JPH0331450A - Fe-ni-co alloy for lead frame - Google Patents

Fe-ni-co alloy for lead frame

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JPH0331450A
JPH0331450A JP16458389A JP16458389A JPH0331450A JP H0331450 A JPH0331450 A JP H0331450A JP 16458389 A JP16458389 A JP 16458389A JP 16458389 A JP16458389 A JP 16458389A JP H0331450 A JPH0331450 A JP H0331450A
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JP
Japan
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alloy
lead frame
less
thermal expansion
expansion coefficient
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Application number
JP16458389A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Kato
淳 加藤
Tsuyuki Watanabe
渡辺 津之
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Publication date
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To obtain the Fe-Ni-Co alloy for a lead frame showing the low thermal expansion coefficient similar to that of an Si element and having good adhesion with a sealing resin by forming it from the compsn. contg. each prescribed amt. of Ni, Co, Mn, Si, Be Cu and the balance Fe with inevitable impurities. CONSTITUTION:The above Fe-Ni-Co alloy has the compsn. constituted of 26 to 34% Ni, 8 to 20% Co, <=1.0% Mn, <=0.5% Si, 0.01 to 0.05% Be, <=5.0% Cu and the balance Fe with inevitable impurities. In the above alloy, by adding a small amt. of Be to an alloy of a low expansion coefficient contg. each prescribed amt. of Fe, Ni, Co, Mn, Si and Cu, a BeO layer is formed on the surface of stock, and the BeO layer improves the adhesion with a sealing resin. Furthermore, a small amt. is enough for the amt. of Be to be added to the above alloy, the alloy is essentially constituted of the one having a low expansion coefficient. Thus, the thermal expansion coefficient suitable for a lead frame material can be secured.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本願発明は、IC用リードフレーム材料として好適なF
 e−N i−G o合金に関し、FeとNiとGoと
MnとSiとCuを特定量含有する合金にBeを特定量
添加することによって低熱膨張率と優れた樹脂密着性を
有するようにしたものである。
Detailed Description of the Invention "Industrial Field of Application" The present invention provides F
Regarding the e-N i-G o alloy, by adding a specific amount of Be to an alloy containing specific amounts of Fe, Ni, Go, Mn, Si, and Cu, it was made to have a low coefficient of thermal expansion and excellent resin adhesion. It is something.

「従来の技術」 近年、集積度の高い大規模集積回路(LSI)や超大規
模集積回路(超LS I)などの開発が盛んとなってき
ているが、このようなLSIや超LSIにおいては、シ
リコン素子が大型化し、発熱量も多くなってきている。
"Conventional Technology" In recent years, the development of highly integrated large-scale integrated circuits (LSI) and very large-scale integrated circuits (VLSI) has become active. Silicon elements are becoming larger and generating more heat.

従ってシリコン素子とリードフレームとの間の熱膨張率
の差異が大きい場合は、通電発熱によるリードフレーム
の膨張と収縮によりシリコン素子が熱ストレスを受けて
割れたり、亀裂を生じたりするおそれがある。そこでL
SIや超LSI用などのリードフレーム材料にあっては
、特にその熱膨張率をシリコン素子の熱膨張率に近付け
る必要がある。
Therefore, if the difference in coefficient of thermal expansion between the silicon element and the lead frame is large, there is a risk that the silicon element will be subject to thermal stress due to the expansion and contraction of the lead frame due to the heat generated by electricity, and may break or crack. So L
In lead frame materials for SI and VLSI, it is particularly necessary to bring the coefficient of thermal expansion close to that of silicon elements.

このため従来から、リードフレーム用の材料においては
、シリコン素子などに作用する熱応力を緩和することを
目的とした低熱膨張率のFe−Ni合金として、42 
A 1loy(42%N i−F e)(特開昭55−
119156号など)、コパール(29%Ni−17%
Go−Fe)、および、低膨張コバール(29%Ni−
13%Co−Fe)(特開昭59−198741号)な
どが知られている。
For this reason, lead frame materials have traditionally been made of 42% Fe-Ni alloy with a low thermal expansion coefficient for the purpose of relieving thermal stress acting on silicon elements, etc.
A 1loy (42% Ni-Fe) (Unexamined Japanese Patent Publication No. 1983-
119156 etc.), copal (29%Ni-17%
Go-Fe), and low expansion Kovar (29%Ni-
13%Co-Fe) (Japanese Patent Application Laid-open No. 198741/1983) is known.

