JPH0337184A - 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ - Google Patents
単結晶引上げ用石英ガラスルツボInfo
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- JPH0337184A JPH0337184A JP1173238A JP17323889A JPH0337184A JP H0337184 A JPH0337184 A JP H0337184A JP 1173238 A JP1173238 A JP 1173238A JP 17323889 A JP17323889 A JP 17323889A JP H0337184 A JPH0337184 A JP H0337184A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン等の半導体単結晶引上げ用石英ガラ
スルツボに関する。
スルツボに関する。
（従来の技術）
従来、この種石英ガラスルツボとしては、ルツボ全体に
均一に無数の気泡のある不透明なもの、又は不透明なル
ツボの内面全体に透明層を設けた２層構造のものが知ら
れている。
均一に無数の気泡のある不透明なもの、又は不透明なル
ツボの内面全体に透明層を設けた２層構造のものが知ら
れている。
しかしながら、上記従来の単結晶引上げ用石英ガラスル
ツボのうちの前者においては、高温、減圧下での単結晶
の引上げ中に、気泡が膨れ、ルツボの比重を変えかつ変
形をきたして融液面の変動をもたらしたり、あるいはル
ツボ内表面の気泡が破裂し、融液面より上のガラス層又
は失透層が剥離して融液中に落下したりしてルツボと融
液との接触面積を増大させ、溶解酸素濃度が増加する。
ツボのうちの前者においては、高温、減圧下での単結晶
の引上げ中に、気泡が膨れ、ルツボの比重を変えかつ変
形をきたして融液面の変動をもたらしたり、あるいはル
ツボ内表面の気泡が破裂し、融液面より上のガラス層又
は失透層が剥離して融液中に落下したりしてルツボと融
液との接触面積を増大させ、溶解酸素濃度が増加する。
このため、引上げ歩留まりの低下、ひいては半導体ウェ
ーへの品質低下を招来している。
ーへの品質低下を招来している。
又、後者においては、透明層が内面全体にあるため、カ
ーボンヒーターからの直接の輻射熱が引上げ中のシリコ
ン単結晶のインゴットに影響を与え、引上げ歩留まりの
低下を招来している。
ーボンヒーターからの直接の輻射熱が引上げ中のシリコ
ン単結晶のインゴットに影響を与え、引上げ歩留まりの
低下を招来している。
そこで、本発明は、単結晶の引上げ歩留まりを向上させ
、ひいてはこのＩＬ結晶を用いて製造される半導体デバ
イスの製造歩留まｑ及び信頼性を向上させ得る単結晶引
上げ用石英ガラスルツボの提供を目的とする。
、ひいてはこのＩＬ結晶を用いて製造される半導体デバ
イスの製造歩留まｑ及び信頼性を向上させ得る単結晶引
上げ用石英ガラスルツボの提供を目的とする。
前記課題を解決するため、本発明の単結晶引上げ用石英
ガラスルツボは、口元から高さの７５％以下の長さに相
当するストレート部の図中気泡容積を４〜３０Ｘ １０
−’ｃｍ３／ｃｍ３．残りのストレート部、アール部及
び底部の図中気泡容積を、内表面から厚さの２０〜６０
％の厚さに相当する層で４ Ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ
”以下、残りの層で４〜３０ ｘ １０−’ｃａｎ３／
ｃｍ３としたものである。
ガラスルツボは、口元から高さの７５％以下の長さに相
当するストレート部の図中気泡容積を４〜３０Ｘ １０
−’ｃｍ３／ｃｍ３．残りのストレート部、アール部及
び底部の図中気泡容積を、内表面から厚さの２０〜６０
％の厚さに相当する層で４ Ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ
”以下、残りの層で４〜３０ ｘ １０−’ｃａｎ３／
ｃｍ３としたものである。
（作用）
上記手段においては、シリコン等の融液と接触する部分
は、気泡の存在が少なくて透明となり、単結晶のインゴ
ットと対向する部分は、気泡の存在が多く不透明となる
。
は、気泡の存在が少なくて透明となり、単結晶のインゴ
ットと対向する部分は、気泡の存在が多く不透明となる
。
口元から高さの７５％以下の長さに相当するストレート
部の図中気泡容積が３０ｘ １０−３ｃｍ３／ｃ＋ｏ３
を超えると、単結晶引上げ中のルツボの口元付近の変形
が大きくなり引上げに支障をきたし、４ ｘ １０−３
ｃｍ３／ｃｍ３未満であると、カーボンヒーターからの
直接の輻射熱を遮断できず、引上げ中の単結晶インゴッ
