JPH033376A - Cooling apparatus for solid-state laser device - Google Patents

Cooling apparatus for solid-state laser device

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JPH033376A
JPH033376A JP13818389A JP13818389A JPH033376A JP H033376 A JPH033376 A JP H033376A JP 13818389 A JP13818389 A JP 13818389A JP 13818389 A JP13818389 A JP 13818389A JP H033376 A JPH033376 A JP H033376A
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Japan
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solid
state laser
crystal
thermoelectric element
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JP13818389A
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Tatsuya Ariga
達也 有我
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Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/042Arrangements for thermal management for solid state lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S3/02Constructional details
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Abstract

PURPOSE:To obtain a device capable of stably leading out laser light of constant wavelength and high output while requirement for miniaturizing a device is satisfied, by providing a thermoelectric element for cooling a solid-state laser crystal and a controlling means controlling the current of the thermoelectric element so as to keep the solid-state laser crystal at a constant temperature. CONSTITUTION:In a solid-state laser device having a solid-state laser crystal 3 which is pumped by a specified pumping source 2 and outputs laser light 7, the following are provided; a thermoelectric element 10 for cooling the solid- state crystal 3, and a controlling means 11 controlling the current 1 of the thermoelectric element 10 so as to keep the solid-state crystal 3 at a constant temperature. For example, a thermoelectric element 10 is stuck on the surface of the solid-state laser crystal 3. Said element absorbs the heat generated in the solid-state laser crystal 3 or gives heat to the crystal in response to the flowing current I. The amount of heat to be absorbed and the amount of heat to be given are changed so as to be proportional to the value of the current I made to flow. Control based on the laser output P or the detected value of temperature of the solid-state laser crystal 3 is performed by a thermoelectric element controller 11.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 5SiO14、Cr:LiCaAlF6等の波長可変固
体レーザ結晶を有した固体レーザ装置の上記固体レーザ
結晶を冷却して、安定したレーザ光を得ることのできる
固体レーザ装置の冷却装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] A method of obtaining stable laser light by cooling the solid-state laser crystal of a solid-state laser device having a wavelength-tunable solid-state laser crystal such as 5SiO14, Cr:LiCaAlF6, etc. This invention relates to a cooling device for a solid-state laser device.

〔従来の技術および発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by conventional technology and invention]

第2図に従来の固体レーザ装置2oの構成を概略的に示
す。
FIG. 2 schematically shows the configuration of a conventional solid-state laser device 2o.

こうした固体レーザ装220は、YAGレーザ装置等に
比して装置の小形化が図られることがら小形化が要求さ
れる分野のレーザ装置として使用されるものである。。
The solid-state laser device 220 is designed to be more compact than a YAG laser device or the like, and is therefore used as a laser device in a field where miniaturization is required. .

同図に示すように励起源である励起用レーザ光11iK
21から固体レーザ結晶22に向けて、該固体レーザ結
晶22を励起するための励起し、−ザ光23が出力され
る。
As shown in the figure, the excitation laser beam 11iK is the excitation source.
Excitation laser light 23 for exciting the solid-state laser crystal 22 is output from the laser beam 21 toward the solid-state laser crystal 22 .

励起レーザ光23は、レンズ24によってその焦点が絞
られ、全反射鏡25を透過して固体レーザ結晶22に照
射される。
The excitation laser beam 23 is focused by a lens 24, passes through a total reflection mirror 25, and is irradiated onto the solid-state laser crystal 22.

しかして固体レーザ結晶22は励起されてレーザ光26
を出力する。ここに、上記全反射鏡25は励起レーザ光
23の波長に対しては高透過性を有するが、固体レーザ
結晶22から出力されるレーザ光26の波長に対しては
高反射性を有している。
Thus, the solid-state laser crystal 22 is excited and the laser beam 26
Output. Here, the total reflection mirror 25 has high transmittance for the wavelength of the excitation laser beam 23, but has high reflectivity for the wavelength of the laser beam 26 output from the solid-state laser crystal 22. There is.

