JPH0337714B2 - - Google Patents
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- JPH0337714B2 JPH0337714B2 JP56201798A JP20179881A JPH0337714B2 JP H0337714 B2 JPH0337714 B2 JP H0337714B2 JP 56201798 A JP56201798 A JP 56201798A JP 20179881 A JP20179881 A JP 20179881A JP H0337714 B2 JPH0337714 B2 JP H0337714B2
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- Japan
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- insulation resistance
- circuit
- component
- frequency signal
- low
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
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- 102000012677 DET1 Human genes 0.000 description 2
- 101150113651 DET1 gene Proteins 0.000 description 2
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- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/025—Measuring very high resistances, e.g. isolation resistances, i.e. megohm-meters
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は従来の活線回路の絶縁抵抗測定方法の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
従来の活線回路の絶縁抵抗の測定方法例として
特公55−19510に開示されたものがある。この方
法は通電中の電気機器の被測定物に電源周波数よ
りもかなり低い周波数の低周波電圧を、直列に挿
入した基準抵抗を介して印加し、その基準抵抗に
発生した電圧のうち上記低周波数の電圧のみを選
択増幅してその電圧値によつて絶縁抵抗を測定す
るものであるが、これによれば()低周波電圧
の印加に当つて被測定回路に直列に抵抗を挿入す
る必要がある。()商用周波数よりも低い低周
波電圧を印加したにせよ、対地浮遊容量が未知の
ため測定電圧値への浮遊容量の影響が不明であ
る、という欠点がある。
特公55−19510に開示されたものがある。この方
法は通電中の電気機器の被測定物に電源周波数よ
りもかなり低い周波数の低周波電圧を、直列に挿
入した基準抵抗を介して印加し、その基準抵抗に
発生した電圧のうち上記低周波数の電圧のみを選
択増幅してその電圧値によつて絶縁抵抗を測定す
るものであるが、これによれば()低周波電圧
の印加に当つて被測定回路に直列に抵抗を挿入す
る必要がある。()商用周波数よりも低い低周
波電圧を印加したにせよ、対地浮遊容量が未知の
ため測定電圧値への浮遊容量の影響が不明であ
る、という欠点がある。
本発明は通電中の電路の絶縁抵抗測定において
該電路の接地線を矩形低周波電圧の印加されたト
ランスまたは矩形波低周波電圧を発振する発振ト
ランスのコアーを貫通(単に貫通あるいは数ター
ン巻装して貫通)せしめることにより電路に低周
波電圧を印加すると共に、この接地線をして零相
変流器をも貫通せしめ、それによつて対地浮遊容
量または絶縁抵抗を介して帰還する漏減電流を検
出し、この検出された漏洩電流に含まれる印加矩
形波低周波電圧の基本周波成分ならびに特定高調
波成分を選択増幅しそれらの電圧値を用いて活線
回路の絶縁を測定するものである。
該電路の接地線を矩形低周波電圧の印加されたト
ランスまたは矩形波低周波電圧を発振する発振ト
ランスのコアーを貫通(単に貫通あるいは数ター
ン巻装して貫通)せしめることにより電路に低周
波電圧を印加すると共に、この接地線をして零相
変流器をも貫通せしめ、それによつて対地浮遊容
量または絶縁抵抗を介して帰還する漏減電流を検
