JPH0332903B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はセラミツクコンデンサ、特に高温時
における絶縁抵抗の劣化を防止した高信頼性のセ
ラミツクコンデンサに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a ceramic capacitor, and particularly to a highly reliable ceramic capacitor that prevents deterioration of insulation resistance at high temperatures.
(従来の技術)
近年、電子部品の小型化、軽量化に伴ない、セ
ラミツクコンデンサについても小型化、軽量化の
追求が行われている。特に、セラミツクコンデン
サについては、小型化が進められるのと並行して
大容量化の検討が行われており、その手段として
薄膜化が試みられている。(Prior Art) In recent years, as electronic components have become smaller and lighter, ceramic capacitors have also been pursued to be smaller and lighter. In particular, with regard to ceramic capacitors, in parallel with the progress of miniaturization, studies are being conducted to increase the capacitance, and as a means of achieving this, attempts are being made to reduce the thickness of the capacitors.
セラミツクコンデンサの薄膜化の手段として
は、次のような改良手段が考えられる。 The following improvement methods can be considered as means for reducing the thickness of ceramic capacitors.
スパツタリング法、真空蒸着法、イオンプレ
ーテイング法、気相蒸着法などの真空薄膜形成
手段により薄膜状の誘電体セラミツク層を形成
する方法。 A method of forming a thin dielectric ceramic layer using a vacuum thin film forming method such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, or a vapor phase evaporation method.
誘電体セラミツク材料の微結晶化を図つて誘
電体セラミツク層の膜厚をできるだけ薄膜状と
する方法。 A method of making the dielectric ceramic layer as thin as possible by microcrystallizing the dielectric ceramic material.
薄膜状の半導体セラミツク層の結晶粒界に絶
縁層を形成して粒界絶縁型の誘電体セラミツク
層を得る方法。 A method of obtaining a grain boundary insulated dielectric ceramic layer by forming an insulating layer at the grain boundaries of a thin semiconductor ceramic layer.
上記〜の方法において、複数の誘電体セ
ラミツク層の間に内部電極を形成し、積層型の
セラミツクコンデンサを構成して、さらに大容
量化を図る方法などがある。 Among the above methods, there is a method in which internal electrodes are formed between a plurality of dielectric ceramic layers to form a laminated ceramic capacitor to further increase the capacitance.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記の方法により誘電体セラミ
ツク層を薄膜化した上で、容量取出のための電極
を、スパツタリング法、真空蒸着法、イオンプレ
ーテイング法気相蒸着法あるいは無電解メツキ法
により形成してセラミツクコンデンサを構成した
場合、種々のトラブルの発生が見られる。特に顕
著に現われるのは高温使用時での絶縁抵抗の劣化
である。(Problems to be Solved by the Invention) However, after thinning the dielectric ceramic layer by the above method, electrodes for taking out the capacitance can be formed by sputtering, vacuum evaporation, ion plating, or vapor phase evaporation. Alternatively, when a ceramic capacitor is formed by electroless plating, various troubles occur. What is particularly noticeable is the deterioration of insulation resistance when used at high temperatures.
このトラブルの最も大きな原因となつているの
は、誘電体セラミツクが金属酸化物からなるこ
と、一方電極が金属からなることによるものであ
る。すなわち、このような組み合わせによると、
誘電体セラミツクを構成する金属酸化物と電極を
構成する金属とが接触する界面において、酸素の
授受が不可避的な現象として起こることが考えら
れる。この酸素の授受は常温においては認められ
にくいが、温度が高くなるにつれて酸素の授受が
行われるようになる。 The biggest cause of this trouble is that the dielectric ceramic is made of metal oxide, and the electrodes are made of metal. That is, according to such a combination,
At the interface where the metal oxide constituting the dielectric ceramic and the metal constituting the electrode come into contact, it is thought that exchange of oxygen occurs as an inevitable phenomenon. This exchange of oxygen is difficult to recognize at room temperature, but as the temperature rises, exchange of oxygen begins to take place.
たとえば、誘電体セラミツクがTiO2、電極が
Cuからなるセラミツクコンデンサを例にして説
明すると、高温状態、たとえば150℃において、
TiO2およびCuは次のように変化する。 For example, if the dielectric ceramic is TiO 2 and the electrode is
Taking a ceramic capacitor made of Cu as an example, at high temperature, for example 150℃,
TiO 2 and Cu change as follows.
