JPH0820730B2 - Positive type radiation sensitive resin composition - Google Patents

Positive type radiation sensitive resin composition

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JPH0820730B2
JPH0820730B2 JP61259243A JP25924386A JPH0820730B2 JP H0820730 B2 JPH0820730 B2 JP H0820730B2 JP 61259243 A JP61259243 A JP 61259243A JP 25924386 A JP25924386 A JP 25924386A JP H0820730 B2 JPH0820730 B2 JP H0820730B2
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quinonediazide compound
quinonediazide
naphthoquinonediazide
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heat
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隆司 青木
仁志 岡
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Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ポジ型感放射線性樹脂組成物に関し、さら
に詳しくはアルカリ可溶性樹脂と熱変性した1,2−キノ
ンジアジド化合物を含有するキノンジアジド化合物とを
配合してなる集積回路作製用のレジストとして好適なポ
ジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a positive-type radiation-sensitive resin composition, more specifically, a quinonediazide compound containing an alkali-soluble resin and a heat-modified 1,2-quinonediazide compound. And a positive-type radiation-sensitive resin composition suitable as a resist for producing an integrated circuit.

(従来の技術) 従来、集積回路作製用レジストとしては環化イソプレ
ンゴムにビスアジド化合物を配合したネガ型レジストが
知られている。しかしこのタイプのレジストは現像時の
膨潤により解像度に限度があるため集積回路の高集積化
に十分対応できない欠点を有する。一方、このネガ型レ
ジストに対し、ポジ型レジストは、アルカリ可溶性樹脂
に1,2−キノンジアジド化合物を配合したものであり、
解像度に優れているため、集積回路の高集積化に十分対
応し得るものであると考えられている。
(Prior Art) Conventionally, as a resist for producing an integrated circuit, a negative type resist in which cyclized isoprene rubber is mixed with a bisazide compound is known. However, this type of resist has a limitation in resolution due to swelling during development, and thus has a drawback that it cannot sufficiently cope with high integration of integrated circuits. On the other hand, in contrast to this negative resist, the positive resist is a mixture of an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound,
Since it has excellent resolution, it is considered to be sufficiently compatible with high integration of integrated circuits.

しかし、アルカリ可溶性樹脂と1,2−キノンジアジド
化合物を溶剤に溶解させてなるポジ型レジストを、例え
ば孔径0.2μmのフィルタで濾過したのち保存しておく
と、異物が生成し、異物の生成したポジ型レジストをさ
らに長期にわたって保存すると、やがては沈殿物の発生
を見るに到る場合がある。このようなポジ型レジストで
発生する異物は粒径が0.5μm以上のものもある。この
ように大きい異物を含有するポジ型レジストを用いてレ
ジストパターンをシリコンウエーハ上に形成すると、現
像によりレジストが除去される部分に異物が残るため、
解像度が低下し、さらに集積回路作製時の歩留りが悪化
する原因となる。
However, if a positive resist obtained by dissolving an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound in a solvent is filtered through a filter with a pore size of 0.2 μm and then stored, foreign matter is generated and If the mold resist is stored for a longer period of time, it may eventually become possible to see the formation of precipitates. The foreign matter generated in such a positive resist may have a particle size of 0.5 μm or more. When a resist pattern is formed on a silicon wafer using a positive resist containing such a large foreign substance, the foreign substance remains in a portion where the resist is removed by development,
This lowers the resolution and further deteriorates the yield when manufacturing integrated circuits.

(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、保
存安定性に優れ、しかも高感度、高解像度および高残膜
率を有するポジ型感放射線性樹脂組成物を提供すること
にある。
(Problems to be Solved by the Invention) An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to have excellent storage stability, and also to have positive sensitivity and high sensitivity with high resolution and high residual film rate. It is to provide a resin composition.

(問題点を解決するための手段) 本発明は、アルカリ可溶性樹脂に、キノンジアジド化
合物を配合してなるポジ型感放射線性樹脂組成物におい
て、該キノンジアジド化合物が熱変性された1,2−キノ
ンジアジド化合物と未変性の1,2−キノンジアジド化合
物とからなり、かつ熱変性された1,2−キノンジアジド
化合物と未変性の1,2−キノンジアジド化合物との重量
比が1/99以上であることを特徴とするポジ型感放射線性
樹脂組成物を提供するものである。
(Means for Solving Problems) The present invention provides a positive-type radiation-sensitive resin composition obtained by blending an alkali-soluble resin with a quinonediazide compound, wherein the quinonediazide compound is heat-modified 1,2-quinonediazide compound. And a non-modified 1,2-quinonediazide compound, and characterized in that the weight ratio of the heat-modified 1,2-quinonediazide compound and the unmodified 1,2-quinonediazide compound is 1/99 or more. The present invention provides a positive radiation-sensitive resin composition.

本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例
えばアルカリ可溶性ノボラック樹脂(以下、単に「ノボ
ラック樹脂」という)を挙げることができる。ノボラッ
ク樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを酸触媒の存
在下に縮合して得られる。
Examples of the alkali-soluble resin used in the present invention include an alkali-soluble novolac resin (hereinafter, simply referred to as “novolac resin”). The novolak resin is obtained by condensing phenols and aldehydes in the presence of an acid catalyst.

この際用いられるフェノール類としては、例えばフェ
ノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾ
ール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、
p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブ
チルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレ
ノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、3,4
−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチ
ルフェノール、p−フェニルフェノール、ヒドロキノ
ン、カテコール、レゾルシノール、2−メチルレゾルシ
ノール、ピロガロール、α−ナフトール、ビスフェノー
ルA、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステ
ル等が挙げられる。これらのフェノール類のうちフェノ
ール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−
トリメチルフェノール、レゾルシノール、2−メチルレ
ゾルシノールおよびビスフェノールAが好ましい。これ
らのフェノール類は、単独でまたは2種以上組合せて用
いられる。
Examples of the phenols used at this time include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol,
p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol, p-butylphenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4
-Xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, p-phenylphenol, hydroquinone, catechol, resorcinol, 2-methylresorcinol, pyrogallol, α-naphthol, bisphenol A, dihydroxybenzoic acid ester, gallic acid Esters and the like can be mentioned. Of these phenols, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-
Trimethylphenol, resorcinol, 2-methylresorcinol and bisphenol A are preferred. These phenols may be used alone or in combination of two or more.

また、アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒ
ド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピ
ルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアル
デヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニ
ルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシ
ベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−
クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒ
ド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズア
ルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチルベ
ンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メ
チルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、
p−n−ブチルベンズアルデヒド等が挙げられ、これら
のアルデヒド類のうちホルムアルデヒド、アセトアルデ
ヒドおよびベンズアルデヒドが好ましい。これらのアル
デヒド類は、単独でまたは2種以上組合せて使用するこ
とができる。アルデヒド類の使用量は、フェノール類1
モル当たり、好ましくは0.7〜3モル、特に好ましくは
0.7〜2モルである。
Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-
Chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde,
Examples thereof include pn-butylbenzaldehyde, and formaldehyde, acetaldehyde and benzaldehyde are preferable among these aldehydes. These aldehydes can be used alone or in combination of two or more. The amount of aldehydes used is 1 phenol
Per mol, preferably 0.7 to 3 mol, particularly preferably
It is 0.7 to 2 mol.

酸触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸、また
は蟻酸、シュウ酸、酢酸等の有機酸が用いられる。これ
らの酸触媒の使用量は、フェノール類1モル当たり、好
ましくは1×10-4〜5×10-1モルである。
As the acid catalyst, inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid and sulfuric acid, or organic acids such as formic acid, oxalic acid and acetic acid are used. The amount of these acid catalysts used is preferably 1 × 10 −4 to 5 × 10 −1 mol per mol of phenols.

