JPH03291016A - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

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JPH03291016A
JPH03291016A JP2093532A JP9353290A JPH03291016A JP H03291016 A JPH03291016 A JP H03291016A JP 2093532 A JP2093532 A JP 2093532A JP 9353290 A JP9353290 A JP 9353290A JP H03291016 A JPH03291016 A JP H03291016A
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JP
Japan
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input
trs
transistors
circuit
channel
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JP2093532A
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Japanese (ja)
Inventor
Masanori Mizuta
水田 政徳
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a NOT input to a required input terminal without increasing the number of transistor(TRs) by forming a logic circuit of the channels of 1st-4th TRs while containing channels different in conductivity type, and providing NOT function to TR pairs themselves of channels different in conductivity type in these TRs. CONSTITUTION:Each of input terminals A-D is provided with a C-MOS TR pair whose gates are connected in common, and either a P-channel TR or an N-channel TR is turned on with respect to an input signal whose level is 'H' or 'L'. When an 'L' level input signal is supplied to all the input terminals A-D, P-channel TRs Q1-Q4 are turned on and N-channel TRs Q5-Q8 are turned off. Thus, a high level 'H' from a high level power supply line 1 is outputted to an output terminal O via the TRs Q1, Q2. Moreover, when an 'H' level input signal is supplied to all the input terminals A-D, P-channel TRs Q1-Q4 are turned off and N-channel TRs Q5-Q8 are turned on. Thus, a potential 'L' of a low potential power supply line 1 is outputted to the output terminal O via the TRs Q7, Q8.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要] MO3論理回路の改良に関し、 入力に否定入力をもつAND−ORインバートゲート回
路を、従来のAND−ORインバートゲート回路と同数
のトランジスタ数で構成する論理回路の提供を目的とし
、 従来のAND−ORインバートゲート回路の入力端に接
続されるトランジスタ対の配置を入れ替えた構成とする
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the improvement of the MO3 logic circuit, we have developed a logic circuit in which an AND-OR invert gate circuit having a negative input is configured with the same number of transistors as a conventional AND-OR invert gate circuit. For the purpose of providing this invention, a configuration is adopted in which the arrangement of transistor pairs connected to the input terminals of a conventional AND-OR invert gate circuit is swapped.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、複数のトランジスタで構成される論理回路の
改良に関する。
The present invention relates to an improvement in a logic circuit composed of a plurality of transistors.

近年、半導体集積回路は高集積化が進んでいる。In recent years, semiconductor integrated circuits have become increasingly highly integrated.

それに伴い、半導体チップ内に形成される論理回路(例
えば、基本的な論理和、論理積、否定回路、或いはそれ
らを複合した論理回路等)は、必要な論理を得るために
より少ないトランジスタ数で構成されることが望まれて
いる。
Along with this, logic circuits formed within semiconductor chips (for example, basic OR, AND, NOT circuits, or logic circuits that combine these) are configured with fewer transistors to obtain the necessary logic. It is hoped that this will be done.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、MO3論理回路には、NAND回路やNOR回路
を応用した回路の複合ゲート回路がある。
Conventionally, MO3 logic circuits include composite gate circuits that are circuits that apply NAND circuits and NOR circuits.

その一つとして、第3図(a)、  (b)の如く論理
が構成されたAND−ORインバートゲート回路がある
。このAND−ORインバートケート回路は、第3図(
a)に示される如く、入力端E。
One of them is an AND-OR invert gate circuit having a logic configuration as shown in FIGS. 3(a) and 3(b). This AND-OR invert circuit is shown in Figure 3 (
Input end E as shown in a).

F、また入力端G、Hから入力する信号の論理積をとる
AND回路13.14と、それらの出力の否定論理和を
とるNOR回路15とからなり、その出力端Oには、 0=  E−F  +  G−H の論理が出力する。
It also consists of AND circuits 13 and 14 that take the logical product of signals input from the input terminals G and H, and a NOR circuit 15 that takes the negative logical sum of their outputs. -F + GH logic outputs.

