JPH0336418B2 - - Google Patents

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JPH0336418B2
JPH0336418B2 JP58230328A JP23032883A JPH0336418B2 JP H0336418 B2 JPH0336418 B2 JP H0336418B2 JP 58230328 A JP58230328 A JP 58230328A JP 23032883 A JP23032883 A JP 23032883A JP H0336418 B2 JPH0336418 B2 JP H0336418B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
naphthoquinonediazide
hexahydroxy
sulfonic acid
composition
diphenylmethane
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58230328A
Other languages
Japanese (ja)
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JPS60121445A (en
Inventor
Yukihiro Hosaka
Takao Miura
Yoshuki Harita
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JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP23032883A priority Critical patent/JPS60121445A/en
Publication of JPS60121445A publication Critical patent/JPS60121445A/en
Publication of JPH0336418B2 publication Critical patent/JPH0336418B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路作製用ポジ型感光性樹脂組
成物に関し、さらに詳しくはアルカリ可溶性樹脂
と特定の1,2−キノンジアジド化合物とを配合
してなる、集積回路作製のための耐熱性を有する
ホトレジストとして使用するポジ型感光性樹脂組
成物に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a positive photosensitive resin composition for producing integrated circuits, and more specifically, to a positive photosensitive resin composition for producing an integrated circuit. The present invention relates to a positive photosensitive resin composition used as a heat-resistant photoresist for producing integrated circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、集積回路を作製するためのホトレジスト
としては、環化イソプレンゴムにビスアジド化合
物を配合したネガ型ホトレジストが知られてい
る。しかしこのネガ型ホトレジストは解像度に限
界があるため、集積回路の高集積化に充分対応で
きない欠点を有する。一方、このネガ型ホトレジ
ストに対し、ポジ型ホトレジストは、解像度が優
れているため集積回路の高集積化に充分対応し得
るものであると考えられている。
Conventionally, as a photoresist for producing integrated circuits, a negative photoresist in which a bisazide compound is blended with cyclized isoprene rubber is known. However, this negative type photoresist has a limitation in resolution, and therefore has the disadvantage that it cannot sufficiently respond to higher integration of integrated circuits. On the other hand, in contrast to negative photoresists, positive photoresists have superior resolution and are therefore considered to be fully compatible with higher integration of integrated circuits.

現在、この分野で一般的に使用されているポジ
型ホトレジストは、アルカリ可溶性樹脂に感光剤
として1,2−キノンジアジド化合物を配合した
ものである。
Currently, positive photoresists commonly used in this field are made by blending an alkali-soluble resin with a 1,2-quinonediazide compound as a photosensitizer.

しかしながら、従来のポジ型ホトレジストは、
1,2−キノンジアジド化合物の結晶が析出した
り、またポジ型ホトレジストとしての感度、解像
度、残膜率等の諸性能において必ずしも満足な結
果は得られていない。
However, conventional positive photoresists
Crystals of the 1,2-quinonediazide compound are precipitated, and satisfactory results are not always obtained in various performances such as sensitivity, resolution, and residual film rate as a positive photoresist.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去
し、1,2−キノンジアジド化合物の結晶が析出
することがなく、高感度、高解像度および高残膜
率を有し、かつ現像性に優れた耐熱性を有する集
積回路作製用ポジ型感光性樹脂組成物を提供する
ことにある。
The object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional techniques, and to provide a 1,2-quinonediazide compound that does not cause crystal precipitation, has high sensitivity, high resolution, and high residual film rate, and has excellent developability. An object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition for producing an integrated circuit that has heat resistance.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の集積回路作製用ポジ型感光性樹脂組成
物は、アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し、下
記一般式() または下記一般式() (式中、l、mおよびnは同一または異なり、
0または1〜2の整数を意味し、R1、R5および
R7は同一または異なり、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニル基、または1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、
R2、R6、R8およびR11は同一または異なり、水素
原子、アルキル基、好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基等の炭素数1〜4のアルキル基、
フエニル基、ナフチル基等のアリール基またはア
ルコキシ基、好ましくはメトキシ基、フエノキシ
基、ベンジルオキシ基等の炭素数1〜7のアルコ
キシ基、R3、R4、R9およびR10は同一または異な
り、水素原子、アルキル基、好ましくはメチル
基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基等の炭素
数1〜6のアルキル基、またはフエニル基、ナフ
チル基等のアリール基を意味し、R3およびR4
らびにR9およびR10は、炭素−炭素結合で環を形
成することができる)で表わされる化合物の少な
くとも1種を5〜100重量部配合してなることを
特徴とする。
The positive photosensitive resin composition for integrated circuit production of the present invention is prepared by the following general formula () with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. Or the following general formula () (In the formula, l, m and n are the same or different,
means 0 or an integer from 1 to 2, R 1 , R 5 and
R 7 is the same or different and is a 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, or a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group;
-benzoquinonediazide-4-sulfonyl group,
R 2 , R 6 , R 8 and R 11 are the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group,
Aryl group such as phenyl group, naphthyl group or alkoxy group, preferably alkoxy group having 1 to 7 carbon atoms such as methoxy group, phenoxy group, benzyloxy group, R 3 , R 4 , R 9 and R 10 are the same or different , a hydrogen atom, an alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hexyl group, or an aryl group such as a phenyl group or a naphthyl group, R 3 and R 4 and R 9 and R 10 can form a ring through a carbon-carbon bond.

本発明の組成物において、感光剤として用いら
れる前記一般式()または()で表わされる
化合物は、例えば特定の化合物のフエノール性水
酸基を1,2−キノンジアジドスルホニルクロリ
ドと縮合反応させることにより製造される。
In the composition of the present invention, the compound represented by the general formula () or () used as a photosensitizer is produced, for example, by subjecting the phenolic hydroxyl group of a specific compound to a condensation reaction with 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride. Ru.

すなわち前記一般式()で表わされる化合物
は、下記一般式() (式中、R12およびR13は同一または異なり、
水素原子、アルキル基またはアリール基、R14
よびR15は同一または異なり、水素原子、アルキ
ル基、アリール基またはアルコキシ基を意味し、
R12およびR13は炭素−炭素結合で環を形成する
ことができる)で表わされる化合物のヒドロキシ
ル基の全部または一部に、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド、
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル
クロリド等の1,2−キノンジアジドスルホニル
クロリドを、塩基性触媒の存在下に縮合反応させ
たのち精製することにより得られる。
That is, the compound represented by the above general formula () is the compound represented by the following general formula () (In the formula, R 12 and R 13 are the same or different,
hydrogen atom, alkyl group or aryl group, R 14 and R 15 are the same or different and mean a hydrogen atom, alkyl group, aryl group or alkoxy group,
1,2 - naphthoquinonediazide -4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide, quinonediazide-5-sulfonyl chloride,
It is obtained by subjecting 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride such as 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl chloride to a condensation reaction in the presence of a basic catalyst and then purifying it.