縮合反応においては、通常、反応媒質として水を用い
るが、縮合反応において使用するフェノール類がアルデ
ヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系にな
る場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用すること
もできる。この際用いられる親水性溶媒としては、例え
ばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール
等のアルコール類、またはテトラヒドロフラン、ジオキ
サン等の環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒
質の使用量は、通常、反応原料100重量部当たり、20〜1
000重量部である。
In the condensation reaction, water is usually used as the reaction medium, but when the phenols used in the condensation reaction do not dissolve in the aqueous solution of aldehydes and become a heterogeneous system from the initial stage of the reaction, a hydrophilic solvent is used as the reaction medium. Can also be used. Examples of the hydrophilic solvent used at this time include alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, and cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane. The amount of these reaction media used is usually 20 to 1 per 100 parts by weight of the reaction raw material.
It is 000 parts by weight.

縮合反応の反応温度および反応時間は、反応原料の反
応性に応じて適宜調整することができるが、通常、10〜
200℃、好ましくは70〜150℃および15分〜12時間程度、
好ましくは30分〜60時間である。
The reaction temperature and reaction time of the condensation reaction can be appropriately adjusted depending on the reactivity of the reaction raw materials, but usually 10 to
200 ℃, preferably 70 ~ 150 ℃ and 15 minutes ~ 12 hours,
It is preferably 30 minutes to 60 hours.

縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒
および反応媒質を除去するため、一般的には内温を130
〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去し、次いで
溶融したノボラック樹脂をスチール製ベルト等の上に流
延して回収する。
After the completion of the condensation reaction, the internal temperature is generally raised to 130 ° C. to remove unreacted raw materials, acid catalyst and reaction medium present in the system.
The temperature is raised to ˜230 ° C., the volatile matter is distilled off under reduced pressure, and then the molten novolac resin is cast on a steel belt or the like and collected.

また縮合反応終了後に前記親水性溶媒に反応混合物を
溶解し、水、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の沈殿剤に
添加することにより、ノボラック樹脂を析出させ、析出
物を加熱乾燥する方法によっても回収することができ
る。
Further, by the method of dissolving the reaction mixture in the hydrophilic solvent after completion of the condensation reaction and adding it to a precipitating agent such as water, n-hexane, n-heptane to deposit the novolac resin and heating and drying the deposit. Can be collected.

本発明に用いられるノボラック樹脂以外のアルカリ可
溶性樹脂としては、例えばポリヒドロキシスチレンまた
はその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポ
リビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基含有
メタアクリル系樹脂等が用いられる。
As the alkali-soluble resin other than the novolac resin used in the present invention, for example, polyhydroxystyrene or its derivative, styrene-maleic anhydride copolymer, polyvinyl hydroxybenzoate, carboxyl group-containing methacrylic resin, etc. are used.

これらのアルカリ可溶性樹脂は単独でまたは2種以上
組み合わせて使用することができる。
These alkali-soluble resins can be used alone or in combination of two or more.

本発明に用いられる熱変性された1,2−キノンジアジ
ド化合物は、従来のポジ型レジストに用いられる1,2−
キノンジアジド化合物を熱処理することによって得られ
る。これは感光剤の水分を除くだけの乾燥とは本質的に
異なる。
The heat-modified 1,2-quinonediazide compound used in the present invention is 1,2-quinonediazide compound used in a conventional positive resist.
It is obtained by heat-treating a quinonediazide compound. This is essentially different from drying the sensitizer by removing moisture.

熱変性される1,2−キノンジアジド化合物は従来から
使用されているものでよく、例えばポリヒドロキシ化合
物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルハラ
イド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルハ
ライド、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル
ハライド等の1,2−キノンジアジド化剤とのエステル化
反応により得られるが、これらの例としてはp−クレゾ
ール−1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、レゾルシノール−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、ピロガロール−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等の(ポ
リ)ヒドロキシベンゼンの1,2−キノンジアジドスルホ
ン酸エステル類、2,4−ジヒドロキシフェニル−プロピ
ルケトン−1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、2,4−ジヒドロキシフェニル−n−ヘキシ
ルケトン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,
4−トリヒドロキシフェニル−n−ヘキシルケトン−1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2
−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,
3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、および2,
2′,3,4,6′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,3,3′,4−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3′,4′,5′,6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3,3′,4′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3′,4,4′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3′,4′,5,5′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,3′,4,4′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,4,4′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,3,4,5′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,4,5′,6−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,
3′,4,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,
2′,3,4,4′,6′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、
または2,3′,4,4′,5′,6−ヘキサヒドロキシベンゾフ
ェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステルまたは1,2−ベンゾキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル等の(ポリ)ヒドロキシフェニルアル
キルケトンまたは(ポリ)ヒドロキシフェニルアリール
ケトンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステル類、
ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(2,4
−ジヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル、ビス(2,3,4−ト
リヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス(p−ヒ
ドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,4−ジヒ
ドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−ト
リヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル等のビス〔(ポリ)
ヒドロキシフェニル〕アルカンの1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類、3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラ
ウリル−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル、3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5
−トリヒドロキシ安息香酸フェニル−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル等の(ポリ)ヒド
ロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒドロ
キシ安息香酸アリールエステルの1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類、ビス(2,5−ジヒドロキシベン
ゾイル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾイル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル、ビス(2,4,6−トリヒドロキシベン
ゾイル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベン
ゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキ
シベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステル、p−ビス(2,4,6−トリヒ
ドロキシベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル等のビス〔(ポリ)ヒ
ドロキシベンゾイル〕アルカンまたはビス〔(ポリ)ヒ
ドロキシベンゾイル〕ベンゼンの1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類、エチレングリコール−ジ(3,5
−ジヒドロキシベンゾエート)−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、エチレングリコール
−ジ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、ポリエ
チレングリコール−ジ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾ
エート)−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル等の(ポリ)エチレングリコール−ジ〔(ポ
リ)ヒドロキシベンゾエート〕の1,2−キノンジアジド
スルホン酸エステル類、ヒドロキシ基を有するα−ピロ
ン系天然色素の1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ル類、ヒドロキシ基を有するγ−ピロン系天然色素の1,
2−キノンジアジドスルホン酸エステル類、およびヒド
ロキシ基を有するジアジン系天然色素の1,2−キノンジ
アジドスルホン酸エステル類が挙げられる。
The heat-modified 1,2-quinonediazide compound may be a conventionally used one, for example, a polyhydroxy compound and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl halide, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl halide, It is obtained by an esterification reaction with a 1,2-quinonediazide agent such as 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonyl halide, and examples of these include p-cresol-1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid. Ester, resorcinol-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, pyrogallol-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like (poly) hydroxybenzene 1,2-quinonediazidesulfonic acid esters, 2 , 4-Dihydroxyphenyl-propyl ketone-1,2-benzoquinonediazide-4- Sulfonic acid esters, 2,4-dihydroxyphenyl -n- hexyl ketone 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid esters, 2,4-dihydroxybenzophenone-1,2
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,3,
4-trihydroxyphenyl-n-hexylketone-1,2
-Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,
3,4-Trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,4,6- Trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,4,6-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2 ', 4,4'- Tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2
-Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,
3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, and 2,
2 ', 3,4,6'-pentahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 3,3', 4-pentahydroxybenzophenone, 2,
3 ', 4', 5 ', 6-pentahydroxybenzophenone, 2,
3,3 ′, 4 ′, 5′-pentahydroxybenzophenone, 2,
3 ', 4,4', 5'-pentahydroxybenzophenone, 2,
3 ', 4', 5,5'-pentahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 3', 4,4'-pentahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 4,4', 6'-pentahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 3,4,5'-pentahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 4,5', 6-pentahydroxybenzophenone, 2,3,
3 ', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 2,
2 ', 3,4,4', 6'-hexahydroxybenzophenone,
Or 2,3 ′, 4,4 ′, 5 ′, 6-hexahydroxybenzophenone 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonate or 1,2- 1,2-quinonediazidesulfonic acid esters of (poly) hydroxyphenylalkylketones such as benzoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or (poly) hydroxyphenylarylketones,
Bis (p-hydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,4
-Dihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 2,2- Bis (p-hydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,2-bis (2,4-dihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, Bis [(poly) such as 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate
Hydroxyphenyl] alkane 1,2-quinonediazide sulfonic acid esters, 3,5-dihydroxybenzoic acid lauryl-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, 2,3,4-trihydroxybenzoic acid phenyl-
1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, propyl 3,4,5-trihydroxybenzoate-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, 3,4,5
-Trihydroxybenzoic acid phenyl-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and other (poly) hydroxybenzoic acid alkyl ester or (poly) hydroxybenzoic acid aryl ester 1,2-quinonediazide sulfonic acid esters, bis (2,5-dihydroxybenzoyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester, bis (2,3,4-trihydroxybenzoyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, Bis (2,4,6-trihydroxybenzoyl) methane-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, p-bis (2,5-dihydroxybenzoyl) benzene-1,2-naphthoquinonediazide-4-
Sulfonic acid ester, p-bis (2,3,4-trihydroxybenzoyl) benzene-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, p-bis (2,4,6-trihydroxybenzoyl) benzene-1 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and other bis [(poly) hydroxybenzoyl] alkanes or bis [(poly) hydroxybenzoyl] benzene 1,2-quinonediazidesulfonic acid esters, ethylene glycol-di (3, Five
-Dihydroxybenzoate) -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, ethylene glycol-di (3,4,5-trihydroxybenzoate) -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, polyethylene glycol- Di (3,4,5-trihydroxybenzoate) -1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonate, etc. 1,2-quinonediazidesulfonate of (poly) ethylene glycol-di [(poly) hydroxybenzoate] , 1,2-quinonediazide sulfonic acid ester of α-pyrone natural dye having a hydroxy group, 1, γ-pyrone natural dye having a hydroxy group of 1,
Examples thereof include 2-quinonediazide sulfonic acid esters and 1,2-quinonediazide sulfonic acid esters of diazine-based natural dyes having a hydroxy group.