このAND−ORインバートゲート回路は、第3図(b
)の如く、MOS )ランジスタを用いて構成され、そ
の構成は、各入力端E、  F、  G、  Hの各々
に対して、Pチャネル型MO3)ランジスタとNチャネ
ル型MOSトランジスタのゲートが共通に接続されてい
る(例えば、入力端Gに対してQl1、Ql7の組)。
This AND-OR invert gate circuit is shown in FIG.
), and its configuration is such that for each input terminal E, F, G, H, the gates of the P-channel type MO3) transistor and the N-channel type MOS transistor are common. are connected (for example, a pair of Ql1 and Ql7 to input terminal G).

そして、Pチャネル型MOSトランジスタQll−Ql
4は高電位電源IIと出力端0との間に接続され、Nチ
ャネル型MO3)ランジスタQ15〜Q1Bは低電位電
源線2と出力端Oとの間に接続されいる。
And P channel type MOS transistor Qll-Ql
4 is connected between the high potential power supply line II and the output terminal 0, and the N-channel type MO3) transistors Q15 to Q1B are connected between the low potential power supply line 2 and the output terminal O.

ところで、上述のAND−ORインバートゲート回路を
用いて、第4図(a)の如く、制御端子Sの制御信号で
AND@路13.14に入力する入力信号(図中、入力
端E、Gに入力する入力信号に相当)のうち一方を選択
する論理、0  =  E−3+  G−3 を構成することがある。この場合、従来では、例えばA
ND回路14に入力する制御信号に対し、単にNOT回
路16を挿入している。つまり、この論理回路は、第4
図のAND−ORインバートゲート回路を用いて構成す
ると、第6図に示す如く、制御端子Sと入力端子Fとの
間にC−MOSインバータ回路3 (Ql9.Q20)
が設けられた構成となっている。
By the way, by using the above-mentioned AND-OR invert gate circuit, as shown in FIG. 0 = E-3 + G-3 may be configured. In this case, conventionally, for example, A
The NOT circuit 16 is simply inserted into the control signal input to the ND circuit 14. In other words, this logic circuit has the fourth
When configured using the AND-OR invert gate circuit shown in the figure, a C-MOS inverter circuit 3 (Q19, Q20) is connected between the control terminal S and the input terminal F as shown in FIG.
The structure is set up.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、半導体集積回路の高集積化に伴い、論理回路
は少ないトランジスタ数で構成することが望まれている
が、従来では、第4図(a)のように、入力端E、F、
G、Hの一つに否定入力を与える場合、その入力端にC
−MOSインパーク回路3(否定回路)を新たに付加し
ていた。つまり、MO3I−ランジスタが第3図(a)
のAND−ORインバートゲート回路に比べて2個余分
に必要となっていた。これは、論理回路であることを考
えると半導体集積回路内でかなりの素子を余分に必要と
する、といった問題を生じる。
However, as semiconductor integrated circuits become more highly integrated, it is desired that logic circuits be configured with a smaller number of transistors, but conventionally, as shown in FIG.
When giving a negative input to one of G and H, connect C to that input terminal.
- A new MOS impark circuit 3 (inversion circuit) was added. In other words, the MO3I-transistor is as shown in Fig. 3(a).
Two additional gates were required compared to the AND-OR invert gate circuit. Considering that this is a logic circuit, a considerable number of extra elements are required within the semiconductor integrated circuit.

よって、本発明では、第3図(b)に示す如きAND−
ORインバートゲート回路と同数のトランジスタ数で、
且つ第4図(a)のようなAND−ORインバートゲー
ト回路と同じ論理が得られる論理回路の提供を目的とす
る。
Therefore, in the present invention, the AND-
With the same number of transistors as the OR invert gate circuit,
Another object of the present invention is to provide a logic circuit that can obtain the same logic as the AND-OR invert gate circuit shown in FIG. 4(a).

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図に本発明の原理回路図を示す。図中、Ql−Q4
はPチャネル型MOSトランジスタ、Q5〜Q8はNチ
ャネル型MOSトランジスタ、Xは接続点である。なお
、第4図と同じものには同じ符号が付けである。
FIG. 1 shows a circuit diagram of the principle of the present invention. In the figure, Ql-Q4
is a P-channel type MOS transistor, Q5 to Q8 are N-channel type MOS transistors, and X is a connection point. Note that the same parts as in FIG. 4 are given the same reference numerals.