したがって上記レーザ光26は、全反射鏡25と出力m
27とにより構成される光共振器内で誘導放出により増
幅されて、出力鏡27からレーザ出力P(上記レーザ光
26のパワーを意味する)として取り出される。
Therefore, the laser beam 26 has a total reflection mirror 25 and an output m
The light is amplified by stimulated emission within an optical resonator constituted by 27, and is extracted from the output mirror 27 as a laser output P (meaning the power of the laser light 26).

なお、レーザ光26の波長は上記光共振器に配設された
複屈折フィルタ等の波長同調素子28により同調される
Note that the wavelength of the laser beam 26 is tuned by a wavelength tuning element 28 such as a birefringence filter disposed in the optical resonator.

ところで第4図(a)は、上記励起用レーザ光源21か
ら一定パワーの励起レーザ光23を固体レーザ結晶22
に照射させた場合の該固体レーザ結晶22の結晶温度S
の時間変化を示し、同図(tj)は、その場合の上記レ
ーザ出力Pの時間変化を示している。
By the way, FIG. 4(a) shows that the excitation laser beam 23 of a constant power is transmitted from the excitation laser light source 21 to the solid-state laser crystal 22.
The crystal temperature S of the solid-state laser crystal 22 when irradiated with
The figure (tj) shows the time change of the laser output P in that case.

同図から明らかなように結晶温度Sは時間の経過と共に
増加し、時間tが、t1経過した時点で結晶温度Sが温
度Sc−となり、レーザ出力Pは最大値pc”となる。
As is clear from the figure, the crystal temperature S increases with the passage of time, and when the time t1 elapses, the crystal temperature S becomes the temperature Sc-, and the laser output P reaches the maximum value pc''.

しかし、時間tI以後は、上記光共振器において発振が
行われなくなり、矢印PD−に示すようにレーザ出力P
は、最大値PC′をピークとして徐々に低下することに
なる。
However, after time tI, oscillation is no longer performed in the optical resonator, and the laser output P
will gradually decrease after peaking at the maximum value PC'.

したがって、同図(b)に示すレーザ出力Pの低下を避
けるために励起用レーザ光源21から所定パワー以上の
励起レーザ光23を固体レーザ結晶22に照射させるこ
とができず、高出力のレーザ出力Pを得ることができな
いこととなっていた。
Therefore, in order to avoid the decrease in the laser output P shown in FIG. It was not possible to obtain P.

さらには同図(b)のカーブに示すようにレーザ出力P
が広範囲に変化し、安定した一定出力のレーザ出力Pを
得ることができないこととなっていた。
Furthermore, as shown in the curve of the same figure (b), the laser output P
changes over a wide range, making it impossible to obtain a stable and constant laser output P.

また、上記波長同調素子28によるレーザ光26の波長
の同調情度は、固体レーザ結晶22の結晶温度Sの温度
変化に起因して劣化する。
Furthermore, the tuning of the wavelength of the laser beam 26 by the wavelength tuning element 28 deteriorates due to a temperature change in the crystal temperature S of the solid-state laser crystal 22.

したがって同図(a)に示すように、結晶温度Sが時間
の経過と共に増加し、温度が広範囲に変化するような場
合には、レーザ光26の波長スペクトルに変動が生じ、
安定した一定波長のレーザ光26を得ることができない
こととなっていた。
Therefore, as shown in FIG. 2(a), when the crystal temperature S increases over time and changes over a wide range, the wavelength spectrum of the laser beam 26 changes.
It has become impossible to obtain a stable laser beam 26 of a constant wavelength.