これらの1,2−キノンジアジド化合物の他に、J.Kosar
著“Light−Sensitive Systems"339〜352(1965)、Joh
n Wiley & Sons社(New York)やW.S.De Forest著“Ph
otoresist"50(1975)、McGraw−Hill,Inc.,(New Yor
k)に掲載されている1,2−キノンジアジド化合物が挙げ
られる。
In addition to these 1,2-quinonediazide compounds, J. Kosar
Work "Light-Sensitive Systems" 339-352 (1965), Joh
n Wiley & Sons (New York) and WS De Forest “Ph
otoresist "50 (1975), McGraw-Hill, Inc., (New Yor
The 1,2-quinonediazide compounds listed in k) are mentioned.

さらに、特開昭58−17112号公報に記載されているよ
うに、前記ノボラック樹脂の水酸基に1,2−キノンジア
ジド化剤を当量比で0.001〜0.5で縮合させた樹脂を1,2
−キノンジアジド化合物として用いることもできる。
Further, as described in JP-A-58-17112, a resin obtained by condensing a 1,2-quinonediazide agent with a hydroxyl group of the novolak resin at an equivalent ratio of 0.001 to 0.5 is 1,2.
It can also be used as a quinonediazide compound.

これらの1,2−キノンジアジド化合物は単独でまたは
2種以上混合して使用される。
These 1,2-quinonediazide compounds may be used alone or in admixture of two or more.

なお、上記1,2−キノンジアジド化合物を熱処理する
ことにより、得られる熱変性された1,2−キノンジアジ
ド化合物の構造の詳細は不明であるが、1,2−キノンジ
アジド化合物が高分子化したものであると推定される。
Although the details of the structure of the heat-modified 1,2-quinonediazide compound obtained by heat-treating the 1,2-quinonediazide compound are unknown, it is a polymerized version of the 1,2-quinonediazide compound. It is estimated that there is.

ここで熱処理の温度は好ましくは30〜100℃、さらに
好ましくは40〜90℃である。
Here, the temperature of the heat treatment is preferably 30 to 100 ° C, more preferably 40 to 90 ° C.

本発明においては、熱変性された1,2−キノンジアジ
ド化合物と未変性の1,2−キノンジアジド化合物とを重
量比で1/99以上、好ましくは1/99〜50/50、さらに好ま
しくは1/99〜30/70の割合で配合され、熱変性された1,2
−キノンジアジド化合物の配合割合が1重量%未満で
は、保存安定性が悪化する。
In the present invention, the weight ratio of the heat-modified 1,2-quinonediazide compound and the unmodified 1,2-quinonediazide compound is 1/99 or more, preferably 1/99 to 50/50, more preferably 1/99. Heat-denatured 1,2 blended in a ratio of 99-30 / 70
-When the blending ratio of the quinonediazide compound is less than 1% by weight, the storage stability deteriorates.

また本発明において、例えば以下の方法によって1,2
−キノンジアジド化合物の一部を熱変性された1,2−キ
ノンジアジド化合物を用いてもよく、熱変性された1,2
−キノンジアジド化合物と未変性の1,2−キノンジアジ
ド化合物との混合物を容易に得ることができる。
In the present invention, for example, 1,2
-A part of the quinonediazide compound may be heat-modified 1,2-quinonediazide compound may be used.
A mixture of a -quinonediazide compound and an unmodified 1,2-quinonediazide compound can be easily obtained.

(イ)熱変性する1,2−キノンジアジド化合物の種類に
よって熱変性条件は異なるが、一般的には空気または窒
素雰囲気下で、内温が好ましくは30〜100℃、さらに好
ましくは40〜90℃の乾燥器を用いて行なわれ、加熱時間
はその内温に応じて適宜調整する。
(A) The heat denaturing conditions vary depending on the type of 1,2-quinonediazide compound to be heat-denatured, but generally, in an air or nitrogen atmosphere, the internal temperature is preferably 30 to 100 ° C, more preferably 40 to 90 ° C. The drying time is appropriately adjusted according to the internal temperature.

内温が30℃未満では、熱処理時間が長くかかりすぎて
実用的ではなく、また内温が100℃を超えると1,2−キノ
ンジアジド化合物が徐々に熱分解を起こすので望ましく
ない。熱変性温度は、上述の温度範囲内で熱変性時間が
長い場合は低く、また熱変性温度が高い場合は短くても
よい。具体的には熱変性温度と熱変性時間との関係は第
1図で定めるところの斜線範囲内(第1図の範囲を下記
の数式で示す)が好適であり、斜線範囲外では本発明の
効果を発揮することが困難である。
When the internal temperature is less than 30 ° C, the heat treatment time is too long to be practical, and when the internal temperature exceeds 100 ° C, the 1,2-quinonediazide compound gradually undergoes thermal decomposition, which is not desirable. The heat denaturation temperature may be low when the heat denaturation time is long within the above temperature range and may be short when the heat denaturation temperature is high. Specifically, the relationship between the heat denaturation temperature and the heat denaturation time is preferably within the shaded range defined by FIG. 1 (the range shown in FIG. 1 is shown by the following mathematical formula), and outside the shaded range, It is difficult to exert the effect.

さらに熱変性温度が30℃未満では、熱処理時間が長く
かかりすぎて実用的ではなく、100℃を超えると、1,2−
キノンジアジド化合物が徐々に熱分解を起こすので望ま
しくない。
Further, if the heat denaturation temperature is lower than 30 ° C, the heat treatment time is too long to be practical, and if it exceeds 100 ° C, 1,2-
This is not desirable because the quinonediazide compound gradually undergoes thermal decomposition.