上記の目的は、本発明の論理回路が、高電位電源線(V
CC)に一方の端子が共通に接続されると共に、他方の
端子が共通に接続点(X)に接続された第1.第2のト
ランジスタ(Q1、Q2)と、前記接続点(X)に一方
の端子が共通に接続されると共に、他方の端子が共通に
出力端(O)接続された第3.第4のトランジスタ(Q
3.Q4)と、前記出力端(O)と低電位電源線(VS
S)との間に直列に接続された第5.第6のトランジス
タ(Q5.Q6)と、前記第3の回路と並列に接続され
て且つ前記出力端(O)と低電位電源線(VSS)との
間に直列に接続された第7゜第8のトランジスタ(Q1
、Q8)とを有し、前記第1.第2のトランジスタ(Q
1、Q2)と前記第5.第6のトランジスタ(Q5.Q
6)とはゲートが対をなして接続され、前記第3.第4
のトランジスタ(Q1、Q2)と前記第7.第8のトラ
ンジスタ(Q5.Q6)とはゲートが対をなして接続さ
れ、前記ゲートが対をなして接続されたトランジスタ対
が共に異なる導電型のチャネルで構成され、前記第1.
第2.第3.第4のトランジスタのチャネルが異なる導
電型のチャネルを含んでなることで達成される。
The above object is to provide a logic circuit of the present invention with a high potential power supply line (V
CC), and the other terminal is commonly connected to the connection point (X). A third transistor having one terminal commonly connected to the second transistor (Q1, Q2) and the connection point (X), and the other terminal commonly connected to the output terminal (O). The fourth transistor (Q
3. Q4), the output terminal (O) and the low potential power line (VS
S) connected in series between the fifth. A sixth transistor (Q5, Q6) and a seventh transistor connected in parallel with the third circuit and in series between the output terminal (O) and the low potential power supply line (VSS). 8 transistors (Q1
, Q8), and the first. The second transistor (Q
1, Q2) and the above 5. The sixth transistor (Q5.Q
6), the gates are connected in pairs, and the third. Fourth
transistors (Q1, Q2) and the seventh transistor. The gates of the eighth transistors (Q5, Q6) are connected in a pair, and the pair of transistors whose gates are connected in a pair are both configured with channels of different conductivity types, and the first...
Second. Third. This is achieved in that the channels of the fourth transistor include channels of different conductivity types.

〔作用〕[Effect]

本発明の論理回路では、上述の如き構成において、第1
.第2.第3.第4のトランジスタのチャネルが異なる
導電型のチャネルを含んで構成されている。これにより
、第1.第2.第3.第4のトランジスタ内、異なった
導電型のチャネルのトランジスタ対自体に否定機能を持
たせているため、トランジスタ数を増やすことなく、必
要とされた入力端に否定入力を与えることができる。
In the logic circuit of the present invention, in the configuration as described above, the first
.. Second. Third. A channel of the fourth transistor is configured to include channels of different conductivity types. As a result, the first. Second. Third. Since the pair of channel transistors of different conductivity types in the fourth transistor itself has a negation function, a negation input can be given to the required input terminal without increasing the number of transistors.

〔実施例〕〔Example〕

第1図を用いて、本発明の詳細な説明する。 The present invention will be explained in detail with reference to FIG.

第1図は、AND−ORインバートゲート回路の1つの
入力端Aの入力が否定機能を持つ回路の例であり、この
AND−ORインバー)’7’−ト回路の構成は、第5
図のAND−ORインバートゲート回路において、入力
端已にゲートを接続しているPチャネル型MOSトラン
ジスタQ13、Nチャネル型MO3)ランジスタQ15
の位置が入れ代わったものである。よって、そのP、 
Nチャネル型MOSトランジスタは、入力端Aに入力す
る入力信号に対して従来のAND−ORインバートゲー
ト回路の入力端Eと反対の動作をするので、入力端Aは
否定が入力される入力端となる。
FIG. 1 is an example of a circuit in which one input terminal A of an AND-OR invert gate circuit has a negative function.
In the AND-OR invert gate circuit shown in the figure, a P-channel type MOS transistor Q13 and an N-channel type MO3) transistor Q15 have their gates connected to the input terminal.
The positions of are switched. Therefore, that P,
The N-channel MOS transistor operates in the opposite manner to the input terminal E of a conventional AND-OR invert gate circuit with respect to the input signal input to the input terminal A, so the input terminal A is an input terminal to which a negative signal is input. Become.

