JPH03289855A - マルチチップカラーイメージセンサー - Google Patents
マルチチップカラーイメージセンサーInfo
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- JPH03289855A JPH03289855A JP2090447A JP9044790A JPH03289855A JP H03289855 A JPH03289855 A JP H03289855A JP 2090447 A JP2090447 A JP 2090447A JP 9044790 A JP9044790 A JP 9044790A JP H03289855 A JPH03289855 A JP H03289855A
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- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マルチチップカラーイメージセンサ−に係り
、特に複数の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が
複数個配列され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカ
ラー受光要素を構成するマルチチップカラーイメージセ
ンサ−に関する。
、特に複数の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が
複数個配列され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカ
ラー受光要素を構成するマルチチップカラーイメージセ
ンサ−に関する。
[従来の技術]
従来から、ファクシミリなどの原稿読み取り部には、受
光窓を一直線上に配置したCCDイメージセンサ−、バ
イポーライメージセンサ−に代表される半導体イメージ
センサ−が利用されている。
光窓を一直線上に配置したCCDイメージセンサ−、バ
イポーライメージセンサ−に代表される半導体イメージ
センサ−が利用されている。
一般的に、これらの使用方式として、長平方向が数ミリ
から数十ミリの半導体イメージセンサ−チップを複数個
ならべて読み取り原稿と同一サイズにし、1対1の光学
系、例えばセルホックレンズアレイ(商品名、日本板硝
子(株)製)等を用いて、密着型イメージセンサ−とし
て使用する、いわゆるマルチチップ方式がある。
から数十ミリの半導体イメージセンサ−チップを複数個
ならべて読み取り原稿と同一サイズにし、1対1の光学
系、例えばセルホックレンズアレイ(商品名、日本板硝
子(株)製)等を用いて、密着型イメージセンサ−とし
て使用する、いわゆるマルチチップ方式がある。
第6図はマルチチップ方式の半導体イメージセンサ−の
概略的平面図である。
概略的平面図である。
第7図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−のA部拡大図である。
−のA部拡大図である。
第8図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−を用いた光学系を示す構成図である。
−を用いた光学系を示す構成図である。
第6図及び第8図において、1は原稿、4は所望の回路
を配置した半導体イメージセンサ−実装用の回路基板、
81〜Soはライン状に配列された半導体イメージセン
サ−15はセルホックレンズアレイ、6は原稿照明用L
EDを示している。
を配置した半導体イメージセンサ−実装用の回路基板、
81〜Soはライン状に配列された半導体イメージセン
サ−15はセルホックレンズアレイ、6は原稿照明用L
EDを示している。
第7図において、7は受光窓であり各半導体イメージセ
ンサ−の受光窓は一直線に配置されている。
ンサ−の受光窓は一直線に配置されている。
このマルチチップ方式の半導体イメージセンサ−は、縮
小光学系が不要で小型化が可能な特徴を有しており、フ
ァクシミリ等の画像処理装置に多(用いられている。
小光学系が不要で小型化が可能な特徴を有しており、フ
ァクシミリ等の画像処理装置に多(用いられている。
さて、近年、これらの半導体イメージセンサ−に対して
、従来からのモノクロに加えてカラーセンサーの要望が
多くなってきた。カラー化の実現として最も一般齢な方
式として上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−が検討されており、例えば以下の三通りの方式で対応
することが上げられている。
、従来からのモノクロに加えてカラーセンサーの要望が
多くなってきた。カラー化の実現として最も一般齢な方
式として上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−が検討されており、例えば以下の三通りの方式で対応
することが上げられている。
第1の方式は、モノクロ用イメージセンサ−に対して画
素(受光窓)ピッチを1/3として一行の受光部でRE
D、 GREEN、 BLUEのカラーフィルターを順
番に受光窓上に配置し、となりあった3つの受光窓すな
わち、RED、 GREEN、 BLUE各々l受光窓
づつの出力をもって、カラ−1ドツト分(一つのカラー
受光要素)とする方式である。
素(受光窓)ピッチを1/3として一行の受光部でRE
D、 GREEN、 BLUEのカラーフィルターを順
番に受光窓上に配置し、となりあった3つの受光窓すな
わち、RED、 GREEN、 BLUE各々l受光窓
づつの出力をもって、カラ−1ドツト分(一つのカラー
受光要素)とする方式である。
第9図(Alはモノクロの場合の受光窓の配置を示す説
