JPH0329504A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH0329504A JPH0329504A JP16263389A JP16263389A JPH0329504A JP H0329504 A JPH0329504 A JP H0329504A JP 16263389 A JP16263389 A JP 16263389A JP 16263389 A JP16263389 A JP 16263389A JP H0329504 A JPH0329504 A JP H0329504A
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- Japan
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- oscillation
- circuit
- control voltage
- voltage
- variable capacitance
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、発振周波数を外部より入力されるコントロー
ル電圧の制御によって可変できる電圧制御発振器に関す
るものである． ［従来の技術］ 例えば，発振周波数を外部より入力される電圧の制御に
よって可変できる発振器として第４図に示す電圧制御発
振器（ Ｖ Ｃ Ｏ ： ｖｏｌｔａｇｅ ｃｏｎｔｒ
ｏｌｌｅｄ ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）が知られている．
この電圧制御発振器は２個のＦＥＴ（１ｉ界効果型トラ
ンジスタ）１１．１２．発振回路１３、帰還回路１４、
電圧制御部１５を備えて構成されている．各ＦＥＴＩＩ
，１２のドレインＤ ｅ Ｄ ｏ間には、コンデンサ
Ｃ４を介したコイルＬ４および可変容量ダイオードＤ，
の直列回路によって構成される発振回路ｌ３が接続され
ており、各可変容量ダイオードＤｓ，Ｄ−はチョークコ
イルＬｓ．Ｌｓを介して外部から供給される電圧制御部
ｌ５からのコントロール電圧Ｖｃによってその容量が可
変制御さ力る．また、発振回路１３にお，けるコイルＬ
４のセンタータップは接地されており、その発振出力は
トランス結合により取り出される。さらに、各ＦＥＴＩ
Ｉ，１２のドレインＤｃ，Ｄｏ−ゲートＧｅ．Ｇｏ間に
は、カップリングコンデンサＣ＠による帰還回路ｌ４が
接続されており、各ＦＥＴＩＩ，１２のゲートＧｃ，Ｇ
ｏおよびソースＳｃ，Ｓ．と電源−Ｖｃｃとの間には抵
抗Ｒ，が接続されている。
ル電圧の制御によって可変できる電圧制御発振器に関す
るものである． ［従来の技術］ 例えば，発振周波数を外部より入力される電圧の制御に
よって可変できる発振器として第４図に示す電圧制御発
振器（ Ｖ Ｃ Ｏ ： ｖｏｌｔａｇｅ ｃｏｎｔｒ
ｏｌｌｅｄ ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）が知られている．
この電圧制御発振器は２個のＦＥＴ（１ｉ界効果型トラ
ンジスタ）１１．１２．発振回路１３、帰還回路１４、
電圧制御部１５を備えて構成されている．各ＦＥＴＩＩ
，１２のドレインＤ ｅ Ｄ ｏ間には、コンデンサ
Ｃ４を介したコイルＬ４および可変容量ダイオードＤ，
の直列回路によって構成される発振回路ｌ３が接続され
ており、各可変容量ダイオードＤｓ，Ｄ−はチョークコ
イルＬｓ．Ｌｓを介して外部から供給される電圧制御部
ｌ５からのコントロール電圧Ｖｃによってその容量が可
変制御さ力る．また、発振回路１３にお，けるコイルＬ
４のセンタータップは接地されており、その発振出力は
トランス結合により取り出される。さらに、各ＦＥＴＩ
Ｉ，１２のドレインＤｃ，Ｄｏ−ゲートＧｅ．Ｇｏ間に
は、カップリングコンデンサＣ＠による帰還回路ｌ４が
接続されており、各ＦＥＴＩＩ，１２のゲートＧｃ，Ｇ
ｏおよびソースＳｃ，Ｓ．と電源−Ｖｃｃとの間には抵
抗Ｒ，が接続されている。
そして、この電圧制御発振器では電圧制御部１５からの
コントロール電圧Ｖｃによって可変容量ダイオードＤｓ