出し、この検出された漏洩電流に含まれる印加矩
形波低周波電圧の基本周波成分ならびに特定高調
波成分を選択増幅しそれらの電圧値を用いて活線
回路の絶縁を測定するものである。
この発明を以下実施例をもつて説明する。第1
図は本発明の第1の実施例を示すもので、電源ト
ランスAの1次側には高圧電圧が印加されてお
り、2次側には負荷Zが接続されている。2次側
電路の絶縁抵抗をR、対地浮遊容量をCで示して
いる。電源トランスAは、第2種接地線E2にて
接地されている。ここでは単相2線式電路の場合
についてのべるが、本発明の方法はそれに限定さ
れず、単相3線、3相3線等にも同様に適応可能
である。
図は本発明の第1の実施例を示すもので、電源ト
ランスAの1次側には高圧電圧が印加されてお
り、2次側には負荷Zが接続されている。2次側
電路の絶縁抵抗をR、対地浮遊容量をCで示して
いる。電源トランスAは、第2種接地線E2にて
接地されている。ここでは単相2線式電路の場合
についてのべるが、本発明の方法はそれに限定さ
れず、単相3線、3相3線等にも同様に適応可能
である。
接地線E2は、低周波の矩形波電圧を発振する
発振回路OSCの発振トランスTのコアーを貫通
または数回巻装して貫通している。巻線N1,N2
は発振回路を構成するためのものである。また接
地線E2は零相変流器ZCTをも貫通しており、こ
れによつてZCTには絶縁抵抗R、ならびに対地
浮遊容量Cを介して、商用周波成分ならびにトラ
ンスTによる低周波電圧成分の漏洩電流が得られ
る。零相変流器ZCTの出力は増幅器AMPにて増
幅された後、印加した矩形波の低周波の基本周波
成分のみを通すフイルタBPF1にて基本周波成分
を検出する。BPF1の出力は、整流回路DET1に
加えることにより基本周波成分に相当する電圧が
得られる、この電圧にて絶縁抵抗を指示すること
ができる。やや詳しく説明するとトランスTで印
加される矩形波低周波電圧の基本周波成分の電圧
をV1とすれば、整流回路DET1の出力電圧e1は となる。ここで矩形波低周波電圧の基本周波数を
0=ω0/2πとする。
発振回路OSCの発振トランスTのコアーを貫通
または数回巻装して貫通している。巻線N1,N2
は発振回路を構成するためのものである。また接
地線E2は零相変流器ZCTをも貫通しており、こ
れによつてZCTには絶縁抵抗R、ならびに対地
浮遊容量Cを介して、商用周波成分ならびにトラ
ンスTによる低周波電圧成分の漏洩電流が得られ
る。零相変流器ZCTの出力は増幅器AMPにて増
幅された後、印加した矩形波の低周波の基本周波
成分のみを通すフイルタBPF1にて基本周波成分
を検出する。BPF1の出力は、整流回路DET1に
加えることにより基本周波成分に相当する電圧が
得られる、この電圧にて絶縁抵抗を指示すること
ができる。やや詳しく説明するとトランスTで印
加される矩形波低周波電圧の基本周波成分の電圧
をV1とすれば、整流回路DET1の出力電圧e1は となる。ここで矩形波低周波電圧の基本周波数を
0=ω0/2πとする。
周波数0を充分に低くするか、浮遊容量Cが小
さければ1/R≫ω0cとなり、e1は浮遊容量の影響 を受けずに絶縁抵抗を測定できることになる。
さければ1/R≫ω0cとなり、e1は浮遊容量の影響 を受けずに絶縁抵抗を測定できることになる。
ところで、上述の第1の実施例で測定された絶
縁抵抗は対地浮遊容量が大きいとき誤差を含むこ
とになるが、この誤差は次の方法で除去される。
縁抵抗は対地浮遊容量が大きいとき誤差を含むこ
とになるが、この誤差は次の方法で除去される。
第2図は第2の実施例を示しており、第1図と
共通な記号は同一の意味をもつ。トランTと零相
変流器ZCTには前記同様接地線ELが貫通してい
るが、更にこれら接地線の貫通とは互に逆相とな
る向きに貫通する新たなループ接続線LINKが貫
通しており、この接続線にはリレー接点rl1〜rl3
を介してコンデンサC1〜C3が接続終端されてい
る。増幅器AMP出力には先述の回路の他更に印
加矩形波低周波電圧の特定の高調波成分、例えば
第3高調波成分のみを検出するフイルタBPF2が
接続され、その出力は整流回路DET2に印加され
ている。トランスTで印加される矩形波低周波電
圧の例えば第3高調波の電圧をV3とすれば接点
rl1〜rl3がオンしない状態では整流回路DET2の出
力e2は となる。
共通な記号は同一の意味をもつ。トランTと零相
変流器ZCTには前記同様接地線ELが貫通してい
るが、更にこれら接地線の貫通とは互に逆相とな
る向きに貫通する新たなループ接続線LINKが貫
通しており、この接続線にはリレー接点rl1〜rl3