「発明が解決しようとする課題」 ところが、最近、IC5LSIなどの大型化とともに、
実装の小型化に伴い、面実装タイプのリードフレームや
チップサイズの大きなリードフレームなどにおいて、ア
ッセンブリー工程中の熱履歴等によって、封止樹脂とリ
ードフレームとの間に亀裂が発生し、この亀裂がICや
LSIの作動不良の原因となるといった問題が発生して
きている。
“Problems to be solved by inventions” However, recently, with the increase in the size of IC5LSIs,
With the miniaturization of packaging, in surface mount type lead frames and lead frames with large chip sizes, cracks can occur between the sealing resin and the lead frame due to heat history during the assembly process, and these cracks can occur. Problems such as causing malfunction of ICs and LSIs have been occurring.

本願発明は前記課題を解決するためになされたもので、
シリコン素子に近い低熱膨張率を示すとともに、封止樹
脂との密着性も良好なリードフレーム用F e−N i
−Co合金を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems,
Fe-Ni for lead frames, which exhibits a low coefficient of thermal expansion close to that of silicon elements and also has good adhesion to sealing resin.
-Co alloy.

「課題を解決するための手段」 本願発明は前記課題を解決するために、Ni  26〜
34% Co  8〜20% Mn1.0%以下 Si 0.5%以下 Be   0.01〜0.05 % Cu  5.0%以下 残部 Fe  及び不可避不純物 の組成を有するものである。
"Means for Solving the Problems" In order to solve the problems described above, the present invention provides Ni 26 to
34% Co 8-20% Mn 1.0% or less Si 0.5% or less Be 0.01-0.05% Cu 5.0% or less Balance Fe and unavoidable impurities.

「作用」 reとNiとGoとMnとSiとCuを所定量含有する
低膨張率の合金に、Beを少量添加することで素材表面
にBe0層が生成され、このBe0層が封止樹脂との密
着性を向上させる。また、Fe−NiCo系の合金に添
加するBeの添加量が少量で済むので、合金の主成分は
低膨張率の合金であり、このため、リードフレーム用の
材料として好適な熱膨張率が確保される。
"Operation" By adding a small amount of Be to a low expansion coefficient alloy containing predetermined amounts of re, Ni, Go, Mn, Si, and Cu, a Be0 layer is generated on the material surface, and this Be0 layer acts as a sealing resin. Improves adhesion. In addition, since only a small amount of Be is added to the Fe-NiCo alloy, the main component of the alloy is an alloy with a low coefficient of expansion, thus ensuring a coefficient of thermal expansion suitable for use as a material for lead frames. be done.

以下に本願発明を更に詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.

本願発明の合金においては、Niにッケル)を26〜3
4%、Co(コバルト)を8〜20%、Be(ベリリウ
ム)を0.O1〜0,05%、Si(ケイ素)を0.5
%以下、Mn(vンガン)を1.0%以下、Cu(銅)
を5.0%以下含有している。これらの組成において、
NiとCoとMnとSiの含有量は、本発明者らが先に
特願昭63−315647号明細書において特許出願し
ている高強度低膨張F e−N 1−Co合金およびそ
の製法において記載されている合金の組成に準じるもの
である。なお、本願発明の合金においては、不可避不純
物として、C(炭素)0.1%以下、S(イオウ)0.
1%以下、Al(アルミニウム)0.1%以下、Mg(
マグネシウム)0.1%以下、Ca(カルシウム)0.
1%以下を含んでいても差し支えない。
In the alloy of the present invention, Ni (nickel) is 26 to 3
4%, Co (cobalt) 8-20%, Be (beryllium) 0. O1~0.05%, Si (silicon) 0.5%
% or less, Mn (vngan) 1.0% or less, Cu (copper)
Contains 5.0% or less. In these compositions,
The contents of Ni, Co, Mn, and Si are determined in the high-strength, low-expansion Fe-N 1-Co alloy and its manufacturing method, which the present inventors have previously applied for in Japanese Patent Application No. 63-315647. It corresponds to the composition of the alloy described. In addition, in the alloy of the present invention, as unavoidable impurities, C (carbon) is 0.1% or less, S (sulfur) is 0.1% or less.
1% or less, Al (aluminum) 0.1% or less, Mg (
Magnesium) 0.1% or less, Ca (calcium) 0.
There is no problem even if it contains 1% or less.