TiO2還元
――→
TiO2−x
Cu酸化
――→
CuOx
(0<x<2)
このように誘電体セラミツクと電極との間で酸
素の授受が起ると、誘電体セラミツクの誘電率ε
が変化するものはもちろんのこと、絶縁抵抗
(IR)が大きく変化し、その値は概ね2桁以上低
下する。 TiO 2 reduction---→ TiO 2 -x Cu oxidation---→ CuOx (0<x<2) When oxygen exchange occurs between the dielectric ceramic and the electrode in this way, the dielectric constant ε of the dielectric ceramic
In addition to the changes in insulation resistance (IR), the insulation resistance (IR) also changes significantly, and its value generally decreases by more than two orders of magnitude.
このような減少は誘電体セラミツク層を薄膜化
したときに特に顕著に現われ、上記したセラミツ
クコンデンサの薄膜化のための改良手段〜に
よつて得られたセラミツクコンデンサに当て嵌る
事柄である。 Such a reduction is particularly noticeable when the dielectric ceramic layer is made thinner, and applies to the ceramic capacitor obtained by the above-mentioned improvement means for making the ceramic capacitor thinner.
(発明の目的)
したがつて、この発明は高温使用時において誘
電体セラミツクを還元させない構造とすることに
より、誘電率の変化や絶縁抵抗の劣化が生じない
高信頼性のセラミツクコンデンサを提供すること
を目的とする。(Objective of the Invention) Therefore, an object of the present invention is to provide a highly reliable ceramic capacitor that does not cause changes in dielectric constant or deterioration of insulation resistance by having a structure that does not reduce the dielectric ceramic when used at high temperatures. With the goal.
(発明の構成)
すなわち、この発明は誘電体セラミツクと、該
誘電体セラミツクの表面に形成された外部接続用
電極との間に窒化ニツケル層を介在せしめたこと
を特徴とするセラミツクコンデンサである。(Structure of the Invention) That is, the present invention is a ceramic capacitor characterized in that a nickel nitride layer is interposed between a dielectric ceramic and an external connection electrode formed on the surface of the dielectric ceramic.
ここで、誘電体セラミツクとしては、たとえば
チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系
などの高誘電率系のもの、またたとえば酸化チタ
ン系、チタン酸マグネシウム系、酸化マグネシウ
ム−酸化チタン系、酸化硅素系、などの温度補償
系のもの、あるいは半導体セラミツクの結晶粒界
を絶縁体化した粒界絶縁型の誘電体セラミツクな
どが含まれる。 Here, examples of dielectric ceramics include high dielectric constant ceramics such as barium titanate and strontium titanate, titanium oxide, magnesium titanate, magnesium oxide-titanium oxide, silicon oxide, etc. These include temperature-compensated ceramics, such as semiconductor ceramics, and grain-boundary insulated dielectric ceramics, in which the grain boundaries of semiconductor ceramics are made into insulators.
また誘電体セラミツクの厚みが50μm以下のも
のについて、窒化ニツケル層を誘電体セラミツク
と外部接続用電極の間に介在させた場合にその効
果が強く現われる。つまり、誘電体セラミツクの
厚みが50μmを越えると、高温使用時において電
極による誘電体セラミツクの還元が生じていると
しても、誘電体セラミツクが十分な厚みを有する
ため、誘電率の変化や絶縁抵抗の劣化が顕著には
現れない。したがつて、この発明における誘電体
セラミツクとしては厚みが50μm以下のものにつ
いて特に有効である。しかしながら、50μmを越
える厚みの誘電体セラミツクについてこの発明を
適用しても何ら不都合はなく、誘電体セラミツク
と外部接続用電極との間に窒化ニツケル層を介在
させることは任意である。 Further, when the thickness of the dielectric ceramic is 50 μm or less, the effect becomes more pronounced when a nickel nitride layer is interposed between the dielectric ceramic and the external connection electrode. In other words, if the thickness of the dielectric ceramic exceeds 50 μm, even if the dielectric ceramic is reduced by the electrode during high-temperature use, the dielectric ceramic is thick enough to cause changes in the dielectric constant and insulation resistance. No noticeable deterioration occurs. Therefore, the dielectric ceramic of the present invention having a thickness of 50 μm or less is particularly effective. However, there is no problem in applying the present invention to a dielectric ceramic having a thickness exceeding 50 μm, and it is optional to interpose a nickel nitride layer between the dielectric ceramic and the external connection electrode.