明図、第9図(B)はカラーの場合の受光窓の配置を示
す説明図である。
明図、第9図(B)はカラーの場合の受光窓の配置を示
す説明図である。
第9図(A) 、 (B)において、8a、8bは半導
体イメージセンサ−17a、7bは受光窓であり、モノ
クロの場合の受光窓7aのピッチ(主走査方向の受光窓
ピッチ)に対し、カラーの場合の受光窓7bのピッチ(
主走査方向の受光窓ピッチ)は1/3であり、受光窓7
bにはRED、 GREENBLUEのカラーフィルタ
ーが順次配置されている。
体イメージセンサ−17a、7bは受光窓であり、モノ
クロの場合の受光窓7aのピッチ(主走査方向の受光窓
ピッチ)に対し、カラーの場合の受光窓7bのピッチ(
主走査方向の受光窓ピッチ)は1/3であり、受光窓7
bにはRED、 GREENBLUEのカラーフィルタ
ーが順次配置されている。
なお、このような方式はインライン方式と呼ばれる。
第2の方式は、半導体イメージセンサ−上の受光窓を1
行から3行にし、各々の行間(副走査方向の受光窓ピッ
チ)を主走査方向の受光窓ピッチと同じか、又は整数倍
にする方式であり、例えば行間を主走査方向のピッチと
同じにした場合、第1行及び第2行の出力をメモリーに
入れて、第1行の出力を2行、第2行の出力を1行お(
らせて出力し、それと第3行の出力をもってカラー1ド
ツト(一つのカラー受光要素)とする方式である。
行から3行にし、各々の行間(副走査方向の受光窓ピッ
チ)を主走査方向の受光窓ピッチと同じか、又は整数倍
にする方式であり、例えば行間を主走査方向のピッチと
同じにした場合、第1行及び第2行の出力をメモリーに
入れて、第1行の出力を2行、第2行の出力を1行お(
らせて出力し、それと第3行の出力をもってカラー1ド
ツト(一つのカラー受光要素)とする方式である。
第10図は受光窓の配置を示す説明図である。
第10図において、10は半導体イメージセンサ−19
は受光窓である。Pは主走査方向の受光窓9のピッチ、
Qは受光窓9の行間ピッチ(副走査方向の受光窓ピッチ
)を示すものである。例えば第1行目の受光窓にRED
のカラーフィルター第2行目の受光窓にGREENのカ
ラーフィルター第3行目の受光窓にBLUEのカラーフ
ィルターが配置される。
は受光窓である。Pは主走査方向の受光窓9のピッチ、
Qは受光窓9の行間ピッチ(副走査方向の受光窓ピッチ
)を示すものである。例えば第1行目の受光窓にRED
のカラーフィルター第2行目の受光窓にGREENのカ
ラーフィルター第3行目の受光窓にBLUEのカラーフ
ィルターが配置される。
第3の方式は、1行の受光窓をもつ半導体イメージセン
サ−を3行配置し、各行の半導体イメージセンサ−ごと
にカラーフィルターを配置する方式である。
サ−を3行配置し、各行の半導体イメージセンサ−ごと
にカラーフィルターを配置する方式である。
第11図は半導体イメージセンサ−の配置を示す説明図
である。
である。
同図において、7は受光窓、11は第1行目の半導体イ
メージセンサ−12は第2行目の半導体イメージセンサ
−113は第3行目の半導体イメージセンサ−である。
メージセンサ−12は第2行目の半導体イメージセンサ
−113は第3行目の半導体イメージセンサ−である。
例えば第1行目の半導体イメージセンサ−の受光窓にR
EDのカラーフィルター、第2行目の半導体イメージセ
ンサ−の受光窓にGREENのカラーフィルター、第3
行目の半導体イメージセンサ−の受光窓にBLUEのカ
ラーフィルターが配置される。
EDのカラーフィルター、第2行目の半導体イメージセ
ンサ−の受光窓にGREENのカラーフィルター、第3
行目の半導体イメージセンサ−の受光窓にBLUEのカ
ラーフィルターが配置される。
なお、以上説明した各従来例において、副走査方向は読
み取り原稿の進む方向、主走査方向は受光窓のならぶ方
向である。又、行とは副走査方向の受光部のならび、列
とは主走査方向の受光窓のならびである。
み取り原稿の進む方向、主走査方向は受光窓のならぶ方
向である。又、行とは副走査方向の受光部のならび、列
とは主走査方向の受光窓のならびである。
第12図は、上記主走査方向及び副走査方向を図示する
ための説明図である。
ための説明図である。
同図において、16は副走査方向、17は主走査方向、
14はマルチチップイメージセンサ−の第1チツプの読
み取りはじめの受光窓の位置、15は最終チップの最終
読み取り受光窓の位置である。
14はマルチチップイメージセンサ−の第1チツプの読
み取りはじめの受光窓の位置、15は最終チップの最終
読み取り受光窓の位置である。
しかしながら、以上説明した三方式のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−には、次の様な問題があった。
ーイメージセンサ−には、次の様な問題があった。
まず、第1の方法たるインライン方式の場合であるが、
この場合は例えば、第13図に示す様に半導体イメージ
センサ−の各チップのつなぎ目のドツトピッチが正規ピ
ッチに対してきわめて大きくなることが問題となる。
この場合は例えば、第13図に示す様に半導体イメージ
センサ−の各チップのつなぎ目のドツトピッチが正規ピ
ッチに対してきわめて大きくなることが問題となる。
ここで、ドツトのピッチとはインライン方式の場合、カ
ラーセンサーではRED 、 GREEN 、 BLU
Eの3つの受光窓でカラーの1ドツト(一つのカラー受
光要素)を構成するので、等測的にGREEN−GRE
EN 、 RED −RED 、 BLLIE−BLU
E間に相当する。第11図では、GREEN−GREE
N間で示しである。
ラーセンサーではRED 、 GREEN 、 BLU
Eの3つの受光窓でカラーの1ドツト(一つのカラー受