を介してコンデンサC1〜C3が接続終端されてい
る。増幅器AMP出力には先述の回路の他更に印
加矩形波低周波電圧の特定の高調波成分、例えば
第3高調波成分のみを検出するフイルタBPF2が
接続され、その出力は整流回路DET2に印加され
ている。トランスTで印加される矩形波低周波電
圧の例えば第3高調波の電圧をV3とすれば接点
rl1〜rl3がオンしない状態では整流回路DET2の出
力e2は となる。
整流回路DET1とDET2の差を引算回路SUBで
とる。ただしこの引算に当つてはDET2の出力に
V1/V3の重み(定数値)をつけておく。そのと
きは引算回路の出力eは誤差に関する量であり となる。ここでeを零に近ずけるためにはcが零
に近ずかねばならない。
とる。ただしこの引算に当つてはDET2の出力に
V1/V3の重み(定数値)をつけておく。そのと
きは引算回路の出力eは誤差に関する量であり となる。ここでeを零に近ずけるためにはcが零
に近ずかねばならない。
ところで、接点rl1〜rl3のいくつかがオンした
ときの総合挿入容量をC0とするとき、零相変流
器には容量C0を介して逆相の電流が流れるため、
このときの整流回路DET1の出力をe′1、DET2の
出力をe′2とすれば、 となる。したがつてこのときの引算回路SUBの
出力e′は となる、e′が零となるのはC=C0のときとなる。
このようにe′が零に近い値となるように容量C0を
設定すれば、このときの整流回路DET1の出力e′1
はV/Rとなるので正確に絶縁抵抗を測定すること ができる。次に容量C0の設定方法の一例を述べ
ると、引算回路SUBの出力は零に近い基準電圧
をVRとするレベル比較器COMPにて、レベル比
較されもし、引算回路出力e′がVRより大きいとき
にはクロツク回路CLOCKより供給されるクロツ
クパルスとレベル比較器COMP出力と論理素子
ANDで論理積がとられ、例えば3ビツトからな
る2進カウンタCONTで計数をスタートする。
カウンタの各ビツト出力は電源VSの供給されて
いるリレーRL1〜RL3のコイルをドライブし、接
点rl1〜rl3を動作させる。即ち例えばリレー接点
rl1に接続されているコンデンサの容量をC1とす
るとき、他のリレー接点に接続されたコンデンサ
の容量がC2=2C1、C3=22C1=4C1となるごとく
し、引算回路出力e′が基準電圧VR以下となるまで
計数を継続し、逐次コンデンサ容量C0の値を増
加させ、もしe′<VRとなつたとき計数をストツプ
する。
ときの総合挿入容量をC0とするとき、零相変流
器には容量C0を介して逆相の電流が流れるため、
このときの整流回路DET1の出力をe′1、DET2の
出力をe′2とすれば、 となる。したがつてこのときの引算回路SUBの
出力e′は となる、e′が零となるのはC=C0のときとなる。
このようにe′が零に近い値となるように容量C0を
設定すれば、このときの整流回路DET1の出力e′1
はV/Rとなるので正確に絶縁抵抗を測定すること ができる。次に容量C0の設定方法の一例を述べ
ると、引算回路SUBの出力は零に近い基準電圧
をVRとするレベル比較器COMPにて、レベル比
較されもし、引算回路出力e′がVRより大きいとき
にはクロツク回路CLOCKより供給されるクロツ
クパルスとレベル比較器COMP出力と論理素子
ANDで論理積がとられ、例えば3ビツトからな
る2進カウンタCONTで計数をスタートする。
カウンタの各ビツト出力は電源VSの供給されて
いるリレーRL1〜RL3のコイルをドライブし、接
点rl1〜rl3を動作させる。即ち例えばリレー接点
rl1に接続されているコンデンサの容量をC1とす
るとき、他のリレー接点に接続されたコンデンサ
の容量がC2=2C1、C3=22C1=4C1となるごとく
し、引算回路出力e′が基準電圧VR以下となるまで
計数を継続し、逐次コンデンサ容量C0の値を増
加させ、もしe′<VRとなつたとき計数をストツプ
する。
このときの整流回路DET1の出力は前述の理論
によりV1/Rに相当するため、スイツチSWをオ
ンするごとくクロツク回路CLOCKから信号を発
生し、DET1の出力をコンデンサCCとバツフア回
路BFからなるホールド回路に記憶保持させるこ
とにより、バツフア回路出力OUT1には絶縁抵抗
に相当する電圧が得られる。また一定時間後、ス
イツチSWをオフした後、カウンタCOUNTをク
ロツク回路で発生されたリセツト信号RESETに
よりリセツトし、挿入容量C0を0とした状態か
ら再び同様な動作を繰返すものとすれば、バツフ
アアンプ出力には対地浮遊容量の変動の影響を受