そこで、これらレーザ出力Pの低下およびレーザ光26
の波長スペクトルの変動を避けために固体レーザ結晶2
2の結晶温度Sが温度Sc゛以上に上昇しないように固
体レーザ結晶22を冷却することが考えられる。
Therefore, the decrease in the laser output P and the laser beam 26
In order to avoid fluctuations in the wavelength spectrum of the solid-state laser crystal 2
It is conceivable to cool the solid-state laser crystal 22 so that the crystal temperature S of the solid-state laser crystal 22 does not rise above the temperature Sc'.

一般的には、固体レーザ結晶22の周囲にスパイラル状
にガラスチューブを巻着し、該ガラスチューブ内に冷却
水を導通、循環させて冷却をすることが考えられる。
Generally, it is considered that a glass tube is spirally wound around the solid-state laser crystal 22, and cooling water is conducted and circulated through the glass tube for cooling.

しかし、こうした冷却装置は、上記ガラスチューブのみ
ならず、冷却水路用のバイブ、循環用のポンプ等を設け
る必要があり、装置が大掛かりとなり、かなりのスペー
スを必要とする。
However, such a cooling device requires not only the above-mentioned glass tube but also a vibrator for cooling channels, a pump for circulation, etc., making the device large-scale and requiring a considerable amount of space.

このため、上記するようなYAGレーザ装置等に比して
装置の小形化が図られるという固体レーザ装置20本来
のメリットを没脚することになってしまい、実用上、採
用することはできないこととなっていた。
For this reason, the inherent advantage of the solid-state laser device 20, which is that it is smaller than the YAG laser device etc. mentioned above, is lost, and it cannot be used in practice. It had become.

さらには上記冷却装置は、温度分布が均一にならず、固
体レーザ結晶22を均一に冷却できないことや、固体レ
ーザ結晶22をダイレクトに冷却できず、冷却の応答性
が良くないといった不都合があった。
Furthermore, the above-mentioned cooling device has disadvantages in that the temperature distribution is not uniform and the solid-state laser crystal 22 cannot be uniformly cooled, and the solid-state laser crystal 22 cannot be directly cooled and the cooling response is not good. .

本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、
装置の小形化等の要求を満たしつつも、常に安定して、
高出力かつ一定波長のレーザ光を取り出すことのできる
固体レーザ装置の冷却装置を提供することをその目的と
している。
The present invention was made in view of these circumstances, and
While meeting demands such as miniaturization of equipment, it is always stable and
The object of the present invention is to provide a cooling device for a solid-state laser device that can extract laser light of high output and a constant wavelength.

〔課題を解決するための手段および作用〕そこでこの発
明では、所定の励起源によって励起されて、レーザ光を
出力する固体レーザ結晶を有した固体レーザ装置におい
て、前記固体レーザ結晶を冷却する熱電素子と、前記固
体レーザ結晶の温度が一定温度になるように前記熱電素
子の電流を制御する制御手段とを具えるようにしている
[Means and effects for solving the problem] Therefore, in the present invention, in a solid-state laser device having a solid-state laser crystal that is excited by a predetermined excitation source and outputs laser light, a thermoelectric element that cools the solid-state laser crystal is provided. and a control means for controlling the current of the thermoelectric element so that the temperature of the solid-state laser crystal is constant.

すなわち、熱電素子によって固体レーザ結晶を冷却し、
この熱電素°子の発生熱量を前記固体レーザ結晶の温度
が一定温度になるように制御するようにしたので、前記
冷却水による冷却装置に比して、固体レーザ装置に要求
されるすべての条件、装置の小形化、冷却の均一性、冷
却の応答性等の格段の向上をみながらも、常に安定して
、高出力かつ一定波長のレーザ光を取り出すことのでき
る。
That is, the solid-state laser crystal is cooled by a thermoelectric element,
Since the amount of heat generated by this thermoelectric element is controlled so that the temperature of the solid-state laser crystal remains constant, all the conditions required for a solid-state laser device are met, compared to the cooling device using cooling water. , while achieving significant improvements in device size, cooling uniformity, cooling response, etc., it is possible to always stably extract high-output laser light of a constant wavelength.