の容量を可変することで発振周波数が制御される． ［発明が解決しようとする課題］ ところで、上述した従来の電圧制御発振器において、可
変容量ダイオードＤ，の容量比を十分大きくして広帯域
発振をさせようとした場合，コントロール電圧Ｖｃの増
大に伴って周波数が高くなると、各ＦＥＴＩＩ，１２の
入力アドミッタンスが上昇して、第３図のコントロール
電圧一周波数特性に示すように発振周波数の上限が制限
される（図示の特性では２３０ＭＨｚ）という問題があ
った．このため、所望の発振出力をコントロール電圧一
周波数特性において広範囲に渡るリニアな領域で広帯域
発振を行なうことができなかった。
コントロール電圧Ｖｃによって可変容量ダイオードＤｓ
の容量を可変することで発振周波数が制御される． ［発明が解決しようとする課題］ ところで、上述した従来の電圧制御発振器において、可
変容量ダイオードＤ，の容量比を十分大きくして広帯域
発振をさせようとした場合，コントロール電圧Ｖｃの増
大に伴って周波数が高くなると、各ＦＥＴＩＩ，１２の
入力アドミッタンスが上昇して、第３図のコントロール
電圧一周波数特性に示すように発振周波数の上限が制限
される（図示の特性では２３０ＭＨｚ）という問題があ
った．このため、所望の発振出力をコントロール電圧一
周波数特性において広範囲に渡るリニアな領域で広帯域
発振を行なうことができなかった。
そこで、上述した問題を解決する方法として各カップリ
ングコンデンサＣ，の容量を小さくすることが考えられ
るが、この場合、低い周波数での各ＦＥＴ１１．１２の
帰還量が減少して発振条件を満たさなくなり所望の発振
出力を得ることができないという問題があった． 従って，上述した問題を解決するためには、発振周波数
を高くする場合、各ＦＥＴＩＩ，１２のゲートＧｃ．Ｇ
ｏの入カサセブタンスに相当する入力容量をカップリン
グコンデンサＣ●を小さくすることで等価的に小さくし
、発振周波数を低くする場合は、カップリングコンデン
サＣ６を大きくすることで各ゲートへの帰還量を増大す
る必要があった． そこで、本発明は上述した問題点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、コントロール電圧一周波数特性
において広範囲でリニアな領域での広帯域発振が行なえ
る電圧制御発振器を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明による電圧制御発振器
は、２個のＦＥＴと、 少なくともコイルおよび可変容量ダイ才一ドの並列回路
からなり．ｎ記各ＦＥＴのドレイン間に接続された発振
回路と、 少なくともコンデンサおよび可変容量ダイオードの直列
回路からなり，前記各ＦＥＴのドレイン−ゲート間に接
続されて前記ゲートに帰還信号を供給する帰還回路を備
え、 前記発振回路および帰還回路における各可変容量ダイオ
ードにコントロール電圧を印加し，発振周波数を可変す
ることを特徴としている．［作用］ 電圧制御部より発振回路における各可変容量ダイオード
にコントロール電圧が供給されて発振周波数が可変制御
されている状態において、発振周波数が高い場合には、
各ＦＥＴの入力アドミタンスが減少するようにコントロ
ール電圧により帰還回路における可変容量ダイオードの
容量が小さく制御される．また，発振周波数が低い場合
には、コントロール電圧により帰還回路における可変容
量ダイオードの容量が大きくなるように制御され、各Ｆ
ＥＴに供給される帰還量が増大して発振状態を保持する
． ［実施例］ 第１図は本発明による電圧制御発振器の一実施例を示す
回路図である． この実施例による電圧制御発振器は、外部より入力され
るコントロール電圧によって発振周波数を可変制御して
おり，２個のＦＥＴＩ，２、発振回路３、帰還回路４を
備えて構成されている．２個のＦＥＴ１．２は対称配置
されており、各ＦＥＴＩ，２のドレインＤ．−Ｄ．間に
は、コンデンサＣ，．Ｃ．を介したコイルＬ１および可
変容量ダイオードＤ＋．ＤＩの並列回路からなる発振回
路３が接続されている．この発振回路３におけるコイル
Ｌ，のセンタータップは接地されており，その発振出力
はトランス結合により取り出されるようになっている．