窒化ニツケル層の形成手段としては、たとえば
スパツタリング法、イオンプレーテイング法、真
空蒸着法などの薄膜形成手段が用いられる。この
うちスパツタリング法で窒化ニツケル層を形成す
る場合、たとえば金属ニツケルをターゲツトとし
て用い、スパツタリング中の雰囲気をアルゴンと
窒素の混合気体とすることにより実施することが
できる。またイオンプレーテイング法で窒化ニツ
ケル層を形成する場合、たとえば金属ニツケルま
たは金属ニツケル粉末を加熱するとともに、窒素
含有雰囲気中で蒸発させることによつて窒化ニツ
ケル層を形成することができる。 As a means for forming the nickel nitride layer, a thin film forming method such as a sputtering method, an ion plating method, or a vacuum evaporation method is used. When forming a nickel nitride layer by sputtering, for example, metal nickel can be used as a target and the atmosphere during sputtering can be a mixed gas of argon and nitrogen. Further, when forming a nickel nitride layer by an ion plating method, the nickel nitride layer can be formed, for example, by heating metal nickel or metal nickel powder and evaporating it in a nitrogen-containing atmosphere.
この窒化ニツケル層の膜厚としては2μm以下の
範囲で形成することが好ましい。これは2μmを越
えるとE.S.Rが高くなるからである。 The thickness of this nickel nitride layer is preferably 2 μm or less. This is because the ESR increases when the thickness exceeds 2 μm.
外部接続用電極としては、特に金属の種類を限
定するものではなく、一般に用いられる金属、た
とえば、Ag、Au、Cr、Zr、V、Ni、Zn、Cu、
Sn、Pb−Sn、Mn、Mo、W、Ti、Pd、Alなど
の一種あるいは2種以上の組み合わせがあり、ま
たこの外部接続用電極は多層構造としてもよく、
その例としてはCr−Cu、Cr−Ni−Agなどがあ
る。 The type of metal used for the external connection electrode is not particularly limited, and commonly used metals such as Ag, Au, Cr, Zr, V, Ni, Zn, Cu,
There are one type or a combination of two or more of Sn, Pb-Sn, Mn, Mo, W, Ti, Pd, Al, etc., and this external connection electrode may have a multilayer structure.
Examples include Cr-Cu and Cr-Ni-Ag.
またこの発明にかかるセラミツクコンデンサの
構造例としては、単一層の誘電体セラミツクから
なるセラミツクコンデンサ、積層型のセラミツク
コンデンサなどがある。また上記した各種のセラ
ミツクコンデンサを粒界絶縁型とした場合にもこ
の発明が適用される。 Examples of the structure of the ceramic capacitor according to the present invention include a ceramic capacitor made of a single layer of dielectric ceramic, and a multilayer ceramic capacitor. The present invention is also applicable to the case where the various ceramic capacitors described above are of the grain boundary insulation type.
(実施例)
以下、この発明を実施例にしたがつて詳細に説
明する。(Example) Hereinafter, this invention will be explained in detail according to an example.
実施例 1
セラミツク誘電体原料粉末として次に示す組成
のものを準備した。Example 1 Ceramic dielectric raw material powder having the following composition was prepared.
Nd2Ti2O7:63モル%、BaTiO3:14モル%、
TiO2:23モル%
この原料粉末をバインダであるポリビニルアル
コール、界面活性剤、分散剤、水とともに混合し
てスラリーを作成した。次いでこのスラリーを用
いてドクターブレード法により厚み35μmのセラ
ミツクグリーンシートを作成した。 Nd2Ti2O7 : 63 mol% , BaTiO3 : 14 mol % ,
TiO 2 : 23 mol% This raw material powder was mixed with polyvinyl alcohol as a binder, a surfactant, a dispersant, and water to prepare a slurry. Next, a ceramic green sheet with a thickness of 35 μm was prepared using this slurry by a doctor blade method.