トに影響を与え、温度制御が困難となって同様に引上げ
に支障をきたす。
部の図中気泡容積が３０ｘ １０−３ｃｍ３／ｃ＋ｏ３
を超えると、単結晶引上げ中のルツボの口元付近の変形
が大きくなり引上げに支障をきたし、４ ｘ １０−３
ｃｍ３／ｃｍ３未満であると、カーボンヒーターからの
直接の輻射熱を遮断できず、引上げ中の単結晶インゴッ
トに影響を与え、温度制御が困難となって同様に引上げ
に支障をきたす。
図中気泡容積が４〜３０ ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ３
のストレート部の口元からの長さが、ルツボ高さ（全高
）の７５％を超えると、この部分とシリコン等の融液と
の接触面積が増大し、気泡の影響が大きくなってしまう
。上記部分は、好ましくは初期融液面よりも上で、口元
から高さの３０〜５０％の長さに相当する範囲がよい。
のストレート部の口元からの長さが、ルツボ高さ（全高
）の７５％を超えると、この部分とシリコン等の融液と
の接触面積が増大し、気泡の影響が大きくなってしまう
。上記部分は、好ましくは初期融液面よりも上で、口元
から高さの３０〜５０％の長さに相当する範囲がよい。
残りのストレート部、アール部及び底部の図中気泡容積
が、内表面からの厚さ（全肉厚）の２０〜６０％の厚さ
に相当する層で４ ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ３を超え
ると、気泡の膨れ、破裂による融液面の変動、ガラス層
又は失透層の融液中への落下環により、溶解酸素濃度の
増加をもたらし、引上げ歩留まりの低下、半導体ウェー
ハの品質低下を招来する一方、残りの層で３０ ｘ １
０−３ｃｍ３／ｃｍ’を超えると気泡の膨れによるアー
ル部、底部の変形が大きくなり、４ ｘ １．０−３ｃ
ｍ３／ｃｍ’未満であると、カーボンヒーターからの輻
射熱を遮断できず、温度制御が困難となる。
が、内表面からの厚さ（全肉厚）の２０〜６０％の厚さ
に相当する層で４ ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ３を超え
ると、気泡の膨れ、破裂による融液面の変動、ガラス層
又は失透層の融液中への落下環により、溶解酸素濃度の
増加をもたらし、引上げ歩留まりの低下、半導体ウェー
ハの品質低下を招来する一方、残りの層で３０ ｘ １
０−３ｃｍ３／ｃｍ’を超えると気泡の膨れによるアー
ル部、底部の変形が大きくなり、４ ｘ １．０−３ｃ
ｍ３／ｃｍ’未満であると、カーボンヒーターからの輻
射熱を遮断できず、温度制御が困難となる。
又、図中気泡容積が４ Ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ３以
下の残りのストレート部、アール部及び底部の内表面か
らの厚さが、ルツボ厚さの６０％を超えると、カーボン
ヒーターからの直接の輻射熱を遮断できず、温度制御困
難となり、２０％未満であると、その外周層の気泡の膨
れ等の影響を受け、引上げ歩留まりの低下、半導体ウェ
ーへの品質低下を招来する。
下の残りのストレート部、アール部及び底部の内表面か
らの厚さが、ルツボ厚さの６０％を超えると、カーボン
ヒーターからの直接の輻射熱を遮断できず、温度制御困
難となり、２０％未満であると、その外周層の気泡の膨
れ等の影響を受け、引上げ歩留まりの低下、半導体ウェ
ーへの品質低下を招来する。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
実施例１
３０〜５０＃の水晶粉を外巻きに、２００＃以下の水晶
粉と８０〜１５０＃の水晶粉を２：５の割合で均一に混
合したものを部分的に内巻きに使用して成形し、アーク
溶融し、第１図に示すように、円筒状のストレート部１
、比較的大きな曲率で下方へ突出した底部２及び両部を
接続するアール部３からなる高さ２５４ｍｍの１４イン
チルツボを得た。
粉と８０〜１５０＃の水晶粉を２：５の割合で均一に混
合したものを部分的に内巻きに使用して成形し、アーク
溶融し、第１図に示すように、円筒状のストレート部１
、比較的大きな曲率で下方へ突出した底部２及び両部を
接続するアール部３からなる高さ２５４ｍｍの１４イン
チルツボを得た。
このルツボは、口元から８０ｍｍのストレート部１の図
中気泡容積が、４〜３０ｘ １０−”ｃｍ’／ａｍ３．
残りのストレート部１、アール部３及び底部２の図中気
泡容積が、ルツボの内表面から厚さの２０〜６０％の厚
さに相当する層で４ Ｘ １０−３ｃｍ’／ｃｍ’以下
、残りの層で４〜３０ｘ １０−’ｃｍ’／ｃ＋ｎ’
となり、図に示すように、不透明なルツボの一部を透明
層で置換した構造となった。