光要素)を構成するので、等測的にGREEN−GRE
EN 、 RED −RED 、 BLLIE−BLU
E間に相当する。第11図では、GREEN−GREE
N間で示しである。
今、Plを正規のピッチ、P2を半導体イメージセンサ
−のつなぎ目のピッチとし、Aを最端受光窓エツジと半
導体イメージセンサ−チップエツジとの距離、Bを半導
体イメージセンサ−のつなぎ目のすき間、Dを各受光窓
間の距離とすると、P2は、 P2 =p、+2A+B−D ・ ・・・■となり、
半導体イメージセンサ−の各チップのつなぎ目のドツト
ピッチP、(以下、ピッチP2という)は、正規のピッ
チP、(以下、ピッチP1という)よりも2A+B−D
分だけ大きくなる。
−のつなぎ目のピッチとし、Aを最端受光窓エツジと半
導体イメージセンサ−チップエツジとの距離、Bを半導
体イメージセンサ−のつなぎ目のすき間、Dを各受光窓
間の距離とすると、P2は、 P2 =p、+2A+B−D ・ ・・・■となり、
半導体イメージセンサ−の各チップのつなぎ目のドツト
ピッチP、(以下、ピッチP2という)は、正規のピッ
チP、(以下、ピッチP1という)よりも2A+B−D
分だけ大きくなる。
ここで具体的に解像度を400DPI (1インチあた
り400ドツト)でピッチP1、ピッチP2を計算して
みる。
り400ドツト)でピッチP1、ピッチP2を計算して
みる。
ピッチP1は、
Aについては、半導体ウェハーから半導体イメージセン
サ−を切り出す時の受光窓への影響を考えて20μmと
する。
サ−を切り出す時の受光窓への影響を考えて20μmと
する。
Bについては半導体イメージセンサ−のダイポンディン
グ精度により約20μmとなる。Dについては各受光窓
のアイソレーションなどを考えてFJ6μmとする。こ
の時のピッチP、は、P、=63.5μm、 A=2
0 μm、 B=20 μm% D=6μmを0式に
代入して、 P 2 =63.5 (μm)+2x20 (μm)+
20(μm)−E+ (um)=117.5(μm)と
なる。
グ精度により約20μmとなる。Dについては各受光窓
のアイソレーションなどを考えてFJ6μmとする。こ
の時のピッチP、は、P、=63.5μm、 A=2
0 μm、 B=20 μm% D=6μmを0式に
代入して、 P 2 =63.5 (μm)+2x20 (μm)+
20(μm)−E+ (um)=117.5(μm)と
なる。
よって、
一般にカラーセンサーの場合、1.85倍程度のピッチ
ずれは、出力画像に悪影響を与えてしまう。
ずれは、出力画像に悪影響を与えてしまう。
次に第2の方式の3ライン方式場合であるが、これは第
14図に示す様にピッチずれに関してはインライン方式
より対応しやすい。
14図に示す様にピッチずれに関してはインライン方式
より対応しやすい。
3ライン方式においては、RED、GREEN BL
UEのカラーフィルターが行ごとに設けられるため、第
12図に示すように、正規のピッチP、は隣接するカラ
ーフィルターのピッチとなり、半導体イメージセンサ−
の各チップのつなぎ目のドツトピッチP4は隣接する半
導体イメージセンサ−チップの端部のカラーフィルター
のピッチとなる。
UEのカラーフィルターが行ごとに設けられるため、第
12図に示すように、正規のピッチP、は隣接するカラ
ーフィルターのピッチとなり、半導体イメージセンサ−
の各チップのつなぎ目のドツトピッチP4は隣接する半
導体イメージセンサ−チップの端部のカラーフィルター
のピッチとなる。
今、ピッチP3を63.5μm、受光窓の主走査方向の
長さを30μmとすると、 Pa =2A+B+30 (μm)=90 (μm)と
なる。
長さを30μmとすると、 Pa =2A+B+30 (μm)=90 (μm)と
なる。
この時ピッチP4は、ピッチP3の約1.42倍となる
。出力画像としては、画像に影響を与えるピッチづれは
一般に1.5倍以上であるので、この値は問題ないと言
える。しかし、3ライン方式の場合、外部にメモリーが
必要となり、システム全体が複雑になり、コストもアッ
プする。
。出力画像としては、画像に影響を与えるピッチづれは
一般に1.5倍以上であるので、この値は問題ないと言
える。しかし、3ライン方式の場合、外部にメモリーが
必要となり、システム全体が複雑になり、コストもアッ
プする。
第3の方式の場合であるが、この場合は先に示した3ラ
イン方式よりも大きいメモリーが必要となり、さらに各
々の半導体イメージセンサ−の実装精度も向上させる必
要があり、実現はかなりむづかしいと考えられる。
イン方式よりも大きいメモリーが必要となり、さらに各
々の半導体イメージセンサ−の実装精度も向上させる必
要があり、実現はかなりむづかしいと考えられる。
[発明が解決しようとする課題]
以上説明したように、マルチチップカラーイメージセン
サ−を構成するための三つの方法はそれぞれ課題を有す
るが、第1の方法たるインライン方式は、メモリが不要
であるためシステムの簡易化、コスト低減が可能である
等の長所を有することから注目されている。
サ−を構成するための三つの方法はそれぞれ課題を有す
るが、第1の方法たるインライン方式は、メモリが不要
であるためシステムの簡易化、コスト低減が可能である
等の長所を有することから注目されている。
本発明の目的は上記インライン方式で問題となっていた
半導体イメージセンサ−チップのつなぎ目(第11図に
おいてAとBの部分)で原稿データが欠落する問題を解
決することにある。
半導体イメージセンサ−チップのつなぎ目(第11図に
おいてAとBの部分)で原稿データが欠落する問題を解
決することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−は、複数