このセラミツクグリーンシートを長さ7.0mm、
幅5.0mmの大きさに切断し、このシート上に
Ag70wt%、Pd30wt%のAg−Pdペーストを印刷
した。このように内部電極を形成したセラミツク
グリーンシートを11枚積み重ね、その積層体の端
面に内部電極が露出するようにした。この積層体
を空気中1250℃で焼成して焼結ユニツトを得た。
得られた積層体の各誘電体層の厚みは20μmであ
つた。 This ceramic green sheet has a length of 7.0mm,
Cut into 5.0mm wide pieces and place on this sheet.
An Ag-Pd paste containing 70 wt% Ag and 30 wt% Pd was printed. Eleven ceramic green sheets with internal electrodes formed in this way were stacked so that the internal electrodes were exposed at the end faces of the stack. This laminate was fired in air at 1250°C to obtain a sintered unit.
The thickness of each dielectric layer of the obtained laminate was 20 μm.
次に、この積層焼結ユニツトの内部電極が露出
する端面にスパツタリング法によりまず窒化ニツ
ケル層を形成した。 Next, a nickel nitride layer was first formed by sputtering on the end face of this laminated sintered unit where the internal electrodes were exposed.
この窒化ニツケル層の形成は次の条件により行
つた。 This nickel nitride layer was formed under the following conditions.
スパツタ雰囲気:10%の酸素を含有するアル
ゴン
圧 力 :3×10-3Torr
ターゲツト :直径5インチ、厚み2mmの
ニツケル板
電 圧 :470VD.C.
電 流 :0.5A
スパツタ時間 :60分
窒化ニツケル層の膜厚:6000Å
続いて、窒化ニツケル層の上に第1層の外部接
続用電極として、まず半田耐熱層としてのNi層
をスパツタリング法により形成した。 Sputtering atmosphere: Argon containing 10% oxygen Pressure: 3 x 10 -3 Torr Target: Nickel plate with a diameter of 5 inches and a thickness of 2 mm Voltage: 470VD.C. Current: 0.5A Sputtering time: 60 minutes Nickel nitride Thickness of layer: 6000 Å Subsequently, a Ni layer as a solder heat-resistant layer was first formed by sputtering on the nickel nitride layer as a first layer of external connection electrode.
このNi層の形成は次のような条件により行つ
た。 This Ni layer was formed under the following conditions.
スパツタ零囲気:アルゴン
圧 力 :2×10-3Torr
ターゲツト :直径5インチ、厚み2mmの
ニツケル板
電 圧 :480VD.C.
電 流 :2.0A
時 間 :15分
膜 厚 :5000Å
さらに、Ni層の上に第2層の外部接続用電極
としてAg層をスパツタリング法により形成した。
このAg層は半田付け可能な層としての役割を果
たすものである。 Spatuter zero atmosphere: Argon Pressure: 2×10 -3 Torr Target: Nickel plate with a diameter of 5 inches and a thickness of 2 mm Voltage: 480 VD.C. Current: 2.0 A Time: 15 minutes Film thickness: 5000 Å Additionally, a Ni layer An Ag layer was formed thereon as a second layer of external connection electrode by sputtering.
This Ag layer serves as a solderable layer.
Ag層の形成は次のような条件により行つた。 The Ag layer was formed under the following conditions.
スパツタ雰囲気:アルゴン
圧 力 :2×10-3Torr
ターゲツト :直径5インチ、厚み5mmの
Ag板
電 圧 :540VD.C.
電 流 :2.0A
時 間 :6分
膜 厚 :1μm
上記した工程を経て得られた積層コンデンサに
つき次の条件で高温加速負荷寿命試験を行つた。
つまり、このコンデンサを150℃の温度雰囲気に
設置し、定格電圧(50V)の6倍の電圧である
300Vを印加し、100時間後の絶縁抵抗(IR)を測
定したところ1011Ωであつた。ちなみに、この積
層コンデンサの絶縁抵抗(IR)の初期値は1011Ω
であつた。また、温度45℃相対温度95%の雰囲気
に設置し、定格電圧50Vを印加し、500時間後の
絶縁抵抗(IR)を測定したところ1011Ωであり、
初期値のそれにくらべて変化が見られなかつた。 Sputtering atmosphere: Argon Pressure: 2×10 -3 Torr Target: 5 inch diameter, 5 mm thickness
Ag plate Voltage: 540VD.C. Current: 2.0A Time: 6 minutes Film thickness: 1 μm A high temperature accelerated load life test was conducted on the multilayer capacitor obtained through the above process under the following conditions.