中気泡容積が、４〜３０ｘ １０−”ｃｍ’／ａｍ３．
残りのストレート部１、アール部３及び底部２の図中気
泡容積が、ルツボの内表面から厚さの２０〜６０％の厚
さに相当する層で４ Ｘ １０−３ｃｍ’／ｃｍ’以下
、残りの層で４〜３０ｘ １０−’ｃｍ’／ｃ＋ｎ’
となり、図に示すように、不透明なルツボの一部を透明
層で置換した構造となった。
上記ルツボを用いてシリコン単結晶を引上げた結果、通
常の１４インチルツボを使用したときに比べて、引上げ
歩留まりが３％向上した。
常の１４インチルツボを使用したときに比べて、引上げ
歩留まりが３％向上した。
実施例２
実施例１と同様の製法により、高さ２５４Ｉの１４イン
チルツボを得た。
チルツボを得た。
このルツボは、口元から１００ｎｏ＋＋のストレート部
の図中気泡容積が４〜３０Ｘ １０−３ｃｍ’／ｃｍ３
．残りのストレート部、アール部及び底部の図中気泡容
積が、ルツボの内表面から厚さの２０〜６０％の厚さに
相当する層で４ ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ’以下、残
りの層で４〜３ｏｘ １０−’ｃｍ３／ｃｍ３ となり
、第１実施例のものと同様に不透明なルツボの一部を透
明層で置換した構造となった。
の図中気泡容積が４〜３０Ｘ １０−３ｃｍ’／ｃｍ３
．残りのストレート部、アール部及び底部の図中気泡容
積が、ルツボの内表面から厚さの２０〜６０％の厚さに
相当する層で４ ｘ １０−３ｃｍ３／ｃｍ’以下、残
りの層で４〜３ｏｘ １０−’ｃｍ３／ｃｍ３ となり
、第１実施例のものと同様に不透明なルツボの一部を透
明層で置換した構造となった。
上記ルツボを用いてシリコン、ＱＬ結晶を引上げた結果
、通常の１４インチルツボを使用したときに比べて、引
上げ歩留まりが５％向上した。
、通常の１４インチルツボを使用したときに比べて、引
上げ歩留まりが５％向上した。
以上のように本発明によれば、シリコン等の融液と接触
する部分は、気泡の存在が少なくて透明となり、単結晶
のインゴットと対向する部分は、気泡の存在が多く不透
明となるので、ルツボ内申の気泡の欠点を解消してその
利点を十分に活用することができ、単結晶の引上げ歩留
まりを従来に比して向上することができ、ひいてはこの
単結晶を用いて製造される半導体デバイスの製造歩留ま
り及び信頼性を向上することができる。
する部分は、気泡の存在が少なくて透明となり、単結晶
のインゴットと対向する部分は、気泡の存在が多く不透
明となるので、ルツボ内申の気泡の欠点を解消してその
利点を十分に活用することができ、単結晶の引上げ歩留
まりを従来に比して向上することができ、ひいてはこの
単結晶を用いて製造される半導体デバイスの製造歩留ま
り及び信頼性を向上することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す単結晶引上げ用石英ガ
ラスルツボの縦断断面図である。 １・・・・・・・・・ストレート部 ２・・・・・・・
・・底 部３・・・・・・・・・アール部 第 図 手 続 補 正 書 （自発） 平成元年８月７日 ２゜ 発明の名称 ３゜ ４゜ 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ 補正をする者 事件との関係 特許出願人
ラスルツボの縦断断面図である。 １・・・・・・・・・ストレート部 ２・・・・・・・
・・底 部３・・・・・・・・・アール部 第 図 手 続 補 正 書 （自発） 平成元年８月７日 ２゜ 発明の名称 ３゜ ４゜ 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ 補正をする者 事件との関係 特許出願人
Claims (1)
- １）口元から高さの７５％以下の長さに相当するストレ
ート部の肉中気泡容積を４〜３０×１０＾−＾３ｃｍ＾
３／ｃｍ＾３残りのストレート部、アール部及び底部の
肉中気泡容積を、内表面から厚さの２０〜６０％の厚さ
に相当する層で４×１０＾−＾３ｃｍ＾３／ｃｍ＾３以
下、残りの層で４〜３０×１０＾−＾３ｃｍ＾３／ｃｍ
＾３としたことを特徴とする単結晶引上げ用石英ガラス
ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173238A JP2630649B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173238A JP2630649B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337184A true JPH0337184A (ja) | 1991-02-18 |