縮合反応における一般式()で表わされる化
合物に対する1,2−キノンジアジドスルホニル
クロリドの使用量は、1,2−キノンジアジドス
ルホニルクロリドを縮合させる一般式()で表
わされる化合物の水酸基の数によつて適宜調整す
ることができ、通常は当該水酸基数1当量に対し
て1,2−キノンジアジドスルホニルクロリド1
モルを使用する。
The amount of 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride to be used for the compound represented by the general formula () in the condensation reaction is determined as appropriate depending on the number of hydroxyl groups in the compound represented by the general formula () to which the 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride is to be condensed. It can be adjusted, and usually 1 equivalent of 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride per equivalent of the number of hydroxyl groups.
Use moles.

縮合反応に使用する塩基性触媒としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム等の無機アルカリ、ジエチルアミン、トリ
エチルアミン等の有機アミン類を挙げることがで
きる。これらの塩基性触媒の使用量は、使用する
1,2−キノンジアジドスルホニルクロリドに対
して、通常1〜2倍モル、好ましくは1〜1.3倍
モルである。縮合反応は、通常溶媒の存在下にお
いて行うが、溶媒としては水、ジオキサン、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、
メチルエチルケトン等を挙げることができ、一般
式()で表わされる化合物100重量部に対して、
通常100〜1000重量部を使用する。
Examples of the basic catalyst used in the condensation reaction include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, and sodium carbonate, and organic amines such as diethylamine and triethylamine. The amount of these basic catalysts used is usually 1 to 2 times the mole, preferably 1 to 1.3 times the mole of 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride used. The condensation reaction is usually carried out in the presence of a solvent, such as water, dioxane, diethyl ether, tetrahydrofuran, acetone,
For example, methyl ethyl ketone, etc., per 100 parts by weight of the compound represented by the general formula (),
Usually 100 to 1000 parts by weight are used.

縮合反応温度は、使用する溶媒によつて異なる
が、一般的には−20〜60℃で、好ましくは0〜40
℃である。
The condensation reaction temperature varies depending on the solvent used, but is generally -20 to 60°C, preferably 0 to 40°C.
It is ℃.

前記一般式()で表わされる化合物として
は、例えば2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒド
ロキシ−ジフエニルメタン、2,3,4,2′,
3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルエタン−
(1,1)、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒド
ロキシ−ジフエニルプロパン−(1,1)、2,
3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエ
ニルプロパン−(2,2)、2,3,4,2′,3′,
4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル−n−ブタン
−(1,1)、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒ
ドロキシ−ジフエニル−n−ペンタン−(1,
1)、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ
−ジフエニルシクロヘキサン−(1,1)、2,
3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−トリフ
エニルメタン、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサ
ヒドロキシ−ジフエニルメタン、2,4,6,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルエタ
ン−(1,1)、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサ
ヒドロキシ−ジフエニルプロパン−(1,1)、
2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジ
フエニルプロパン−(2,2)、2,4,6,2′,
4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル−n−ブ
タン−(1,1)、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキ
サヒドロキシ−ジフエニル−n−ペンタン−(1,
1)、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ
−ジフエニルシクロヘキサン−(1,1)、2,
4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−トリフ
エニルメタン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサ
ヒドロキシ−5,5′−ジメチル−ジフエニルプロ
パン−(2,2)、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキ
サヒドロキシ−3,3−ジメチル−ジフエニルプ
ロパン−(2,2)、2,3,4,2′,3′,4′−ヘ
キサヒドロキシ−5,5′−ジメトキシ−ジフエニ
ルプロパン−(2,2)、2,4,6,2′,4′,
6′−ヘキサヒドロキシ−3,3′−ジメトキシ−ジ
フエニルプロパン−(2,2)等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the general formula () include 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane, 2,3,4,2',
3′,4′-hexahydroxy-diphenylethane-
(1,1), 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylpropane-(1,1), 2,
3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2), 2,3,4,2',3',
4'-hexahydroxy-diphenyl-n-butane-(1,1), 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenyl-n-pentane-(1,
1), 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylcyclohexane-(1,1), 2,
3,4,2',3',4'-hexahydroxy-triphenylmethane, 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenylmethane, 2,4,6,
2',4',6'-hexahydroxy-diphenylethane-(1,1), 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenylpropane-(1,1),
2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2),2,4,6,2',
4',6'-hexahydroxy-diphenyl-n-butane-(1,1), 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenyl-n-pentane-(1,
1), 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenylcyclohexane-(1,1), 2,
4,6,2',4',6'-hexahydroxy-triphenylmethane, 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-5,5'-dimethyl-diphenylpropane-( 2,2), 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-3,3-dimethyl-diphenylpropane-(2,2), 2,3,4,2',3' , 4'-hexahydroxy-5,5'-dimethoxy-diphenylpropane-(2,2), 2,4,6,2',4',
Examples include 6'-hexahydroxy-3,3'-dimethoxy-diphenylpropane-(2,2).

これらの一般式()で表わされる化合物は、
例えば相当するポリヒドロキシベンゼンを、塩酸
等の酸性触媒の存在下に、アルデヒド類またはケ
トン類と反応させることにより良好な収率で得ら
れる。
These compounds represented by the general formula () are:
For example, it can be obtained in good yield by reacting the corresponding polyhydroxybenzene with aldehydes or ketones in the presence of an acidic catalyst such as hydrochloric acid.

このようにして得られる一般式()で表わさ
れる化合物は、アルコール、アセトン、酢酸、ベ
ンゼン、トルエン、クロロベンゼン等の有機溶剤
またはこれらの混合溶剤中で結晶化させることに
より精製することができる。
The compound represented by the general formula () thus obtained can be purified by crystallization in an organic solvent such as alcohol, acetone, acetic acid, benzene, toluene, chlorobenzene, or a mixed solvent thereof.