の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が複数個配列
され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカラー受光要
素を構成するマルチチップカラーイメージセンサ−にお
いて、 隣接する半導体イメージセンサ−の最初の半導体イメー
ジセンサ−の最終の受光窓又はこの最終の受光窓を含む
二以上の受光窓と、次の半導体イメージセンサ−の最初
の受光窓又はこの最初の受光窓を含む二以上の受光窓と
で、一つのカラー受光要素を構成したことを特徴とする
。
の受光窓を有する半導体イメージセンサ−が複数個配列
され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカラー受光要
素を構成するマルチチップカラーイメージセンサ−にお
いて、 隣接する半導体イメージセンサ−の最初の半導体イメー
ジセンサ−の最終の受光窓又はこの最終の受光窓を含む
二以上の受光窓と、次の半導体イメージセンサ−の最初
の受光窓又はこの最初の受光窓を含む二以上の受光窓と
で、一つのカラー受光要素を構成したことを特徴とする
。
[作用]
インライン方式において、半導体イメージセンサ−チッ
プのつなぎ目で原稿データが欠落するのは、第11図に
示すよにカラー1ドツトE(一つのカラー受光要素)が
各半導体イメージセンサ−チップ内で構成されているた
めである。
プのつなぎ目で原稿データが欠落するのは、第11図に
示すよにカラー1ドツトE(一つのカラー受光要素)が
各半導体イメージセンサ−チップ内で構成されているた
めである。
本発明は、隣接する半導体イメージセンサ−の最初の半
導体イメージセンサ−の最終の受光窓又はこの最終の受
光窓を含む二以上の受光窓と、次の半導体イメージセン
サ−の最初の受光窓又はこの最初の受光窓を含む二以上
の受光窓とで、一つのカラー受光要素を構成することで
、隣接する半導体イメージセンサ−にまたがってカラー
1ドツト(1つのカラー受光要素)を構成するものであ
る。
導体イメージセンサ−の最終の受光窓又はこの最終の受
光窓を含む二以上の受光窓と、次の半導体イメージセン
サ−の最初の受光窓又はこの最初の受光窓を含む二以上
の受光窓とで、一つのカラー受光要素を構成することで
、隣接する半導体イメージセンサ−にまたがってカラー
1ドツト(1つのカラー受光要素)を構成するものであ
る。
[実施例]
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
まず、本発明の特徴部分となるカラー受光要素を構成す
る三つの受光窓の配置の説明に先だって、マルチチップ
カラーイメージセンサ−の構成について説明する。
る三つの受光窓の配置の説明に先だって、マルチチップ
カラーイメージセンサ−の構成について説明する。
第2図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第1実施例の概略的平面図である。
の第1実施例の概略的平面図である。
同図に示すように、半導体イメージセンサ−チップ20
−1〜20−11を所望の回路パターンに配置しである
回路基板29上に1lchip配置しである。なお、2
0−1は第1の半導体イメージセンサ−120−11は
第11<最終)の半導体イメージセンサ−を示す。
−1〜20−11を所望の回路パターンに配置しである
回路基板29上に1lchip配置しである。なお、2
0−1は第1の半導体イメージセンサ−120−11は
第11<最終)の半導体イメージセンサ−を示す。
第1図は上記マルチチップカラーイメージセンサ−のC
部拡大図であって、受光窓配置を示すものである。
部拡大図であって、受光窓配置を示すものである。
なお、以下に説明する受光窓の配置の幾何学的寸法につ
いては、第12図に示したインライン方式のマルチチッ
プカラーイメージセンサ−と同等である。
いては、第12図に示したインライン方式のマルチチッ
プカラーイメージセンサ−と同等である。
本第1実施例では、解像度が400DP I、すなわち
、カラーの1ドツト(一つのカラー受光要素)を構成す
る受光窓群(3受光窓でカラー1ドツト、例えば第1図
の21)が63.5μmピッチ(第1図のP、ピッチ)
で主走査方向に順次配置されている半導体イメージセン
サ−を用いており、1つの半導体イメージセンサ−上に
は948個の受光窓が主走査方向に一直線に配置されて
いる。
、カラーの1ドツト(一つのカラー受光要素)を構成す
る受光窓群(3受光窓でカラー1ドツト、例えば第1図
の21)が63.5μmピッチ(第1図のP、ピッチ)
で主走査方向に順次配置されている半導体イメージセン
サ−を用いており、1つの半導体イメージセンサ−上に
は948個の受光窓が主走査方向に一直線に配置されて
いる。
なお、第1図において、ピッチp、、p、は第13図に
示したピッチP、、P、と同様に、それぞれ正規のピッ
チ、半導体イメージセンサ−のつなぎ目のピッチを示す
。
示したピッチP、、P、と同様に、それぞれ正規のピッ
チ、半導体イメージセンサ−のつなぎ目のピッチを示す
。
各受光窓の主走査方向の大きさしは15μmであり各受
光窓間りは各受光窓のアイソレーション及び配線等のた
めに約6μmとっである。3受光窓ごとのピッチを63
.5μmとするため、各受光窓のピッチP、の端数はア
イソレーションと配線のための領域りで吸収しである。
光窓間りは各受光窓のアイソレーション及び配線等のた
めに約6μmとっである。3受光窓ごとのピッチを63
.5μmとするため、各受光窓のピッチP、の端数はア
イソレーションと配線のための領域りで吸収しである。
以下の実施例での説明をわかりやす(するために、今後
りに含まれる端数を無視してDを6μmとする。この半