In other words, this capacitor is installed in a temperature atmosphere of 150℃, and the voltage is 6 times the rated voltage (50V).
When 300V was applied and the insulation resistance (IR) was measured after 100 hours, it was 10 11 Ω. By the way, the initial value of the insulation resistance (IR) of this multilayer capacitor is 10 11 Ω.
It was hot. In addition, when installed in an atmosphere with a temperature of 45°C and a relative temperature of 95%, a rated voltage of 50V was applied, and the insulation resistance (IR) was measured after 500 hours, it was 10 11 Ω.
No change was observed compared to the initial value.
比較例 1
実施例1で得られた積層焼結ユニツトに窒化ニ
ツケル層を形成せずに、実施例1と同じ条件で第
1層の外部接続用電極であるNi層および第2層
の外部接続用電極であるAg層を形成し、積層コ
ンデンサを作成した。Comparative Example 1 The Ni layer serving as the external connection electrode of the first layer and the external connection of the second layer were formed under the same conditions as Example 1 without forming a nickel nitride layer on the laminated sintered unit obtained in Example 1. A multilayer capacitor was fabricated by forming an Ag layer as an electrode.
この積層コンデンサについて実施例1と同様に
試験を行つたところ、絶縁抵抗(IR)は10時間
後に109Ωに低下し、25時間後には106Ωにまで劣
化した。 When this multilayer capacitor was tested in the same manner as in Example 1, the insulation resistance (IR) decreased to 10 9 Ω after 10 hours, and deteriorated to 10 6 Ω after 25 hours.
実施例 2
SrTiO3:99.3モル%、Y2O3:0.3モル%、
SiO2:0.2モル%、Al2O3:0.2モル%の組成とな
るように、各成分を秤量し、この秤量原料に有機
バインダを10重量%加え、ボールミルにて16時間
回転し、十分に混合、粉砕を行つた。これを造粒
後、1000Kg/cm2の圧力で成形して円板状の成形体
を得た。この成形体を1350℃、2時間の条件で焼
成した。得られた磁器の表面にPb、Biなどの金
属酸化物を塗布し、1000〜1200℃の温度で熱処理
を行い、磁器の粒晶粒界を絶縁体化し、粒界絶縁
型半導体磁器素体を作成した。Example 2 SrTiO 3 : 99.3 mol%, Y 2 O 3 : 0.3 mol%,
Each component was weighed so that the composition was 0.2 mol% of SiO 2 and 0.2 mol% of Al 2 O 3 , and 10% by weight of an organic binder was added to the weighed raw materials. Mixing and grinding were performed. After granulating this, it was molded at a pressure of 1000 Kg/cm 2 to obtain a disc-shaped molded product. This molded body was fired at 1350°C for 2 hours. Metal oxides such as Pb and Bi are applied to the surface of the resulting porcelain, and heat treatment is performed at a temperature of 1000 to 1200°C to convert the grain boundaries of the porcelain into insulators, creating a grain boundary-insulated semiconductor porcelain body. Created.
この半導体磁器素体を用い、実施例1と同様の
方法によりその表面に窒化ニツケル層、第1層の
外部接続用電極および第2層の外部接続用電極を
形成し、粒界絶縁型半導体磁器コンデンサを作成
した。 Using this semiconductor ceramic body, a nickel nitride layer, a first layer of external connection electrodes, and a second layer of external connection electrodes were formed on the surface by the same method as in Example 1, and a grain boundary insulated semiconductor ceramic body was formed. Created a capacitor.
このコンデンサについて、実施例1に記載の高
温加速負荷寿命試験を行つた。その結果、初期値
の絶縁抵抗(IR)が1010Ωであつたのに対し、
100時間後のそれは1010Ωであり、ほとんど絶縁
抵抗(IR)の劣化がないことが確認できた。 This capacitor was subjected to the high temperature accelerated load life test described in Example 1. As a result, while the initial value of insulation resistance (IR) was 10 10 Ω,
After 100 hours, it was 10 10 Ω, confirming that there was almost no deterioration in insulation resistance (IR).