また、各ＦＥＴＬ，２のドレインＤａ．Ｄｍ−ゲートＧ
Ａ，Ｇ．間には、コンデンサＣ，および可変容量ダイオ
ードＤ１の直列回路が接続されており、また、各ＦＥＴ
Ｉ，２のゲートと電源−Ｖｃｃとの間には，抵抗Ｒ１が
接続されていて帰還回路４を構成している．すなわち、
この帰還回路４は発振回路３とＦＥＴＩ，２との間に接
続されるもので、各可変容量ダイオードＤｔ．Ｄ＊は発
振回路３における各可変容量ダイオードＤ，，Ｄ．とと
もに、コントロール端子６を介して電圧制御部５から供
給されるコントロール電圧Ｖｃによってその容量が可変
制御され、各ＦＥＴＩ．２のゲートＧＡ．Ｇ．に供給さ
れる帰還量を制御している．さらに、各ＦＥＴ１，２の
ソースＳ．，Ｓ．と電源−Ｖｃｃとの間には抵抗Ｒ＋，
Ｒｓが接続されており、この抵抗Ｒ＋，Ｒ＊ と各ＦＥ
ＴＩ．２のソースＳ．．Ｓ．どの間の接続点Ｐにはコン
デンサＣ．，Ｃ．が接続されている． なお、コントロール端子６と発振回路３および帰還回路
４の各可変容量ダイオードＤ，，Ｄ，との間，さらに、
帰還回路４の各可変容量ダイオードＤ２とアースとの間
にはチョークコイルＬ２．Ｌ，が接続されている． 以上説明した構成において、コントロール端子６より供
給されるコントロール電圧Ｖｃが高くなると、発振回路
３における可変容量ダイオードＤ．，Ｄ．の容量が制御
されて発振周波数が上昇する．これと同時にコントロー
ル電圧Ｖｃの供給で帰還回路４における可変容量ダイオ
ードＤ２，Ｄ２の容量が小さくなり、この結果、発振周
波数の上限を決定していた各ＦＥＴＩ，２の入カ容量の
影響が減り、第３図に示すように、従来、２３０ＭＨｚ
に制限されていた発振周波数を３００ＭＨｚまでコント
ロール電圧Ｖｃに対してリニアに延ばすことができる． 一方，コントロール電圧Ｖｃが低くなると、発振回路３
における可変容量ダイオードＤｒ ．Ｄ．の容量が制御
されて発振周波数が下降する．これと同時にコントロー
ル電圧Ｖｃの供給で帰還回路４における可変容量ダイオ
ードＤ＊，Ｄｉの容量が大きくなり、インピーダンスが
低くなり、この結果、各ＦＥＴＩ，２に供給される帰還
量が増大して発振状態が保持され、従来のように発振条
件を満たさないという問題が解消される。
ングコンデンサＣ，の容量を小さくすることが考えられ
るが、この場合、低い周波数での各ＦＥＴ１１．１２の
帰還量が減少して発振条件を満たさなくなり所望の発振
出力を得ることができないという問題があった． 従って，上述した問題を解決するためには、発振周波数
を高くする場合、各ＦＥＴＩＩ，１２のゲートＧｃ．Ｇ
ｏの入カサセブタンスに相当する入力容量をカップリン
グコンデンサＣ●を小さくすることで等価的に小さくし
、発振周波数を低くする場合は、カップリングコンデン
サＣ６を大きくすることで各ゲートへの帰還量を増大す
る必要があった． そこで、本発明は上述した問題点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、コントロール電圧一周波数特性
において広範囲でリニアな領域での広帯域発振が行なえ
る電圧制御発振器を提供することにある． ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明による電圧制御発振器
は、２個のＦＥＴと、 少なくともコイルおよび可変容量ダイ才一ドの並列回路
からなり．ｎ記各ＦＥＴのドレイン間に接続された発振
回路と、 少なくともコンデンサおよび可変容量ダイオードの直列
回路からなり，前記各ＦＥＴのドレイン−ゲート間に接
続されて前記ゲートに帰還信号を供給する帰還回路を備
え、 前記発振回路および帰還回路における各可変容量ダイオ
ードにコントロール電圧を印加し，発振周波数を可変す
ることを特徴としている．［作用］ 電圧制御部より発振回路における各可変容量ダイオード
にコントロール電圧が供給されて発振周波数が可変制御
されている状態において、発振周波数が高い場合には、
各ＦＥＴの入力アドミタンスが減少するようにコントロ
ール電圧により帰還回路における可変容量ダイオードの
容量が小さく制御される．また，発振周波数が低い場合
には、コントロール電圧により帰還回路における可変容