導体イメージセンサ−の主走査方向の長さは約20mm
であり、これを11 chip受光窓が一直線になるよ
うに配置してA4サイズの読み取り巾を実現する。
りに含まれる端数を無視してDを6μmとする。この半
導体イメージセンサ−の主走査方向の長さは約20mm
であり、これを11 chip受光窓が一直線になるよ
うに配置してA4サイズの読み取り巾を実現する。
ここで、Bは、半導体イメージセンサ−をダイボンドす
る装置等の精度により決まる値で20μmとした。Aに
ついては、半導体ウェハーから半導体イメージセンサ−
チップをダイシング法によって切り出した時の受光窓の
ダメージを考えて20μmに設定している。
る装置等の精度により決まる値で20μmとした。Aに
ついては、半導体ウェハーから半導体イメージセンサ−
チップをダイシング法によって切り出した時の受光窓の
ダメージを考えて20μmに設定している。
第1図でカラー1ドツトを構成する3受光窓21は、R
ED 、 GREEN 、 BLUEで構成されている
。
ED 、 GREEN 、 BLUEで構成されている
。
半導体イメージセンサ−のうち、23は、つなぎ合わせ
た半導体イメージセンサ−で第1(最初)の半導体イメ
ージセンサ−20−1の最終の受光窓であり、24.2
5は次の半導体イメージセンサ−20−2の第1及び第
2の受光窓であり、つなぎ目のカラー1ドツトを構成す
る3受光窓は、受光窓23,24.25により構成され
ている。
た半導体イメージセンサ−で第1(最初)の半導体イメ
ージセンサ−20−1の最終の受光窓であり、24.2
5は次の半導体イメージセンサ−20−2の第1及び第
2の受光窓であり、つなぎ目のカラー1ドツトを構成す
る3受光窓は、受光窓23,24.25により構成され
ている。
つまり、つなぎ目のカラー1ドツトは、2つの半導体イ
メージセンサ−に跨って配置されることになる。
メージセンサ−に跨って配置されることになる。
以下、本発明の特徴部分について、第13図を用いて説
明したインライン方式のマルチチップカラーイメージセ
ンサ−と比較しながら第1図を用いて説明する。
明したインライン方式のマルチチップカラーイメージセ
ンサ−と比較しながら第1図を用いて説明する。
第13図に示したインライン方式のマルチチップカラー
イメージセンサ−の場合、つなぎ合わせた半導体イメー
ジセンサ−の最初の半導体イメージセンサ−の最終の3
受光窓(R,G、B)及び次の半導体イメージセンサ−
の最初の第1、第2、第3の3受光窓(R,G、B)で
それぞれ別にカラー1ドツトを構成していた。この場合
、半導体イメージセンサ−のつなぎ目でのA及びBの部
分(A+B+A=20+20+20=60μm)の原稿
データは、まったく完全に欠落することになり、複数の
半導体イメージセンサ−のつなぎ目の不連続性が、画像
出力に表われてしまう。
イメージセンサ−の場合、つなぎ合わせた半導体イメー
ジセンサ−の最初の半導体イメージセンサ−の最終の3
受光窓(R,G、B)及び次の半導体イメージセンサ−
の最初の第1、第2、第3の3受光窓(R,G、B)で
それぞれ別にカラー1ドツトを構成していた。この場合
、半導体イメージセンサ−のつなぎ目でのA及びBの部
分(A+B+A=20+20+20=60μm)の原稿
データは、まったく完全に欠落することになり、複数の
半導体イメージセンサ−のつなぎ目の不連続性が、画像
出力に表われてしまう。
これに対して、本発明の実施例においては、つなぎ目に
おいて、カラー1ドツトを構成する3受光窓は、2つの
半導体イメージセンサ−に跨がっているため、従来例の
様な完全な原稿データの欠落はない。本実施例を示した
第1図では、つなぎ目でのカラー1ドツトに対応する原
稿データは半導体イメージセンサ−20−1の最終の受
光窓23と半導体イメージセンサ−20−2の第2の受
光窓25のとの外側のエッチ間の距離P6(Pa =2
A+B+D+3L=40+20+6+45=111(μ
m))から得られることになり、従来例の様につなぎ目
の不連続性が画像出力に与える影響は、きわめて少なく
なる。
おいて、カラー1ドツトを構成する3受光窓は、2つの
半導体イメージセンサ−に跨がっているため、従来例の
様な完全な原稿データの欠落はない。本実施例を示した
第1図では、つなぎ目でのカラー1ドツトに対応する原
稿データは半導体イメージセンサ−20−1の最終の受
光窓23と半導体イメージセンサ−20−2の第2の受
光窓25のとの外側のエッチ間の距離P6(Pa =2
A+B+D+3L=40+20+6+45=111(μ
m))から得られることになり、従来例の様につなぎ目
の不連続性が画像出力に与える影響は、きわめて少なく
なる。
本実施例においては、第2図示す第1の半導体イメージ
センサ−20−1の第1及び第2の受光窓、最終の半導
体イメージセンサ−20−11の最終の受光窓はカラー
1ドツトの構成がないので、本実施例の画像出力のデー
タ出力としては使用しないことが望ましい。
センサ−20−1の第1及び第2の受光窓、最終の半導
体イメージセンサ−20−11の最終の受光窓はカラー
1ドツトの構成がないので、本実施例の画像出力のデー
タ出力としては使用しないことが望ましい。
第3図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第2実施例の部分拡大図である。
の第2実施例の部分拡大図である。
なお、図中、P3.Pa 、P−は第1実施例と同様に
、それぞれ正規のピッチ、半導体イメージセンサ−のつ
なぎ目でのピッチ、半導体イメージセンサ−20〜1の
最終の受光窓23と半導体イメージセンサー20−2の
第2の受光窓25との外側のエッチ間の距離を示す。
、それぞれ正規のピッチ、半導体イメージセンサ−のつ