ただし30<T(℃)<100 (ロ)上記1,2−キノンジアジド化合物を親水性溶媒に
溶解し、水で凝固して分散させた状態で熱変性を行な
う。親水性溶媒としてはアセトン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジメチルホルムアルド、N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド等が挙げられ
る。1,2−キノンジアジド化合物の濃度としては5〜60
重量%が好ましく、特に5〜40重量%が好ましい。濃度
が5重量%未満では、この溶液中の1,2−キノンジアジ
ド化合物を凝固する水の量が多くなり実用的でない。一
方、濃度が60重量%を超えると、1,2−キノンジアジド
化合物は親水性溶媒に溶けにくいために溶液にすること
が難しくなる。この溶液は、ポリヒドロキシ化合物と1,
2−キノンジアジド化剤を反応させた溶液をそのまま用
いることもできる。この溶液は、好ましくは1〜100倍
重量、特に好ましくは3〜30倍重量の水と混合して1,2
−キノンジアジド化合物を凝固させ、よく攪拌して分散
させ、スラリー状にする。水の量が少なすぎると、1,2
−キノンジアジド化合物が凝固しにくく、アメ状になる
傾向がある。また凝固しやすくするため水に塩酸、硫酸
等のプロトン酸を水に対して0.01〜10重量%、特に0.05
〜5重量%加えることが望ましい。プロトン酸の量が10
重量%を超えると、1,2−キノンジアジド化合物中にプ
ロトン酸が残存し完全に取り除くことが困難である。
However, 30 <T (° C.) <100 (b) The 1,2-quinonediazide compound is dissolved in a hydrophilic solvent, coagulated with water and dispersed in water for heat denaturation. As the hydrophilic solvent, acetone, tetrahydrofuran, dioxane, dimethylformald, N-methyl-
2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide and the like can be mentioned. The concentration of the 1,2-quinonediazide compound is 5 to 60
Weight% is preferable, and 5-40 weight% is especially preferable. When the concentration is less than 5% by weight, the amount of water that coagulates the 1,2-quinonediazide compound in this solution is large, which is not practical. On the other hand, when the concentration exceeds 60% by weight, the 1,2-quinonediazide compound is difficult to dissolve in the hydrophilic solvent, which makes it difficult to form a solution. This solution contains a polyhydroxy compound and 1,
The solution obtained by reacting the 2-quinonediazide agent may be used as it is. This solution is preferably mixed with water in an amount of 1 to 100 times, particularly preferably 3 to 30 times by weight.
-Coagulate the quinonediazide compound and stir well to disperse into a slurry. If the amount of water is too low, 1,2
-The quinonediazide compound is hard to coagulate and tends to become a candy-like substance. In order to facilitate coagulation, protic acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid are added to water in an amount of 0.01 to 10% by weight, especially 0.05
It is desirable to add ~ 5% by weight. The amount of protic acid is 10
If it exceeds 5% by weight, the protic acid remains in the 1,2-quinonediazide compound and it is difficult to completely remove it.

このスラリー状の1,2−キノンジアジド化合物を空気
または窒素雰囲気下で好ましくは30〜100℃、さらに好
ましくは40〜90℃に加温し、加熱時間はその内温に応じ
て適宜調整する。なお上記の熱変性条件の範囲について
は第1図の斜線部内であり、その理由は(イ)で挙げた
理由と同様である。熱変性後のスラリー状の1,2−キノ
ンジアジド化合物は脱水濾過し、固体を回収した後、さ
らに水を除くため例えば40℃の真空乾燥器に入れ、12時
間乾燥される。
This slurry-like 1,2-quinonediazide compound is heated to preferably 30 to 100 ° C., more preferably 40 to 90 ° C. in an air or nitrogen atmosphere, and the heating time is appropriately adjusted according to the internal temperature. The range of the above heat denaturation conditions is within the shaded area in FIG. 1, and the reason is the same as the reason given in (a). The 1,2-quinonediazide compound in a slurry form after heat denaturation is dehydrated and filtered to collect solids, which are then placed in a vacuum dryer at 40 ° C. to remove water and dried for 12 hours.

本発明において、熱変性された1,2−キノンジアジド
化合物と未変性のキノンジアジド化合物とは、前記アル
カリ可溶性樹脂100重量部に対し、好ましくは5〜100重
量部、特に好ましくは10〜50重量部用いられる。5重量
部未満では、アルカリ可溶性樹脂に対する使用量が少な
いためにキノンジアジド化合物のアルカリ可溶性樹脂に
対する不溶化効果が不十分であり、ポジ型レジストとし
て使用する際に放射線照射部と放射線未照射部とのアル
カリ性水溶液からなる現像液に対する溶解性に差をつけ
ることができないのでレジストパターンの形成が困難で
ある。一方、100重量部を超えると短時間の放射線照射
ではすべてのキノンジアジド化合物を分解することがで
きず一部が残存するため、ポジ型レジストとして使用す
る際にアルカリ性水溶液からなる現像液による現像が困
難となる。
In the present invention, the heat-modified 1,2-quinonediazide compound and the unmodified quinonediazide compound are preferably 5 to 100 parts by weight, particularly preferably 10 to 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. To be When the amount is less than 5 parts by weight, the amount of the quinonediazide compound used for the alkali-soluble resin is insufficient because the amount of the quinonediazide compound used for the alkali-soluble resin is insufficient. It is difficult to form a resist pattern because it is impossible to make a difference in solubility in a developing solution composed of an aqueous solution. On the other hand, if the amount exceeds 100 parts by weight, all quinonediazide compounds cannot be decomposed by irradiation for a short time and a part of them remains, making it difficult to develop with a developer composed of an alkaline aqueous solution when used as a positive resist. Becomes

なお、熱変性された1,2−キノンジアジド化合物およ
び未変性の1,2−キノンジアジド化合物は、1種単独で
使用しても、また2種以上併用してもよい。
The heat-modified 1,2-quinonediazide compound and the unmodified 1,2-quinonediazide compound may be used alone or in combination of two or more.

本発明の組成物には、レジストとしての感度を向上さ
せるため、増感剤を配合することができる。増感剤とし
ては、例えば2H−ピリド〔3,2−b〕−1,4−オキサジン
−3〔4H〕オン類、10H−ピリド〔3,2−b〕−〔1,4〕
−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、
バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシ
ベンゾトリアゾール類、アロキサン類およびマレイミド
類等を挙げることができる。増感剤の配合量は、キノン
ジアジド化合物100重量部に対し、通常、100重量部以
下、好ましくは4〜60重量部である。
A sensitizer can be added to the composition of the present invention in order to improve the sensitivity as a resist. Examples of the sensitizer include 2H-pyrido [3,2-b] -1,4-oxazin-3 [4H] ones and 10H-pyrido [3,2-b]-[1,4].
-Benzothiazines, urazoles, hydantoins,
Examples thereof include barbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans and maleimides. The compounding amount of the sensitizer is usually 100 parts by weight or less, preferably 4 to 60 parts by weight, based on 100 parts by weight of the quinonediazide compound.

さらに本発明の組成物には、ストリエーション等の塗
布性や乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良す
るため、界面活性剤を配合することができる。界面活性
剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテ
ル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキ
シエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンア
ルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノ
ールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエ
ーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェノールエー
テル類、およびポリエチレングリコールジラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレ
ングリコールジアルキルエーテル類のノニオン系界面活
性剤、エフトップEF301、EF303、EF352(新秋田化成
(株)製)、メガファックF171、F173(大日本インキ
(株)製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム
(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、
SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子
(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサ
ンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)やアクリル
酸系またはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローNo.7
5、No.95(共栄社油脂化学工業(株)製)等を挙げるこ
とができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の
組成物中のアルカリ可溶性樹脂およびキノンジアジド化
合物100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましく
は1重量部以下である。
Further, a surfactant can be added to the composition of the present invention in order to improve the coating properties such as striation and the developability of the radiation-irradiated area after the formation of a dry coating film. Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether and other polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol ether and other polyoxyethylene alkylphenols. Ethers, and polyethylene glycol dilaurate,
Nonionic surfactants of polyethylene glycol dialkyl ethers such as polyethylene glycol distearate, F-top EF301, EF303, EF352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd.) , Florard FC430, FC431 (Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382,
Fluorine-based surfactants such as SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid-based or methacrylic acid-based (co) Polymer Polyflow No.7
5, No. 95 (manufactured by Kyoeisha Oil and Fat Chemical Co., Ltd.) and the like. The blending amount of these surfactants is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin and the quinonediazide compound in the composition of the present invention.