量ダイオードの容量が大きくなるように制御され、各Ｆ
ＥＴに供給される帰還量が増大して発振状態を保持する
． ［実施例］ 第１図は本発明による電圧制御発振器の一実施例を示す
回路図である． この実施例による電圧制御発振器は、外部より入力され
るコントロール電圧によって発振周波数を可変制御して
おり，２個のＦＥＴＩ，２、発振回路３、帰還回路４を
備えて構成されている．２個のＦＥＴ１．２は対称配置
されており、各ＦＥＴＩ，２のドレインＤ．−Ｄ．間に
は、コンデンサＣ，．Ｃ．を介したコイルＬ１および可
変容量ダイオードＤ＋．ＤＩの並列回路からなる発振回
路３が接続されている．この発振回路３におけるコイル
Ｌ，のセンタータップは接地されており，その発振出力
はトランス結合により取り出されるようになっている．
また、各ＦＥＴＬ，２のドレインＤａ．Ｄｍ−ゲートＧ
Ａ，Ｇ．間には、コンデンサＣ，および可変容量ダイオ
ードＤ１の直列回路が接続されており、また、各ＦＥＴ
Ｉ，２のゲートと電源−Ｖｃｃとの間には，抵抗Ｒ１が
接続されていて帰還回路４を構成している．すなわち、
この帰還回路４は発振回路３とＦＥＴＩ，２との間に接
続されるもので、各可変容量ダイオードＤｔ．Ｄ＊は発
振回路３における各可変容量ダイオードＤ，，Ｄ．とと
もに、コントロール端子６を介して電圧制御部５から供
給されるコントロール電圧Ｖｃによってその容量が可変
制御され、各ＦＥＴＩ．２のゲートＧＡ．Ｇ．に供給さ
れる帰還量を制御している．さらに、各ＦＥＴ１，２の
ソースＳ．，Ｓ．と電源−Ｖｃｃとの間には抵抗Ｒ＋，
Ｒｓが接続されており、この抵抗Ｒ＋，Ｒ＊ と各ＦＥ
ＴＩ．２のソースＳ．．Ｓ．どの間の接続点Ｐにはコン
デンサＣ．，Ｃ．が接続されている． なお、コントロール端子６と発振回路３および帰還回路
４の各可変容量ダイオードＤ，，Ｄ，との間，さらに、
帰還回路４の各可変容量ダイオードＤ２とアースとの間
にはチョークコイルＬ２．Ｌ，が接続されている． 以上説明した構成において、コントロール端子６より供
給されるコントロール電圧Ｖｃが高くなると、発振回路
３における可変容量ダイオードＤ．，Ｄ．の容量が制御
されて発振周波数が上昇する．これと同時にコントロー
ル電圧Ｖｃの供給で帰還回路４における可変容量ダイオ
ードＤ２，Ｄ２の容量が小さくなり、この結果、発振周
波数の上限を決定していた各ＦＥＴＩ，２の入カ容量の
影響が減り、第３図に示すように、従来、２３０ＭＨｚ
に制限されていた発振周波数を３００ＭＨｚまでコント
ロール電圧Ｖｃに対してリニアに延ばすことができる． 一方，コントロール電圧Ｖｃが低くなると、発振回路３
における可変容量ダイオードＤｒ ．Ｄ．の容量が制御
されて発振周波数が下降する．これと同時にコントロー
ル電圧Ｖｃの供給で帰還回路４における可変容量ダイオ
ードＤ＊，Ｄｉの容量が大きくなり、インピーダンスが
低くなり、この結果、各ＦＥＴＩ，２に供給される帰還
量が増大して発振状態が保持され、従来のように発振条
件を満たさないという問題が解消される。
第２図は上述した電圧制御発振器の等価回路図を示して
いる． この図において、ＣＯは可変容量ダイオードＤ，，Ｄ，
の直列容量、ＣｃはＤ．，Ｄ．の容量、Ｒｇ，ＣｇはＦ
ＥＴ１．２の入力インピーダンスである． 今、Ｒｇ ＞ １ ／ＣＩＪ６ Ｃｇ ＋ Ｒ＞ωｏ
Ｌｏとすると、発振周波数ｆ０は、 ｆａ ＝ １／２ ｉ（２ＬｏＣｏ ＋ （Ｃｃ Ｃ
ｇｌ Ｌｏ ） −””で表わせる。
いる． この図において、ＣＯは可変容量ダイオードＤ，，Ｄ，
の直列容量、ＣｃはＤ．，Ｄ．の容量、Ｒｇ，ＣｇはＦ
ＥＴ１．２の入力インピーダンスである． 今、Ｒｇ ＞ １ ／ＣＩＪ６ Ｃｇ ＋ Ｒ＞ωｏ
Ｌｏとすると、発振周波数ｆ０は、 ｆａ ＝ １／２ ｉ（２ＬｏＣｏ ＋ （Ｃｃ Ｃ
ｇｌ Ｌｏ ） −””で表わせる。
従って、Ｃｃを小さくして各ＦＥＴの人力容量Ｃｇの影
響を小さくすることにより、第３図に示すようにコント
ロール電圧Ｖｃに対して３００ＭＨｚの高い周波数まで
リニアな状態で発振させることができる。
響を小さくすることにより、第３図に示すようにコント
ロール電圧Ｖｃに対して３００ＭＨｚの高い周波数まで
リニアな状態で発振させることができる。