なぎ目でのピッチ、半導体イメージセンサ−20〜1の
最終の受光窓23と半導体イメージセンサー20−2の
第2の受光窓25との外側のエッチ間の距離を示す。
本実施例では、第1実施例とは異なり、つなぎ目でのカ
ラー1ドツトを構成する3受光窓が、最初の半導体イメ
ージセンサ−20−1の最後の2受光窓26.27と、
次の半導体イメージセンサ−20−2の第1受光窓28
により構成されている。第1実施例と第2の実施例とで
は、効果はまったく同じである。
ラー1ドツトを構成する3受光窓が、最初の半導体イメ
ージセンサ−20−1の最後の2受光窓26.27と、
次の半導体イメージセンサ−20−2の第1受光窓28
により構成されている。第1実施例と第2の実施例とで
は、効果はまったく同じである。
なお、第1実施例と同じ理由から、第1の半導体イメー
ジセンサ−20−1の第1の受光窓、最終の半導体イメ
ージセンサ−20−11の最終の受光窓及び一つ前の受
光窓は画像出力のデータ出力としては使用しないことが
望ましい。
ジセンサ−20−1の第1の受光窓、最終の半導体イメ
ージセンサ−20−11の最終の受光窓及び一つ前の受
光窓は画像出力のデータ出力としては使用しないことが
望ましい。
以上説明した第1及び第2の実施例においては、カラー
フィルターは赤(RED)、緑(GREEN)、青(B
LUE)として記載したが、その他の色、例えばシアン
、マゼンタ、黄から構成してもよい。
フィルターは赤(RED)、緑(GREEN)、青(B
LUE)として記載したが、その他の色、例えばシアン
、マゼンタ、黄から構成してもよい。
前述した第1及び第2の実施例は、主走査方向に配列さ
れた三つの受光窓で一つのカラー受光要素を構成してい
るが、受光窓の数はかかる数に限定されず、広(複数の
受光窓で一つのカラー受光要素を構成する場合に本発明
を用いることができる。
れた三つの受光窓で一つのカラー受光要素を構成してい
るが、受光窓の数はかかる数に限定されず、広(複数の
受光窓で一つのカラー受光要素を構成する場合に本発明
を用いることができる。
第4図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第3実施例の部分拡大図であり、第5図(A)(B)
は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−の第4
実施例及び第5実施例の部分拡大図である。
の第3実施例の部分拡大図であり、第5図(A)(B)
は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−の第4
実施例及び第5実施例の部分拡大図である。
第3実施例は、二つの受光窓で一つのカラー受光要素を
構成するものであり、例えば第4図において、受光窓3
1.32は一つのカラー受光要素を構成し、半導体イメ
ージセンサ−30−1の最終受光窓33と半導体イメー
ジセンサ−30−2の第1受光窓34とは、つなぎ目で
の一つのカラー受光要素を構成する。
構成するものであり、例えば第4図において、受光窓3
1.32は一つのカラー受光要素を構成し、半導体イメ
ージセンサ−30−1の最終受光窓33と半導体イメー
ジセンサ−30−2の第1受光窓34とは、つなぎ目で
の一つのカラー受光要素を構成する。
第4実施例は、四つの受光窓で一つのカラー受光要素を
構成するものであり、例えば第5図(A)において、受
光窓41,42,43.44は一つのカラー受光要素を
構成し、半導体イメージセンサ−40−1の最終受光窓
45.46と半導体イメージセンサ−40−2の受光窓
47.48とは、つなぎ目での一つのカラー受光要素を
構成する。
構成するものであり、例えば第5図(A)において、受
光窓41,42,43.44は一つのカラー受光要素を
構成し、半導体イメージセンサ−40−1の最終受光窓
45.46と半導体イメージセンサ−40−2の受光窓
47.48とは、つなぎ目での一つのカラー受光要素を
構成する。
また、第5実施例は、第4実施例と同様に、四つの受光
窓で一つのカラー受光要素を構成するものであり、例え
ば第5図(B)において受光窓42.43,44.49
は一つのカラー受光要素を構成し、半導体イメージセン
サ−40−1の受光窓46と半導体イメージセンサ−4
0−2の受・光窓47,48.41とは、つなぎ目での
一つのカラー受光要素を構成する。
窓で一つのカラー受光要素を構成するものであり、例え
ば第5図(B)において受光窓42.43,44.49
は一つのカラー受光要素を構成し、半導体イメージセン
サ−40−1の受光窓46と半導体イメージセンサ−4
0−2の受・光窓47,48.41とは、つなぎ目での
一つのカラー受光要素を構成する。
なお、第4図及び第5図(A) (B)において、P、
、P、、P、は第1及び第2実施例と同様に、それぞれ
正規のピッチ、半導体イメージセンサ−のつなぎ目での
ピッチ、半導体イメージセンサ−のつなぎ目での一つの
カラー受光要素の最初の受光窓と最後の受光窓との外側
のエッチ間の距離を示す。
、P、、P、は第1及び第2実施例と同様に、それぞれ
正規のピッチ、半導体イメージセンサ−のつなぎ目での
ピッチ、半導体イメージセンサ−のつなぎ目での一つの
カラー受光要素の最初の受光窓と最後の受光窓との外側
のエッチ間の距離を示す。
なお、第4図及び第5図(A) CB)に示した半導体
イメージセンサ−のカラーフィルターの色は示していな
いが、前述した赤(RED)、緑(GREEN)、青(
BLUE)又はシアン、マゼンタ、黄のうちの一部又は
全部を用いて構成することができる。
イメージセンサ−のカラーフィルターの色は示していな
いが、前述した赤(RED)、緑(GREEN)、青(
BLUE)又はシアン、マゼンタ、黄のうちの一部又は