さらに本発明の組成物には、接着性を改良するため、
接着助剤を、また放射線照射部の潜像を可視化させた
り、放射線照射時のハレーションの影響を少なくするた
め、着色剤を配合することもできる。
Furthermore, in order to improve the adhesiveness, the composition of the present invention contains
A coloring agent may be added as an adhesion aid, or in order to visualize the latent image on the radiation irradiated portion and to reduce the effect of halation during radiation irradiation.

接着助剤としては、例えば3−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、ビニルトリクロロシラン、2−(3,4−
エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン等
のシリコン化合物が用いられる。これら接着助剤の配合
量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂およびキ
ノンジアジド化合物100重量部当たり、通常、4重量部
以下、好ましくは2重量部以下である。
Examples of the adhesion aid include 3-aminopropyltriethoxysilane, vinyltrichlorosilane, 2- (3,4-
Silicon compounds such as epoxycyclohexylethyl) trimethoxysilane are used. The amount of these adhesion promoters to be added is usually 4 parts by weight or less, preferably 2 parts by weight or less, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin and quinonediazide compound in the composition of the present invention.

また、着色剤の配合量は、本発明の組成物中のアルカ
リ可溶性樹脂およびキノンジアジド化合物100重量部当
たり、通常、6重量部以下、好ましくは4重量部以下で
ある。
The amount of the colorant compounded is usually 6 parts by weight or less, preferably 4 parts by weight or less, per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin and the quinonediazide compound in the composition of the present invention.

さらに本発明の組成物には、必要に応じて保存安定
剤、消泡剤等も配合することができる。
Further, the composition of the present invention may optionally contain a storage stabilizer, an antifoaming agent, and the like.

本発明の組成物は、前記アルカリ可溶性樹脂、キノン
ジアジド化合物および前記各種配合剤を溶剤に、例えば
固形分濃度が5〜50重量%となるように溶解させ、例え
ば孔径0.2μm程度のフィルタで濾過することにより、
調製される。
In the composition of the present invention, the alkali-soluble resin, the quinonediazide compound and the various compounding agents are dissolved in a solvent, for example, so that the solid content concentration becomes 5 to 50% by weight, and the mixture is filtered with a filter having a pore size of about 0.2 μm. By
Is prepared.

この際に用いられる溶剤としては、例えばシクロペン
タノン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等の
ケトン類、n−ブタノール等のアルコール類、ジオキサ
ン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル等のエーテル類、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチルグリコールモノエ
チルエーテル等のアルコールエーテル類、酢酸ブチル、
エチルセロソルブアセテート、メトキシエチルアセテー
ト等のエステル類、2−オキシプロピオン酸メチル、2
−オキシプロピオン酸エチル等のアルコールエステル
類、1,1,2−トリクロルエチレン等のハロゲン化炭化水
素類、およびジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等
の極性溶媒が挙げられる。これらの溶剤は単独でまたは
2種以上組み合わせて用いられる。
Examples of the solvent used at this time include ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone and diacetone alcohol, alcohols such as n-butanol, dioxane, ethers such as ethylene glycol dimethyl ether and ethylene glycol diethyl ether, and ethylene glycol monomethyl. Ether, alcohol ethers such as ethyl glycol monoethyl ether, butyl acetate,
Esters such as ethyl cellosolve acetate and methoxyethyl acetate, methyl 2-oxypropionate, 2
-Alcohol esters such as ethyl oxypropionate, halogenated hydrocarbons such as 1,1,2-trichloroethylene, and polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, dimethylformamide and N-methylpyrrolidone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

また必要に応じて高沸点溶剤、例えばベンジルエチル
エーテル、ジヘキシルエーテル等のエーテル類、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、ア
セトニルアセトン、イソホロン等のケトン類、カプロン
酸、カプリル酸等の脂肪酸類、1−オクタノール、1−
ノナノール、ベンジルアルコール等のアルコール類、酢
酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレ
イン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、
炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート等のエ
ステル類を添加使用することもできる。
If necessary, a high-boiling solvent, for example, ethers such as benzyl ethyl ether and dihexyl ether, glycol ethers such as diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether, ketones such as acetonylacetone and isophorone, caproic acid and caprylic acid. Fatty acids such as 1-octanol, 1-
Nonanol, alcohols such as benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate,
Esters such as propylene carbonate and phenyl cellosolve acetate can also be added and used.

本発明の組成物をシリコンウェハー等の基板に塗布す
る方法としては、例えば回転塗布、流し塗布、ロール塗
布等により塗布する方法が挙げられる。
Examples of the method of applying the composition of the present invention to a substrate such as a silicon wafer include a method of applying by spin coating, flow coating, roll coating and the like.

本発明の組成物の現像液としては、例えば水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリ
ウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1級
アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等
の第2級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチル
アミン等の第3級アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩、ま
たはピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,
4,0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ(4,3,
0)−5−ノナン等の環状アミン類を溶解してなるアル
カリ性水溶液が用いられる。
The developer of the composition of the present invention includes, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine. , Secondary amines such as diethylamine and di-n-propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcohol amines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethyl Quaternary ammonium salts such as ammonium hydroxide, or pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo (5,
4,0) -7-Undecene, 1,5-diazabicyclo (4,3,
An alkaline aqueous solution prepared by dissolving a cyclic amine such as 0) -5-nonane is used.

また水溶性有機溶媒、例えばメタノール、エタノール
等のアルコール類や界面活性剤を適量添加したアルカリ
性水溶液を現像液として使用することもできる。
Further, a water-soluble organic solvent, for example, an alcoholic solution such as methanol or ethanol, or an alkaline aqueous solution to which an appropriate amount of a surfactant is added can be used as a developing solution.

(実施例) 以下、本発明を実施例および比較例によりさらに詳し
く説明する。
(Examples) Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

比較例1 (1)攪拌器、滴下ロートおよび温度計付きの500mlセ
パラブルフラスコに、遮光下に2,3,3′,4,4′,5′−ヘ
キサヒドロキシベンゾフェノン〔H〕5g、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸クロリド〔Q〕32.6g
(〔Q〕/〔H〕=5〔モル比〕)および溶媒としてジ
オキサン240gを仕込み、攪拌しながら溶解した。さらに
滴下ロートに16.2gのトリエチルアミンを仕込んだ。セ
パラブルフラスコを30℃にコントロールされた水浴に浸
し、内温が30℃一定となった時点でこの溶液にトリエチ
ルアミンを内温が35℃を超えないようにゆっくりと滴下
した。その後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾過
して除き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎこんで、キノン
ジアジド化合物を析出させた。次いで析出物を回収し、
40℃にコントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥
した。得られた2,3,3′,4,4′,5′−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステルの収率は98%であった。
Comparative Example 1 (1) In a 500 ml separable flask equipped with a stirrer, a dropping funnel and a thermometer, 2,3,3 ', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone [H] 5 g, 1, 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride [Q] 32.6 g
([Q] / [H] = 5 [molar ratio]) and 240 g of dioxane as a solvent were charged and dissolved while stirring. Furthermore, 16.2 g of triethylamine was charged into the dropping funnel. The separable flask was immersed in a water bath controlled at 30 ° C., and when the internal temperature became constant at 30 ° C., triethylamine was slowly added dropwise to this solution so that the internal temperature did not exceed 35 ° C. Then, the precipitated triethylamine hydrochloride was removed by filtration, and the filtrate was poured into a large amount of dilute hydrochloric acid to precipitate a quinonediazide compound. The precipitate is then collected,
It was dried overnight with a heating vacuum dryer controlled at 40 ° C. The yield of the obtained 2,3,3 ', 4,4', 5'-hexahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester was 98%.