また一般式()で表わされる化合物は、下記
一般式() (式中、R16およびR17は同一または異なり、
水素原子、アルキル基またはアリール基、R18
よびR19は同一または異なり、水素原子、アルキ
ル基、アリール基またはアルコキシ基を意味す
る)で表わされる化合物のヒドロキシル基の全部
または一部に、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルクロリド、1,2−ベ
ンゾキノンジアジド−4−スルホニルクロリド等
を、塩基性触媒の存在下に縮合反応させたのち精
製することにより得られる。
In addition, the compound represented by the general formula () is the following general formula () (In the formula, R 16 and R 17 are the same or different,
1 , 1, 2-Naphthoquinone diazide-
It can be obtained by subjecting 4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, etc. to a condensation reaction in the presence of a basic catalyst and then purifying it.

この場合の縮合反応条件は、一般式()で表
わされる化合物と1,2−キノンジアジドスルホ
ニルクロリドとの縮合反応条件と同様である。
The condensation reaction conditions in this case are the same as those for the compound represented by the general formula () and 1,2-quinonediazide sulfonyl chloride.

この際用いられる一般式()で表わされる化
合物としては、例えば2,3,4−トリヒドロキ
シ−ジフエニルメタン、2,4,6−トリヒドロ
キシ−ジフエニルメタン、2,3,4−トリヒド
ロキシ−5−メチル−ジフエニルメタン、2,
4,6−トリヒドロキシ−3−メチル−ジフエニ
ルメタン、2,3,4−トリヒドロキシ−5−メ
トキシ−ジフエニルメタン、2,4,6−トリヒ
ドロキシ−3−メトキシ−ジフエニルメタン、
2,3,4−トリヒドロキシ−4′−メチル−ジフ
エニルメタン、2,4,6−トリヒドロキシ−
4′−メチル−ジフエニルメタン、2,3,4−ト
リヒドロキシ−4′−t−ブチル−ジフエニルメタ
ン、2,3,4−トリヒドロキシ−4′−t−ブチ
ル−ジフエニルメタン、2,3,4−トリヒドロ
キシ−ジフエニルエタン−(1,1)、2,4,6
−トリヒドロキシ−ジフエニルエタン−(1,
1)、2,3,4−トリヒドロキシ−ジフエニル
プロパン−(1,1)、2,4,6−トリヒドロキ
シ−ジフエニルプロパン−(1,1)等が挙げら
れる。
Examples of the compound represented by the general formula () used in this case include 2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane, 2,4,6-trihydroxy-diphenylmethane, 2,3,4-trihydroxy-5-methyl -diphenylmethane, 2,
4,6-trihydroxy-3-methyl-diphenylmethane, 2,3,4-trihydroxy-5-methoxy-diphenylmethane, 2,4,6-trihydroxy-3-methoxy-diphenylmethane,
2,3,4-trihydroxy-4'-methyl-diphenylmethane, 2,4,6-trihydroxy-
4'-Methyl-diphenylmethane, 2,3,4-trihydroxy-4'-t-butyl-diphenylmethane, 2,3,4-trihydroxy-4'-t-butyl-diphenylmethane, 2,3,4-trihydroxy-4'-t-butyl-diphenylmethane Hydroxy-diphenylethane-(1,1),2,4,6
-trihydroxy-diphenylethane-(1,
1), 2,3,4-trihydroxy-diphenylpropane-(1,1), 2,4,6-trihydroxy-diphenylpropane-(1,1), and the like.

これらの一般式()で表わされる化合物は、
例えばルイス酸触媒の存在下に、相当する塩化ベ
ンジル類とポリヒドロキシベンゼンもしくはこれ
らの誘導体とを反応させることにより、または塩
化ベンジル類とポリアルコキシベンゼンもしくは
これらの誘導体とを反応させ、生成するポリアル
コキシ化合物をさらに塩化アルミニウム、水酸化
ナトリウム、塩酸−ピリジン、ヨウ化水素水、三
臭化ほう素、臭化水素水等で処理することにより
得られる。
These compounds represented by the general formula () are:
For example, polyalkoxy produced by reacting a corresponding benzyl chloride with polyhydroxybenzene or a derivative thereof, or by reacting a benzyl chloride with a polyalkoxybenzene or a derivative thereof in the presence of a Lewis acid catalyst. It is obtained by further treating the compound with aluminum chloride, sodium hydroxide, hydrochloric acid-pyridine, aqueous hydrogen iodide, boron tribromide, aqueous hydrogen bromide, and the like.

このようにして得られる一般式()で表わさ
れる化合物の具体例としては、次の化合物が挙げ
られる。
Specific examples of the compound represented by the general formula () obtained in this way include the following compounds.

2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸ヘキサエステル、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ヘキサエステル、2,3,4,2′,3′,
4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルメタン−1,
2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸ヘキ
サエステル、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒ
ドロキシ−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル、
2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジ
フエニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸テトラエステル、2,3,4,
2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルメタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸トリエステル、2,3,4,2′,3′,4′−ヘ
キサヒドロキシ−ジフエニルメタン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステ
ル、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ
−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸モノエステル、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
エタン−(1,1)−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
プロパン−(1,1)−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
プロパン−(2,2)−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
−n−ブタン−(1,1)−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,
3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエ
ニル−n−ペンタン−(1,1)−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸ペンタエステ
ル、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ
−ジフエニルシクロヘキサン−(1,1)−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ペンタ
エステル、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒド
ロキシ−トリフエニルメタン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル、
2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジ
フエニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル、2,4,6,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルエタ
ン−(1,1)−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸ペンタエステル、2,4,6,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルプロ
パン−(1,1)−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル、2,4,6,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニルプロ
パン−(2,2)−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル、2,4,6,
2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル−n
−ブタン−(1,1)−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,4,
6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
−n−ペンタン−(1,1)−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル、
2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−ジ
フエニルシクロヘキサン−(1,1)−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸ペンタエス
テル、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキ
シ−トリフエニルメタン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,
3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−5,
5′−ジメチル−ジフエニルプロパン−(2,2)−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
ペンタエステル、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキ
サヒドロキシ−3,3′−ジメチル−ジフエニルプ
ロパン−(2,2)−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸ペンタエステル、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−5,5′−ジ
メトキシ−ジフエニルプロパン−(2,2)−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ペン
タエステル、2,4,6,2′,4′,6′−ヘキサヒ
ドロキシ−3,3′−ジメトキシ−ジフエニルプロ
パン−(2,2)−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル。
2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
Diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid hexaester, 2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid hexaester, 2,3,4,2',3',
4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,
2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid hexaester, 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester,
2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester, 2,3,4,
2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1, 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, 2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylethane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylpropane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenyl-n-butane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,
3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenyl-n-pentane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylcyclohexane-(1,1)-1,2
-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-triphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester,
2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,
2',4',6'-hexahydroxy-diphenylethane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,
2',4',6'-hexahydroxy-diphenylpropane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,
2',4',6'-hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,
2',4',6'-hexahydroxy-diphenyl-n
-butane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,
6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenyl-n-pentane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester,
2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-diphenylcyclohexane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,2' , 4',6'-hexahydroxy-triphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,
3,4,2',3',4'-hexahydroxy-5,
5'-dimethyl-diphenylpropane-(2,2)-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-3,3'-dimethyl-diphenylpropane-(2,2)-1 , 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-5,5'-dimethoxy-diphenylpropane-(2,2)-1,
2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester, 2,4,6,2',4',6'-hexahydroxy-3,3'-dimethoxy-diphenylpropane-(2,2)-1,2 - Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester.