またこの発明では、固体レーザ結晶を冷却する熱電素子
と、前記固体レーザ結晶から出力されるレーザ光の出力
値を検出する検出手段と、前記検出手段の検出値に基づ
いて、前記熱電素子の電流を制御して、前記固体レーザ
結晶から出力されるレーザ光の出力値を一定値にする電
流制御手段とを具えるようにしている。
Further, in the present invention, the thermoelectric element cools the solid-state laser crystal, the detection means detects the output value of the laser beam output from the solid-state laser crystal, and the current of the thermoelectric element is determined based on the detected value of the detection means. and current control means for controlling the output value of the laser beam output from the solid-state laser crystal to a constant value.

すなわち、レーザ光の出力値を常に監視し、この出力値
に基づきレーザ光の出力値が一定値たとえば最大になる
ように前記熱電素子の発生熱量を制御するようにしたの
で、高出力かつ一定波長のレーザ光を応答性よく取り出
すことができる。
In other words, the output value of the laser beam is constantly monitored, and based on this output value, the amount of heat generated by the thermoelectric element is controlled so that the output value of the laser beam reaches a constant value, for example, the maximum, so that high output and constant wavelength can be achieved. laser light can be extracted with good responsiveness.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明に係る固体レーザ装置の冷却装置の実
施例の装置1の構成を概略的に示す。
FIG. 1 schematically shows the configuration of a device 1 of an embodiment of a cooling device for a solid-state laser device according to the present invention.

同図に示すように励起源である励起用レーザ光源2から
固体レーザ結晶3に向けて、該固体レーザ結晶3を励起
するための励起レーザ光4が出力される。
As shown in the figure, an excitation laser light source 2 serving as an excitation source outputs an excitation laser beam 4 toward a solid-state laser crystal 3 to excite the solid-state laser crystal 3.

励起レーザ光4は、レンズ5によってその焦点が絞られ
、全反射鏡6を透過して固体レーザ結晶3に照射される
The excitation laser beam 4 is focused by a lens 5, passes through a total reflection mirror 6, and is irradiated onto the solid-state laser crystal 3.

しかして固体レーザ結晶3は励起されてレーザ光7を出
力する。ここに、上記全反射鏡6は励起レーザ光7の波
長に対しては高透過性を有するが、固体レーザ結晶3か
ら出力されるレーザ光7の波長に対しては高反射性を有
している。
The solid-state laser crystal 3 is thus excited and outputs a laser beam 7. Here, the total reflection mirror 6 has high transmittance for the wavelength of the excitation laser beam 7, but has high reflectivity for the wavelength of the laser beam 7 output from the solid-state laser crystal 3. There is.

したがって上記レーザ光7は、全反射鏡6と出力鏡8と
により構成される光共振器内で誘導放出により増幅され
て、出力鏡8からレーザ出力Pとして取り出される。
Therefore, the laser beam 7 is amplified by stimulated emission within an optical resonator constituted by the total reflection mirror 6 and the output mirror 8, and is extracted as a laser output P from the output mirror 8.

なお、レーザ光7の波長は上記光共振器に配設された複
屈折フィルタ等の波長同調素子9により同調される。
Note that the wavelength of the laser beam 7 is tuned by a wavelength tuning element 9 such as a birefringence filter disposed in the optical resonator.

一方、上記固体レーザ結晶3の表面には、導通される電
流■の方向に応じて、固体レーザ結晶3で発生する熱の
吸収、または固体レーザ結晶3に対する熱の付与を行う
と共に、導通される電流Iの大きさに比例して、吸収ま
たは付与される熱量が変化する熱電素子10が貼着され
ている。
On the other hand, the surface of the solid-state laser crystal 3 absorbs heat generated in the solid-state laser crystal 3 or imparts heat to the solid-state laser crystal 3, depending on the direction of the current (2) that is conducted. A thermoelectric element 10 is attached that changes the amount of heat absorbed or applied in proportion to the magnitude of the current I.