(2)攪拌器付きの2lセパラブルフラスコに、遮光下、
m−クレゾール336g、p−クレゾール224g、37重量%の
ホルムアルデヒド水溶液400gおよびシュウ酸0.24gを仕
込み、100℃で3時間縮合させたのち加熱処理して減圧
下で未反応原料などを除去し、ノボラック樹脂を得た。
(2) In a 2 l separable flask with a stirrer, protected from light,
Charge 336 g of m-cresol, 224 g of p-cresol, 400 g of 37% by weight aqueous formaldehyde solution and 0.24 g of oxalic acid, condense at 100 ° C for 3 hours, and heat to remove unreacted raw materials under reduced pressure. A resin was obtained.

(3)(1)で得られたキノンジアジド化合物39g、
(2)で得られたノボラック樹脂260g、エチルセロソル
ブアセテート720gおよびγ−ブチロラクトン180gを加
え、室温でよく攪拌して溶解した。溶解後、孔径0.2μ
mのメンブランフィルタで濾過し、組成物の溶液を調製
した。調製直後の溶液の異物の数を自動微粒子計測器で
測定したところ、粒径が0.5μm以上の異物の数は10個/
mlであった。次に溶液を40℃にコントロールされた恒温
槽に入れ1ケ月間保存したところ、自動微粒子計測器で
測定した粒径が0.5μm以上の異物の数は1000個/mlと増
加していた。
(3) 39 g of the quinonediazide compound obtained in (1),
260 g of the novolak resin obtained in (2), 720 g of ethyl cellosolve acetate and 180 g of γ-butyrolactone were added, and the mixture was well stirred at room temperature to dissolve it. After melting, pore size 0.2μ
m membrane filter to prepare a solution of the composition. The number of foreign particles in the solution immediately after preparation was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was 10 /
ml. Next, when the solution was placed in a constant temperature bath controlled at 40 ° C. and stored for 1 month, the number of foreign particles having a particle size of 0.5 μm or more measured by an automatic particle counter increased to 1000 particles / ml.

実施例1 比較例1(1)で得られたキノンジアジド化合物を内
温が45℃にコントロールされた乾燥器に入れ、空気雰囲
気下で7日間熱変性を行ない、熱変性した1,2−キノン
ジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノンジアジド
化合物〔Y〕との重量比(〔X〕/〔Y〕)が0.026で
あるキノンジアジド化合物を得た。
Example 1 The quinonediazide compound obtained in Comparative Example 1 (1) was placed in a dryer whose internal temperature was controlled to 45 ° C., and heat-denatured for 7 days in an air atmosphere to obtain a heat-denatured 1,2-quinonediazide compound. A quinonediazide compound having a weight ratio ([X] / [Y]) of [X] and unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] of 0.026 was obtained.

次に比較例1(3)で使用したキノンジアジド化合物
の代わりに、前記のキノンジアジド化合物を使用したほ
かは比較例1(3)と同様にして組成物の溶液を調製し
た。調製直後の溶液の異物の数を自動微粒子計測器で測
定したところ、粒径が0.5μm以上の異物の数は15個/ml
であった。次に溶液を40℃にコントロールされた恒温槽
に入れ1ケ月間保存したところ、自動微粒子計測器で測
定した粒径が0.5μm以上の異物の数は15個/mlとほとん
ど増加しなかった。また、レジストとしての性能評価を
実施したところ、40℃での保存安定性テストを始める前
のものと、後のものでの感度および残膜率に変化がな
く、保存安定性が高いことがわかった。
Then, a solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 (3) except that the above quinonediazide compound was used instead of the quinonediazide compound used in Comparative Example 1 (3). The number of foreign particles in the solution immediately after preparation was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was 15 pieces / ml.
Met. Next, the solution was placed in a constant temperature bath controlled at 40 ° C. and stored for 1 month, and the number of foreign substances having a particle size of 0.5 μm or more measured by an automatic fine particle counter was 15 particles / ml, which was hardly increased. In addition, when the performance of the resist was evaluated, it was found that there was no change in the sensitivity and residual film ratio before and after the storage stability test at 40 ° C, indicating high storage stability. It was

実施例2 比較例1(1)で得られたキノンジアジド化合物40g
をジオキサン360gに加え、室温でよく攪拌して溶解し
た。溶解後、0.2重量%の塩酸水4kg中に室温で滴下して
キノンジアジド化合物を凝固させ、よく攪拌してスラリ
ー状態にした。
Example 2 40 g of the quinonediazide compound obtained in Comparative Example 1 (1)
Was added to 360 g of dioxane and dissolved by stirring well at room temperature. After the dissolution, 4 kg of 0.2 wt% hydrochloric acid was added dropwise at room temperature to coagulate the quinonediazide compound, and well stirred to obtain a slurry state.

このスラリー状のキノンジアジド化合物(以下、「ス
ラリー溶液」という)を内温が50℃にコントロールされ
た加温器に入れ、空気雰囲気下で1日間熱変性を行なっ
た。このスラリー溶液を脱水濾過し、固体を回収し、40
℃にコントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜乾燥
し、熱変性した1,2−キノンジアジド化合物〔X〕と未
変性の1,2−キノンジアジド化合物〔Y〕との重量比
(〔X〕/〔Y〕)が0.029であるキノンジアジド化合
物を得た。
The slurry-like quinonediazide compound (hereinafter referred to as "slurry solution") was placed in a warmer whose internal temperature was controlled to 50 ° C, and heat-denatured for 1 day in an air atmosphere. The slurry solution is dehydrated and filtered to collect solids,
The weight ratio ([X] / [Y] of the heat-modified 1,2-quinonediazide compound [X] and the unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y], which was dried for one day in a heating vacuum dryer controlled at ° C. ]) Was 0.029 to obtain a quinonediazide compound.

次に比較例1(3)で使用したキノンジアジド化合物
の代わりに、前記のキノンジアジド化合物を使用したほ
かは比較例1(3)と同様にして組成物の溶液を調製し
た。調製直後の溶液の異物の数を自動微粒子計測器で測
定したところ、粒径が0.5μm以上の異物の数は13個/ml
であった。次に溶液を40℃にコントロールされた恒温槽
に入れ1ケ月間保存したところ、自動微粒子計測器で測
定した粒径が0.5μm以上の異物の数は13個/mlとほとん
ど増加しなかった。また、レジストとしての性能評価を
実施したところ、40℃での保存安定性テストを始める前
のものと、後のものでの感度および残膜率に変化がな
く、保存安定性が高いことがわかった。
Then, a solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 (3) except that the above quinonediazide compound was used instead of the quinonediazide compound used in Comparative Example 1 (3). The number of foreign particles in the solution immediately after preparation was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was 13 / ml.
Met. Next, the solution was placed in a constant temperature bath controlled at 40 ° C. and stored for 1 month, and the number of foreign particles having a particle size of 0.5 μm or more measured by an automatic fine particle counter was 13 particles / ml, which was hardly increased. In addition, when the performance of the resist was evaluated, it was found that there was no change in the sensitivity and residual film ratio before and after the storage stability test at 40 ° C, indicating high storage stability. It was

実施例3〜8 ポリヒドロキシ化合物〔H〕として第1表に示す化合
物を選び、比較例1(1)に示す方法でキノンジアジド
化合物を得た後、実施例1と同様にして熱変性した1,2
−キノンジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノン
ジアジド化合物〔Y〕を含有するキノンジアジド化合物
を得た。
Examples 3 to 8 The compounds shown in Table 1 were selected as the polyhydroxy compound [H], quinonediazide compounds were obtained by the method shown in Comparative Example 1 (1), and then heat-denatured in the same manner as in Example 1. 2
A quinonediazide compound containing a -quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] was obtained.