また一般式()で表わされる化合物の具体例
としては、次の化合物が挙げられる。
Further, specific examples of the compound represented by the general formula () include the following compounds.

2,3,4−トリヒドロキシ−ジフエニルメタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸トリエステル、2,3,4−トリヒドロキシ
−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸トリエステル、2,3,4
−トリヒドロキシ−ジフエニルメタン−1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸トリエス
テル、2,3,4−トリヒドロキシ−ジフエニル
メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ジエステル、2,3,4−トリヒドロキ
シ−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸モノエステル、2,4,
6−トリヒドロキシ−ジフエニルメタン−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエス
テル、2,3,4−トリヒドロキシ−5−メチル
−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸ジエステル、2,4,6−
トリヒドロキシ−3−メチル−ジフエニルメタン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸ジエステル、2,3,4−トリヒドロキシ−5
−メトキシ−ジフエニルメタン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、
2,4,6−トリヒドロキシ−3−メトキシ−ジ
フエニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ジエステル、2,3,4−トリ
ヒドロキシ−4′−メチル−ジフエニルメタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
ジエステル−2,4,6−トリヒドロキシ−4′−
メチル−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、2,
3,4−トリヒドロキシ−4′−t−ブチル−ジフ
エニルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸ジエステル、2,4,6−トリヒ
ドロキシ−4′−t−ブチル−ジフエニルメタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
ジエステル、2,3,4−トリヒドロキシ−ジフ
エニルエタン−(1,1)−1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸トリエステル、2,
3,4−トリヒドロキシ−ジフエニルエタン−
(1,1)−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸トリエステル、2,3,4−トリヒド
ロキシ−ジフエニルエタン−(1,1)−1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸トリエス
テル−2,3,4−トリヒドロキシ−ジフエニル
エタン−(1,1)−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸ジエステル、2,3,4−ト
リヒドロキシ−ジフエニルエタン−(1,1)−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
モノエステル、2,4,6−トリヒドロキシ−ジ
フエニルエタン−(1,1)−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸ジエステル、2,
3,4−トリヒドロキシ−ジフエニルプロパン−
(1,1)−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、2,4,6−トリヒドロ
キシ−ジフエニルプロパン−(1,1)−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステ
ル。
2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid triester, 2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, 2, 3, 4
-trihydroxy-diphenylmethane-1,2-
Benzoquinonediazide-4-sulfonic acid triester, 2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane-1,2-naphtho Quinonediazide-5-sulfonic acid monoester, 2,4,
6-trihydroxy-diphenylmethane-1,2
-Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,3,4-trihydroxy-5-methyl-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,4,6-
Trihydroxy-3-methyl-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,3,4-trihydroxy-5
-methoxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester,
2,4,6-trihydroxy-3-methoxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,3,4-trihydroxy-4'-methyl-diphenylmethane-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester-2,4,6-trihydroxy-4'-
Methyl-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,
3,4-trihydroxy-4'-t-butyl-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-
5-sulfonic acid diester, 2,4,6-trihydroxy-4'-t-butyl-diphenylmethane-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,3,4-trihydroxy-diphenylethane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid triester, 2,
3,4-trihydroxy-diphenylethane
(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-
Sulfonic acid triester, 2,3,4-trihydroxy-diphenylethane-(1,1)-1,2-
Benzoquinonediazide-4-sulfonic acid triester-2,3,4-trihydroxy-diphenylethane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid triester, 2,3,4-trihydroxy-diphenylethane -(1,1)-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid monoester, 2,4,6-trihydroxy-diphenylethane-(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester, 2,
3,4-trihydroxy-diphenylpropane-
(1,1)-1,2-naphthoquinonediazide-5-
Sulfonic acid diester, 2,4,6-trihydroxy-diphenylpropane-(1,1)-1,2-
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester.

本発明の組成物においては、一般式()また
は()で表わされる化合物を併用することがで
きる。
In the composition of the present invention, compounds represented by general formula () or () can be used in combination.

本発明の組成物において、上記一般式()お
よび/または()で表わされる化合物が添加さ
れるアルカリ可溶性樹脂は、特に限定されない
が、例えばフエノールとホルムアルデヒドとから
得られるノボラツク樹脂、クレゾールとホルムア
ルデヒドとから得られるノボラツク樹脂、ヒドロ
キシスチレン重合体、アミノスチレン重合体、エ
チレン性不飽和カルボン酸およびモノオレフイン
化合物の共重合体等が挙げられる。
In the composition of the present invention, the alkali-soluble resin to which the compound represented by the above general formula () and/or () is added is not particularly limited, but for example, a novolak resin obtained from phenol and formaldehyde, a novolak resin obtained from cresol and formaldehyde, etc. Examples include novolac resins obtained from hydroxystyrene polymers, aminostyrene polymers, copolymers of ethylenically unsaturated carboxylic acids and monoolefin compounds, and the like.