比較例 2
実施例2で得られた粒界絶縁型半導体磁器素体
を用い、この磁気素体の表面に窒化ニツケル層を
形成せずに、実施例1と同じ条件で第1層の外部
接続用電極であるNi層および第2層の外部接続
用電極であるAg層を形成し、粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを作成した。Comparative Example 2 Using the grain boundary insulated semiconductor ceramic body obtained in Example 2, external connection of the first layer was made under the same conditions as Example 1 without forming a nickel nitride layer on the surface of this magnetic body. A grain boundary insulated semiconductor porcelain capacitor was fabricated by forming a Ni layer serving as a secondary electrode and an Ag layer serving as a second external connection electrode.
このコンデンサについて実施例1と同様に試験
を行つたところ、絶縁抵抗(IR)は10時間後に
107Ωに低下し、25時間後には105Ωにまで劣化し
た。 When this capacitor was tested in the same manner as in Example 1, the insulation resistance (IR) was
The resistance decreased to 10 7 Ω, and after 25 hours, it deteriorated to 10 5 Ω.
実施例 3
アルミナ基板上に、下部電極としてAg層、Ni
層を実施例1と同様の方法により順次形成し、さ
らに窒化ニツケル層をこれも実施例1と同様の方
法により形成した。Example 3 On an alumina substrate, an Ag layer and a Ni layer were used as the lower electrode.
The layers were formed sequentially in the same manner as in Example 1, and the nickel nitride layer was also formed in the same manner as in Example 1.
次いで、窒化ニツケル層の上に誘電体セラミツ
クであるSiO2膜を高周波スパツタリング法によ
り5000Åの厚みに形成した。 Next, a dielectric ceramic SiO 2 film was formed on the nickel nitride layer to a thickness of 5000 Å by high-frequency sputtering.
なお、SiO2膜を高周波スパツタリング法によ
り形成する条件は次のとおりである。 Note that the conditions for forming the SiO 2 film by high frequency sputtering method are as follows.
スパツタ雰囲気:5%の酸素を含有するアル
ゴン
圧 力 :5×10-3Torr
ターゲツト :直径5インチ、厚み5mmの
石英板
投入電力 :500W
時 間 :100分
SiO2膜厚 :5000Å
そののち、SiO2膜の上に窒化ニツケル層を実
施例1と同様の方法により形成し、さらにその上
にNi層、Ag層を実施例1と同様の方法により順
次形成し、SiO2からなる薄膜コンデンサを作成
した。 Sputtering atmosphere: Argon containing 5% oxygen Pressure: 5 x 10 -3 Torr Target: Quartz plate with a diameter of 5 inches and a thickness of 5 mm Input power: 500 W Time: 100 minutes SiO 2 film thickness: 5000 Å After that, SiO 2 film thickness: 5000 Å A nickel nitride layer was formed on the 2 film by the same method as in Example 1, and then a Ni layer and an Ag layer were formed on top of it in the same manner as in Example 1 to create a thin film capacitor made of SiO 2 . did.
このコンデンサについて実施例1に記載の高温
加速負荷寿命試験を行つた。その結果、初期値の
絶縁抵抗(IR)が1013Ωであつたのに対し、100
時間後のそれは1013Ωであつた。 The high temperature accelerated load life test described in Example 1 was conducted on this capacitor. As a result, the initial value of insulation resistance (IR) was 10 13 Ω, but
After hours it was 10 13 Ω.
比較例 3
実施例3による薄膜コンデンサを作成する際に
おいて、窒化ニツケル層を形成せずに、その他に
ついては実施例3に記載の方法を実施することに
よつて薄膜コンデンサを作成した。Comparative Example 3 In producing the thin film capacitor according to Example 3, a thin film capacitor was produced by carrying out the method described in Example 3 except for forming the nickel nitride layer.
このコンデンサについて実施例1と同様に試験
を行つたところ、絶縁抵抗は108Ωにまで低下し
た。 When this capacitor was tested in the same manner as in Example 1, the insulation resistance was reduced to 10 8 Ω.
(効 果)
以上のようにこの発明によれば、誘電体セラミ
ツクと外部接続用電極との間に窒化ニツケル層を
介在させることにより、高温使用時において見ら
れる電極による誘電体セラミツクの還元を防止す
ることができ、その結果電気特性の劣化、特に絶
縁抵抗の劣化を生じさせないという効果をもたら
すものである。(Effects) As described above, according to the present invention, by interposing the nickel nitride layer between the dielectric ceramic and the external connection electrode, reduction of the dielectric ceramic by the electrode, which occurs during high-temperature use, is prevented. As a result, it is possible to prevent deterioration of electrical characteristics, particularly deterioration of insulation resistance.