| JP2630649B2 JP2630649B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=15956717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173238A Expired - Lifetime JP2630649B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 単結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630649B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0360490A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
| US5044445A (en) * | 1987-12-14 | 1991-09-03 | Funayama Co., Ltd. | Fire hose capable of transmitting signals |
| JP2010241623A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Japan Siper Quarts Corp | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
| US9150447B2 (en) | 2008-02-29 | 2015-10-06 | Japan Super Quartz Corporation | Silica crucible for pulling silicon single crystal and method of producing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5250097B2 (ja) | 2011-12-12 | 2013-07-31 | 信越石英株式会社 | 単結晶シリコン引き上げ用シリカ容器及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581080A (ja) * | 1981-06-16 | 1983-01-06 | ノルクス・ヒドロ・アクシエセルスカ−ブ | 水電解槽用隔膜 |
| JPS60215534A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラス治具 |
| JPS63222091A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコン単結晶引上げ用ルツボ |
| JPH01148782A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引き上げ用石英ルツボ |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1173238A patent/JP2630649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5044445A (en) * | 1987-12-14 | 1991-09-03 | Funayama Co., Ltd. | Fire hose capable of transmitting signals |
| JPH0360490A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
| US9150447B2 (en) | 2008-02-29 | 2015-10-06 | Japan Super Quartz Corporation | Silica crucible for pulling silicon single crystal and method of producing the same |
| JP2010241623A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Japan Siper Quarts Corp | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2630649B2 (ja) | 1997-07-16 |
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|---|---|---|---|
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