその間の断熱層よりなり、
センサーと液体ヘリウムを収納するクライオス
タツトにおいて、伝熱板をスリツト付半田板と
短冊状金属をFRPで固めた円筒より構成し、
細い筒状の内槽首部と前記スリツト付半円板の
取付部、円筒とスリツト付半円板の取付部を接
着で固定し、伝熱板内側の積層断熱材と伝熱板
の間に隙間を設け、内槽外表面には内槽を透過
してくるヘリウスガスを吸着する吸着剤を貼付
てなる超電導量子干渉計用クライオスタツト。 2 短冊状金属に純アルミを用いる実用新案登録
請求の範囲第1項記載の超電導量子干渉計用ク
ライオスタツト。 3 FRPにエポキシ樹脂ガラス繊維タイプを用
いる実用新案登録請求の範囲第1項記載の超電
導量子干渉計用クライオスタツト。 4 積層断熱材にシワ付アルミ蒸着ポリエステル
フイルム、またはポリエステルネツトとアルミ
蒸着フイルムの交互積層品を用いる実用新案登
録請求の範囲第1項記載の超電導量子干渉計用
クライオスタツト。 5 吸着剤にゼオライト結晶を用いる実用新案登
録請求の範囲第1項記載の超電導量子干渉計用
クライオスタツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983004919U JPS59111058U (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 超電導量子干渉計用クライオスタツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983004919U JPS59111058U (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 超電導量子干渉計用クライオスタツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111058U JPS59111058U (ja) | 1984-07-26 |
| JPH0346510Y2 true JPH0346510Y2 (ja) | 1991-10-01 |
Family
ID=30136521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983004919U Granted JPS59111058U (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 超電導量子干渉計用クライオスタツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59111058U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510370Y2 (ja) * | 1985-04-30 | 1993-03-15 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132479A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-19 | Asahi Glass Co Ltd | Chitsusosankabutsu no shorihoho |
| JPS56152283A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-25 | Toshiba Corp | Cryostat |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP1983004919U patent/JPS59111058U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59111058U (ja) | 1984-07-26 |
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