けずに絶縁抵抗に相当する電圧を継続して得るこ
とができることになる。
によりV1/Rに相当するため、スイツチSWをオ
ンするごとくクロツク回路CLOCKから信号を発
生し、DET1の出力をコンデンサCCとバツフア回
路BFからなるホールド回路に記憶保持させるこ
とにより、バツフア回路出力OUT1には絶縁抵抗
に相当する電圧が得られる。また一定時間後、ス
イツチSWをオフした後、カウンタCOUNTをク
ロツク回路で発生されたリセツト信号RESETに
よりリセツトし、挿入容量C0を0とした状態か
ら再び同様な動作を繰返すものとすれば、バツフ
アアンプ出力には対地浮遊容量の変動の影響を受
けずに絶縁抵抗に相当する電圧を継続して得るこ
とができることになる。
上記説明ではカウンタCOUNTのビツト数を3
ビツトとしたが、これは必要に応じて拡張すれば
よい。また上記ではトランスTは経済的な矩形発
振トランスであるとしたが、これに限定されず、
2周波の正弦信号を電力増幅等して一般の結合ト
ランスの形式をとつてこれに代えてもよいことは
いうまでもない。またコンデンサC1,C2,C3の
設定は2進則のものを例示にしたがこれもカウン
タCOUNTを10進カウンタ等とすることができ、
これに限定されないことも明らかである。
ビツトとしたが、これは必要に応じて拡張すれば
よい。また上記ではトランスTは経済的な矩形発
振トランスであるとしたが、これに限定されず、
2周波の正弦信号を電力増幅等して一般の結合ト
ランスの形式をとつてこれに代えてもよいことは
いうまでもない。またコンデンサC1,C2,C3の
設定は2進則のものを例示にしたがこれもカウン
タCOUNTを10進カウンタ等とすることができ、
これに限定されないことも明らかである。
なおまた上記実施例ではトランスTのコア、零
相変流器ZCTを接地線が貫通するものとしたが、
2次電路に両者、または一方が貫通しても同様の
結果の得られることも明らかである。さらにこれ
らのトランスT、零相変流器ZCTを分割型コア
のものとすれば接地線への貫通を容易にすること
ができる。
相変流器ZCTを接地線が貫通するものとしたが、
2次電路に両者、または一方が貫通しても同様の
結果の得られることも明らかである。さらにこれ
らのトランスT、零相変流器ZCTを分割型コア
のものとすれば接地線への貫通を容易にすること
ができる。
本発明の方法は従来の方法の欠点を解決するだ
けでなく、極めて経済的に活線状態で絶縁抵抗の
測定が可能であり、その工業的価値は大である。
けでなく、極めて経済的に活線状態で絶縁抵抗の
測定が可能であり、その工業的価値は大である。
第1図は本発明の第1の実施例を示す図、第2
図は本発明の第2の実施例を示す図 A:電源トランス、T:発振トランス、
ZCT:零相変流器、AMP:増幅器、BPF1,
BPF2:フイルタ、DET1,DET2:整流回路、
E2:接地線、C1,C2,C3:挿入コンデンサ、rl1,
rl2,rl3:リレー接点、RL1,RL2,RL3:リレー
コイル、LINK:接続線、SUB:引算回路、
COMP:比較回路、CLOCK:クロツク発生回
路、COUNT:カウンタ、CC:コンデンサ、
BF:バツフアアンプ、C:対地浮遊容量、R:
絶縁抵抗。
図は本発明の第2の実施例を示す図 A:電源トランス、T:発振トランス、
ZCT:零相変流器、AMP:増幅器、BPF1,
BPF2:フイルタ、DET1,DET2:整流回路、
E2:接地線、C1,C2,C3:挿入コンデンサ、rl1,
rl2,rl3:リレー接点、RL1,RL2,RL3:リレー
コイル、LINK:接続線、SUB:引算回路、
COMP:比較回路、CLOCK:クロツク発生回
路、COUNT:カウンタ、CC:コンデンサ、
BF:バツフアアンプ、C:対地浮遊容量、R:
絶縁抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 矩形波の低周波信号を接地線を介して電路に
印加すると共に、前記接地線に結合した変流器に
よつて前記低周波信号の基本周波数成分の漏洩成
分から当該電路の絶縁抵抗を算出する電路の絶縁
監視方法に於いて、前記変流器を介して前記低周
波信号の高調波を選択増幅する手段と、該高調波
成分と前記基本波成分とのレベルを比較する手段
と、前記変流器に貫通させた信号線に可変容量を
挿入すると共に該信号線に前記接地線とは逆方向
に前記低周波信号を通電する手段とを具え、前記
低周波信号の基本波成分と高調波成分とのレベル
差が小さくなるように前記可変容量を制御したこ
とを特徴とする活線回路の簡易絶縁抵抗測定方