前記組成において、Niの含有量を26〜34%以外に
、あるいは、Coの含有量を8〜20%以外にすると、
リードフレーム材料が適用されるシリコン素子等の熱膨
張率に適応した熱膨張率が得られなくなるために好まし
くない。また、Beの含有量を0.01%未満とすると
BeOの酸化膜が形成されず、封止樹脂との密着性が不
十分になるので好ましくない。なお、Be含有量が0.
05%を越えてもこれ以上の密着性の向上効果を生じな
い上に、高価なりeの添加により不必要にコストを上げ
るのでBe添加量は0.05%以下が好ましい。更に、
Siは脱酸剤として用いるが、含有mが0.5%を越え
ると合金を脆化させるので不都合であり、また、Mnは
鍛造性を向上させるとともに脱酸剤として用いるが、含
有量が1.0%を越えると曲げ性を悪化させるので好ま
しくない。
In the above composition, if the Ni content is set to a value other than 26 to 34%, or the Co content is set to a value other than 8 to 20%,
This is not preferable because it becomes impossible to obtain a coefficient of thermal expansion that matches the coefficient of thermal expansion of the silicon element, etc. to which the lead frame material is applied. Furthermore, if the Be content is less than 0.01%, a BeO oxide film will not be formed and the adhesion with the sealing resin will become insufficient, which is not preferable. Note that when the Be content is 0.
If it exceeds 0.05%, no further adhesion improvement effect is produced, and addition of expensive e increases costs unnecessarily, so the amount of Be added is preferably 0.05% or less. Furthermore,
Si is used as a deoxidizing agent, but if the m content exceeds 0.5%, it will cause the alloy to become brittle, which is disadvantageous.Also, Mn improves forgeability and is used as a deoxidizing agent, but if the m content exceeds 1. If it exceeds .0%, it is not preferable because it deteriorates bendability.

また、Cu含有量が5.0%を越えると熱膨張が大きく
なりすぎるので不適当である。
Further, if the Cu content exceeds 5.0%, the thermal expansion becomes too large, which is inappropriate.

以下に前記組成の合金を製造する方法の一例について説
明する。
An example of a method for manufacturing an alloy having the above composition will be described below.

前記合金を製造するには、まず、前記の組成になるよう
に原材料を配合した後に、不純物の混入を避ける目的で
Arガスなどの雰囲気中で真空溶解を行って前記組成の
インゴットを得る。
To manufacture the alloy, first, raw materials are blended to have the composition as described above, and then vacuum melting is performed in an atmosphere of Ar gas or the like to avoid contamination with impurities to obtain an ingot having the composition as described above.

次いでこのインゴットを1200〜1400℃で鍛造加
工し、目的の形状、例えば目的の板厚になるまで、好ま
しくは加工率70%以下で行う圧延加工と、5oo−t
too℃で行う焼鈍処理を繰り返し施す。そして、最終
圧延加工時に加工率を好ましくは50%以下程度に設定
し、最終圧延後に歪取焼鈍を目的として、300〜70
0℃の温度域において、好ましくは5時間以内時間で熱
処理を行い、所望の厚さの板材を得る。
Next, this ingot is forged at 1200 to 1400°C, rolled to a desired shape, for example, a desired plate thickness, preferably at a processing rate of 70% or less, and 5oo-t.
The annealing treatment carried out at too much degree Celsius is repeatedly performed. Then, during the final rolling process, the processing rate is preferably set to about 50% or less, and after the final rolling process, for the purpose of strain relief annealing, 300 to 70%
Heat treatment is performed in a temperature range of 0° C., preferably for up to 5 hours, to obtain a plate material of desired thickness.

以上のように製造された合金は、Fe−N1−Co系の
低熱膨張率合金を主体として更にBeを少量添加してい
るので、シリコン素子の熱膨張率に近い熱膨張率を有し
、リードフレーム用材料として好適である。また、添加
されたBeの効果により素材表面にBe0層が生じ、こ
のBe0層が樹脂材との密着性を向上させるので、リー
ドフレームを構成して樹脂封止した場合、封止樹脂とリ
ードフレームの密着性が向上し、ICやLSIの作動不
良を防止できる効果がある。
The alloy manufactured as described above is mainly composed of a Fe-N1-Co alloy with a low coefficient of thermal expansion, and a small amount of Be is added to it, so it has a coefficient of thermal expansion close to that of a silicon element, and has a lead Suitable as frame material. In addition, a Be0 layer is generated on the surface of the material due to the effect of added Be, and this Be0 layer improves the adhesion with the resin material. This has the effect of improving the adhesion of ICs and LSIs and preventing malfunctions of ICs and LSIs.