上記電流■は、後述する熱電素子コントローラ11から
出力される。
The above-mentioned current {circle around (2)} is output from a thermoelectric element controller 11, which will be described later.

また、出力鏡8から出力されるレーザ光7の一部は、破
線にて示すようにビームスプリッタ12によってその進
行方向が90度変化されて、光受光器13に入射される
Further, a portion of the laser beam 7 outputted from the output mirror 8 has its traveling direction changed by 90 degrees by the beam splitter 12, as shown by a broken line, and is incident on the light receiver 13.

上記光受光器13は、受光したレーザ光7に基づきレー
ザ光7のパワー値、つまりレーザ出力Pを検出して、検
出したレーザ出力Pを示す信号を熱電素子コントローラ
11に加える。
The light receiver 13 detects the power value of the laser beam 7, that is, the laser output P, based on the received laser beam 7, and applies a signal indicating the detected laser output P to the thermoelectric element controller 11.

熱電素子コントローラ11は、上記レーザ出力Pをフィ
ードバック量とし、かつ固体レーザ結晶3で出し得る最
大mpcを目標値としてレーザ光7のパワー値が上記最
大値PCになるように上記電流Iの方向および大きさを
制御する。
The thermoelectric element controller 11 controls the direction and direction of the current I so that the power value of the laser beam 7 becomes the maximum value PC, using the laser output P as a feedback amount and the maximum mpc that can be produced by the solid-state laser crystal 3 as a target value. Control size.

なお、この場合、励起用レーザ光源2からは、固体レー
ザ結晶3より上記最大値PCが出力されるに十分な高出
力の励起用レーザ光4が出力される。
In this case, the excitation laser light source 2 outputs excitation laser light 4 with a high enough power to cause the solid-state laser crystal 3 to output the maximum value PC.

以下、熱雷素子コントローラ11で行われる制御の態様
について説明する。
Hereinafter, the mode of control performed by the thermal lightning element controller 11 will be explained.

すなわち、第3図(a)、(b)に示すように同装置1
の運転がスタートし、レーザ出力Pが最大値PCに達し
ていない場合(区間A)には、熱電素子コントローラ1
1は、レーザ出力゛Pが最大値PCに達するように、レ
ーザ出力Pと最大値PCとの偏差に応じた大きさの、か
つ固体レーザ結晶3の温度Sが上昇する方向の電流Iを
熱電素子10に出力する。
That is, as shown in FIGS. 3(a) and 3(b), the device 1
starts operation, and if the laser output P has not reached the maximum value PC (section A), the thermoelectric element controller 1
1 is a thermoelectric current I that is proportional to the deviation between the laser output P and the maximum value PC and in a direction that increases the temperature S of the solid-state laser crystal 3 so that the laser output P reaches the maximum value PC. Output to element 10.

やがて、結晶温度Sは、迅速に増加し、時間tが、t2
経過した時点で結晶温度Sが温度Soとなり、レーザ出
力Pは最大mpcとなる。
Eventually, the crystal temperature S increases rapidly and the time t becomes t2
After the elapse of time, the crystal temperature S becomes the temperature So, and the laser output P becomes the maximum mpc.

以後(区間B)、熱電素子コントローラ11は、上記最
大値PCを維持するように、レーザ出力Pが最大値PC
を超えた場合には、固体レーザ結晶3の温度Sが下降す
る方向の、またレーザ出力Pが最大値PCよりも下回っ
た場合には、固体レーザ結晶3の温度Sが上昇する方向
の電流!をレーザ出力Pと最大値PCとの偏差に応じて
出力する。
Thereafter (section B), the thermoelectric element controller 11 adjusts the laser output P to the maximum value PC so as to maintain the above maximum value PC.
If it exceeds the current, the temperature S of the solid-state laser crystal 3 decreases, and if the laser output P falls below the maximum value PC, the current increases the temperature S of the solid-state laser crystal 3! is output according to the deviation between the laser output P and the maximum value PC.