本発明の組成物における一般式()および/
または()で表わされる化合物の配合量は、ア
ルカリ可溶性樹脂100重量部に対して5〜100重量
部、好ましくは10〜50重量部である。この配合量
が5重量部未満の場合には、現像後の残膜率が不
充分で、かつ得られるパターンが熱で変形し易
く、また高い解像度の組成物を得ることができな
い。一方この配合量が100重量部を超える場合に
は、高感度の組成物を得ることができない。
General formula () and/or in the composition of the present invention
The compounding amount of the compound represented by () is 5 to 100 parts by weight, preferably 10 to 50 parts by weight, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. If this amount is less than 5 parts by weight, the residual film rate after development will be insufficient, the pattern obtained will be easily deformed by heat, and a composition with high resolution will not be obtained. On the other hand, if this amount exceeds 100 parts by weight, a composition with high sensitivity cannot be obtained.

本発明の組成物は、一般式()または()
で表わされる化合物以外の、1,2−キノンジア
ジド化合物を本発明の効果を妨げない範囲、例え
ばアルカリ可溶性樹脂100重量部に対して100重量
部以下、好ましくは50重量部以下、特に好ましく
は20重量部以下の割合で配合することができる。
The composition of the present invention has the general formula () or ()
The amount of 1,2-quinonediazide compounds other than the compounds represented by the following formula is within a range that does not impede the effects of the present invention, for example, 100 parts by weight or less, preferably 50 parts by weight or less, particularly preferably 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. It can be blended in a proportion of less than 1 part.

さらに本発明の組成物は必要に応じて、現像
性、組成物の保存安定特性等を向上させるため
に、例えばロジン、シエラツク等の天然樹脂スチ
レンと無水マレイン酸とを共重合体、スチレンと
アクリル酸、メタクリル酸またはこれらのアルキ
ルエステルとの共重合体、アクリル酸エステル重
合体、ビニルアセタール重合体、ビニルエーテル
重合体、酢酸ビニル重合体、ビニルアルコール重
合体、ビニルピロリドン重合体等の合成樹脂を、
アルカリ可溶性樹脂100重量部に対して1〜50重
量部、好ましくは5〜30重量部の割合で付加的に
配合含有させることもできる。
Furthermore, in order to improve the developability, storage stability characteristics, etc. of the composition of the present invention, the composition of the present invention may be prepared by copolymerizing styrene and maleic anhydride, a natural resin such as rosin or silica copolymer, or copolymerizing styrene and acrylic resin. Synthetic resins such as acid, methacrylic acid or copolymers with these alkyl esters, acrylic ester polymers, vinyl acetal polymers, vinyl ether polymers, vinyl acetate polymers, vinyl alcohol polymers, vinyl pyrrolidone polymers,
It can also be added in an amount of 1 to 50 parts by weight, preferably 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

また、本発明の組成物には、必要に応じて保存
安定剤、色素等を添加配合することもできる。ま
た本発明の組成物と基板との接着力を向上させる
ために、選定した基板に応じて、例えばヘキサメ
チルジシラザン、クロロメチルシラン等を接着剤
として基板に塗布してもよい。
Furthermore, storage stabilizers, pigments, and the like may be added to the composition of the present invention, if necessary. Furthermore, in order to improve the adhesive strength between the composition of the present invention and a substrate, depending on the selected substrate, for example, hexamethyldisilazane, chloromethylsilane, etc. may be applied as an adhesive to the substrate.

本発明の組成物は、微細加工すべき基板上に塗
布し、活性光線、例えば紫外線等を部分的に照射
し、現像することによつてパターンを形成するこ
とができる。
The composition of the present invention can be applied onto a substrate to be microfabricated, and a pattern can be formed by partially irradiating the composition with actinic light, such as ultraviolet rays, and developing it.

本発明の組成物を基板に塗布する方法として
は、本発明の組成物を、例えば濃度が5〜50重量
%となるように適当な溶剤に溶解し、これを回転
塗布、流し塗布、ロール塗布等により塗布する方
法が挙げられる。この際に用いられる適当な溶剤
としては、例えばシクロペンタノン、シクロヘキ
サノン、ジアセトンアルコール等のケトン類、n
−ブタノール等のアルコール類、ジオキサン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、エチルグリ
コールジエチルエーテル等のエーテル類、エチル
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル等のアルコールエーテル
類、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、メトキ
シエチルアセテート等のエステル類、1,1,2
−トリクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素
類、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミ
ド、N−メチルピロリドン等の極性溶媒が、単独
でまたは混合して用いられる。
The composition of the present invention can be applied to a substrate by dissolving the composition of the present invention in an appropriate solvent to a concentration of 5 to 50% by weight, and applying the composition by spin coating, flow coating, or roll coating. An example of this method is to apply the agent by, for example, Suitable solvents used in this case include, for example, ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, and diacetone alcohol;
-Alcohols such as butanol, ethers such as dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, ethyl glycol diethyl ether, alcohol ethers such as ethyl glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, esters such as butyl acetate, cellosolve acetate, methoxyethyl acetate, etc. Class, 1, 1, 2
- Halogenated hydrocarbons such as trichloroethylene, polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, etc. are used alone or in combination.

本発明の組成物に用いられる現像液としては、
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナト
リウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素ナトリ
ウム、n−プロピルアミン、ジ−n−プロピルア
ミン、ジ−n−ブチルアミン、メチルジエチルア
ミン、ピロール、2,5−ジメチルピロール、β
−ピコリン、コリジン、ピペリジン、ピペラジ
ン、トリエチレンジアミン、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン、ジエチルヒドロ
キシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
等の水溶液およびアンモニア水が挙げられる。
The developer used in the composition of the present invention includes:
For example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, trisodium phosphate, sodium hydrogen phosphate, n-propylamine, di-n-propylamine, di-n-butylamine, methyldiethylamine. , pyrrole, 2,5-dimethylpyrrole, β
- Aqueous solutions of picoline, collidine, piperidine, piperazine, triethylenediamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, diethylhydroxylamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and aqueous ammonia.

また前記現像液に、メタノール、エタノール等
のアルコール類、亜硫酸系安定剤または界面活性
剤を適当量添加することもできる。
Further, an appropriate amount of alcohols such as methanol and ethanol, sulfite stabilizers, or surfactants may be added to the developer.

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例を挙げて本発明を詳述するが、本発
明はこれらの実施例により何ら制約されるもので
はない。
EXAMPLES Next, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way.