以下に第1図のAND−ORインバートゲート回路の動
作を説明する。
The operation of the AND-OR invert gate circuit shown in FIG. 1 will be explained below.

この回路では、入力端A、B、C,Dに各々ゲートを共
通に接続しているトランジスタ対は、それぞれC−MO
3構成となっているので、P、 Nチャネル型MO3)
ランジスタの何れか一方が入力信号、■]”又は“L“
に対してターンオンとなる。
In this circuit, the transistor pairs whose gates are commonly connected to the input terminals A, B, C, and D are respectively C-MO
Since it has 3 configurations, P and N channel type MO3)
Either one of the transistors is the input signal, ■]” or “L”
It becomes a turn-on against.

今、入力端A、B、C,Dの全てに“°L″が入力して
いると、Pチャネル型MOSトランジスタQ1〜Q4が
ターンオンし、Nチャネル型MOSトランジスタQ5〜
Q8がターンオフとなる。よって、圧力端OにはPチャ
ネル型MO3)ランジスタQ1、Q2を介して高電位電
源線1の電位“H゛が出力する。一方、入力端A、B、
C,Dの全てに°“H”が入力していると、Pチャネル
型MO3)ランジスクQ1〜Q4がターンオフ、Nチャ
ネル型MOSトランジスタQ5〜Q8がターンオンとな
り、出力端OにはNチャネル型MOSトランジスタQ7
.Q8を介して低電位電源線1の電位11 L′が出力
する。入力端A、B、C,Dに夫々゛L”、 ′°H”
  N HI+2  “L″°が入力している場合は、
トランジスタQ2.Q3.Q6゜Qlがターンオン、ト
ランジスタQ1、Q4.Q5、Q8がターンオフとなり
、出力端0にはトランジスタQ3.Q6を介して低電位
電源線1の電位°“L′が出力する。
Now, when "°L" is input to all input terminals A, B, C, and D, P-channel type MOS transistors Q1 to Q4 are turned on, and N-channel type MOS transistors Q5 to Q4 are turned on.
Q8 is turned off. Therefore, the potential "H" of the high potential power supply line 1 is outputted to the pressure end O via the P-channel MO3) transistors Q1 and Q2.On the other hand, the input ends A, B,
When "H" is input to both C and D, P-channel type MO transistors Q1 to Q4 are turned off, N-channel type MOS transistors Q5 to Q8 are turned on, and an N-channel type MOS transistor is input to output terminal O. transistor Q7
.. The potential 11L' of the low potential power supply line 1 is outputted via Q8.゛L” and ’°H” at input terminals A, B, C, and D, respectively.
If N HI+2 “L”° is input,
Transistor Q2. Q3. Q6゜Ql is turned on, transistors Q1, Q4 . Q5 and Q8 are turned off, and transistors Q3. The potential ``L'' of the low potential power supply line 1 is outputted via Q6.

なお、以下に第1図のAND−ORインバートゲート回
路の真理値表を第1表に示しておく。ここで、“0°゛
は“L″  “1”′は’H” 、A、B。
The truth table of the AND-OR invert gate circuit shown in FIG. 1 is shown in Table 1 below. Here, "0°" is "L", "1" is "H", A, B.

C,Dは入力端、0は出力端を示している。C and D indicate input ends, and 0 indicates an output end.

(以下余白) 第 1 表 このように、第1図のAND−ORインバートゲート回
路は、トランジスタの数を増やすことなく、論理 0=  A−B  +  C−D のように入力端に入力信号の否定入力を与えることが可
能となる。
(Leaving space below) Table 1 In this way, the AND-OR invert gate circuit shown in Figure 1 allows the input signal to be input to the input terminal as logic 0 = A-B + CD without increasing the number of transistors. It becomes possible to give a negative input.

