JPH0330780U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0330780U JPH0330780U JP9031089U JP9031089U JPH0330780U JP H0330780 U JPH0330780 U JP H0330780U JP 9031089 U JP9031089 U JP 9031089U JP 9031089 U JP9031089 U JP 9031089U JP H0330780 U JPH0330780 U JP H0330780U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- fet
- series
- power supply
- mos fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
第１図は本考案による第１の実施例を示す回路
構成図、第２図は本考案による第２の実施例を示
す回路構成図、第３図は従来の構成例を示す回路
図である。 １……ＭＯＳ ＦＥＴ（ＮチヤネルＭＯＳ Ｆ
ＥＴ）、２……スイツチングトランス、３……Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ（第１図……ＰチヤネルＭＯＳ Ｆ
ＥＴ、第２図……ＮチヤネルＭＯＳ ＦＥＴ）、
４……ダイオード、５……抵抗、６……制御回路
、７……ＭＯＳ ＦＥＴ（低電圧駆動Ｎチヤネル
ＭＯＳ ＦＥＴ）、８……抵抗、９……インバー
タ、１０，１１，１２……抵抗、１３，１４……
定電圧ダイオード、１５，１６……コンデンサ、
１７，１８……ダイオード、１９……チヨークコ
イル、２０……コンデンサ、２１……抵抗、２２
……コンデンサ。
構成図、第２図は本考案による第２の実施例を示
す回路構成図、第３図は従来の構成例を示す回路
図である。 １……ＭＯＳ ＦＥＴ（ＮチヤネルＭＯＳ Ｆ
ＥＴ）、２……スイツチングトランス、３……Ｍ
ＯＳ ＦＥＴ（第１図……ＰチヤネルＭＯＳ Ｆ
ＥＴ、第２図……ＮチヤネルＭＯＳ ＦＥＴ）、
４……ダイオード、５……抵抗、６……制御回路
、７……ＭＯＳ ＦＥＴ（低電圧駆動Ｎチヤネル
ＭＯＳ ＦＥＴ）、８……抵抗、９……インバー
タ、１０，１１，１２……抵抗、１３，１４……
定電圧ダイオード、１５，１６……コンデンサ、
１７，１８……ダイオード、１９……チヨークコ
イル、２０……コンデンサ、２１……抵抗、２２
……コンデンサ。
Claims (1)
- スイツチングトランス１次側の一端に第１のＭ
ＯＳ ＦＥＴのドレイン側を接続すると共にソー
ス側は接地し、第１のゲート部に第１の抵抗を直
列接続し、前記第１の抵抗の他端を制御回路の出
力部に接続してなるプライマリー方式の一石フオ
ーワード型スイツチング電源のＤＣ−ＤＣコンバ
ータ部において、第２の抵抗とインバータを直列
接続して前記インバータの入力部を前記制御回路
の出力部に接続し、第２の前記抵抗の他端を第２
のＭＯＳ ＦＥＴのゲート部に接続し、前記第２
のＭＯＳ ＦＥＴのドレイン側に第３の抵抗を接
続すると共にソース側は接地し、前記第３の抵抗
の他端と前記スイツチングトランス１次側の電源
側端子を接続し、前記第３の抵抗と前記第２のＭ
ＯＳ ＦＥＴの接続点に第４の抵抗と第１のコン
デンサの並列接続回路の一端を接続し、第５の抵
抗とそれぞれ逆方向に直列接続した２個の定電圧
ダイオードを並列接続した回路を前記並列接続回
路の他端と前記スイツチングトランス１次側の電
源側端子との間に接続し、前記第４、第５の抵抗
の接続点に前記第３と第５の抵抗をバイアス源と
する第３のＭＯＳ ＦＥＴのゲート部を接続し、
前記第３のＭＯＳ ＦＥＴのドレイン側にダイオ
ードのカソード側を直列接続し、前記第３のＭＯ
Ｓ ＦＥＴのソース側をスイツチングトランス１
次側の前記電源側端子に接続し、前記ダイオード
のアノード側端子を前記第１のＭＯＳ ＦＥＴと
スイツチングトランス１次側端子の接続点に接続
して構成されたスナバ回路を有することを特徴と
するスイツチング電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031089U JPH0330780U (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031089U JPH0330780U (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330780U true JPH0330780U (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=31639837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9031089U Pending JPH0330780U (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330780U (ja) |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP9031089U patent/JPH0330780U/ja active Pending
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