こうした制御により、固体レーザ装置1は、同図(b)
の矢印Bに示すようにレーザ出力Pが最大値PCに維持
された状態で運転が行われる。
Through such control, the solid-state laser device 1 can be operated as shown in FIG.
As shown by arrow B, operation is performed with the laser output P maintained at the maximum value PC.

したがって、常に安定して、高出力かつ一定波長のレー
ザ光7を取り出すことができる。
Therefore, it is possible to always stably extract high output laser light 7 of a constant wavelength.

なお、実施例では、熱電素子コントローラ11が、熱電
素子10を導通する電流!の方向を制御して、固体レー
ザ結晶3で発生する熱の吸収、または固体レーザ結晶3
に対する熱の付与を行うものとして説明したが、方向は
固体レーザ結晶3で発生する熱を吸収する方向(冷却方
向)に固定し、導通される電流Iの大きさのみを制御し
て、レーザ出力Pを最大値PCに維持する実施も当然可
能である。
In addition, in the embodiment, the thermoelectric element controller 11 controls the current flowing through the thermoelectric element 10! absorption of heat generated in the solid-state laser crystal 3, or
Although it has been explained that heat is applied to the solid-state laser crystal 3, the direction is fixed to the direction (cooling direction) that absorbs the heat generated in the solid-state laser crystal 3, and only the magnitude of the conducted current I is controlled to adjust the laser output. Of course, it is also possible to maintain P at the maximum value PC.

なお、実施例では、レーザ出力Pに基づき熱電素子10
を導通する電流Iの制御を行っているが、固体レーザ結
晶3の結晶温度Sを検出して、この検出値に基づく制御
もまた可能である。
In addition, in the embodiment, the thermoelectric element 10 is
Although the current I flowing through the solid-state laser crystal 3 is controlled, it is also possible to detect the crystal temperature S of the solid-state laser crystal 3 and perform control based on this detected value.

また、実施例では、レーザ出力Pをフィードバック量と
するフィードバック制御を行っているが、これに限定さ
れることなく、オープンループ制御による実施もまた可
能である。
Further, in the embodiment, feedback control is performed using the laser output P as the feedback amount, but the present invention is not limited to this, and implementation using open loop control is also possible.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、熱電素子を使用し
て固体レーザ結晶を冷却し、この熱電素子の発生熱量を
前記固体レーザ結晶の温度が一定温度になるように制御
するようにしたので、固体レーザ装置に要求される装置
の小形化が具現されると共に、常に安定して、高出力か
つ一定波長のレーザ光を取り出すことができる。しかも
、冷却の際、従来の冷却装置に比して、冷却の均一性、
冷却の応答性等が格段に向上するという利点が得られる
As explained above, according to the present invention, a thermoelectric element is used to cool the solid-state laser crystal, and the amount of heat generated by the thermoelectric element is controlled so that the temperature of the solid-state laser crystal becomes constant. In addition to realizing the miniaturization of the device required for a solid-state laser device, it is also possible to always stably extract laser light with high output and a constant wavelength. Moreover, when cooling, compared to conventional cooling equipment, cooling uniformity and
This provides the advantage that cooling responsiveness and the like are significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明に係る固体レーザ装置の冷却装置の実
施例装置の構成を概略的に示す図、第2図は、従来の固
体レーザ装置の構成を概略的に示す図、第3図(a)は
、第1図に示す固体レーザ結晶の結晶温度の時間変化を
示すグラフで、同図(b)は、その場合のレーザ出力の
時間変化を示すグラフ、第4図(a)は、第2図に示す
固体し一ザ結晶の結晶温度の時間変化を示すグラフで、
同図(b)は、その場合のレーザ出力の時間変化を示す
グラフである。 2・・・励起用レーザ光源、3・・・固体レーザ結晶、
4・・・励起レーザ光、7・・・レーザ光、1o・・・
熱電素子、11・・・熱電素子コントローラ、13・・
・光受光3 図 −PI’i/N 第 図 2 時間t 1 時間t
FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of an embodiment of a cooling device for a solid-state laser device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram schematically showing the configuration of a conventional solid-state laser device, and FIG. (a) is a graph showing the change over time in the crystal temperature of the solid-state laser crystal shown in Fig. 1, (b) is a graph showing the change over time in the laser output in that case, and Fig. 4 (a) is a graph showing the change over time in the crystal temperature of the solid-state laser crystal shown in Fig. 1. , is a graph showing the time change of the crystal temperature of the solid crystal shown in Figure 2,
FIG. 4B is a graph showing the temporal change in laser output in that case. 2... Laser light source for excitation, 3... Solid laser crystal,
4...Excitation laser light, 7...Laser light, 1o...
Thermoelectric element, 11... Thermoelectric element controller, 13...
・Light reception 3 Figure-PI'i/N Figure 2 Time t 1 Time t