次に、第2図(a)、(b)を用いて、従来の第5図の
AND−ORインバートゲート回路と同一の論理を示す
論理回路を説明する。第2図(a)は、AND回路10
と、一方の入力が否定入力であるANDR路11と、そ
の否定入力とAND回路10の一方の入力端(ここでは
、入力端A。
Next, a logic circuit showing the same logic as the conventional AND-OR invert gate circuit of FIG. 5 will be explained using FIGS. 2(a) and 2(b). FIG. 2(a) shows the AND circuit 10
, an ANDR circuit 11 whose one input is a negative input, and the negative input and one input terminal of the AND circuit 10 (input terminal A in this case).

C)とを共通に接続した制御端子Sと、2つのAND回
路io、ilの出力を入力とするNOR回路とからなり
、第4図(a)と同じ論理を示す。
It consists of a control terminal S commonly connected to C) and a NOR circuit whose inputs are the outputs of two AND circuits io and il, and shows the same logic as in FIG. 4(a).

その具体的な回路構成は、第2図(b)に示す如く、第
1図のAND−ORインバートゲート回路の入力端A、
Cとを共通に接続し、それを制御端子Sとしている。よ
って、この論理回路は、上記した第1表において、A=
Cである部分と同一であるため、動作の説明は省略する
The specific circuit configuration is as shown in FIG. 2(b), the input terminal A of the AND-OR invert gate circuit in FIG.
C is commonly connected, and it is used as a control terminal S. Therefore, in Table 1 above, this logic circuit has A=
Since it is the same as the part in C, the explanation of the operation will be omitted.

以上のように、本実施例では、第3図(b)のAND−
ORインハ”−トゲート回路と同一の8個の[・ランジ
スタで、第4図の論理AND−ORNノーートゲート回
路と同一の論理を示すことが可能であるので、余分なト
ランジスタを使用する必要がなくなる。
As described above, in this embodiment, the AND-
Since it is possible to show the same logic as the logic AND-ORN note gate circuit of FIG. 4 with the same eight transistors as the OR in-heart gate circuit, there is no need to use extra transistors.

なお、上述の本実施例では、否定の入力を入力端Aに限
って説明したが、入力端A以外の入力端B、C,Dの何
れであってもよいことは明白である。また、否定の入力
が、例えば入力端A、B等、2個であってもよい。
In the above-described embodiment, the negative input is limited to the input terminal A, but it is clear that any input terminal B, C, or D other than the input terminal A may be used. Further, there may be two negative inputs, such as input terminals A and B, for example.