「実施例」 以下に示す第1表の組成になるように各々原材料を配合
し、各配合物をArガスを含む80Torrの真空雰囲
気において溶解してインゴットを作成し、次いでこのイ
ンゴットに1200〜1400℃で熱間鍛造加工を施し
、次いで、加工率70%以下で行う圧延加工と800〜
1100℃に加熱後に徐冷する焼鈍処理とを繰り返し行
い、最終圧延加工を加工率50%以下で行って圧延加工
を終了し、次いで、600℃に1分間加熱する時効処理
を行って試料No1〜6のリードフレーム状の試験片を
得た。
"Example" Each raw material was blended so as to have the composition shown in Table 1 below, and each blend was melted in a vacuum atmosphere of 80 Torr containing Ar gas to create an ingot. Hot forging at ℃, followed by rolling at a processing rate of 70% or less and 800~
The annealing process of heating to 1100°C and then slow cooling was repeated, the final rolling process was performed at a processing rate of 50% or less to complete the rolling process, and then the aging process of heating to 600°C for 1 minute was performed to prepare samples No. A lead frame-shaped test piece of No. 6 was obtained.

各試験片の平均熱膨張係数(30〜300℃、μ/μ。Average coefficient of thermal expansion of each test piece (30-300°C, μ/μ.

・℃)を測定し、その結果を第2表に示す。・°C) was measured, and the results are shown in Table 2.

第1表 第2表 第2表に示すように、本願発明の合金試料N。Table 1 Table 2 As shown in Table 2, alloy sample N of the present invention.

2〜No6は、低膨張合金として知られる従来合金の試
料Notと比較して同等の低熱膨張率を有している。
Samples No. 2 to No. 6 have the same low coefficient of thermal expansion as sample Not, which is a conventional alloy known as a low expansion alloy.

また、前記のように得られた合金試料No1〜No6に
ついて、樹脂密着性評価試験を行った。
Further, a resin adhesion evaluation test was conducted on alloy samples No. 1 to No. 6 obtained as described above.

樹脂密着性評価試験は、本発明品および比較品を100
本のピンが放射状に配列された構成のQF P (Q 
uad F lat P ackage)のリードフレ
ームとして用い、素子の取り付けと配線を行って加工後
、低応力樹脂でパッケージし、封止した。次に、パッケ
ージに吸湿処理(85℃で湿度80%の環境に0〜32
時間放置する処理)を施し、続いてはんだ浸漬処理(2
40℃のはんだ浴に10秒間、3回ドブ付けする処理)
を行い、この後に超音波探傷装置による内部クラック観
察を行った。
In the resin adhesion evaluation test, the inventive product and comparative product were tested at 100%
QF P (Q
After processing by attaching elements and wiring, it was packaged and sealed with low stress resin. Next, the package is subjected to moisture absorption treatment (0 to 32% in an environment of 85℃ and 80% humidity).
solder immersion treatment (2) followed by solder dipping treatment (2).
3 times for 10 seconds in a 40°C solder bath)
After that, internal cracks were observed using an ultrasonic flaw detector.

第1図は、試験に用いたリードフレームの断面の概略構
造を示すもので、lはリードフレーム、2はICチップ
、3はICチップ2を設置したリードフレームのパッド
部、4はリード線、5はリードフレームlを囲む樹脂部
分に生じたクラックを示している。前記内部クラックと
は、樹脂とリードフレームlとの密着性不良により水分
が浸透し、ICチップ2を載せるリードフレームのパッ
ド部3の角からその周囲の封止樹脂にクラック5が入る
ことであり、このクラック5が封止樹脂に入ると封止樹
脂とともに封止したリード線4が断線してしまうことが
ある。
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional structure of the lead frame used in the test, where l is the lead frame, 2 is the IC chip, 3 is the pad part of the lead frame on which the IC chip 2 is installed, 4 is the lead wire, 5 indicates a crack that occurred in the resin portion surrounding the lead frame l. The internal crack is a phenomenon in which moisture penetrates due to poor adhesion between the resin and the lead frame l, and a crack 5 enters the sealing resin around the corner of the pad part 3 of the lead frame on which the IC chip 2 is mounted. If this crack 5 enters the sealing resin, the lead wire 4 sealed together with the sealing resin may be disconnected.