また、利得条件
？おいて．Ｃｃが大きくなると、各ＦＥＴＩ，２への帰
還量が増大してＣｇが無視できることから、低い周波数
ではＣｃ ＞Ｃｇとすることにより同じｇ一に対して発
振条件を満足し易くなる．従って、上述した実施例では
、従来，発振回路と各ＦＥＴとの間に接続されていたカ
ップリングコンデンサの代わりに可変容量ダイオードＤ
ａ，Ｄ，を接続し，コントロール電圧Ｖｃによって制御
される発振周波数の高い時には、可変容量ダイオードＤ
．，Ｄ■の容量を減少させて各ＦＥＴ１．２の入カアド
ミッタンスにおける容量成分の影響を小さくすることで
、発振周波数をコントロール電圧Ｖｃに対して３００Ｍ
Ｈｚの高い周波数までリニアに拡張することができる．
また、発振周波数の低い場合には，可変容量ダイオード
Ｄ＊．Ｄｘの容量を増加させて各ＦＥＴＩ，２への帰還
量を増加させることで、低い周波数でも発振条件を満足
して発振する．この結果、広帯域での発振出力を得るこ
とができる． ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による電圧制御発振器は、
コントロール電圧によって制御される発振周波数が高い
時には可変容量ダイオードの容量を減少させ、発振周波
数が低い時にはその容量を増大させることにより，従来
のように発振周波数の上限が制限されたり，低い周波数
で発振条件を満足しなかったりすることなく、コントロ
ール電圧一周波数特性において広範囲でリニアな領域で
の広帯域発振を行なうことができる．
還量が増大してＣｇが無視できることから、低い周波数
ではＣｃ ＞Ｃｇとすることにより同じｇ一に対して発
振条件を満足し易くなる．従って、上述した実施例では
、従来，発振回路と各ＦＥＴとの間に接続されていたカ
ップリングコンデンサの代わりに可変容量ダイオードＤ
ａ，Ｄ，を接続し，コントロール電圧Ｖｃによって制御
される発振周波数の高い時には、可変容量ダイオードＤ
．，Ｄ■の容量を減少させて各ＦＥＴ１．２の入カアド
ミッタンスにおける容量成分の影響を小さくすることで
、発振周波数をコントロール電圧Ｖｃに対して３００Ｍ
Ｈｚの高い周波数までリニアに拡張することができる．
また、発振周波数の低い場合には，可変容量ダイオード
Ｄ＊．Ｄｘの容量を増加させて各ＦＥＴＩ，２への帰還
量を増加させることで、低い周波数でも発振条件を満足
して発振する．この結果、広帯域での発振出力を得るこ
とができる． ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による電圧制御発振器は、
コントロール電圧によって制御される発振周波数が高い
時には可変容量ダイオードの容量を減少させ、発振周波
数が低い時にはその容量を増大させることにより，従来
のように発振周波数の上限が制限されたり，低い周波数
で発振条件を満足しなかったりすることなく、コントロ
ール電圧一周波数特性において広範囲でリニアな領域で
の広帯域発振を行なうことができる．
第ｌ図は本発明による電圧制御発振器の一実施例を示す
回路図、第２図は同電圧制御発振器の等価回路図、第３
図は同電圧制御発振器と従来の電圧制御発振器とにおけ
るコントロール電圧に対する周波数特性を示す図、第４
図は従来の電圧制御発振器の一例を示す回路図である． １．２−ＦＥＴ、３・・・発振回路、４・・・帰還回路
、５・・一電圧制御部、６・・・コントロール端子，Ｄ
＋．Ｄ＊・・・可変容量ダイオード．Ｖｃ・・−コント
ロール電圧、Ｌ１・・・コイル、Ｃ，．Ｃ．・・・コン
デンサ．
回路図、第２図は同電圧制御発振器の等価回路図、第３
図は同電圧制御発振器と従来の電圧制御発振器とにおけ
るコントロール電圧に対する周波数特性を示す図、第４
図は従来の電圧制御発振器の一例を示す回路図である． １．２−ＦＥＴ、３・・・発振回路、４・・・帰還回路
、５・・一電圧制御部、６・・・コントロール端子，Ｄ
＋．Ｄ＊・・・可変容量ダイオード．Ｖｃ・・−コント
ロール電圧、Ｌ１・・・コイル、Ｃ，．Ｃ．・・・コン
デンサ．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２個のＦＥＴと、 少なくともコイルおよび可変容量ダイオードの並列回路