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)所定の励起源によって励起されて、レーザ光を出
力する固体レーザ結晶を有した固体レーザ装置において
、 前記固体レーザ結晶を冷却する熱電素子と、前記固体レ
ーザ結晶の温度が一定温度になるように前記熱電素子の
電流を制御する制御手段とを具えたことを特徴とする固
体レーザ装置の冷却装置。
(1) In a solid-state laser device having a solid-state laser crystal that is excited by a predetermined excitation source and outputs laser light, the temperature of a thermoelectric element that cools the solid-state laser crystal and the solid-state laser crystal becomes a constant temperature. A cooling device for a solid-state laser device, comprising: a control means for controlling the current of the thermoelectric element.
(2)所定の励起源によって励起されて、レーザ光を出
力する固体レーザ結晶を有した固体レーザ装置において
、 前記固体レーザ結晶を冷却する熱電素子と、前記固体レ
ーザ結晶から出力されるレーザ光の出力値を検出する検
出手段と、 前記検出手段の検出値に基づいて、前記熱電素子の電流
を制御して、前記固体レーザ結晶から出力されるレーザ
光の出力値を一定値にする電流制御手段と を具えたことを特徴とする固体レーザ装置の冷却装置。
(2) In a solid-state laser device having a solid-state laser crystal that is excited by a predetermined excitation source and outputs laser light, the solid-state laser device includes a thermoelectric element that cools the solid-state laser crystal, and a thermoelectric element that cools the solid-state laser crystal and controls the laser light output from the solid-state laser crystal. a detection means for detecting an output value; and a current control means for controlling the current of the thermoelectric element based on the detection value of the detection means to maintain the output value of the laser light output from the solid-state laser crystal at a constant value. A cooling device for a solid-state laser device, comprising:
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131961U (en) * 1991-05-28 1992-12-04 日本電気株式会社 Monitor structure in solid-state laser equipment

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825277A (en) * 1971-08-05 1973-04-02
JPS5193881A (en) * 1975-02-17 1976-08-17 Handotaireezano shutsuryokupawaaanteikasochi
JPS5313885A (en) * 1976-07-23 1978-02-07 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor light emitting device
JPS5799791A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power controller of semiconductor laser
JPS60169181A (en) * 1984-02-10 1985-09-02 Ricoh Co Ltd Temperature controlling system for semiconductor laser

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4825277A (en) * 1971-08-05 1973-04-02
JPS5193881A (en) * 1975-02-17 1976-08-17 Handotaireezano shutsuryokupawaaanteikasochi
JPS5313885A (en) * 1976-07-23 1978-02-07 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor light emitting device
JPS5799791A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power controller of semiconductor laser
JPS60169181A (en) * 1984-02-10 1985-09-02 Ricoh Co Ltd Temperature controlling system for semiconductor laser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04131961U (en) * 1991-05-28 1992-12-04 日本電気株式会社 Monitor structure in solid-state laser equipment

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