前記超音波探傷装置によって内部クラックの観察を行っ
た皆果を以下の第3表に示す。第3表において、O印は
内部クラックが発生していないことを示し、X印は内部
クラックが発生したことを示している。
The fruits whose internal cracks were observed using the ultrasonic flaw detection device are shown in Table 3 below. In Table 3, the O mark indicates that no internal crack occurred, and the X mark indicates that an internal crack occurred.

第3表 第3表において明らかなように、本願発明品の試料No
3〜No6は、いずれも4時間以下の吸湿処理の場合、
クラックの発生が見られないことが判明した。また、B
eの添加量を増加した本願発明品の試料No4,5.6
では、Be添加量の増加ととしにクラックの発生をより
良く抑制することができた。なおまた、Beの添加mを
o、oos%に設定した比較品の試料No2にあっては
、従来品の試料Nolと同様に4時間の吸湿処理でクラ
ック発生が見られ、Beの添加量が少ないことを示して
いる。また、Beの添加量を0.01%とした試料No
3は吸湿処理4時間でもクラックの発生が見られていな
い。このためBeの添加量は00O1%以上必要である
ことが明らかとなった。
As is clear from Table 3, sample No. of the invention product
For Nos. 3 to 6, in the case of moisture absorption treatment for 4 hours or less,
It was found that no cracks were observed. Also, B
Sample No. 4, 5.6 of the product of the present invention with an increased amount of e
In this case, the generation of cracks could be better suppressed by increasing the amount of Be added. Furthermore, in sample No. 2, a comparative product in which the addition m of Be was set to o, oos%, cracks were observed after 4 hours of moisture absorption treatment, similar to the conventional sample No. 1, and the amount of Be added was It shows that there are few. In addition, sample No. with the addition amount of Be 0.01%
In Sample No. 3, no cracks were observed even after 4 hours of moisture absorption treatment. Therefore, it has become clear that the amount of Be added must be 00O1% or more.

「発明の効果」 以上説明したように本願発明によれば、FeとNiとC
oとMnとSiとCuを所定量含有する低膨張率の合金
に、Beを少量添加したので、シリコン素子などに近い
熱膨張率を維持した上に、従来合金よりも樹脂密着性の
良好な合金を提供することができる。
"Effects of the Invention" As explained above, according to the present invention, Fe, Ni and C
By adding a small amount of Be to a low expansion coefficient alloy containing predetermined amounts of O, Mn, Si, and Cu, it maintains a thermal expansion coefficient close to that of silicon elements and has better resin adhesion than conventional alloys. Alloys can be provided.

従って本願発明によれば、従来よりし優れたリードフレ
ーム用材料を提供することができる。また、本願発明の
合金は高価なりeの添加量が少量で済むので、低コスト
で得ることができる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a lead frame material that is superior to the conventional material. Further, since the alloy of the present invention is expensive, only a small amount of e is added, so it can be obtained at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はICチップとリードフレームの取付状態を示す
構成図である。 !・・・リードフレーム、2・・・ICチップ、ド部、
4・・・リード線、5・・・クラック。 3・・・パラ
FIG. 1 is a configuration diagram showing how an IC chip and a lead frame are attached. ! ...Lead frame, 2...IC chip, do part,
4...Lead wire, 5...Crack. 3...Para

Claims (1)

【特許請求の範囲】 Ni26〜34%(重量%、以下同じ) Co8〜20% Mn1.0%以下 Si0.5%以下 Be0.01〜0.05% Cu5.0%以下 残部Fe及び不可避不純物 の組成を有するリードフレーム用Fe−Ni−Co合金
[Claims] Ni: 26-34% (weight %, the same applies hereinafter) Co: 8-20% Mn: 1.0% or less Si: 0.5% or less Be: 0.01-0.05% Cu: 5.0% or less The remainder contains Fe and unavoidable impurities A Fe-Ni-Co alloy for lead frames having the following composition.
JP16458389A 1988-12-14 1989-06-27 Fe-ni-co alloy for lead frame Pending JPH0331450A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16458389A JPH0331450A (en) 1989-06-27 1989-06-27 Fe-ni-co alloy for lead frame
US07/450,038 US5084111A (en) 1988-12-14 1989-12-13 Fe-Ni alloy and method for treating ingot the same
US07/778,256 US5264052A (en) 1988-12-14 1991-10-17 Fe-Ni alloy and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

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