からなり、前記各ＦＥＴのドレイン間に接続された発振
回路と、 少なくともコンデンサおよび可変容量ダイオードの直列
回路からなり、前記各ＦＥＴのドレイン−ゲート間に接
続されて前記ゲートに帰還信号を供給する帰還回路を備
え、 前記発振回路および帰還回路における各可変容量ダイオ
ードにコントロール電圧を印加し、発振周波数を可変す
ることを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1162633A JP2828463B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1162633A JP2828463B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329504A true JPH0329504A (ja) | 1991-02-07 |
| JP2828463B2 JP2828463B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=15758323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1162633A Expired - Fee Related JP2828463B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828463B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5396195A (en) * | 1993-12-13 | 1995-03-07 | At&T Corp. | Low-power-dissipation CMOS oscillator circuits |
| EP1187308A2 (fr) * | 2000-09-08 | 2002-03-13 | France Telecom | Oscillateur commande en tension |
| KR100367884B1 (ko) * | 2000-04-20 | 2003-01-15 | (주) 장맥엔지니어링 | 보행자도로의 시공방법 |
| WO2003056697A1 (fr) * | 2001-12-25 | 2003-07-10 | Ntt Electronics Corporation | Oscillateur |
| WO2006041108A1 (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-20 | Epson Toyocom Corporation | 圧電発振器 |
| US7839229B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-11-23 | Hitachi, Ltd. | Voltage-controlled oscillator and communication device using the same |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS53137742U (ja) * | 1977-04-04 | 1978-10-31 | ||
| JPS5432954A (en) * | 1977-08-18 | 1979-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | High frequency oscillator circuit |
| JPS5639707U (ja) * | 1979-08-31 | 1981-04-14 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP1162633A patent/JP2828463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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