次にこれらのキノンジアジド化合物を比較例1(3)
で使用したキノンジアジド化合物の代わりに使用し、そ
れぞれ比較例1(3)と同様にして組成物の溶液を調製
した。調製直後と40℃で1ケ月間恒温槽中で保存した各
々の溶液につき、粒径が0.5μm以上の異物の数を自動
微粒子計測器で測定したところ、いずれの溶液にも異物
の数の増加はほとんど認められなかった。結果を第1表
に示す。
Next, these quinonediazide compounds were used in Comparative Example 1 (3).
A solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 (3), using the quinonediazide compound used in Example 1 above. Immediately after preparation and for each solution stored at 40 ° C for 1 month in a constant temperature bath, the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles increased in any solution. Was hardly recognized. The results are shown in Table 1.

実施例9〜14 ポリヒドロキシ化合物〔H〕として第2表に示す化合
物を選び、比較例1(1)に示す方法でキノンジアジド
化合物を得た後、実施例2と同様にして熱変性した1,2
−キノンジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノン
ジアジド化合物〔Y〕とを含有するキノンジアジド化合
物を得た。
Examples 9 to 14 The compounds shown in Table 2 were selected as the polyhydroxy compound [H], quinonediazide compounds were obtained by the method shown in Comparative Example 1 (1), and then heat-modified in the same manner as in Example 1, 2
A quinonediazide compound containing a -quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] was obtained.

次にこれらのキノンジアジド化合物を比較例1(3)
で使用したキノンジアジド化合物の代わりに使用し、そ
れぞれ比較例1(3)と同様にして組成物の溶液を調製
した。調製直後と40℃で1ケ月間恒温槽中で保存した各
々の溶液につき、粒径が0.5μm以上の異物の数を自動
微粒子計測器で測定したところ、いずれの溶液にも異物
の数の増加はほとんど認められなかった。結果を第2表
に示す。
Next, these quinonediazide compounds were used in Comparative Example 1 (3).
A solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 (3), using the quinonediazide compound used in Example 1 above. Immediately after preparation and for each solution stored at 40 ° C for 1 month in a constant temperature bath, the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles increased in any solution. Was hardly recognized. The results are shown in Table 2.

比較例2 (1)攪拌器、滴下ロートおよび温度計付きの500ml
セパラブルフラスコに遮光下に2,3′,4,4′,5′−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン〔H〕5.7g、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸クロリド〔Q〕32.6g
(〔Q〕/〔H〕=4〔モル比〕)および溶媒としてジ
オキサン290gを仕込み、攪拌しながら溶解した。さらに
滴下ロートに18.2gのトリエチルアミンをを仕込んだ。
セパラブルフラスコを30℃にコントロールされた水浴に
浸し、内温が30℃一定となった時点でこの溶液にトリエ
チルアミンを内温が35℃を超えないようにゆっくりと滴
下した。その後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾
過して除き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎこんで、キノ
ンジアジド化合物を析出させた。次いで析出物を回収
し、40℃にコントロールされた加熱真空乾燥器で一昼夜
乾燥した。得られた2,3′,4,4′,5′−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステルの収率は99%であった。
Comparative Example 2 (1) 500 ml with stirrer, dropping funnel and thermometer
2,3 ', 4,4', 5'-Pentahydroxybenzophenone [H] 5.7 g, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride [Q] 32.6 g in a separable flask in the dark.
([Q] / [H] = 4 [molar ratio]) and 290 g of dioxane as a solvent were charged and dissolved with stirring. Further, 18.2 g of triethylamine was charged into the dropping funnel.
The separable flask was immersed in a water bath controlled at 30 ° C., and when the internal temperature became constant at 30 ° C., triethylamine was slowly added dropwise to this solution so that the internal temperature did not exceed 35 ° C. Then, the precipitated triethylamine hydrochloride was removed by filtration, and the filtrate was poured into a large amount of dilute hydrochloric acid to precipitate a quinonediazide compound. Then, the precipitate was collected and dried in a heating vacuum dryer controlled at 40 ° C. for 24 hours. The obtained 2,3 ', 4,4', 5'-pentahydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-5-
The yield of sulfonate ester was 99%.

(2)比較例1(3)で使用したキノンジアジド化合
物の代わりに上記(1)で得たキノンジアジド化合物を
使用し、エチルセロソルブアセテート720gおよびγ−ブ
チロラクトン180gの代わりに、エチルセロソルブアセテ
ート900gを使用したほかは比較例1(3)と同様にして
組成物の溶液を調製した。調製直後の溶液の異物の数を
自動微粒子計測器で測定したところ、粒径が0.5μm以
上の異物の数は5個/mlであった。次に溶液を40℃にコ
ントロールされた恒温槽に入れ1ケ月間保管したとこ
ろ、自動微粒子計測器で測定した粒径が0.5μm以上の
異物の数は920個/mlと増加していた。
(2) Comparative Example 1 The quinonediazide compound obtained in (1) above was used in place of the quinonediazide compound used in (3), and 720 g of ethyl cellosolve acetate and 180 g of γ-butyrolactone were used instead of 900 g of ethyl cellosolve acetate. A solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 1 (3) except for the above. When the number of foreign matters in the solution immediately after preparation was measured by an automatic fine particle counter, the number of foreign matters having a particle size of 0.5 μm or more was 5 / ml. Next, when the solution was placed in a constant temperature bath controlled at 40 ° C. and stored for 1 month, the number of foreign matters having a particle size of 0.5 μm or more measured by an automatic particle counter increased to 920 particles / ml.

実施例15〜17 ポリヒドロキシ化合物〔H〕として第3表に示す化合
物を選び、比較例2(1)に示す方法でキノンジアジド
化合物を得た後、実施例1と同様にして熱変性した1,2
−キノンジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノン
ジアジド化合物〔Y〕を含有するキノンジアジド化合物
を得た。
Examples 15 to 17 The compounds shown in Table 3 were selected as the polyhydroxy compound [H], quinonediazide compounds were obtained by the method shown in Comparative Example 2 (1), and then heat-modified in the same manner as in Example 1. 2
A quinonediazide compound containing a -quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] was obtained.

次にこれらのキノンジアジド化合物を比較例2(2)
で使用したキノンジアジド化合物の代わりに使用し、そ
れぞれ比較例2(2)と同様にして組成物の溶液を調製
した。調製直後と40℃で1ケ月間の恒温槽中で保存した
各々の溶液につき、粒径が0.5μm以上の異物の数を自
動微粒子計測器で測定したところ、いずれの溶液にも異
物の数の増加はほとんど認められなかった。結果を第3
表に示す。
Next, these quinonediazide compounds were used in Comparative Example 2 (2).
A solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 (2), except that the quinonediazide compound used in Example 2 was used instead. Immediately after preparation and for each solution stored in a constant temperature bath at 40 ° C for 1 month, the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was measured with an automatic particle counter. Little increase was observed. The result is the third
Shown in the table.

実施例18〜20 ポリヒドロキシ化合物〔H〕として第4表に示す化合
物を選び、比較例2(1)に示す方法でキノンジアジド
化合物を得た後、実施例2と同様にして熱変性した1,2
−キノンジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノン
ジアジド化合物〔Y〕とを含有するキノンジアジド化合
物を得た。
Examples 18 to 20 The compounds shown in Table 4 were selected as the polyhydroxy compound [H], quinonediazide compounds were obtained by the method shown in Comparative Example 2 (1), and then heat-denatured in the same manner as in Example 2. 2
A quinonediazide compound containing a -quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] was obtained.