全部を用いて構成することができる。
第4図及び第5図(A) (B)に示した半導体イメー
ジセンサ−からなるマルチチップカラーイメージセンサ
−の構成は、第2図に示したマルチチップカラーイメー
ジセンサ−と同等である。第1実施例と同じ理由から、
第3実施例においては、第1の半導体イメージセンサ−
の第1の受光窓、最終の半導体イメージセンサ−の最終
の受光窓は画像出力のデータ出力としては使用しないこ
とが望ましい。また第4実施例についても、第1の半導
体イメージセンサ−の第1の受光窓及びその次の受光窓
、最終の半導体イメージセンサ−の最終の受光窓及びそ
の前の受光窓は画像出力のデータ出力としては使用しな
いことが望ましく、第5実施例についても、第1の半導
体イメージセンサ−の第1の受光窓及び次の二つの受光
窓、最終の半導体イメージセンサ−の最終の受光窓は画
像出力のデータ出力としては使用しないことが望ましい
。
ジセンサ−からなるマルチチップカラーイメージセンサ
−の構成は、第2図に示したマルチチップカラーイメー
ジセンサ−と同等である。第1実施例と同じ理由から、
第3実施例においては、第1の半導体イメージセンサ−
の第1の受光窓、最終の半導体イメージセンサ−の最終
の受光窓は画像出力のデータ出力としては使用しないこ
とが望ましい。また第4実施例についても、第1の半導
体イメージセンサ−の第1の受光窓及びその次の受光窓
、最終の半導体イメージセンサ−の最終の受光窓及びそ
の前の受光窓は画像出力のデータ出力としては使用しな
いことが望ましく、第5実施例についても、第1の半導
体イメージセンサ−の第1の受光窓及び次の二つの受光
窓、最終の半導体イメージセンサ−の最終の受光窓は画
像出力のデータ出力としては使用しないことが望ましい
。
[発明の効果コ
以上詳細に説明したように、本発明のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−によれば、次のような効果を得るこ
とができる。
ーイメージセンサ−によれば、次のような効果を得るこ
とができる。
(1)半導体イメージセンサ−のつなぎ目の影響が少な
くなり、良好な画像出力が得られる。
くなり、良好な画像出力が得られる。
(2)従来のモノクロセンサの場合と同じつなぎ目間隔
で良好な画像出力が得られ、特別な半導体グイボンド装
置を必要とせず、実装が可能な半導体イメージセンサ−
が得られる。
で良好な画像出力が得られ、特別な半導体グイボンド装
置を必要とせず、実装が可能な半導体イメージセンサ−
が得られる。
第1図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第1実施例の部分拡大図であって、受光窓配置を示す
ものである。 第2図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第1実施例の概略的平面図である。 第3図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第2実施例の部分拡大図である。 第4図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第3実施例の部分拡大図であり、第5図(A)(B)
は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−の第4
実施例及び第5実施例の部分拡大図である。 第6図は従来のマルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−の概略的平面図である。 第7図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−のA部拡大図である。 第8図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−を用いた光学系を示す構成図である。 第9図(A)はモノクロの場合の受光窓の配置を示す説
明図、第9図(B)はカラーの場合の受光窓の配置を示
す説明図である。 第10図は受光窓の配置を示す説明図である。 第11図は半導体イメージセンサ−の配置を示す説明図
である。 第12図は、主走査方向及び副走査方向を図示するため
の説明図である。 第13図は、インライン方式の従来のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 第14図は、3ライン方式の従来のマルチチップカラー
イメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 第1図 1:原稿、4,29:回路基板、5:セルホックレンズ
アレイ、6 : LED、7.7a、7b。 9.22〜28:受光窓、8a、8b、S、〜Sn、1
0〜13.20−1〜20−11 :半導体イメージセ
ンサ−121:カラー1ドツト(1つのカラー受光要素
)を構成する3受光窓。 第2IXJ
の第1実施例の部分拡大図であって、受光窓配置を示す
ものである。 第2図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第1実施例の概略的平面図である。 第3図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第2実施例の部分拡大図である。 第4図は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−
の第3実施例の部分拡大図であり、第5図(A)(B)
は本発明のマルチチップカラーイメージセンサ−の第4
実施例及び第5実施例の部分拡大図である。 第6図は従来のマルチチップ方式の半導体イメージセン