実施例 1 (1) ノボラツク樹脂の合成 500mlの三ツ口セパラブルフラスコに、m−ク
レゾール75gおよびp−クレゾール25gを仕込ん
だ後、37重量%のホルマリン水溶液66mlおよび蓚
酸0.04gを添加した。撹拌しながら、セパラブル
フラスコを油浴に浸して反応温度を100℃に調節
し、10時間反応させた。反応終了後、30mmHgに
減圧して水を留去し、さらに内温を130℃に上昇
させて未反応物を除去した。次いで反応生成物で
ある溶融したアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を室
温に戻して回収した。
Example 1 (1) Synthesis of novolac resin A 500 ml three-neck separable flask was charged with 75 g of m-cresol and 25 g of p-cresol, and then 66 ml of a 37% by weight formalin aqueous solution and 0.04 g of oxalic acid were added. While stirring, the separable flask was immersed in an oil bath to adjust the reaction temperature to 100°C, and the reaction was allowed to proceed for 10 hours. After the reaction was completed, water was distilled off by reducing the pressure to 30 mmHg, and the internal temperature was further raised to 130°C to remove unreacted substances. The reaction product, molten alkali-soluble novolac resin, was then returned to room temperature and recovered.

(2) 感光剤の合成 500mlの三ツ口セパラブルフラスコに、ピロガ
ロール63g、アセトン20gおよびジオキサン100
mlを仕込み、撹拌しながら10mlの塩酸水を添加し
た。この溶液を60℃で10時間、次いで室温で48時
間反応させた後、40%の酢酸水溶液1と混合し
生成物を析出させ、さらにジオキサン中で再結晶
させて、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロ
キシ−ジフエニルプロパン−(2,2)を得た。
(2) Synthesis of photosensitizer In a 500 ml three-neck separable flask, add 63 g of pyrogallol, 20 g of acetone, and 100 g of dioxane.
ml, and 10 ml of hydrochloric acid water was added while stirring. After reacting this solution at 60°C for 10 hours and then at room temperature for 48 hours, it was mixed with 40% acetic acid aqueous solution 1 to precipitate the product, and further recrystallized in dioxane. ',3',4'-hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2) was obtained.

遮光下で500mlの三ツ口セパラブルフラスコに、
2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジ
フエニルプロパン−(2,2)14.6g、1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド
53.7gおよびジオキサン250mlを仕込んで溶解さ
せた。この溶液に、撹拌しながらトリエチルアミ
ン23gを徐々に添加し、室温で2時間反応させ
た。反応終了後、内容物を多量の1重量%塩酸水
に滴下して生成物を沈澱させ、水洗後40℃で20時
間真空乾燥して2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサ
ヒドロキシ−ジフエニルプロパン−(2,2)−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
テトラエステル(以下、感光剤Aと記す)を得
た。
In a 500ml three-necked separable flask under light-shielding conditions,
2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2) 14.6 g, 1,2-
naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride
53.7 g and 250 ml of dioxane were charged and dissolved. To this solution, 23 g of triethylamine was gradually added while stirring, and the mixture was reacted at room temperature for 2 hours. After the reaction, the contents were dropped into a large amount of 1% by weight hydrochloric acid solution to precipitate the product, washed with water and vacuum dried at 40°C for 20 hours to obtain 2,3,4,2',3',4'- Hexahydroxy-diphenylpropane-(2,2)-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid tetraester (hereinafter referred to as photosensitizer A) was obtained.

(3) 組成物の調製と評価 遮光下で(1)で得られたアルカリ可溶性ノボラツ
ク樹脂20gおよび(2)で得られた感光剤A5gを、
75gのセロソルブアセテートに溶解し、孔径
0.2μmのメンブランフイルタで濾過して本発明の
組成物の溶液を調製した。この溶液は長期間保存
しても感光剤の結晶が析出することがなかつた。
(3) Preparation and evaluation of composition 20 g of alkali-soluble novolac resin obtained in (1) and 5 g of photosensitizer A obtained in (2) were mixed under light shielding.
Dissolved in 75g of cellosolve acetate, pore size
A solution of the composition of the present invention was prepared by filtration through a 0.2 μm membrane filter. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を、シリコン酸化膜ウエハー上
に、スピンナーで塗布した後、オーブン中で90℃
で25分間プレベークして1μm厚の組成物膜を得
た。凸版印刷社製テストパターンマスクをウエハ
ーに密着し、12.6mJ/cm2の紫外線(オプテイカ
ルアソシエート・インコーポレイテツド製モデル
205UVパワーメーターにより測定)を照射し、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシ2.0重量%
水溶液で20℃で60秒間現像したところ、線幅
1.0μmのパターンを解像することができた。本発
明の組成物が感度および解像度に優れていること
がわかる。また未露光部の残膜率は91%と高い値
を示し、現像残りがなくパターンが鮮明で現像性
がきわめて優れていた。
The obtained solution was applied onto a silicon oxide film wafer using a spinner, and then heated in an oven at 90°C.
A composition film with a thickness of 1 μm was obtained by pre-baking for 25 minutes. A test pattern mask manufactured by Toppan Printing Co., Ltd. was placed in close contact with the wafer, and ultraviolet rays of 12.6 mJ/cm 2 (model manufactured by Optical Associates, Inc.) were applied to the wafer.
205UV measured by a power meter).
Tetramethylammonium hydroxy 2.0% by weight
When developed with an aqueous solution at 20℃ for 60 seconds, the line width was
We were able to resolve a 1.0μm pattern. It can be seen that the composition of the present invention has excellent sensitivity and resolution. Furthermore, the residual film rate in the unexposed area was as high as 91%, and there was no development residue, the pattern was clear, and the developability was extremely excellent.

実施例 2 (1) 感光剤の合成 2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
ジフエニルプロパン−(2,2)14.6g、1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリ
ド67.3g、ジオキサン300mlおよびトリエチルア
ミン29gを用いて、実施例1(2)と同様に反応させ
て、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ
−ジフエニルプロン−(2,2)−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸ペンタエステル
(以下、感光剤Bと記す)を得た。
Example 2 (1) Synthesis of photosensitizer 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
Diphenylpropane-(2,2) 14.6g, 1,2
2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy -Diphenylprone-(2,2)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester (hereinafter referred to as photosensitizer B) was obtained.