次にこれらのキノンジアジド化合物を比較例2(2)
で使用したキノンジアジド化合物の代わりに使用し、そ
れぞれ比較例2(2)と同様にして組成物の溶液を調製
した。調製直後と40℃で1ケ月間恒温槽中で保存した各
々の溶液につき、粒径が0.5μm以上の異物の数を自動
微粒子計測器で測定したところ、いずれの溶液にも異物
の数の増加はほとんど認められなかった。結果を第4表
に示す。
Next, these quinonediazide compounds were used in Comparative Example 2 (2).
A solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 (2), except that the quinonediazide compound used in Example 2 was used instead. Immediately after preparation and for each solution stored at 40 ° C for 1 month in a constant temperature bath, the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles increased in any solution. Was hardly recognized. The results are shown in Table 4.

実施例21〜27 ポリヒドロキシ化合物〔H〕として第5表に示す化合
物を選び、比較例2(1)に示す方法でキノンジアジド
化合物を得た後、実施例1と同様にして熱変性した1,2
−キノンジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノン
ジアジド化合物〔Y〕とを含有するキノンジアジド化合
物を得た。
Examples 21 to 27 As the polyhydroxy compound [H], compounds shown in Table 5 were selected, quinonediazide compounds were obtained by the method shown in Comparative Example 2 (1), and then heat-modified in the same manner as in Example 1, 1. 2
A quinonediazide compound containing a -quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] was obtained.

次にこれらの熱変性した1,2−キノンジアジド化合物
〔X〕と未変性の1,2−キノンジアジド化合物〔Y〕と
を含有するキノンジアジド化合物Aと第5表に示すA以
外のキノンジアジド化合物Bとの混合物を比較例1
(3)で使用したキノンジアジド化合物の代わりに使用
し、それぞれ比較例2(2)と同様にして組成物の溶液
を調製した。調製直後と40℃で1ケ月間恒温槽中で保存
した各々の溶液につき、粒径が0.5μm以上の異物の数
を自動微粒子計測器で測定したところ、いずれの溶液に
も異物の数の増加はほとんど認められなかった。結果を
第5表に示す。
Next, a quinonediazide compound A containing these heat-modified 1,2-quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] and a quinonediazide compound B other than A shown in Table 5 were prepared. Comparative example 1
It was used in place of the quinonediazide compound used in (3), and a solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 (2). Immediately after preparation and for each solution stored at 40 ° C for 1 month in a constant temperature bath, the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was measured with an automatic particle counter, and the number of foreign particles increased in any solution. Was hardly recognized. The results are shown in Table 5.

実施例28〜34 ポリヒドロキシ化合物〔H〕として第6表に示す化合
物を選び、比較例2(1)に示す方法でキノンジアジド
化合物を得た後、実施例2と同様にして熱変性した1,2
−キノンジアジド化合物〔X〕と未変性の1,2−キノン
ジアジド化合物〔Y〕とを含有するキノンジアジド化合
物を得た。
Examples 28 to 34 As the polyhydroxy compound [H], the compounds shown in Table 6 were selected, quinonediazide compounds were obtained by the method shown in Comparative Example 2 (1), and then heat-modified in the same manner as in Example 1, 2
A quinonediazide compound containing a -quinonediazide compound [X] and an unmodified 1,2-quinonediazide compound [Y] was obtained.

次にこれらのキノンジアジド化合物Aと第6表に示す
A以外のキノンジアジド化合物Bとの混合物を比較例1
(3)で使用したキノンジアジド化合物の代わりに使用
し、それぞれ比較例2(2)と同様にして組成物の溶液
を調製した。調製直後と40℃で1ケ月間恒温槽中で保存
した各々の溶液につき、粒径が0.5μm以上の異物の数
を自動微粒子計測器で測定したところ、いずれの溶液に
も異物の数の著しい増加は認められなかった。結果を第
6表に示す。
Next, a mixture of these quinonediazide compound A and a quinonediazide compound B other than A shown in Table 6 was prepared in Comparative Example 1
It was used in place of the quinonediazide compound used in (3), and a solution of the composition was prepared in the same manner as in Comparative Example 2 (2). Immediately after preparation, and for each solution stored at 40 ° C for 1 month in a constant temperature bath, the number of foreign particles with a particle size of 0.5 μm or more was measured by an automatic fine particle counter. No increase was observed. The results are shown in Table 6.

(発明の効果) 本発明によれば、熱変性した1,2−キノンジアジド化
合物と未変性の1,2−キノンジアジド化合物とを使用す
ることにより、異物の発生が極めて少なく保存安定性に
優れ、かつレジストパターン形成の際の感度、解像性、
残膜率および集積回路作製時の歩留まりの良好なポジ型
レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物を得ること
ができる。
(Effect of the invention) According to the present invention, by using a heat-modified 1,2-quinonediazide compound and an unmodified 1,2-quinonediazide compound, generation of foreign matters is extremely small and storage stability is excellent, and Sensitivity in resist pattern formation, resolution,
It is possible to obtain a radiation-sensitive resin composition suitable as a positive resist having a good residual film rate and a good yield in the production of integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、本発明における1,2−キノンジアジド化合物
の熱変性条件の好適範囲を示す熱変性温度と熱変性時間
の関係図である。
FIG. 1 is a relationship diagram between heat denaturation temperature and heat denaturation time showing a preferable range of heat denaturation conditions for a 1,2-quinonediazide compound in the present invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】アルカリ可溶性樹脂に、キノンジアジド化
合物を配合してなるポジ型感放射線性樹脂組成物におい
て、該キノンジアジド化合物が熱変性された1,2−キノ
ンジアジド化合物と未変性の1,2−キノンジアジド化合
物とからなり、かつ熱変性された1,2−キノンジアジド
化合物と未変性の1,2−キノンジアジド化合物との重量
比が1/99以上であることを特徴とするポジ型感放射線性
樹脂組成物。
1. A positive-type radiation-sensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin and a quinonediazide compound blended therein, wherein the quinonediazide compound is heat-modified 1,2-quinonediazide compound and unmodified 1,2-quinonediazide. A positive radiation-sensitive resin composition comprising a compound and having a weight ratio of a heat-modified 1,2-quinonediazide compound and an unmodified 1,2-quinonediazide compound of 1/99 or more. .
JP61259243A 1986-10-30 1986-10-30 Positive type radiation sensitive resin composition Expired - Lifetime JPH0820730B2 (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62123444A (en) * 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Radiation sensitive resinous composition
KR20020049876A (en) * 2000-12-20 2002-06-26 윤종용 Photosensitive polymer having phenyl ring and lactone group and resist composition comprising the same
DE102005052885A1 (en) * 2005-11-07 2007-05-10 Az Electronic Materials (Germany) Gmbh Photosensitive component for use in photoresists
CN111458978A (en) * 2020-04-17 2020-07-28 北京北旭电子材料有限公司 Photoresist composition

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046121A (en) * 1949-07-23 1962-07-24 Azoplate Corp Process for the manufacture of printing plates and light-sensitive material suttablefor use therein
JPS599896B2 (en) * 1976-11-05 1984-03-06 株式会社東芝 Positive photoresist material
JPS55123614A (en) * 1979-03-16 1980-09-24 Daicel Chem Ind Ltd Photosensitive resin and positive type-photosensitive resin composition
JPS5817112A (en) * 1981-06-22 1983-02-01 フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン Positive novolak photoresist composition and blend
JPS59172455A (en) * 1983-03-18 1984-09-29 Nippon Carbide Ind Co Ltd Preparation of quinonediazide sulfonic acid derivative
JPS60121445A (en) * 1983-12-06 1985-06-28 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Positive type photosensitive resin composition
JPS60146234A (en) * 1984-01-10 1985-08-01 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Positive type photosensitive resin composition
GB8505402D0 (en) * 1985-03-02 1985-04-03 Ciba Geigy Ag Modified phenolic resins
JPS61266423A (en) * 1985-05-20 1986-11-26 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Production of o-quinonediazidosulfonic acid ester compound

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