〔発明の効果] 以上説明したように、本発明の論理回路では、AND−
ORインバートゲート回路の入力に否定入力があっても
、従来のAND−ORインバートゲート回路と変わらな
いトランジスタ数で構成できるので、半導体集積回路の
高集積化に大いなる貢献をする。
[Effects of the Invention] As explained above, in the logic circuit of the present invention, AND-
Even if an OR invert gate circuit has a negative input, it can be configured with the same number of transistors as a conventional AND-OR invert gate circuit, making a great contribution to higher integration of semiconductor integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理回路図、 第2図(a)は論理回路の一実施例図、第2図(b)は
第2図(a)の具体的な回路図、第3図(a)は従来の
AND−ORインバートゲート回路の論理回路図、 第3図(b)は従来のAND−ORインバートゲート回
路図、 第4図(a)は従来の否定入力を持つANDORインバ
ートゲート回路の論理回路図、第4図(b)は従来の否
定入力を持つAND−ORインバートゲート回路図であ
る。 図において、1は高電位電源線(VCC)、2は低電位
電源線(VSS)、3はC−MOSインバータ回路(否
定回路)、10,13.14はAND回路、11は一方
の入力が否定人力であるAND回路、12.15はNO
R回路、16は否定回路、Ql−Q4.Ql 1−Ql
 4はPチャネル型MOSトランジスタ、Q5〜QB、
Q15〜Q18はNチャネル型MO3)ランジスタ、A
 −Hは入力端、Sは制御端子、0は出力端、Xは接続
点を示す。 A〈45日月の7づに上置A」踏図 急 t エ (CL) 参汐明の一衷−ai’l已 系2.団 (α) Cb) イ妹0、へND−θR4)バーLゲゝFLUリテ第
Figure 1 is a circuit diagram of the principle of the present invention, Figure 2 (a) is a diagram of an embodiment of a logic circuit, Figure 2 (b) is a specific circuit diagram of Figure 2 (a), and Figure 3 ( a) is a logic circuit diagram of a conventional AND-OR invert gate circuit, FIG. 3(b) is a conventional AND-OR invert gate circuit diagram, and FIG. 4(a) is a conventional ANDOR invert gate circuit with a negative input. FIG. 4(b) is a circuit diagram of a conventional AND-OR invert gate having a negative input. In the figure, 1 is a high potential power line (VCC), 2 is a low potential power line (VSS), 3 is a C-MOS inverter circuit (NOT circuit), 10, 13, 14 are AND circuits, and 11 is one input AND circuit that is negative human power, 12.15 is NO
R circuit, 16 is a negative circuit, Ql-Q4. Ql 1-Ql
4 is a P-channel type MOS transistor, Q5 to QB,
Q15 to Q18 are N-channel type MO3) transistors, A
-H indicates an input terminal, S indicates a control terminal, 0 indicates an output terminal, and X indicates a connection point. A〈45th day of the 7th month of the 7th day of the month A'' Tozukyu t E (CL) Sansho Ming's one side - ai'l 已 system 2. Group (α) Cb) I sister 0, ND-θR4) Bar L game FLU Lite No.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 高電位電源線(VCC)に一方の端子が共通に接続され
ると共に、他方の端子が共通に接続点(X)に接続され
た第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)と、 前記接続点(X)に一方の端子が共通に接続されると共
に、他方の端子が共通に出力端(O)接続された第3、
第4のトランジスタ(Q3、Q4)と、 前記出力端(O)と低電位電源線(VSS)との間に直
列に接続された第5、第6のトランジスタ(Q5、Q6
)と、 前記第3の回路と並列に接続されて且つ前記出力端(O
)と低電位電源線(VSS)との間に直列に接続された
第7、第8のトランジスタ(Q7、Q8)とを有し、 前記第1、第2のトランジスタ(Q1、Q2)と前記第
5、第6のトランジスタ(Q5、Q6)とはゲートが対
をなして接続され、前記第3、第4のトランジスタ(Q
1、Q2)と前記第7、第8のトランジスタ(Q5、Q
6)とはゲートが対をなして接続され、前記ゲートが対
をなして接続されたトランジスタ対が共に異なる導電型
のチャネルで構成され、前記第1、第2、第3、第4の
トランジスタのチャネルが異なる導電型のチャネルを含
んで構成されていることを特徴とする論理回路。
[Claims] First and second transistors (Q1, Q2) and a third terminal having one terminal commonly connected to the connection point (X) and the other terminal commonly connected to the output terminal (O);
A fourth transistor (Q3, Q4), and fifth and sixth transistors (Q5, Q6) connected in series between the output terminal (O) and the low potential power supply line (VSS).
), connected in parallel with the third circuit and connected to the output terminal (O
) and a low potential power supply line (VSS), the first and second transistors (Q1, Q2) and the The gates of the fifth and sixth transistors (Q5, Q6) are connected as a pair, and the gates of the fifth and sixth transistors (Q5, Q6) are connected as a pair.
1, Q2) and the seventh and eighth transistors (Q5, Q
6) means that the gates are connected in pairs, and the transistor pairs to which the gates are connected in pairs are both configured with channels of different conductivity types, and the first, second, third, and fourth transistors A logic circuit comprising channels of different conductivity types.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811992A (en) * 1994-12-16 1998-09-22 Sun Microsystems, Inc. Dynamic clocked inverter latch with reduced charged leakage and reduced body effect

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US5811992A (en) * 1994-12-16 1998-09-22 Sun Microsystems, Inc. Dynamic clocked inverter latch with reduced charged leakage and reduced body effect

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