サ−の概略的平面図である。 第7図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−のA部拡大図である。 第8図は上記マルチチップ方式の半導体イメージセンサ
−を用いた光学系を示す構成図である。 第9図(A)はモノクロの場合の受光窓の配置を示す説
明図、第9図(B)はカラーの場合の受光窓の配置を示
す説明図である。 第10図は受光窓の配置を示す説明図である。 第11図は半導体イメージセンサ−の配置を示す説明図
である。 第12図は、主走査方向及び副走査方向を図示するため
の説明図である。 第13図は、インライン方式の従来のマルチチップカラ
ーイメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 第14図は、3ライン方式の従来のマルチチップカラー
イメージセンサ−の受光窓配置を示す説明図である。 第1図 1:原稿、4,29:回路基板、5:セルホックレンズ
アレイ、6 : LED、7.7a、7b。 9.22〜28:受光窓、8a、8b、S、〜Sn、1
0〜13.20−1〜20−11 :半導体イメージセ
ンサ−121:カラー1ドツト(1つのカラー受光要素
)を構成する3受光窓。 第2IXJ
Claims (3)
- (1)複数の受光窓を有する半導体イメージセンサーが
複数個配列され、主走査方向の複数の受光窓で一つのカ
ラー受光要素を構成するマルチチップカラーイメージセ
ンサーにおいて、 隣接する半導体イメージセンサーの最初の半導体イメー
ジセンサーの最終の受光窓又はこの最終の受光窓を含む
二以上の受光窓と、次の半導体イメージセンサーの最初
の受光窓又はこの最初の受光窓を含む二以上の受光窓と
で、一つのカラー受光要素を構成したことを特徴とする
マルチチップカラーイメージセンサー。 - (2)配列された複数個の半導体イメージセンサーの内
、カラー受光要素を構成しない第1の半導体イメージセ
ンサーの最初の受光窓又はこの最初の受光窓を含む二以
上の受光窓と、カラー受光要素を構成しない最終の半導
体イメージセンサーの最終の受光窓又はこの最終の受光
窓を含む二以上の受光窓とに対応する出力信号を使用し
ないことを特徴とする請求項1記載のマルチチップカラ
ーイメージセンサー。 - (3)半導体イメージセンサーの受光窓にカラーフィル
ターが配され、且つこのカラーフィルターの一部又は全
部が、赤、緑、青或はシアン、マゼンタ、黄から選ばれ
た色の組合わせにより順次各受光窓に一色づつ配置され
ていることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチチ
ップカラーイメージセンサー。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2090447A JPH03289855A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | マルチチップカラーイメージセンサー |
US07/680,692 US5315412A (en) | 1990-04-06 | 1991-04-04 | Multi-chip color image sensor with light-receiving windows arranged to provide sensor output signals corresponding to the gap between adjacent sensors |
US08/180,317 US5587814A (en) | 1990-04-06 | 1994-01-12 | Color image sensor including plural light-receiving windows and color filters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2090447A JPH03289855A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | マルチチップカラーイメージセンサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03289855A true JPH03289855A (ja) | 1991-12-19 |
Family
ID=13998872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2090447A Pending JPH03289855A (ja) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | マルチチップカラーイメージセンサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03289855A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205659A (ja) * | 1988-02-11 | 1989-08-18 | Canon Inc | カラー読み取り用ラインセンサ |
-
1990
- 1990-04-06 JP JP2090447A patent/JPH03289855A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205659A (ja) * | 1988-02-11 | 1989-08-18 | Canon Inc | カラー読み取り用ラインセンサ |
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