(2) 組成物の調製と評価 遮光下で実施例1(1)で得られたアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂20gおよび感光剤B5gを、75g
のセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μmの
メンブランフイルタで濾過して本発明の組成物の
溶液を調製した。この溶液は長期間保存しても感
光剤の結晶が析出することがなかつた。
(2) Preparation and evaluation of composition 20 g of the alkali-soluble novolac resin obtained in Example 1 (1) and 5 g of photosensitizer B were added to 75 g under light shielding.
A solution of the composition of the present invention was prepared by dissolving the composition in cellosolve acetate and filtering it through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を用い、実施例1(3)と同様に評価
したところ、10.5mJ/cm2の紫外線照射で線幅
1.0μmのパターンが解像できた。また未露光部の
残膜率は92%と高い値を示し、実施例1と同様に
現像性もきわめて優れていた。
When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3), the line width was
A 1.0 μm pattern could be resolved. Further, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 92%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

実施例 3 (1) 感光剤の合成 2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
ジフエニルメタン13.2g、1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルクロリド67.3g、ジオ
キサン300mlおよびトリエチルアミン29gを用い
て、実施例1(2)と同様に反応させて、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−ジフエニル
メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸ペンタエステル(以下、感光剤Cと記
す)を得た。
Example 3 (1) Synthesis of photosensitizer 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester (hereinafter referred to as photosensitizer C) was obtained.

(2) 組成物の調製と評価 遮光下で実施例1(1)で得られたアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂20gおよび感光剤C5gを、75g
のセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μmの
メンブランフイルタで濾過して本発明の組成物の
溶液を調製した。この溶液は長期間保存しても感
光剤の結晶が析出することがなかつた。
(2) Preparation and evaluation of composition 20 g of the alkali-soluble novolak resin obtained in Example 1 (1) and 5 g of photosensitizer C were added to 75 g under light shielding.
A solution of the composition of the present invention was prepared by dissolving the composition in cellosolve acetate and filtering it through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を用い、実施例1(3)と同様に評価
したところ、13.1mJ/cm2の紫外線照射で線幅
1.0μmのパターンが解像できた。また未露光部の
残膜率は89%と高い値を示し、実施例1と同様に
現像性もきわめて優れていた。
When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3), the line width was
A 1.0 μm pattern could be resolved. Further, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 89%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

実施例 4 (1) 感光剤の合成 2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
ジフエニルシクロヘキサン−(1,1)16.6g、
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリド67.3g、ジオキサン300mlおよびトリエ
チルアミン29gを用いて、実施例1(2)と同様に反
応させて、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒド
ロキシ−ジフエニルシクロヘキサン−(2,2)−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
ペンタエステル(以下、感光剤Dと記す)を得
た。
Example 4 (1) Synthesis of photosensitizer 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
Diphenylcyclohexane-(1,1) 16.6g,
2,3,4,2',3',4' -hexahydroxy-diphenylcyclohexane-(2,2)-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester (hereinafter referred to as photosensitizer D) was obtained.

(2) 組成物の調製と評価 遮光下で実施例1(1)で得られたアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂20gおよび感光剤D5gを、75g
のセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μmの
メンブランフイルタで濾過して本発明の組成物の
溶液を調製した。この溶液は長期間保存しても感
光剤の結晶が析出することがなかつた。
(2) Preparation and evaluation of composition 20 g of the alkali-soluble novolak resin obtained in Example 1 (1) and 5 g of photosensitizer D were added to 75 g under light shielding.
A solution of the composition of the present invention was prepared by dissolving the composition in cellosolve acetate and filtering it through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を用い、実施例1(3)と同様に評価
したところ、12.9mJ/cm2の紫外線照射で線幅
1.0μmのパターンが解像できた。また未露光部の
残膜率は91%と高い値を示し、実施例1と同様に
現像性もきわめて優れていた。
When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3), the line width was
A 1.0 μm pattern could be resolved. Further, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 91%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

実施例 5 (1) 感光剤の合成 2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
トリフエニルメタン14.6g、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホニルクロリド67.3g、ジ
オキサン300mlおよびトリエチルアミン29gを用
いて、実施例1と同様に反応させて、2,3,
4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−トリフエニ
ルメタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ペンタエステル(以下、感光剤Eと記
す)を得た。
Example 5 (1) Synthesis of photosensitizer 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
2,3,
4,2',3',4'-hexahydroxy-triphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-
A sulfonic acid pentaester (hereinafter referred to as photosensitizer E) was obtained.

(2) 組成物の調製と評価 遮光下で実施例1(1)で得られたアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂20gおよび感光剤E5gを、75g
のセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μmの
メンブランフイルタで濾過して本発明の組成物の
溶液を調製した。この溶液は長期間保存しても感
光剤の結晶が析出することがなかつた。
(2) Preparation and evaluation of composition 20 g of the alkali-soluble novolac resin obtained in Example 1 (1) and 5 g of photosensitizer E were added to 75 g under light shielding.
A solution of the composition of the present invention was prepared by dissolving the composition in cellosolve acetate and filtering it through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を用い、実施例1(3)と同様に評価
したところ、14.3mJ/cm2の紫外線照射で線幅
1.0μmのパターンが解像できた。また未露光部の
残膜率は92%と高い値を示し、実施例1と同様に
現像性もきわめて優れていた。
When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3), the line width was
A 1.0 μm pattern could be resolved. Further, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 92%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

実施例 6 (1) 感光剤の合成 2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
5,5′−ジメチルジフエニルプロパン−(2,2)
16.0g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホニルクロリド67.3g、ジオキサン300mlおよ
びトリエチルアミン29gを用いて、実施例1と同
様に反応させて、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキ
サヒドロキシ−5,5′−ジメチルジフエニルプロ
パン−(2,2)−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ペンタエステル(以下、感光剤
Fと記す)を得た。
Example 6 (1) Synthesis of photosensitizer 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
5,5'-dimethyldiphenylpropane-(2,2)
16.0 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride 67.3 g, dioxane 300 ml and triethylamine 29 g were reacted in the same manner as in Example 1 to obtain 2,3,4,2',3',4'-Hexahydroxy-5,5'-dimethyldiphenylpropane-(2,2)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester (hereinafter referred to as photosensitizer F) was obtained.

