JPH0332455U - - Google Patents

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JPH0332455U
JPH0332455U JP9350489U JP9350489U JPH0332455U JP H0332455 U JPH0332455 U JP H0332455U JP 9350489 U JP9350489 U JP 9350489U JP 9350489 U JP9350489 U JP 9350489U JP H0332455 U JPH0332455 U JP H0332455U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例のセラミツクデ
イスクの概略図、第2図は本考案の第2の実施例
のセラミツクデイスクの概略図、第3図は本考案
に伴う保護層形成時の概略図、第4図は従来の保
護被膜形成時の断面図、第5図は本考案のイオン
レーザ管の縦断面図である。 1……保護被膜、2……セラミツクデイスク、
3……放電細管孔、4……ガスリターン孔、5…
…マスキング、6……保護被膜形成方向、7……
セラミツクパイプ、8……硼珪酸ガラス管、9…
…放電細管部、10……アノード、11……カソ
ード、12a,12b……コバール合金製金属ス
テム、13……ブリユースター窓、14……真空
外囲器、15a,15b……電極、16……ブリ
ユースタバルブ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. セラミツクデイスクとこのセラミツクデイスク
    の内面に保護被膜を設けた放電細管部を有するイ
    オンレーザ管において、前記セラミツクデイスク
    がセラミツクの厚さ方向に平行に二つ以上に分割
    されかつ組立てられていることを特徴とするイオ
    ンレーザ管。
JP9350489U 1989-08-08 1989-08-08 イオンレーザ管 Expired - Lifetime JPH085573Y2 (ja)

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JPH0332455U true JPH0332455U (ja) 1991-03-29
JPH085573Y2 JPH085573Y2 (ja) 1996-02-14

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ID=31642882

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