Claims (1)
表面に形成された外部接続用電極とを含むセラミ
ツクコンデンサにおいて、 前記誘電体セラミツクと前記外部接続用電極と
の間に窒化ニツケル層が形成されていることを特
徴とするセラミツクコンデンサ。 2 基板上に第1の外部接続用電極が形成され、
該第1の外部接続用電極の上に誘電体セラミツク
が形成され、該誘電体セラミツクの上に第2の外
部接続用電極が形成されてなるセラミツクコンデ
ンサにおいて、前記誘電体セラミツクと第1の外
部接続用電極および第2の外部接続用電極との間
に窒化ニツケル層が形成されている特許請求の範
囲第1項記載のセラミツクコンデンサ。 3 複数層の誘電体セラミツクと、該誘電体セラ
ミツクを介して互いに積層された状態で配置され
静電容量を形成するための複数層の内部電極とか
らなる積層型の誘電体セラミツク素体に、前記内
部電極の所定のものに接続される静電容量取出の
ための1対の外部接続用電極が形成された積層型
のセラミツクコンデンサにおいて、 前記誘電体セラミツク素体と前記外部接続用電
極との間に窒化ニツケル層が形成されている特許
請求の範囲第1項記載のセラミツクコンデンサ。 4 前記誘電体セラミツクの厚みは50μm以下で
ある特許請求の範囲第1項〜第3項記載のセラミ
ツクコンデンサ。 5 前記窒化ニツケル層の厚みは2μm以下である
特許請求の範囲第1項〜第3項記載のセラミツク
コンデンサ。 6 前記外部接続用電極はスパツタリング法、真
空蒸着法、イオンプレテイング法、気相蒸着法あ
るいは無電解メツキ法のいずれかにより形成され
たものである特許請求の範囲第1項〜第3項記載
のセラミツクコンデンサ。[Scope of Claims] 1. A ceramic capacitor including a dielectric ceramic and an external connection electrode formed on the surface of the dielectric ceramic, further comprising a nickel nitride layer between the dielectric ceramic and the external connection electrode. A ceramic capacitor characterized by being formed with. 2. A first external connection electrode is formed on the substrate,
A dielectric ceramic is formed on the first external connection electrode, and a second external connection electrode is formed on the dielectric ceramic. 2. The ceramic capacitor according to claim 1, wherein a nickel nitride layer is formed between the connection electrode and the second external connection electrode. 3. A laminated dielectric ceramic element body consisting of a plurality of layers of dielectric ceramic and a plurality of internal electrodes arranged in a laminated state with each other via the dielectric ceramic to form a capacitance, In a multilayer ceramic capacitor in which a pair of external connection electrodes are formed for taking out capacitance connected to predetermined ones of the internal electrodes, the dielectric ceramic body and the external connection electrodes are connected to each other. 2. A ceramic capacitor according to claim 1, further comprising a nickel nitride layer formed therebetween. 4. The ceramic capacitor according to claims 1 to 3, wherein the dielectric ceramic has a thickness of 50 μm or less. 5. The ceramic capacitor according to claims 1 to 3, wherein the thickness of the nickel nitride layer is 2 μm or less. 6. Claims 1 to 3, wherein the external connection electrode is formed by any one of a sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, a vapor phase evaporation method, or an electroless plating method. ceramic capacitor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20736784A JPS6184813A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20736784A JPS6184813A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ceramic capacitor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6184813A JPS6184813A (en) | 1986-04-30 |
JPH0332903B2 true JPH0332903B2 (en) | 1991-05-15 |
Family
ID=16538554
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20736784A Granted JPS6184813A (en) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | Ceramic capacitor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6184813A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5115573A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Hitachi Ltd | Sentakukiniokeru itokuzuhoshufuirutaa |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6023957Y2 (en) * | 1982-05-17 | 1985-07-17 | ジエコ−株式会社 | Electrode structure |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20736784A patent/JPS6184813A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5115573A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-07 | Hitachi Ltd | Sentakukiniokeru itokuzuhoshufuirutaa |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6184813A (en) | 1986-04-30 |
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