(2) 組成物の調製と評価 遮光下で実施例1(1)で得られたアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂20gおよび感光剤F5gを、75g
のセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μmの
メンブランフイルタで濾過して本発明の組成物の
溶液を調製した。この溶液は長期間保存しても感
光剤の結晶が析出することがなかつた。
(2) Preparation and evaluation of composition 20 g of the alkali-soluble novolac resin obtained in Example 1 (1) and 5 g of photosensitizer F were added to 75 g under light shielding.
A solution of the composition of the present invention was prepared by dissolving the composition in cellosolve acetate and filtering it through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を用い、実施例1(3)と同様に評価
したところ、14.1mJ/cm2の紫外線照射で線幅
1.0μmのパターンが解像できた。また未露光部の
残膜率は90%と高い値を示し、実施例1と同様に
現像性もきわめて優れていた。
When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3), the line width was
A 1.0 μm pattern could be resolved. Furthermore, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 90%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

実施例 7 (1) 感光剤の合成 2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ−
5,5′−ジメトキシジフエニルプロパン−(2,
2)17.6g、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニルクロリド67.3g、ジオキサン300ml
およびトリエチルアミン29gを用いて、実施例1
と同様に反応させて、2,3,4,2′,3′,4′−
ヘキサヒドロキシ−5,5′−ジメトキシジフエニ
ルプロパン−(2,2)−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸ペンタエステル(以下、
感光剤Gと記す)を得た。
Example 7 (1) Synthesis of photosensitizer 2,3,4,2',3',4'-hexahydroxy-
5,5'-dimethoxydiphenylpropane-(2,
2) 17.6g, 1,2-naphthoquinonediazide-5
-Sulfonyl chloride 67.3g, dioxane 300ml
and 29 g of triethylamine, Example 1
2,3,4,2',3',4'-
Hexahydroxy-5,5'-dimethoxydiphenylpropane-(2,2)-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid pentaester (hereinafter referred to as
A photosensitive agent G) was obtained.

(2) 組成物の調製と評価 遮光下で実施例1(1)で得られたアルカリ可溶性
ノボラツク樹脂20gおよび感光剤G5gを、75g
のセロソルブアセテートに溶解し、孔径0.2μmの
メンブランフイルタで濾過して本発明の組成物の
溶液を調製した。この溶液は長期間保存しても感
光剤の結晶が析出することがなかつた。
(2) Preparation and evaluation of composition 20 g of alkali-soluble novolak resin obtained in Example 1 (1) and 5 g of photosensitizer G were added to 75 g under light shielding.
A solution of the composition of the present invention was prepared by dissolving the composition in cellosolve acetate and filtering it through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate.

得られた溶液を用い、実施例1(3)と同様に評価
したところ、12.4mJ/cm2の紫外線照射で線幅
1.0μmのパターンが解像できた。また未露光部の
残膜率は83%と高い値を示し、実施例1と同様に
現像性もきわめて優れていた。
When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3), the line width was
A 1.0 μm pattern could be resolved. Furthermore, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 83%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

実施例 8 (1) 感光剤の合成 2,3,4−トリヒドロキシ−ジフエニルメタ
ン10.8g、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホニルクロリド13.4g、ジオキサン150mlお
よびトリエチルアミン10gを用いて、実施例1(2)
と同様に反応させて、2,3,4−トリヒドロキ
シ−ジフエニルメタン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸ジエステル(以下、感光
剤Hと記す)を得た。
Example 8 (1) Synthesis of photosensitizer 10.8 g of 2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane, 1,2-naphthoquinonediazide-5-
Example 1 (2) using 13.4 g of sulfonyl chloride, 150 ml of dioxane and 10 g of triethylamine
The reaction was carried out in the same manner as above to obtain 2,3,4-trihydroxy-diphenylmethane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid diester (hereinafter referred to as photosensitizer H).

(2) 組成物の調製と評価 感光剤Cの代わりに感光剤Hを用い、その他は
実施例3と同じ条光下に本発明の組成物の溶液を
調製した。この溶液は長期間保存しても感光剤の
結晶が析出することがなかつた。得られた溶液を
実施例1(3)と同様にして評価したところ、
13.5mJ/cm2の紫外線照射で、線幅1.0μmパターン
が解像できた。また未露光部の残膜率は87%と高
い値を示し、実施例1と同様に現像性もきわめて
優れていた。
(2) Preparation and evaluation of composition A solution of the composition of the present invention was prepared under the same light conditions as in Example 3, except that photosensitizer H was used instead of photosensitizer C. Even when this solution was stored for a long period of time, crystals of the photosensitizer did not precipitate. When the obtained solution was evaluated in the same manner as in Example 1 (3),
A pattern with a line width of 1.0 μm could be resolved with 13.5 mJ/cm 2 of ultraviolet irradiation. Furthermore, the residual film ratio in the unexposed area was as high as 87%, and as in Example 1, the developability was also extremely excellent.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明の組成物は、1,2−キノンジアジド化
合物の結晶が析出することがなく、高感度、高解
像度および高残膜率を有し、かつ現像性にも優れ
たものであり、集積回路作製用の耐熱性を有する
ポジ型ホトレジストとして有用であるとともに、
マスク製作用のポジ型ホトレジスト等としても有
用なものである。
The composition of the present invention does not precipitate crystals of the 1,2-quinonediazide compound, has high sensitivity, high resolution, high residual film rate, and has excellent developability, and is suitable for integrated circuit production. It is useful as a positive photoresist with heat resistance for
It is also useful as a positive photoresist for mask production.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 アルカリ可溶性樹脂100重量部に対し、下記
一般式() または下記一般式() (式中、l、mおよびnは同一または異なり、
0または1〜2の整数を意味し、R1、R5および
R7は同一または異なり、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニル基、または1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、
R2、R6、R8およびR11は同一または異なり、水素
原子、アルキル基、アリール基またはアルコキシ
基、R3、R4、R9およびR10は同一または異なり、
水素原子、アルキル基またはアリール基を意味
し、R3およびR4ならびにR9およびR10は炭素−炭
素結合で環を形成することができる)で表わされ
る化合物の少なくとも1種を5〜100重量部配合
してなることを特徴とする集積回路作製用ポジ型
感光性樹脂組成物。
[Claims] 1. For 100 parts by weight of alkali-soluble resin, the following general formula () Or the following general formula () (In the formula, l, m and n are the same or different,
means 0 or an integer from 1 to 2, R 1 , R 5 and
R 7 is the same or different and is a 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl group, a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group, or a 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl group;
-benzoquinonediazide-4-sulfonyl group,
R 2 , R 6 , R 8 and R 11 are the same or different; hydrogen atoms, alkyl groups, aryl groups or alkoxy groups; R 3 , R 4 , R 9 and R 10 are the same or different;
5 to 100% by weight of at least one compound represented by a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, in which R 3 and R 4 and R 9 and R 10 can form a ring with a carbon-carbon bond. 1. A positive photosensitive resin composition for producing an integrated circuit, comprising:
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