法。 2 前記可変容量手段は、コンデンサとスイツチ
との直列回路を複数並列に前記信号線に挿入し、
前記低周波信号の基本波成分と高調波成分のレベ
ル差が所定値以下になるように前記スイツチを制
御したことを特徴とする特許請求の範囲1項記載
の活線回路の簡易絶縁抵抗測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20179881A JPS58198765A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 活線回路の簡易絶縁抵抗測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20179881A JPS58198765A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 活線回路の簡易絶縁抵抗測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58198765A JPS58198765A (ja) | 1983-11-18 |
JPH0337714B2 true JPH0337714B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=16447102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20179881A Granted JPS58198765A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 活線回路の簡易絶縁抵抗測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58198765A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62209372A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 電流中和法による活線式配電線定数測定方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5247777A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-15 | Siemens Ag | Circuit device for measuring insulation resistance in nonngrounded large current circuit |
JPS56141568A (en) * | 1980-04-04 | 1981-11-05 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Method for measuring insulation resistance and floating capacity to ground of single-phase 3-wire type electric circuit |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20179881A patent/JPS58198765A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5247777A (en) * | 1975-10-09 | 1977-04-15 | Siemens Ag | Circuit device for measuring insulation resistance in nonngrounded large current circuit |
JPS56141568A (en) * | 1980-04-04 | 1981-11-05 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Method for measuring insulation resistance and floating capacity to ground of single-phase 3-wire type electric circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58198765A (ja) | 1983-11-18 |
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